CC BY
43
Створен ттерференцшно-абсорбцшт свт-лофтьтри на базi кристалiв 1п4(Без)1.хТезх та CdSb для функцюнування у близькш i середнш IЧ-областi. Дослиджен оптичн властивостi та дефекти кристалiв-пiдкладок, гхнш вплив на характеристики свтлофшьтра. Розроблен плiв-ковi iнтерференцiйнi системи для рiзних конструкций i робочих дiапазонiв. Вимiряш спектраль-н характеристики, вивчен умови забезпечення механчног стiйкостi та вiдтворюваностi параме-трiв свiтлофiльтрiв
Ключовi слова: ттерференцшний фшьтр, тфрачервона область, спектральне пропускання,
кристал 1п4Бе^, CdSb
□-□
Созданы интерференционно-абсорбционные фильтры на базе кристаллов 1п4(Без)1.хТезх и CdSb для функционирования в ближней и средней ИК-области. Исследованы оптические свойства и дефекты кристаллов-подложек, их влияние на характеристики светофильтра. Разработаны пленочные интерференционные системы для различных конструкций и рабочих диапазонов. Измерены спектральные характеристики, изучены условия обеспечения механической прочности и воспроизводимости параметров светофильтров Ключевые слова: интерференционный фильтр, инфракрасная область, спектральное пропускание; кристалл 1п4Бе^, CdSb
УДК 621.315 : 535.215
|DOI: 10.15587/1729-4061.2014.30988]
РОЗРОБКА 1НТЕРФЕРЕНЦ1ЙНО-АБСОРБЦ1ЙНИХ СВ1ТЛОФ1ЛЬТР1В НА БАЗОВИХ КРИСТАЛАХ МвезЬ-х Тезх ТА CDSB
В. В. Стребежев
Астрант* E-mail: [email protected] С. В. Н i ч и й
Кандидат фiзико-математичних наук, доцент*
E-mail: [email protected] I. M . Ю р i й ч у к
Кандидат фiзико-математичних наук, доцент* E-mail: [email protected] В. М. Стребежев
Кандидат фiзико математичних наук, доцент* E-mail: [email protected] *Кафедра фiзики натвпровщнимв и наноструктур Чершвецький нацюнальний ушверситет iм. Юрiя Федьковича, вул. Коцюбинського, 2, м. Чершвф, УкраТна, 58012
1. Вступ
Для ф^ьтрацп 1Ч-випромшювання використо-вують конструкщю штерференцшно-абсорбцшного ф^ьтра, який складаеться з натвпровщниково! тд-кладки i нанесено! на 11 поверхню iнтерференцiйноi системи у виглядi стопи тонких плiвок з високим та низьким показниками заломлення [1]. У такому свилоф^ь^ багатошарове тонкоплiвкове покрит-тя формуе робочу область пропускання, а фунда-ментальне поглинання в натвпровщнику забезпечуе блокування випромшювання у фоновiй обласи [2]. Для отримання оптичних та фоточутливих елеменпв, функцiонуючих у близькш та середнш 1Ч-обласп, використовують напiвпровiдниковi кристали з вщ-повiдною шириною заборонено! зони, наприклад гру-пи АШВУ1 In4Se3 (Eg=0,65 еВ), 1п4Те3 (Eg=0,48 еВ) та групи А°ВУ CdSb (Eg=0,48 еВ), ZnSb (Е^0,55 еВ) [3-5]. Застосування твердих розчишв цих кристалiв In4(Se3)1-хTe3х та Cd1-xZnxSb надае додатковi можли-востi для регулювання положенням гранично! дов-жини хвилi Хгр, в залежностi вщ складу, при розробцi елементiв оптофотоелектрошки. Вiдомо, що при кон-струюванш вiдрiзаючих штерференцшно-абсорбцш-них фiльтрiв у випадку необхвдносп просування поло-ження гранично! довжини хвилi Хгр в далекохвильову
область (Хгр>6 мкм) значно зростають технологiчнi труднощi, якi пов'язаш 3Í збiльшенням оптично! тов-щини та кiлькостi шарiв у плiвковiй системi. Цi труд-нощi виршуються шляхом моделювання конструкцп фiльтра i тдбором вiдповiдних матерiалiв плiвок. При цьому плiвкове покриття мае бути мехашчно мiцним, стiйким до ди зовнiшнiх факторiв та забезпечувати стабшьш оптичнi характеристики.
Така оптимiзацiя плiвкових систем для випадку створення свилофшк^в на кристалах In4Se3 та In4(Se3)1-xTe3x, а також на кристалах CdSb i ZnSb мало дослщжена. Вимоги до адгезii всiеi стопи штерферен-цiйного покриття, до поверхш кристалiв-пiдкладок, а також мiжшаровоi адгезп плiвок суттево зростають, якщо потрiбно нанести також металеву п лiвку-дiафраг-му, яка б задавала геометричний рисунок свилових зон фшьтра. Тому актуальним е дослщження процесiв i умов нанесення мехашчно стшких металевих плiвок на дослiджуванi кристали групи АШВУ1 та АПВУ Це е важливим при створенш багатоканальних свило-фшм^в в технологи виготовлення фотоелектричних модулiв з матрицями фотоприймачiв неохолоджува-ного та охолоджуваного титв. На основi розробок у цих напрямках можуть буди створенi ефективнi оптичнi свилофшьтри на базових кристалах In4Se3 та 1п4^е3)1-хТе3х, а також на кристалах CdSb i Cd1-xZnxSb,
©
ППжП
яю можна використовувати для обмеження корот-кохвильово! спектрально! чутливостi фотоприймачiв у приладах 1Ч-техшки.
2. Аналiз лкературних даних та постановка проблеми
Використання свилофшм^в, якi здiйснюють се-лекщю IЧ-випромiнювання в заданих спектральних штервалах для виключення небажаних складових спектра, знайшло широке застосування в 1Ч-техтщ. Серед фiльтрiв рiзноманiтноi будови та принципу дп для функцiонування в близькш i середнiй IЧ-областi крашд оптичнi характеристики мають iнтерференцiйнi багатошаровi тонкоплiвковi покриття [1, 2]. Таю сви-лофiльтри використовуються у спектральному прила-добудуваннi рiзного призначення, в монохроматорах, спектрометрах, в шфрачервонш астрономп, в системах сигналiзацii. Тому проводяться штенсивш розробки iнтерференцiйно-абсорбцiйних фiльтрiв на базових монокристалах з рiзноманiтних натвпровщниюв [6, 7]. Вибiр як тдкладок пластин з натвпровщнико-вих матерiалiв з заданою короткохвильовою границею пропускання допомагае зменшити число шарiв штер-ференцiйного покриття, спрощуе технологiю виго-товлення фiльтру, покращуе його мщшсть, дозволяе ефективно подавляти короткохвильовi перешкоди, довжини хвиль яких лежать в област власного погли-нання натвпровщника.
Обранi в роботi як тдкладки для штерферен-цiйно-абсорбцiйних фiльтрiв базовi кристали In4Se3 i CdSb належать до ашзотропних напiвпровiдникiв ромбiчноi сингонп i володiють близькими значеннями ширини забороненоi зони [5]. Вони представляють ш-терес з точки зору практичного застосування в 1Ч-тех-тщ як фоточутливi елементи i абсорбцшш фiльтри [8-10]. Змiна положення Хгр для оптичних елементiв на iх основi може бути досягнута при застосуванш iхнiх твердих розчинiв 1п4^е3)1-хТе3х, а також Cd1-xZnxSb [11, 12, 5]. В той же час варто ввдмиити, що властивосп вах цих сполук, щодо використання '¿х як базових кри-сталiв при створенш оптичних елементiв 1Ч^апазо-ну, вивчеш недостатньо. Тому актуальною е розробка штерференцшно-абсорбцшних свiтлофiльтрiв на кри-сталах In4(Se3)1-х Те3х та CdSb, яка включае констру-ювання i оптимiзацiю плiвкових iнтерференцiйних систем з рiзними заданими значеннями Хгр.
3. Мета та задачi дослщження
Осюльки в лiтературi е обмежена юльюсть робiт з питань розробки штерференцшно-абсорбцшних свилоф^к^в на базi In4(Se3)1-х Те3х та CdSb, метою дослiдження е створення на цих кристалах 1Ч-свило-фшм^в для рiзних робочих дiапазонiв, що вимагае нанесення оптимально сконструйованих тонкоплiв-кових систем з рiзних матерiалiв. На величину максимального i середнього пропускання в робочiй областi та на коефiцiент крутизни характеристики фшьтра впливають структурнi та оптичш властивостi кри-сталiв основи, однорвдшсть, спосiб обробки поверхнi [13]. Тому важливими задачами е моделювання i практична розробка багатошарових плiвкових покриттiв
для рiзних робочих дiапазонiв, а також встановлення технолопчних умов ix нанесення на кристали In4Se3, In4(Se3)i-xTe3x i CdSb, при яких забезпечуеться мехашч-на стшюсть та вiдтворюванiсть характеристик свило-фшм^в. До таких задач також ввдноситься вивчення впливу структури i дефекив цих базових кристалiв на оптичнi властивостi i вимiрювання спектральних характеристик отриманих штерференцшно-абсорб-цiйниx фшм^в в цiлому [14-16].
4. Методика i результати розробки штерференцшно-абсорбцшних свiтлофiльтрiв на In4(Se3)i_xTe3x i CdSb
Обраш для створення оптичних елеменпв ба-зовi кристали та плiвковi системи дослщжува-лися методами скануючо! електронно! мiкроскопii (SEM), методами електроннозондового мiкроаналiзу
i рентгеноструктурного аналiзу, оптичними та електрофiзичними вимiрюваннями з метою встановлення !хньо! придатностi до формування ефек-тивних вiдрiзаючиx свiтлофiльтрiв.
Кристали CdSb вирощувалися у графiтованиx кварцевих човниках методом зонно! перекристалiза-ци, з них вирiзалися пiдкладки у площиш (100) [7, 14]. Кристали In4Se3, In4Te3, In4(Se3)1-xTe3x вирощувалися методом Чохральського з пропусканням електричного струму через межу кристал-розплав i застосуванням ефекту Пельтье [11, 12].
При теоретичному моделюванш штерференцш-но-абсорбцiйного фiльтра враховувалося, що кристали селешду In4Se3 внаслщок фундаментального погли-нання здатнi вiдрiзати випромiнювання до довжини xвилi Хгр=1,8 мкм, а кристали In4Te3 i CdSb - до ^гр 2,5 мкм. Розрахунок iнтерференцiйниx тонкоплiв-кових покриттiв проводили методом е^валентних шарiв [1, 2] з урахуванням показниюв заломлення для In4Se3 n=3,2, для In4Te3 n=3,8 [11], та для CdSb n=4,5 [5]. Ввдповвдно до цих значень n тдкладки xалькогенидiв iз зворотного боку просвгглювалися плiвками SiO, а пiдкладки CdSb - плiвками ZnS. Для б^ьш корот-кохвильових iнтерференцiйниx тонкоплiвковиx ф^ь-трiв як плiвкоутворюючi матерiали були обраш Ge (n=3,9) та SiO (n=1,85). Фiльтри для далеко! 1Ч-обласп розраховувалися на основi менш стандартно! пари плiвок Te (n=4,5) та SrF2 (n=1,35) з високою рiзницею показникiв заломлення.
Напилення стопи з 14,26 штерференцшних плiвок проводилося електронно-променевим та термiчним випаровуванням, залежно вщ матерiалiв плiвок, у вакуумi Р=(1-2)10-6 тор. Температура пiдкладок тд-тримувалася Тп=450-463 К, перед напиленням здш-снювалося iонне травлення поверxнi тдкладок в ре-жимi U=0,8-1 кВ, юнний струм I=40 мА, час травлення t=6,8 хв. Особливо важливим фактором для досяг-нення вщповщност отриманих фiльтрiв i теоретично розрахованих е точнiсть контролю товщини плiвок. Вимiрювання товщини плiвок пiд час напилення здш-снювалося фотометричним методом на заданш до-вжинi хвил^ з набором фiльтрiв, який вщповщае отри-манню цiлого числа фжсованих екстремумiв в процесi контролю. Металiзацiю поверxнi пiдкладок здшсню-вали тонкими плiвками Al та Ag, яю напилялися через маску з заданою геометрiею свiтловиx зон. Встановле-
но, що саме щ металев1 пл1вки добре узгоджуються з напиленим зверху штерференцшним ф1льтром з шар1в Ge-SiO 1 з кристалами шдкладок, забезпечують меха-шчно мщну конструкщю, яка витримуе охолодження до температури р1дкого азоту.
Дефекти у кристалах 1п48е3, 1п4Те3, 1п4(8е3)1-хТе3х дослщжувалися в растровому електронному мжроско-ш РЕМ-100У з прискорюючою напругою и=30 кВ при струм1 зонда 610"12^310"9 А. Осгальки щ кристали волод1ють вираженою шаруватктю, шдкладки з них виготовлялися шляхом сколювання по площиш спай-ност (100). Тага шдкладки в1др1зняються стшгастю поверхш по в1дношенню до х1м1чних реакцш, меха-шчною мщшстю, на сколах утворюеться практично реальна поверхня, яка е придатною для формування оптичних елеменпв, р1зких гетеропереход1в та еле-мент1в наноелектрошки [13]. Товщина шдкладок для ф1льтр1в складала d=0,2-0,3 мм.
На окремих д1лянках кристал1в складу 1п4(8е3)о,92(Те3)о,о8 були виявлеш протяжш структур-ш дефекти та неоднорщност у вигляд1 прециштаНв фази 1п розм1рами 0,2-2 мкм (рис. 1, 2). Для знижен-ня густини прециштаНв застосовувалася стабШзащя град1ента температури в област крисгалiзацii та стабь л1зац1я величини струму 1 А/см2. Протяжш дефекти, зорiентованi в напрямку [001] е характерними для ша-руватих кристалiв 1п48е3, 1п4Те3 [4, 6, 11], '¿х зароджен-ня пов'язуеться з видiленням фази 1п у мiжшарових промiжках i утворенням неоднорiдноi псевдострукту-ри з дальшм порядком у положеннi класгерiв [16].
Рис. 1. SEM-зображення морфологи поверхш i дефектiв монокристалу In4(Seз)o,92(Teз)o,o8
Рис. 2. SEM-зображення преципiтатiв фази 1п в кристалi
In4(Seз)o,92(Teз)o,o8
Для кристалiв 1п48е3, вирощених вздовж напрямку [001], на рентгешвських топограмах (рис. 3), отрима-
них за методом Берга-Баррета в СиКа-випромшюван-нi, були зафжсоваш прогяжнi дефекти, орiенгованi вздовж кристалографiчноi вiсi [001]. Зменшення густини цих дефекНв було отримано у кристалах 1п48е3 та 1п4(8е3)1-хТе3х (х=0,02; х=0,08) з напрямком росту [010], який виявився оптимальним для виготовлен-ня оптичних шдкладок. При виготовленш шдкладок були використаш найбшьш однорiднi кристали 1п4(8е3)1-хТе3х з област складу 0<х<0,10 i 0,85<х<1,00. Для складiв 0,25<х<0,70 однорiднi кристали, придатш для виготовлення свiглофiльгрiв, не отримаш [11, 12]. Спекгральнi характеристики пропускання кристалiв пiдкладок 1п4(8е3)1-хТе3х рiзного складу наведеш на рис. 4 (кривi 1, 2).
Рис. 3. Рентгешвська топограма кристалу In4Se3 з протяжними структурними дефектами, орieнтованими вздовж напрямку [001]
Рис. 4. Залежност при температурi 300 К коефiцieнта пропускання 7"(%) вiд довжини хвилi I для кристалiв i пiдкладок: 1 - ^4^3)0,94^3)0,06; 2 - ^4^3)0,12^3)0,88; та iнтерференцiйно-абсорбцiйних фiльтрiв на кристалах: 3 - ^4^3)0,94^3)0,06 (1гр=3,4 мкм); 4 - ^4^3)0,12^3)0,88 (1гр=6,5 мкм)
Експериментально були отримаш характеристики пропускання фшм^в, яга наведеш на рис. 4 (кри-вi 3, 4). Для фшм^в з Хгр=3,4 мкм плiвкова система складаеться з матерiалiв Ge-SiO, а для бiльших дов-жин хвиль Хгр=6,5 мкм були використаш плiвки Те-SrF2. У цьому випадку застосоваш пiдкладки складу 1п4(8е3)0,12(Те3)0 88, тобто складу близького до чистого 1п4Те3 з Хгр=2,5 мкм.
В якост пiдкладок для охолоджуваних фiльтрiв застосовувалися кристали iншого використаного в ро-богi напiвпровiдника - CdSb, який як i 1п4Те3 мае фун-даментальне поглинання в обласН Хгр=2,5 мкм. Кристали CdSb зручнi для конструювання таких оптичних елеменНв, оскiльки мають високий показник залом-лення (п=4,5-4,8) i особливо низьку геплопровiднiсгь Ь=(1,1-1,2) 10-2 Вт/см^К [5]. Для застосування як шд-
кладок бшьш досконалих кристалiв, дослiджувалося питання зменшення в них густини лшшних дефектiв. Дислокацii в кристалах CdSb та ZnSb виявлялися методом травлення в селективному травнику за харак-терними ямками травлення (рис. 5).
Рис. 5. Дислокацшш ямки травлення на монокрист^ ZnSb
Для напилення фiльтрiв вщбиралися кристали CdSb з густиною дислокацш ^а<104 см-2. В окремих ви-падках були застосованi кристали ZnSb. Для вивчення npo3opocTÍ кристалiв CdSb, з яких виготовлялися тд-кладки для штерференцшних фiльтрiв, вимiрювалися 1х спектральнi характеристики пропускання (рис. 6). Як тдкладки для фiльтрiв були застосоваш кристали CdSb [7], як володiли високою прозорiстю в дiапазонi 2,5-25 мкм з коефiцieнтом пропускання 7~39 %, який мало змшювався при охолодженнi вiд кiмнатноi тем-ператури до 87 К (рис. 6, крива 1, крива 3). Прозоркть кристалiв ZnSb була дещо нижчою (рис. 6, крива 2).
Рис. 6. Залежност коефщкнта пропускання Т (%) в1д
довжини хвил1 l для кристалл пщкладок: 1 — CdSb (T=87 K); 2 - ZnSb (T=300 K); 3 - CdSb (T=300 K); та ¡нтерференцшно-абсорбцшних фтьтр1в при T=300 K на кристалах: 4 — CdSb (!гр=2,9 мкм); 5 — ZnSb (!гр=3,8 мкм);
6 — CdSb (!гр=4,3 мкм)
Спектральнi характеристики абсорбцшно-штер-ференцiйниx фiльтрiв з плiвок Ge, SiO, ZnS на кристалах CdSb та ZnSb з положенням Хгр=2,9; 3,8; 4,3 мкм
наведеш на рис. 6, ^mi 4-6. Для охолоджуваних до 87 К фшм^в було враховано температурне змщен-ня краю власного поглинання CdSb (рис. 6, крива 1), тому для забезпечення ввдповвдного штервалу висо-ковiдбиваючиx дзеркал iнтерференцiйна система була сконструйована з двох тдсистем iз загальним числом шарiв 24-26 (рис. 6, крива 6).
Важливо те, що випробовування шляхом термо-циклювання в iнтервалi температур 77-398 К показали мехашчну мiцнiсть плiвковиx покритпв та малу змiну спектральних характеристик при охолодженш. Опти-мальнi отримаш фiльтри характеризуються такими параметрами: крутизна границ вiдрiзання k=0,9-0,96, середне пропускання в робочш областi Тсер=80-82 %, максимальне пропускання Tmax=90-93 % .
5. Обговорення результаив
При розробщ нових вiдрiзаючих фiльтрiв на базо-вих кристалах 1п4^е3)1-хТе3х i CdSb як штерференцшш складовi були сконструйоваш системи з 14,26 плiвок з матерiалiв Ge-SiO та Te-SrF2. Кшьюсть плiвок та рiз-ниця ix показникiв заломлення пiдбиралися такими, щоби забезпечити перекриття областей фундаментального поглинання кристалiв-пiдкладок з штерва-лом високовщбиваючих дзеркал iнтерференцiйного мультишару. Велика рiзниця показникiв заломлення плiвок Te-SrF2 забезпечуе широкий iнтервал високо-вщбиваючих дзеркал, необxiдний для змiщення Хгр в далекохвильову область.
При дослiдженнi оптичних властивостей криста-лiв-пiдкладок для фiльтрiв було встановлено, що про-зорiсть кристалiв In4Se3, In4(Se3)1-xTe3x залежить вiд умов 1х вирощування i значною мiрою вiд орieнтацii затравки, яка задае напрямок росту. Отримано, що ко-ефщ1ент пропускання криста.гпв суттево знижуеться у випадку наявност1 в них значно1 к1лькост1 протяжних структурннх дефектов, а також прециттапв In. Зменшення густини дефекпв, яьа впливають на параметри ф1льтр1в, було отримано у кристалах In4(Se3)i_xTe3x з напрямком росту [010], який е оптимальним для виго-товлення оптичних шдкладок.
Глибоке подавления сонячних та шших випромь нювальних перешкод в област1 фону 1<2,5 мкм можна зд1йснити, використовуючи як тдкладки для Biflpi-заючих ф1льтр1в монокристали CdSb або ZnSb, яю мають край власного поглинання бшя довжин хвиль Х=2,5 мкм. Особливо мала теплопровщшсть кри-ста.гпв-тдкладок з CdSb надае переваги саме цьому матер1алу при конструюванш ф1льтр1в, розташованих перед охолоджуваними 1Ч-фотоприймачами, осюльки дозволяе утримувати на них низьку температуру. В цьому випадку температурне змщення краю власного поглинання при охолодженш тдкладки CdSb до 87-77 К потребуе збшьшення числа шарiв плiвковоi системи до 24-26 для забезпечення вщповщного штервалу блокування фонового випромшювання.
Вимiрянi спектральш характеристики i параметри розроблених штерференцшно-абсорбцшних фiльтрiв вiдповiдають вимогам ввдповвдних стандартiв, що надае iм перспективи використання у промислових ви-робах IЧ-теxнiки.
6. Висновки
Нанесенням штерференцшних систем плiвок Ge-SiO на шдкладки з In4Se3, In4(Se3)0,94(Te3)0,06 i CdSb, та плiвок Te-SrF2 на пiдкладки з In4(Se3)0,12(Te3)0,88, одержанi IЧ-фiльтри з рiзним положенням корот-кохвильово! межi вiдрiзання Хгр=2,9; 3,4; 3,8; 4,3; 6,5 мкм. Вимiрянi спектральнi характеристики пропускання кристалiв-пiдкладок та виготовлених свiтлофiльтрiв рiзноi конструкцii. Оптимальнi ви-готовленi свилоф^ьтри характеризуються високи-ми параметрами: крутизна границ вiдрiзання k>0,9, середне пропускання Тсер>80 %, максимальне пропускання Tmax>90 %, що робить ix перспективними
для практичного використання. Оптимальш умови для виготовлення меxанiчно- та крюстшких фiльтрiв забезпечуються використанням досконалих базових кристалiв-пiдкладок, iонним очищенням ix поверxнi, напиленням покриттiв з пдабраних матерiалiв плiвок Ge-SiO та Te-SrF2.
Зменшення густини дефектiв, як впливають на параметри фiльтрiв, було отримано у кристалах In4(Se3)1-xTe3x з напрямком росту [010], який е опти-мальним для виготовлення оптичних шдкладок. На кристалах CdSb з густиною дислокацш Nd<104 см-2 отримаш штерференцшно-абсорбцшш фiльтри, якi витримують термоциклювання в iнтервалi температур 77-398 К.
Лиература
1. Thelen, A. Design of Optical Interference Coatings [Text] / A. Thelen. - New York:McGraw-Hill, 1989. - 255 p.
2. Беляева, А. И. Криогенные многослойные покрытия [Текст] / А. И. Беляева, В. А. Сиренко. - К.: Наукова думка, 1991. - 276 с.
3. Xingfu, L. Anisotropic optical and thermoelectric properties of In4Se3 and In4Te3 [Text] / L. Xingfu, X. Bin, Y. Gongqi, L. Xue, Y. Lin // Journal of applied physics. - 2013. - Vol. 113, Issue 20. - P. 203502. doi: 10.1063/1.4807312
4. Losovyj, Ya. B. The anisotropic band structure of layered In4Se3 (001) [Text] / Ya. B. Losovyj, L. Makinistian, E. A. Albanesi,
A. G. Petukhov, Jing Liu, P. Galiy, O. R. Dveriy, P. A. Dowben // Journal of applied physics. - 2008. - Vol. 104, Issue 8. - P. 0837131-083713-7. doi: 10.1063/1.3000453
5. Лазарев, В. Б. Полупроводниковые соединения группы AIIBV [Текст] / В. Б. Лазарев, В. Я. Шевченко, Я. Х. Гринберг,
B. В. Соболев. - М.: Наука, 1978. - 256 с.
6. Грицюк, Б. Н. Твердый раствор In^Se^^Te^ - материал для абсорбционных оптических фильтров [Текст] / Б. Н. Грицюк, Т. С. Мошкова, А. Д. Огородник, И. М. Раренко, Т. А. Волянская // Журнал прикладной спектроскопии. -1999. - Т. 66, № 4. - С. 577-579.
7. Dremluzhenko, S. G. Interference IR-filters on the CdSb monocrystal substrates [Text] / S. G. Dremluzhenko, L. I. Konopaltseva, S. M. Kulikovskaya, Yu. P. Stetsko, V. N. Strebezhev, A. I. Rarenko, S. E. Ostapov // Proc.of SPIE. - 1999. - Vol. 3890. - P. 104-110.
8. Makinistian, L. Ab initio calculations and ellipsometry measurements of the optical properties of the layered semiconductor In4Se3 [Text] / L. Makinistian, E. A. Albanesi, N. V. Gonzalez Lemus, A. G. Petukhov, D. Schmidt, E. Schubert, Ya. B. Losovyj, P. Galiy, P. A. Dowben // Physical Review B. - 2010. - Vol. 81, Issue 7. - P. 075217-1-075217-8-075217-8. doi: 10.1103/physrevb.81.075217
9. Benramdane, N. Structural and optical properties of In4Se3 thin films obtained by flash evaporation [Text] / N. Benramdane, R. H. Misho // Solar Energy Materials and Solar Cells. - 1995. - Vol. 37, Issue 3-4. - P. 367-377. doi: 10.1016/0927-0248(95)00031-3
10. Melnychuk, T. A. Laser synthesis of thin films and layers of In4Se3, In4Te3 and modification of their structure [Text] / T. A. Melnychuk, V. N. Strebegev, G. I. Vorobets // Applied Surface Science. - 2007. - Vol. 254, Issue 4. - P. 1002-1005. doi: 10.1016/j.apsusc.2007.09.054
11. Гертович, Т. С. Электрические и оптические свойства твердых растворов In^Se^^Te^ (0,60<x<1,00) [Текст] / Т. С. Гертович, С. И. Гринева, А. Д. Огородник, О. Т. Столярчук, К. Д. Товстюк, Е. С. Шарлай // Украинский физический журнал. - 1985. - Т. 30, № 4. - С. 624-628.
12. Мошкова, Т. С. Вплив легування на оптичш та фотоелектричш властивост монокристашв In4(Se3)1-xTe3x [Текст] / Т. С. Мошкова, Т. А. Мельничук, А. Д. Огородник, В. М. Стребежев // Украинский физический журнал. - 2005. - Т. 50, № 12. - С. 1254-1258.
13. Балицкий, А. А. Особенности топологии поверхности слоистых кристаллов In4Se3 [Текст] // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. - 2006. - № 2 (62). - С. 63-64.
14. Обедзинський, Ю. К. Фоточутлив1 гетероструктури i фшьтри шфрачервоного д1апазону на монокристалах CdSb, In4Se3 [Текст] / Ю. К. Обедзинський, Б. М. Грицюк, В. В. Стребежев, В. М. Стребежев, I. М. Юршчук // Схщно-бвропейський журнал передових технологш. - 2012. - Т. 6, № 12(60). - С. 44-46. - Режим доступу: http://journals.uran.ua/eejet/article/ view/6029/5408
15. Стребежев, В. В. Властивост оптичних i фотоелектричних елемен^в на основ! In4Se3, In^Se^^Te^ [Текст] / В. В. Стребежев, В. М. Стребежев, С. В. №чий, I. М. Юршчук // Схщно-бвропейський журнал передових технологш. - 2013. -Т. 6, № 12 (66), ч. 2 . - С. 113-116. - Режим доступу: http://journals.uran.ua/eejet/article/view/19736/17584
16. Гарамус, В. М. Исследование структуры дефектов в кристалах In4Se3 методом малоуглового рассеяния нейтронов [Текст] / В. М. Гарамус, Я. П. Пилат, В. П. Савчин, А. Х. Исламов // Физика твердого тела. - 1998. -Т. 40, № 2. - С. 248-250.
