ЛИТЕРАТУРА
1. Гриднев В.Н., Гриднева Г.Н. Проектирование коммутационных структур электронных средств -Москва, 2014. Том 7. 344 с.
2. Aлексеев В.Г., Гриднев В.Н., Нестеров Ю.И., Филин Г.В. Технология ЭВA, оборудование и автоматизация - Москва, Издательство "Высшая Школа". 1984. 392 с.
3. Гриднев В.Н., Яншин A.A. Технология элементов ЭВA - Москва, Издательство "Высшая Школа". 1976. 288 с.
4. Юрков Н.К. Технология производства электронных средств // Учебник - Лань, 2014, - 480 с.
5. Юрков Н.К. Технология радиоэлектронных средств // Учебник - Пенза: Изд-во ПГУ, 2012, - 640
с.
6. Brokaw, Paul and Jeff Barrow, "Grounding for Low- and High-Frequency Circuits," Analog Devices Application Note AN-345. [Брокау, Пол и ДжеффБарроу «Заземление в низко- и высокочастотных схемах»]
7. DiSanto, Greg, "Proper PC-Board Layout Improves Dynamic Range", EDN, November 11, 2004. [ДиСанто, Грег «Правильная топология ПП улучшает динамический диапазон»]
В. Johnson, Howard W., and Martin Graham, High-Speed Digital Design, a Handbook of Black Magic, Prentice Hall, 1993. [Джонсон, ХовардУ., Мартин Грэхем «Проектирование высокоскоростных цифровых схем»]
9. Buxton, Joe, "Careful Design Tames High-Speed Op Amps," Analog Devices Application Note AN-257. [Бакстон, Джо «Правильное проектирование приручает высокоскоростные ОУ»]
10. Ron Mancini Op Amps For Everyone II Design Reference. 2002. August.
11. Зимин Д.В., Гриднев В.Н. Обеспечение качества проектирования многослойных печатных плат при конструировании ВЧ-устройств II Труды международного симпозиума Надежность и качество. 2 017. Т. 2. С. 183-18 6.
12. Горячев Н.В., Юрков Н.К. Типовой маршрут проектирования печатной платы и структура проекта в СAПР электроники ALTIUM DESIGN // Труды международного симпозиума Надежность и качество. 2011. Т. 2. С. 120-122.
13. Гриднев В.Н., Емельянов Е.И., Власов A-И., Леонидов В.В. Методика автоматизированного проектирования электронных коммутационных структур в среде ALTIUM DESIGNER // Датчики и системы. 2016. В 5 (203). С. 28-36.
14. Гриднев В.Н., Емельянов Е.И., Власов A-И., Карпунин A.A. Методика автоматизированного проектирования электронных коммутационных структур в среде ALTIUM DESIGNER: Управление проектом // Датчики и системы. 2016. В 6 (204). С. 46-52.
15. Гриднев В.Н., Григорьев П.В., Емельянов Е.И., Камышная Э.Н. Методика автоматизированного проектирования электронных коммутационных структур в среде ALTIUM DESIGNER. Разработка библиотеки посадочных мест // Датчики и системы. 2016. В 7 (205). С. 33-41.
16. Aрабов Д.И., Гриднев В.Н., Емельянов Е.И., Леонидов В.В. Методика автоматизированного проектирования электронных коммутационных структур в среде ALTIUM DESIGNER. Разработка библиотеки компонентов // Датчики и системы. 2016. В 8-9 (206). С. 42-51.
17. Власов A-И., Гриднев В.Н., Жалнин В.П., Емельянов Е.И. Методика автоматизированного проектирования электронных коммутационных структур в среде ALTIUM DESIGNER. Схемотехническое проектирование // Датчики и системы. 2016. В10 (207). С. 37-45.
1В. Власов A-И., Гриднев В.Н., Жалнин В.П., Емельянов Е.И. Методика автоматизированного проектирования электронных коммутационных структур в среде ALTIUM DESIGNER. Топологическое проектирование // Датчики и системы. 2016. В11 (208). С. 28-39.
19. Власов A-И., Гриднев В.Н., Жалнин В.П., Емельянов Е.И. Методика автоматизированного проектирования электронных коммутационных структур в среде ALTIUM DESIGNER. Синтез проекта коммутационной структуры // Датчики и системы. 2016. В12 (209). С. 34-45.
20. Гриднев В.Н., Жалнин В.П., Козлова A.K). Комплексная методика автоматизированного технологического проектирования в среде СAМ350 II Информационные технологии в проектировании и производстве. 2017. В 2 (166). С. 55-66.
21. Власов A-И., Гриднев В.Н., Милешин С-A., Козлова A.K). Маршрут технологической подготовки производства печатных плат в среде СAМ350 II Технологии инженерных и информационных систем. 2017. В 1. С. 14-45.
22. Власов A-И., Ганев Ю.М., Карпунин A.A. Системный анализ "Бережливого производства" инструментами визуального моделирования II Информационные технологии в проектировании и производстве. 2015. В 4 (160). С. 19-24.
23. Власов A-И., Ганев Ю.М., Карпунин A.A. Картирование потока создания ценностей в концепции "Бережливого производства" II Информационные технологии в проектировании и производстве. 2016. В 2 (162). С. 23-27.
Гришин М.В., Зелякова Т.И., Рубан С.О.
Филиала 46 Центрального научно-исследовательского института Министерства обороны Российской Федерации, Москва, Россия
РЕЗУЛЬТАТЫ ИССЛЕДОВАНИЯ ВЛАГОЗАЩИТНЫХ СВОЙСТВ КОМПАУНДОВ МАРОК КЭН-1, КЭН-1С, КЭН-2, КЭН-2М, КЭН-3, КЭН-3С, КЭН-4, ИСПОЛЬЗУЕМЫХ ДЛЯ ЗАЩИТЫ АЛЮМИНИЕВОЙ МЕТАЛЛИЗАЦИИ МИКРОСХЕМ
Приведены результаты экспериментальных исследований влагозащитных характеристик компаундов марок КЭН-1, КЭН-1С, КЭН-2, КЭН-2М, КЭН-3, КЭН-3С, КЭН-4*:равновесное влагопоглощение, коэффициент влагопроницаемости, содержание примесных ионов.
Исследована кинетика сорбции влаги защитными покрытиями (компаундами), характер распределения ее в полимерах. Полученные данные позволят оценить целесообразность использования полимерных защитных покрытий (компаундов) при производстве микросхем для аппаратуры вооружения и военной техники.
Ключевые слова:
ЗЩИТНЫЕ ПОКРЫТИЯ, КРЕМНИЙОРтНИЧЕСКИЕ КОМПAУНДЫ, AЛЮМИНИЕВAЯ МЕТAЛЛИЗAЦИЯ МИКРОСХЕМ, РAВНОВЕС-НОЕ ВЛAГОПОГЛОЩЕНИЕ, КОЭФФИЦИЕНТ ВЛAГОПРОНИЦAЕМОСТИ, ПРИМЕСНЫЕ ИОНЫ
В настоящее время для защиты кристаллов при Примечание:
производстве микросхем военного назначения при- - компаунды марки КЭН-1(1С,2, 2М, 3, 3С, 4)*
меняются более 3 0-ти кремнийорганических ком- - кремнийорганические эластичные низкотемпера-паундов различной рецептуры. Известно, что крем- турного отверждения, на основе каучука СКТН-Б и нийорганические компаунды обладают высокой тер- отверждающиеся по реакции дегидроконденсации с мостойкостью, хорошими электрофизическими ха- выделением воды;
рактеристиками, однако имеют сравнительно высо- - цифры - 1,2,3,4 - номер рецептуры; М - мо-
кую влагопроницаемость [1,2]. дифицированный; С - стабилизированный.
К материалам, в том числе и к защитным полимерным покрытиям (компаундам) , применяемым в производстве изделий электронной техники, предъявляются весьма жесткие требования, среди которых первостепенное значение имеет их химическая совместимость в составе микросхемы и стойкость к воздействию эксплуатационных факторов (влаги, рабочего напряжения, нагрева) [3]. В этой связи большой интерес представляет изучение сорбцион-ных свойств этих материалов, механизма диффузии влаги в них, так как знание диффузионных свойств конкретных полимеров - непременное условие правильного выбора защитного покрытия при производстве интегральных микросхем военного назначения.
Требованиям химической совместимости с конструкционными элементами микросхем отвечают такие параметры защитных покрытий, как равновесное влагопоглощение, коэффициент влагопроницаемости и содержание примесных ионов коррозионно-актив-ных элементов (калия, натрия, хлора и серы).
Учитывая актуальность проблемы, мы провели исследования сорбционных свойств кремнийоргани-ческих компаундов марок КЭН-1, КЭН-1С, КЭН-2, КЭН-2М, КЭН-3, КЭН-3С, КЭН-4. Для этого по методикам, разработанным в 22 ЦНИИИ Минобороны России (после 2011 года - Филиал 4 6 Центрального научно-исследовательского института Министерства обороны Российской Федерации) и при использовании созданного нами рабочего места, были
определены равновесное влагопоглощение, коэффициент влагопроницаемости исследуемых компаундов и содержание примесных ионов коррозионно-актив-ных элементов в их составе [4,5]. При решении поставленных задач использовались комплексные методы исследования, включающие эксперимент, моделирование, весовой метод и метод рентгенофлу-оресцентной спектроскопии.
Рабочее место включало в себя сушильный шкаф, климатическую установку, позволяющую поддерживать повышенную влажность (95±3)% , температуру (25±5)° С, аналитические весы, микроанализатор «СПЕКТРОСКАН Макс-9У» [5, 6]. Предусмотрены были также устройства для подготовки проб к анализу и средства визуализации результатов анализа. Для испытания использовались образцы полимера, имеющие форму диска диаметром (65±1) мм и толщиной от 0,8 до 2,0 мм, отвержденного по режимам указанным в ТУ. Испытаниям подвергались не менее 5 образцов каждой марки. Испытания проводили при повышенной влажности (95±3)% и температуре (25±5)0С.
Значения равновесного влагопоглощения, коэффициентов: растворимости, диффузии и влагопро-ницаемости для всех исследуемых компаундов пре-ведены в таблице 1.
Таблица 1
Результаты испытаний защитных покрытий
№ п/п Марка компаунда Равновесное влаго- поглощение, Коэффици ент растворимости, Ь кг / (м3 Па) Коэффици ент диффузии, Дм2 /сут Коэффици ент влагопрони- цаемости,Р кг/(м-сут-Па) Продолжительность испытаний, сутки
1 КЭН - 1С 0,045 9,59-10-6 2,5-10-7 1,9-10-12 1,0
2 КЭН - 1 0,052 1,1-10-5 3,8-10-8 4,4-10-13 1,5
3 КЭН - 2 0,062 1,1-10-5 4,8-10-9 5,5-10-14 8,0
4 КЭН - 2М 0,23 3,5-10-6 1,5-10-7 6,3-10-13 2,0
5 КЭН - 3С 0,012 3,3-10-6 3,5-10-8 1,2-10-13 4,0
6 КЭН - 3 0,13 2,4-10-5 4,9-10-8 9,3-10-13 10,0
7 КЭН - 4 0,24 5,8-10-5 2,7-10-8 8,4-10-13 9,0
Продолжительность влагонасыщения у компаундов разная и составила от 1 суток (24 ч). до 10 суток (240 часов). По полученным значениям равновесного влагопоглощения строилась кривая кинетики 0,06
сорбции влаги компаундом в координатах влагопо-глощение (%) - время (сутки). Кривые сорбции компаундов приведены на рисунках 1-7.
гР.05
М
а
ЗД.04
§>.03
и
о
§>,02
§>.01 рр
■ 0,045
г 0,047 0,04^1 1), и 4 Г)
— -1
0.06 о
>.05
а
Г4
о
Н).03
&-Н
о
§3.02
б с;
Рисунок 1 - Кривая сорбции компаундом КЭН-1С
Время, сутки
> > 0 0^
гтГгш
(0 пп
-
2 3 4 5 6 7
Рисунок 2 - Кривая сорбции компаундом КЭН-1
Зремя, сутки
0,07
0,06
Я °-05
о>
В 0.04
со
0,03
0.02 0,01
► Г) 06?
•<034
«^0 011 з
-1
9 10
Вр емя, сутки
Рисунок 3 - Кривая сорбции компаундом КЭН-2
0,02? 0,02
0 О,
§0,015 ®
1
с
о
и
§0.00? Сй
1 п ( Л -1
* и, 1
4 од со
4 б 5 10 12 14 16
Время, сутки
Рисунок 4 - Кривая сорбции компаундом КЭН-2М
0 0.5 1 1,5 2 время, сутки* ,5
Рисунок 5 - Кривая сорбции компаундом КЭН-ЗС
0.3
0,25
га.2
<и
§15
я
о
14),1
О К
£05
IV
Й О
<5^22 » 0.24"» 0.24
<^0,122
-
2 4 6
Рисунок 6 - Кривая сорбции компаундом КЭН-4
8 Время, сутки Ю
Экспериментальные точки хорошо легли на прямую сорбции II типа по классификации, предложенной С. Брунауэром, Л. Демингом, У. Демингом и
Э.Теллером (БЭТ). Изотерма 11-типа характерна для сорбции лэнгмюровского типа, когда зависи-
мость сорбции полимера от относительной влажности линейна [6]. Линейная зависимость сорбции от относительной влажности и низкий коэффициент влагопроницаемости свидетельствует о том, что данные компаунды содержат минимальное количество свободных полярных групп и гидрофильных низкомолекулярных примесей. А также указывает о наличии в цепях полимера помимо группы [-Si - O - Si -], содержатся группы [- Si - СН2 - СН2 - Si -] и, что большая часть влаги конденсируется в микропорах компаунда. Регулярно расположенные пустоты заполняются мономерными молекулами воды. Взаимодействия между молекулами сорбированной воды превосходят взаимодействия макромолекул полимера с молекулами воды. В случае компаунда КЭН-4 увеличение времени пребывания образцов в термовлагокамере приводит к предпочтительному взаимодействию молекул воды друг с другом и, как
Содержание
следствие, к кластерообразованию внутри полимера, о чем свидетельствует кинетика сорбции влаги компаундом КЭН-4 (рис.6). Кластерообразо-вание может приводить к деструкции основных цепей компаунда, к уменьшению густоты сетки этих эластомеров и выделению продуктов деструкции. Причем, отмечена коррозионная активность продуктов деструкции компаундов КЭН-3 и КЭН-3С .
Для определения концентраций ионных примесей были использованы образцы компаундов марок КЭН-1, КЭН-1С, КЭН-2, КЭН-2М, КЭН-3, КЭН-3С, КЭН-4, прошедшие исследования на влагопроницаемость и влагопоглощение, которые не имели нарушений внешнего вида (трещин, сколов, раковин, царапин) и других дефектов. Содержание примесных ионов коррозионно-активных элементов в образцах определяли рентгенофлюорисцентным методом. Результаты приведены в таблице 2.
Таблица 2
ионных примесей
В п/п Марка компаунда Массовая доля ионных примесей, не более, % :Na, K, CI, S
норма фактически
1. КЭН-1 2-10-4 2-10-4 2-10-3 отсутствует Na - 5-10-3 K - 5-10-6 Cl - 1,38*10-3 S - 3-10-6
2. КЭН-1С То же Na - 5-10-3 K - 5-10-6 Cl - 1,64*10-3 S - 3-10-6
3. КЭН-2 То же Na - 5-10-3 K - 5-10-6 Cl- 1.39-10-3 S - 3-10-6
4. КЭН-2М То же Na - 5-10-3 K - 5-10-6 Cl - 1,40*10-3 S - 3-10-6
5. КЭН-3 отсутствует Na - 5-10-3 K - 1,07*10-3 Cl - 2,0*10-4 S - 4,0-10-5
6. КЭН-3С 2-10-4 2-10-4 2-10-3 отсутствует Na - 5-10-3 K - 5-10-6 Cl - 1,53*10-3 S - 3-10-6
7. КЭН-4 То же Na - 5-10-3 K - 5-10-6 Cl - 1,38*10-3 S - 3-10-6
Исследования элементного состава кремнийор-ганических полимеров показали, что в этих защитных покрытиях присутствуют примеси, отличные от указанных в ТУ. Превышение нормы по содержанию ионов хлора, натрия и наличие ионов серы в компаундах могут снижать коррозионную стойкость алюминиевой металлизации изделий микроэлектроники.
Выводы
Установлено, что все исследуемые кремнийор-ганические защитные покрытия (компаунды) следует условно отнести к гидрофобным полимерам, так как значения равновесного содержания воды в них не превышает 1-2%.
На основании полученных данных о сорбции влаги можно утверждать, что сорбированная влага не растворяется в полимерах, а конденсируется на поверхности внутренних микрополостей.
Исследования элементного состава защитных покрытий показали также, что в компаундах присутствуют примеси коррозионно-активных элементов, концентрация которых отличается от указанных в ТУ. Наличие гидрофильных ионных примесей в полимерах увеличивает значение равновесного вла-гопоглощения, коэффициента влагопроницаемости.
Результаты работы позволяют оценить целесообразность использования полимерных защитных покрытий (компаундов) при производстве микросхем для аппаратуры вооружения и военной техники.
ЛИТЕРАТУРА
1. Нестеров В. Б., Теверовский А.А. Исследование термо-, влагостойкости кремнийорганических компаундов, применяемых для защиты полупроводниковых приборов.//Электронная техника. Сер. Материалы, 1986, вып.3 (214), с.4 9-54.
2. «Исследование и испытание защитных покрытий (компаундов), применяемых в ИС военного назначения» Отчет о НИР Шифр: «Оборона» (I этап) / Отв. исп. Зелякова Т.И./ ФГУП «22 ЦНИИИ Минобороны России».- Мытищи.- 2002.- 41 с.
3. ОСТ 11 0044-84 «Материалы полимерные для защиты и герметизации полупроводниковых приборов и интегральных схем»
4. Зелякова Т.И. Влияние кремнийорганических покрытий на коррозионную стойкость интегральных микросхем: дис.к.т.н., М., 2007.- 144 с
5. Зелякова Т.И., Крутов Л.Н., Баринов П.Е. Комплекс средств для контроля характеристик компаундов // Экономика и производство.—2 0 05. №3.-72 с.
6. Рейтлингер С.А. Проницаемость полимерных материалов.- М.: Химия, 1974, с.104.