CC BY
30
11. Тихомиров, П. М. Расчет трансформаторов [Текст]: учеб. пособие / П. М. Тихомиров. — 4-е изд., перераб. и доп. — М.: Энергия, 1976. — 544 с.
12. Петров, Г. Н. Трансформаторы [Текст]. Т. 1. Основы теории / Г. Н. Петров. — М., Л.: Госэнергоиздат, 1934. — 447 с.
13. Лейтес, Л. В. Электромагнитные расчеты трансформаторов и реакторов [Текст] / Л. В. Лейтес. — М.: Энергия, 1981. — 392 с.
14. Hoer, C. A. A 2:1 ratio inductive voltage divider with less than 0.1 ppm error to 1 MHz [Text] / C. A. Hoer, W. L. Smith // Journal of Research of the National Bureau of Standards, Section C: Engineering and Instrumentation. — 1967. — Vol. 71C, № 2. — P. 101-109. doi:10.6028/jres.071c.012
ДЕТАЛИЗАЦИЯ УРАВНЕНИЙ ТРАНСФОРМАТОРА ДО УРОВНЯ ЕДИНИЧНЫХ ВИТКОВ (ГРУПП ВИТКОВ) ОбМОТОК
Исследовано рассеяния трансформатора, его влияние на значение индуктивности отдельных витков (групп витков) обмоток. Выявлена взаимосвязь рассеяния трансформатора с падением напряжения на отдельных витках (группах витков) обмоток трансформатора. Предложен метод расчета падения напряжения на отдельных витках (группах витков) обмоток трансформатора с помощью системы уравнений и использования понятий «частичная индуктивность», «частичная взаимоиндуктивность».
Ключевые слова: трансформатор, индуктивность, рассеяние, взаимоиндуктивность, частичная индуктивность.
Бржезицький Володимир Олександрович, доктор техтчних наук, професор, виконувач обов'язтв завГдувача кафедри техтки
i електрофiзики високих напруг, Нащональний техтчний утвер-ситет Украти «Кигвський полтехтчний iHcmumym», Украта, e-mail: brzhezitsky@mail.ru.
Гаран Ярослав Олександрович, тженер, кафедра техтки i електрофiзики високих напруг, Нащональний техтчний ут-верситет Украти «Ктвський полтехшчний тститут», Украта. Маслюченко 1гор Миколайович, кандидат техшчних наук, доцент, кафедра техшки i електрофiзики високих напруг, Нащональний техшчний утверситет Украти «Кигвський полтех-нчний iнститут», Украта.
Бржезицкий Владимир Александрович, доктор технических наук, профессор, исполняющий обязанности заведующего кафедрой техники и электрофизики высоких напряжений, Национальный технический университет Украины «Киевский политехнический институт», Украина.
Гаран Ярослав Александрович, инженер, кафедра техники и электрофизики высоких напряжений, Национальный технический университет Украины «Киевский политехнический институт», Украина.
Маслюченко Игорь Николаевич, кандидат технических наук, доцент, кафедра техники и электрофизики высоких напряжений, Национальный технический университет Украины «Киевский политехнический институт», Украина.
Brzhezytskyi Volodymyr, National Technical University of Ukraine «Kyiv Polytechnic Institute», Ukraine, e-mail: brzhezitsky@mail.ru.
Haran Yaroslav, National Technical University of Ukraine «Kyiv Polytechnic Institute», Ukraine.
Masluchenko Igor, National Technical University of Ukraine «Kyiv Polytechnic Institute», Ukraine
УДК 621.315:006.354 001: 10.15587/2312-8372.2016.59092
Р0ЗР0БКА УСТАНОВКИ ДЛЯ
ВИПРОБУВАННЯ високовольтних
1ЗОЛЯТОР1В НА ДОПУСТИМИй Р1ВЕНЬ РАД1ОЗАВАД
В статтг проаналгзовано ¡снуючг вимоги до структурног схеми та характеристик установки для випробування високовольтних ¡золяторгв на допустимый ргвень радюзавад. Описано принципову схему розробленог установки та методику випробування високовольтних гзоляторгв. Визначенг основы параметри та характеристики розробленог установки. Наведет результати вимгрювання ргвня «фону установки» та визначенг рекомепдацгг щодо гг використання.
Клпчов1 слова: ргвень радюзавад, ¡золятор, повтряна лгнгя, фон установки, селективний мгкровольтметр.
Бржезицький В. 0., Гаран Я. 0., Лапоша М. Ю.
1. Вступ
1золятори, арматура та обладнання електричних тд-станцш можуть бути джерелами радюзавад, а в деяких випадках i телевiзiйних завад, що може бути викликано рiзними явищами: коронними розрядами на iзоляторах, арматурi та струмопроводах повиряних лшш (ПЛ), по-верхневими розрядами на iзоляторах та юкршням, ви-кликаним несправними контактами. Явища комутацп в перетворювачах змшного струму в постшний також можуть бути причиною радюзавад [1].
Завади ввд iзоляторiв можуть бути викликаш рiз-ними причинами, бшьшють яких пов'язаш з явищами,
що ввдбуваються на 1х поверхш, наприклад, невелик розряди, викликаш збшьшенням локальних градieнтiв, коронш розряди, викликаш неоднорвдностями у ви-глядi нальопв сухих речовин або крапель води або шкршням на сухих дшянках, викликаним струмами витоку на забруднених iзоляторах. Тшьки в особли-вих випадках (наприклад, при несправних iзоляторах) завади можуть бути викликаш явищами, що ввдбу-ваються всередиш iзолятора (юкршня у внутршшх раковинах або трщинах). Радюзавади можуть виникати в результат розрядiв мiж цементом i порцеляною або склом, якщо на стиках мiж ними е невелию повиряш промiжки [2].
TECHNOLOGY AUDiT AND PRODUCTiON RESERVES — № 1/1(27], 2016, © Бржезицький В. □., Гаран Я. □.,
Лапаша М. Ю.
37-J
Тому при переходi до виробництва високовольтних iзоляторiв за сучасними мiжнародними стандартами [3] значну увагу придшяють випробуванням високовольтних iзоляторiв на допустимий рiвень радiозавад.
В зв'язку з цим виникае задача розробки, дослдження характеристик та параметрiв пристроГв для випробу-вання високовольтних iзоляторiв на допустимий рiвень радiозавад [4], що обгрунтовуе актуальнiсть проведеного дослiдження.
2. Анал1з лгсературних даних та постановка проблеми
Розробщ пристроГв для випробування високовольтних iзоляторiв на допустимий рiвень радiозавад придiляеться значна увага [5] у зв'язку з тим, що таю пристроГ не виготовляються сершно. Разом з тим, питання Гх чутли-востi, завадостiйкостi е важливими з огляду на зростання ролi питань еколопчного впливу електрообладнання на людину та захисту навколишнього середовища.
В публiкацii [5] розглядаеться лабораторне досль дження рiвня радiозавад ввд гiрлянд iзоляторiв при нормальних умовах. У ходi дослiдження було отримано результати для двох видiв прлянд iзоляторiв при рiзних умовах, а саме: а) в першому випадку в якосп гiрлянди використовувався ряд дискових iзоляторiв; б) в другому випадку використовувався ряд дискових iзоляторiв з електродом ослаблення поля, який був прикршлений на контактний перехщ iзолятора.
В [6] були проведет лабораторш випробування iзо-ляторiв на рiвень радiозавад, якi показують, що напруга формування корони та початкова напруга радюзавад вiд сухого та чистого iзолятора е вдентичними. Також авторами пропонуються засоби для зниження радюзавад.
Автори [7] намагаються визначити корелящю мiж кондуктивними та випромшюваними радiозавадами вiд двох прлянд iзоляторiв для того, щоб визначити новий метод вимiрювання рiвня радюзавад високовольтного обладнання. У ходi дослщження було отримано першi результати, але для уточнення нового методу необхщно провести додатковi експерименти.
В публжацп [8] наведено методику вимiрювання ви-сокочастотного електромагнiтного поля вiд справного та пошкодженого iзоляторiв. Для цього було використано цифровий осцилограф для виявлення на антенi-приймачi електричного поля, генерованого вщ iзолятора. Отриманi результати показують, що вимiрювання високочастот-ного електромагштного поля необхiдно проводити за допомогою бiльш точно! апаратури та в екранованих примщеннях для отримання результату, який би ха-рактеризувався меншою похибкою.
В [9] запропоновано вимiрювання струмiв корони для визначення ГГ типiв. Експериментально на пiдставi характерних кiнцевих струмiв було визначено два види джерел корони. Крiм того, показано, що корелящя iснуе мiж найбiльш частими тковими значеннями кiнцевих струмiв та рiвнями радiозавад.
Огляд дослiджень авторiв у [5-9] показуе, що в цих роботах не придшено достатньоГ уваги забезпеченню характеристик установок для випробування високовольтних iзо-ляторiв на допустимий рiвень радiозавад у вщповщносп до вимог Мiжнародноi електротехтчноГ комiсii [10]. В зв'язку з цим, питання розробки, виготовлення та забезпечен-ня вщповщних характеристик установки е актуальними.
3. 06'ект, ц1ль та задач1 розробки
Об'ект розробки — установка для випробування високовольтних iзоляторiв на допустимий рiвень радюзавад.
Метою розробки е створення спецiалiзованоi випро-бувальноГ установки та забезпечення ввдповщносп Г! характеристик вимогам Мiжнародноi електротехнiчноi комiсii [10].
Для досягнення щеГ мети вирiшувались наступш задачi:
— аналiз вимог до структурно' схеми та характеристик установки;
— настроювання високовольтноГ частини фiльтру на основi розрахунку та узгодження розподшення електричних та магнiтних полiв;
— забезпечення мшмального значення парамет-рiв (К + А) установки.
4. Матер1али розробки установки
4.1. Вимоги до структурно! схеми установки для випробування високовольтних iзоляторiв на допустимий р1вень радюзавад. Згiдно методик та вимог [4, 10, 11] установка повинна забезпечувати проведення високовольтних випробувань одиничних чистих та сухих iзоляторiв з вимiрюванням рiвня радюзавад на частотах 0,5 та 1,0 МГц. Даш частоти е переважними, тому що, як правило, максимальний рiвень радюзавад знаходиться в цш частит спектру, а також тому, що 1 МГц знаходиться мiж низьким i середшм дiапазонами частот.
Випробування необхiдно проводити в екранованш кiмнатi, яка повинна бути досить великою, щоб сть ни та тдлога не чинили ютотного впливу на розпо-дш електричного поля на поверхнi випробовуваного об'екта. Мережi електроживлення та освилення повиннi проходити в екрановане примщення через фiльтри, щоб уникнути проникнення радюзавад, наявних в навко-лишньому просторi.
На рис. 1 показана структурна схема установки, яка може бути використана для лабораторних вимiрювань напруг радюзавад, створюваних високовольтним об-ладнанням [4].
Високовольтний трансформатор Т1 повинен забез-печувати напругу, форма якого задовольняе вимогам Публжацп 1ЕС 60060-2 [12].
Фшьтр F перешкоджае проникненню радiозавад, гене-рованих об'ектом, в високовольтш з'еднувальнi кола, що йдуть до трансформатора, i навпаки, струми радюзавад вщ iнших дiючих джерел в цих високовольтних спо-лучних колах послаблюються фiльтром F перед входом в високочастотну частину кола.
бмшсть С3 повинна бути не менш нiж в 5 разiв бiльше емностi випробуваного iзолятора.
Котушка L3 забезпечуе контур з низьким iмпедансом на промисловiй частой для шунтування вимiрювально-го приладу i пов'язаних з ним компонент вiд струмiв промисловоГ частоти. При базиснш частотi вимiрювань 0,5 МГц шдуктившсть L3 повинна складати 1 мГн при малому значенш власноГ емностi, щоб уникнути похи-бок, що перевищують 1 %, або 0,1 дБ. В цшях безпеки шдуктившсть L3 повинна бути надшною i мати мiцнi та надшш електричнi з'еднання.
Вимiрювальний прилад повинен вщповщати вимогам встановленим у Публжацп CISPR 16-1-1 [13].
J
Приеднання вимiрювального приладу до схеми вимь рювання радiозавад за допомогою коаксiального кабелю з хвильовим опором 50 Ом повинно виконуватись через омiчний подшьник напруги Ri/R2 = 275/50 (Ом).
5Л1 — перемикач компенсуючо'Г котушки; SA2 — пе-ремикач; SA3 — перемикач; SA4 — перемикач; SA5 — перемикач; Rl, R2 — подшьник напруги; Р2 — вихщ-ний роз'ем низьковольтного блока установки; Р3 — допомiжний роз'ем; XT2 — з'еднувальний коакааль-ний кабель;SMV-11 — селективний мжровольтметр, 9 кГц - 30 МГц; Rm — вхщний отр SMV-11.
Живлення установки вщбуваеться за допомогою ви-соковольтного трансформатора типу РЕО1 100/200 А, який мае низьковольтну, високовольтну та вимiрювальну обмотку, коефщент трансформацп за напругою яко'Г становить 0,4 кВ/1 В. Струмопровщ, який пiд'еднаний до високовольтноГ обмотки трансформатора, проходить крiзь отвiр комiрки огородження установки та приед-нуеться до високовольтноГ частини фшьтру.
Високовольтна частина фiльтру складаеться з котушки, вдуктившсть яко'Г розраховуеться з умови резонансу:
1
ю£в = ——, шСе
(1)
Рис. 1. Структурна схема установки для випробування високовольтних
iзоляторiв на допустимий рiвень радiозавад за [4]: Ti — високовольтний трансформатор; F — фшьтр; Lf, Li — котушки шдуктивносп фiльтра; Ci — смшсть фiльтра; Нп — демпфуючий отр; 1 — випробуваний об'скт; 2 — кшцевий некоронуючий пристрiй (навантаження); 3 — вимiрювальний прилад
4.2. Принципова схема установки. Принципова схема розроблено'Г установки наведена на рис. 2, де РН — регулятор напруги; ТР — високовольтний трансформатор; НВО — низьковольтна обмотка ТР;ВВО — високовольтна обмотка ТР; F — високовольтний запобiжник; ВО — вимiрювальна обмотка ТР; pV — вольтметр ви-мiрювальноi обмотки; Lв — котушка високовольтноГ частини фшьтру; Е1, Е2 — електростатичш екрани високовольтноГ частини фшьтру; S — монтажний стри-жень; I — випробуваний iзолятор; С — високовольтний конденсатор зв'язку; FV — низьковольтний розрядник; ХТ1 — з'еднувальний проввд; Р1 — вхщний роз'ем низьковольтного блока установки; Е — внутршнш екран низьковольтного блока установки; Ll — компенсуюча котушка; L2 — котушка низьковольтно'Г частини фiльтру;
де ш = 2nf, f — розрахункова частота, яка дорiвнюе 0,5 та 1 МГц, та електростатичних екрашв Ei; E2, емнiсть мiж якими вираховуеться за допомогою програмного забез-печення Comsol Multiphysics i становить CE = 11,17 пФ. Для режиму установки 0,5 МГц розрахункова шдуктившсть котушки високовольтноГ частини фшьтру складае Lв = 9,07 мГн. Для режиму установки 1 МГц розрахункова шдуктившсть котушки високовольтноГ частини фшьтру складае Lв = 2,26 мГн.
До виходу котушки приеднано високовольтний струмо-провщ яким забезпечуеться подання напруги на вхщ високовольтного конденсатора зв'язку, а з нього на об'ект випробування — iзолятор.
Високовольтний конденсатор зв'язку виконаний у ви-глядi конструкцп з високовольтною iзоляцiею мiж елект-родами, що забезпечуеться вщповщним шаром трансформаторного масла Т-1500. Максимальна робоча напруга конденсатора — 45 кВ.
З'еднання виходу високовольтного конденсатора зв'язку з вхщним роз'емом P1 блока низьковольтно'Г частини установки здшснюеться за допомогою з'едну-вального проводу XT1.
KoMipKa огородження установки Рис. 2. Принципова схема установки для випробування високовольтних iзоляторiв на допустимий рiвень радюзавад
TECHNOLOGY AUDiT AND PRODUCTiON RESERVES — № 1/1(27], 2016
39-J
Низьковольтний блок установки, який вмонтовано в екран Е, мiстить:
1. Компенсуючу котушку L1 з вщводами для вибору частот вимiрювання (0,5 та 1,0 МГц), що забезпечуеться за допомогою перемикача SA1. 1ндуктивтсть компенсую-чо! котушки L1 тдбиралася за умови резонансу для зазначених частот та емност високовольтного конденсатора зв'язку С.
2. Котушку низьковольтно! частини фшьтру L2, яка тд'еднана паралельно подiльнику напруги R1/R2, з но-мiнальним значенням шдуктивносп 1,2 мГн.
3. Подiльник напруги R1/R2, фактичне значення опорiв якого становить 271/50 Ом, а з урахуванням вхщного опору SMV-11 (50 Ом) — складае 271/25 Ом.
Вимiрювання напруги радюзавад (в децибелах по вщношенню до 1 мкВ — Ут) здшснюють за допомогою селективного мжровольтметра SMV-11, який приеднано до вихщного роз'ему низьковольтного блока установки Р2 за допомогою з'еднувального коакаального кабелю ХТ2 з хвильовим опором 50 Ом (довжиною 10 м).
4.3. Методика випробування високовольтних iзолято-р1в на допустимий рiвень радiозавад. Для визначення рiвня радюзавад [11] висока напруга з високовольтно! обмотки трансформатора живлення подаеться в схему на випробувальний об'ект — iзолятор. Плавно повертаючи регулятор напруги пульта керування та контролюючи високу напругу за показом вольтметра pV встановлюемо випробувальну напругу на 10 % бшьше максимального нормованого значення напруги iзолятора i витримуемо 11 не менш 5 хв. Далi дискретними ступенями зменшу-емо напругу до значення, рiвного 30 % максимального нормованого значення напруги iзолятора.
Потiм напругу збшьшуемо до початкового значення (також ступенями), та витримуемо протягом 1 хв i остаточно зменшуемо (ступенями) до значення, рiвного 30 % максимального нормованого значення напруги iзолятора. Кожна стутнь змiни напруги приблизно становить 10 % вщ максимального нормованого значення напруги iзолятора. На кожнш ступенi фiксуемо рiвень радюзавад Ут за допомогою селективного мжровольт-метра SMV-11 та результати, отримаш пiд час цього циклу зниження напруги, необхвдно представити гра-фiчно функцiею вiд прикладено! напруги [4].
Рiвень радiозавад V в дБ/мкВ/300 Ом iзолятора визначають за формулою [4]:
V = Vm + к + А, (2)
де Vm — напруга, що фжсуеться вимiрювальним при-ладом SMV-11 при подачi на iзолятор випробувально! напруги; К та А — параметри установки.
При нормованш напрузi випробувань рiвень фону установки повинен бути не менш шж на 10 дБ меншим допустимого рiвня радюзавад випробуваних iзоляторiв. При фiксацii показниюв вимiрiв, завади фiксуються як завади вщ об'екту, якщо вимiряний рiвень перевищуе рiвень фону установки не менше нiж на 6 дБ [4].
5. Результати дослщження установки для випробування високовольтних iзоляторiв на допустимий рiвень радiозавад
При створент установки був використаний ряд нових ршень, сутнiсть яких полягае в наступному:
1. Елементи високовольтноï частини фшьтру були розроблеш та виготовлеш як самостiйнi спецiалiзованi об'екти (без використання «готових» L, C елеменпв вiд iнших типових схем).
2. Частотна стабшьшсть конденсатора Ei; E2 за-безпечувалась використанням в якост його iзоляцiï, безпосередньо, повiтря.
3. Котушка Lв мала окреме виконання для часто-ти 0,5 та 1 МГц i була виготовлена у виглядi змiнноï конструкцп (мiж електродами Ei; E2).
4. Вимiрювання параметрiв K та A установки ви-конуеться не окремо, а вщразу у виглядi суми, при цьому методика вимiрювання суми параметрiв K + A забезпечуе високу стабшьшсть результапв.
Розроблена установка, яка призначена для випробування таршчастих високовольтних iзоляторiв на допустимий рiвень радiозавад в лабораторних умовах при режимах частот 0,5 та 1,0 МГц, була атестована Дер-жавним тдприемством «Укрметртестстандарт» з рiв-нем зовшшшх радiозавад (фону установки), наведеним в табл. 1.
Таблиця 1
Дасягнутий piBEHb зевншшх радюзавад (фану установки)
№ п/п Випрабувальна напруга, кВ PiBam зевншшх радюзавад (фану установки), дБ
для режиму 0,5 МГц для режиму 1 МГц
1 10 8,0 -1,0
2 15 8,5 -1,0
3 20 8,5 -1,5
4 25 8,5 -1,5
5 30 8,5 -2,0
6 35 8,7 -1,0
7 40 8,5 -1,5
Вимiрянi значення шших параметрiв установки склали:
— K + А = 22 дБ (для режиму 0,5 МГц);
— K + А = 21 дБ (для режиму 1 МГц).
6. Обговорення результат1в розробки установки для випробування 1золятор1в на допустимий р1вень радмзвад
Як слщуе iз даних табл. 2 рiвень зовнiшнiх радю-завад (фону установки) не перевищуе нормованого значення i становить не бшьше 8,7 дБ (для режиму 0,5 МГц) та -1,0 дБ (для режиму 1 МГц).
Досягнут мшмальш значення параметрiв установки K + А = 22 дБ (для режиму 0,5 МГц) та K + А = 21 дБ (для режиму 1 МГц).
Розроблена установка може бути рекомендована для випробувальних лабораторш територiальних оргашв, в системах контролю електроустаткування енерготд-приемств, електростанцш i пщстанцш; вимiрювальних системах висо^ напруги технолопчних тдприемств та дослiдницьких центрiв.
Установка для випробування високовольтних iзо-ляторiв на допустимий рiвень радiозавад розроблена, виготовлена та атестована Державним тдприемством «Укрметртестстандарт» на замовлення Товариства з обмеженою вщповщальшстю «Львiвська iзоляторна
компашя» та знаходиться у ïï користуванш. Зовшшнш вигляд установки представлений на рис. 3.
Рис. 3. Зовшшнш вигляд установки для випробування високовольтних iзоляторiв на допустимий рiвень радюзавад (фото)
7. Висновки
1. Конкретизоваш сучасш вимоги до структурно! схеми установки для випробування високовольтних iзоляторiв на допустимий рiвень радюзавад.
2. Розроблено принципову схему установки у вщ-повщносй з вимогами мiжнародних стандартiв.
3. Виготовлена та атестована установка мае мМмаль-ш значення внутрiшнього граничного «фону» радюзавад та завдяки цьому дозволяе проводити випробування ви-соковольтних iзоляторiв на допустимий рiвень радiозавад: до 36,7 дБ (на частой 0,5 МГц) та до 26,0 дБ (на частой 1 МГц) в дiапазонi випробувально! напруги 10...40 кВ.
Литература
1. Бургсдорф, В. В. Радиопомехи от линий электропередач сверхвысокого напряжения и выбор сечения проводов [Текст] / В. В. Бургсдорф, Э. Н. Журавлев // Известия АН СССР Энергетика и транспорт. — 1966. — № 5.
2. Бургсдорф, В. В. Линии электропередачи 345 кВ и выше [Текст] / пер. с англ. Е. П. Никифорова, Д. С. Савваи-това, М. Б. Шлейфмана; под ред. В. В. Бургсдорфа. — М.: Энергия, 1980. — 408 с.
3. IEC 60383-1. Insulators for overhead lines with a nominal voltage above 1000 V. Ceramic or glass insulator units for a. c. systems. Definitions, test methods and acceptance criteria [Text]. — The British Standards Institution, 1998. — 111 p. doi:10.3403/02205940u
4. CISPR/TR 18-2. Radio interference characteristics of overhead power lines and high-voltage equipment. Methods of measurement and procedure for determining limits [Text]. — The British Standards Institution, 2010. — 76 p. doi:10.3403/30202393
5. Reddy, B. S. Radio interference measurements on a ceramic disc insulator string with field reduction electrode [Text] / B. S. Reddy, U. Kumar // Journal of Instrumentation. — 2010. — Vol. 5, № 07. — P. T07001-T07001. doi:10.1088/1748-0221/ 5/07/t07001
6. McMillan, F. O. Radio interference from insulator corona [Text] / F. O. McMillan // Electrical Engineering. — 1932. — Vol. 51, № 1. — P. 3-9. doi:10.1109/ee.1932.6429572
7. Costea, M. Radiofrequency disturbances radiated and injected in a power line by a high voltage equipment [Text] / M. Costea, I. Baran // Scientific Bulletin of the Electrical Engineering Faculty of the Polytechnic University of Bucharest. — 2010. — Vol. 12, № 1. — P. 77-83.
8. Da Frota Mattos, M. K. Electric field measurement on time domain generated by corona on insulators on distribution systems [Text] / M. K. da Frota Mattos, P. H. Biagioni, W. Bassi // Conference Record of the 1996 IEEE International Symposium on Electrical Insulation. — 1996. — Vol. 1. — P. 328-330. doi:10.1109/elinsl.1996.549348
9. Reddy, B. S. Correlation between corona current and radio interference due to high voltage insulator string [Text] / B. S. Reddy, U. Kumar, D. Nath // IEEE 2012 Electrostatics Joint Conference. — Cambridge, Ontario, Canada, 2012. — P. 1-5.
10. IEC 60437. Radio interference test on high-voltage insulators [Text]. — The British Standards Institution, 1998. — 36 p. doi:10.3403/01268403u
11. ГОСТ 26196. Изоляторы. Метод измерения индустриальных радиопомех [Текст]. — М.: Изд-во стандартов, 1997. — 4 с.
12. IEC 60060-2. High-voltage test techniques. Measuring systems [Text]. — British Standards Institution, 2011. — 149 p. doi:10.3403/01670215u
13. CISPR 16-1-1. Specification for radio disturbance and immunity measuring apparatus and methods — Part 1-1: Radio disturbance and immunity measuring apparatus — Measuring apparatus [Text]. — IEC, 2015. — 205 p.
РАЗРАбОТКА УСТАНОВКИ ДЛЯ ИСПЫТАНИЯ ВЫСОКОВОЛЬТНЫХ ИЗОЛЯТОРОВ НА ДОПУСТИМЫЙ УРОВЕНЬ РАДИОПОМЕХ
В статье проанализированы существующие требования к структурной схеме и характеристикам установки для испытания высоковольтных изоляторов на допустимый уровень радиопомех. Описана принципиальная схема разработанной установки и методика испытания высоковольтных изоляторов. Определены основные параметры и характеристики разработанной установки. Приведенные результаты измерения уровня «фона установки» и определены рекомендации для применения.
Ключевые слова: уровень радиопомех, изолятор, воздушная линия, фон установки, селективный микровольтметр.
Бржезицький Володимир Олександрович, доктор техтчних наук, професор, виконувач обов'язтв завГдувача кафедри технжи i електрофiзики високих напруг, Нащональний техтчний утвер-ситет Украти «Ктвський полтехтчний iнститут», Украта, e-mail: brzhezitsky@mail.ru.
Гаран Ярослав Олександрович, тженер, кафедра техтки i електрофiзики високих напруг, Нащональний техтчний утвер-ситет Украти «Ктвський полтех^чний тститут», Украта. Лапоша Микола Юрйович, асшрант, кафедра технжи i електро-фiзики високих напруг, Нащональний техтчний утверситет Украти «Ктвський полтех^чний iнститут», Украта.
Бржезицкий Владимир Александрович, доктор технических наук, профессор, исполняющий обязанности заведующего кафедрой техники и электрофизики высоких напряжений, Национальный технический университет Украины «Киевский политехнический институт», Украина.
Гаран Ярослав Александрович, инженер, кафедра техники и электрофизики высоких напряжений, Национальный технический университет Украины «Киевский политехнический институт», Украина.
Лапоша Николай Юрьевич, аспирант, кафедра техники и электрофизики высоких напряжений, Национальный технический университет Украины «Киевский политехнический институт», Украина.
Brzhezytskyi Volodymyr, National Technical University of Ukraine «Kyiv Polytechnic Institute», Ukraine, e-mail: brzhezitsky@mail.ru. Haran Yaroslav, National Technical University of Ukraine «Kyiv Polytechnic Institute», Ukraine.
Laposha Mykola, National Technical University of Ukraine «Kyiv Polytechnic Institute», Ukraine
TECHNOLOGY AUDiT AND PRODUCTiON RESERVES — № 1/1(27], 2016
