CC BY
0РЕЖИМЫ ЭЛЕКТРОННОГО ТРАНСПОРТА В ДОПИРОВАННЫХ
НАНОВИСКЕРАХ InAs
Жуков А. А.1, Батов И. Е. 2
1Институт физики твердого тела имени Ю.А. Осипьяна Российской академии наук, Черноголовка, Россия, azhukov@issp.ac.ru 2 Институт физики твердого тела имени Ю.А. Осипьяна Российской академии наук, Черноголовка, Россия, batov@issp.ac.ru
В данном докладе представлены экспериментальные исследования магнито-транспорта в полевых транзисторах на базе допированных нановискеров InAs в присутствии заряженного острия атомно-силового микроскопа при температуре 4.2 K. Был подробно исследован переход от режима кулоновской блокады в режим практически однородного диффузного транспорта. Было продемонстрировано, что данный переход может происходить по двум сценариям. Первый сценарий включает наличие промежуточного резонансного транспортного режима, который может быть как нелинейным, так и линейным. Показано, что в данном режиме возникают новые характерные масштабы по энергии (100-200 мэВ) и по магнитному полю (1Т). Продемонстрировано наличие существенного изменения статистики универсальных флуктуаций проводимости в данном режиме [1]. Показано, что наличие данного промежуточного транспортного режима связано с существенным вкладом резонансных рассеивателей в электронный транспорт нановискеров. Представлены результаты сканирования, демонстрирующие местоположения отдельных резонансных рассеивателей. Показано, что характерные масштабы по энергии и магнитному полю для отдельных резонансных рассеивателей совпадают с таковыми для всего нановискера в режиме резонансного транспорта. Отдельное внимание было уделено исследованию перехода от линейного резонансного режима в режим практически однородного диффузного транспорта. Было продемонстрировано, что изменение ширины спектра универсальных флуктуаций проводимости можно использовать в качестве дополнительного индикатора данного перехода.
Второй возможный сценарий перехода - переход непосредственно из режима кулоновской блокады в режим практически однородного диффузного транспорта. Было показано, что в случае второго сценария оказывается возможным существенное перераспределение вкладов в транспорт от отдельных потенциальных барьеров при помощи заряженного острия атомно-силового микроскопа. Данное перераспределение может приводить, как и в случае режима резонансного транспорта, к существенному изменению статистики универсальных флуктуаций проводимости [1].
Работа выполнена при поддержке гранта РНФ № 23-22-00141.
Литература
1. Hegger H., Huckenstein B., Hecker K., et al.// PRL - 1996. - № 77. С. - 3885-3888.
