CC BY
112
Разработка технологии изготовления наногетероструктур gaas/ingaas/ algaas методом молекулярно-лучевой эпитаксии на нанотехнологическом комплексе Нанофаб Нтк-9
А.В. Рукомойкин, М.С.Солодовник, О.А Агеев
Технологический институт Южного федерального университета в г. Таганроге.
Современный уровень развития электроники нуждается в интегральных микросхемах с рабочими частотами выше 220 ГГц. Такие приборы находят все большее применение в таких системах, как бортовые РЛС, противоударные РЛС, базовые станции связи, системы сотовой связи, системы местной беспроводной связи, системы беспроводного доступа в глобальные сети, спутниковая связь и цифровое телерадиовещание. Такие частоты достижимы в транзисторах с высокой подвижностью электронов HEMT, pHEMT и mHEMT, в которых, при низком уровне шумов, наблюдаются рекордные значения подвижности и концентрации электронов в канале с двумерным электронным газом, образованным на границе гетероперехода между узкозонным и широкозонным полупроводником. Такие структуры могут быть реализованы только с использованием технологии молекулярно-лучевой эпитаксии.
Все типы транзисторов с высокой подвижностью электронов являются сложными гетеросистемами,
состоящими из слоев различных материалов, число которых может достигать нескольких десятков, а толщина варьироваться от единиц нанометров до нескольких микрометров. В таких системах неизбежно образование остаточных упругих механических напряжений, обусловленных рассогласованием материалов по параметру кристаллической решетки. Величина и характер распределения этих напряжений в пленках могут оказывать значительное влияние на зонную диаграмму структуры и как следствие на электрофизические характеристики приборов, что обуславливает необходимость их учета при проектировании многослойных гетероструктур.
рНЕМТ и mHEMT - технологии на основе напряженных гетероструктур AlGaAs/InGaAs/GaAs с квантовой ямой являются наиболее перспективной для приборов и интегральных схем СВЧ-диапазона, однако получение таких структур ограничено рассогласованием постоянных кристаллических решеток данных полупроводниковых систем. Чтобы избежать разрастания дислокации несоответствия и получения бездислокационных упруго напряженных структур необходимо знать критическую толщину напряженного слоя. В ходе математического моделирования и расчетов были построены зависимости критической толщины от степени рассогласования кристаллических решеток InxGa1-xAs/GaAs в зависимости от содержания индия (рис. 1). Знание критической толщины позволяет широко варьировать
разрывами зон на границе гетероперехода и при этом обеспечить необходимую резкость гетерограниц без дефектов.
100
О.1 -------------------------------------------------------
О 10 100
Содержание Ь,%
Рис. 1. Зависимость критической толщины от содержания индия.
В напряженных структурах наблюдается изменение ширины запрещенной зоны, в следствии сжатия или растяжения кристаллической решетки. Величину этих изменений необходимо учитывать при расчете выходных характеристик полученных транзисторов. На рисунке 2 представлены результаты оценки влияния упругого напряжения на изменение краев запрещенной и валентной зон. Результаты оценки можно использовать при дальнейших расчетах.
Рис. 2. Схема влияния напряжения на изменение края зоны проводимости и края валентной зоны, а также расщепление валентной зоны на подзоны тяжелых и легких дырок
В данной работе для получения наногетероструктур использовалась установка молекулярно-лучевой эпитаксии БТЕ-35 (рис.3.), входящая в состав многофункционального сверхвысоковакуумного нанотехнологического комплекса НАНОФАБ НТК-9, которая позволяет выращивать
наногетероструктуры GaAs и твердых растворов на его основе различной степени сложности с гетерограницами атомарной резкости. Необходимые значения резкости и шероховатости гетерограниц достигаются благодаря низкой скорости роста, (порядка одного атомного слоя в секунду) и
непосредственному контролю параметров получаемых
структур во время роста при помощи методов дифракции быстрых электронов на отражение и пирометрии.
Рис. 3. Модуль STE-35 нанотехнологического комплекса НАНОФАБ НТК-9.
Система БТЕ-35 представляет собой современную технологическую платформу для прецизионного выращивания эпитаксиальных слоев на подложках диаметром 2”, 3”, и 4” (100 мм). Система выполнена по прогрессивной вертикальной схеме построения ростовой камеры, наиболее часто на сегодня применяемой ведущими мировыми производителями данного оборудования. Во время транспортировки из шлюза и в процессе роста подложки в держателе располагаются
горизонтально ростовой поверхностью вниз, что резко уменьшает неконтролируемые загрязнения. Криопанели увеличенной площади предназначены для эффективной откачки летучей компоненты V-й группы, их дизайн минимизирует вероятность попадания продуктов роста с криопанели в источники материалов.
Для роста структур использовались подложки VGF диаметром 50,8 мм со следующими параметрами: толщина подложки - 350 мкм; ориентации - (100); удельное
сопротивление - 2,7 108 Омсм; подвижность носителей - 4520 см2/(Вс).
Для контроля электрофизических параметров полученных структур (подвижности и концентрации носителей, удельного сопротивления в активной области) использовался прибор Hall Effect Measurement System HMS-3000 (постоянное магнитное поле индукцией 0.59 Тл). Параметры микрорельефа поверхности определялись методом контактной атомносиловой микроскопии на сверхвысоковакуумном СЗМ-модуле, входящим в состав нанотехнологического комплекса НАНОФАБ НТК-9. Также был выполнен разрез полученных структур фокусированным ионными пучками и получены изображения структур в растровой электронной микроскопии на сканирующем электронном микроскопе Nova Nanolab 600.
Были получены эпитаксиальные структуры со следующими значениями параметров активного слоя: подвижности - 5180 см /(В с); концентрации электронов -5.661018 см-3; удельного сопротивления - 810-4 Омсм (рис. 4).
Был выращен пустой образец для определения остаточного фона в ростовой камере. Концентрация остаточной примеси
12 3
составила 7.15*10 см- и это соответствует мировым стандартам чистоты камеры роста установок молекулярнолучевой эпитаксии.
Рис. 4. Значения электрофизических параметров полученных слоев, измеренных на приборе Hall Effect Measurement System HMS-3000.
Средняя шероховатость поверхности определялась без контакта образца с атмосферой, путем прямой передачи образца из камеры роста в камеру СЗМ. Измерение
морфологии показало, что оптимальная толщина для бездефектного роста составляет 2 мкм, средняя шероховатость поверхности составила 0.76 нм (рис. 5). При дальнейшем росте поверхность становится более развитой, из-за разрастания дислокаций (рис. 6). Плотность дефектов на поверхности полученных структур составляла не более 300 см-2, что достаточно для проведения дальнейших технологических операций по созданию арсенидгаллиевых интегральных схем.
Рис. 5. Топология поверхности выращенной структуры, полученная методом СЗМ (площадь скана 35*35 мкм, шероховатость 0,76 нм).
Рис. 6. Топология поверхности выращенной структуры (площадь скана 50*50 мкм, шероховатость 3,48 нм).
На установке STE-35 были также были выращены приборные структуры: MESFET (таблица 1); HEMT (таблица 2); туннельно-резонансный диод (таблица 3)
Таблица 1
Схема выращенной MESFET структуры
Эпитаксиальный слой Толщина Степень легирования
n+-GaAs (контактный слой) 0,15 мкм 6*1018
n-GaAs (канал транзистора) 0,2 мкм 3*1017
i-GaAs (буферный слой) 0,8 мкм 14 2*10 или менее
i-GaAs подложка 400-500 мкм полуизолятор
Таблица 2
Схема выращенной HEMT структуры
Эпитаксиальный слой Толщина Степень легирования
n+-GaAs (контактный слой) 0,15 мкм 2*1018
n-AlGaAs (донорный слой) 100нм 1*1018
i-AlGaAs (спейсерный слой) 2.5нм 14 2*10 или менее
i-GaAs (канал транзистора) 20нм 14 2*10 или менее
i-GaAs (буферный слой) 0,8 мкм 2*1014 или менее
i-GaAs подложка 400-500 мкм полуизолятор
Таблица 2
Схема выращенного резонансно-туннельного диода
Эпитаксиальный слой Толщина Степень легирования
n+-GaAs (контактный слой) 20 нм 1*1018
n-AlGaAs (донорный слой) 2.5 нм 2*1016
Сверхрешетка i-GaAs 4 нм 2*1014 или менее
ї-АІАб 1.4 нм 14 2*10 или менее
i-GaAs 4.5 нм 14 2*10 или менее
1-А1Аэ 1.4 нм 14 2*10 или менее
i-GaAs 4 нм 2*10 или менее
n-AlGaAs (донорный слой) 2.5 нм 2*1016
n+-GaAs (контактный слой) 20 нм 1*1018
i-GaAs (буферный слой) 0,5 мкм 14 2*10 или менее
400-500 мкм
i-GaAs подложка полуизолятор
Также была разработана технология и получены
структуры HEMT-транзисторов на гетеропереходе GaAs-AlxGa1.xAs с содержание алюминия х=0,22. Данное содержание алюминия в HEMT структурах является оптимальным, так как обеспечивает достаточный разрыв зоны проводимости в области гетероперехода, и не происходит переход алюминий содержащего раствора от прямозонного к непрямозонному полупроводнику.
Были получены HEMT-структуры (таблица 2) со
следующими электрофизическими параметрами носителей в
12 2
двумерном электронном газе: концентрация - 1,02*10 см- ; подвижность - 5626 см /В*с. Данные значения
электрофизических параметров соответствуют мировым
аналогам HEMT-транзисторов и являются достаточными для создания приборных структур СВЧ диапазона с рабочими частотами порядка 40-50 ГГц.
Для контроля толщины областей и резкости гетерограницы был сделан срез структуры фокусированными ионными пучками и получено изображение растровой
электронной микроскопии (рис. 7) на РЭМ Nova Nanolab 600. На РЭМ изображении виден переход от более светлого GaAs к более темному AlGaAs, переход четкий, что свидетельствует о хорошей резкости гетероинтерфейса полученной структуры.
Рис. 7. РЭМ-изображение разреза НЕМТ-структуры
На установке STE-35 были получены структуры с объемной степенью легирования от 2*1017 до 5*1018 см-3, а также были получены НЕМТ-структуры с двумерным электронным газом на границе GaAs-AlGaAs. Наличие двумерного электронного газа контролировалось эффектом Холла. Выращенные НЕМТ-транзисторы обладают
концентрацией электронов в двумерном электронном газе
12 -2 2 1,02* 10 см- и подвижностью до 5626 см/В*с. Полученные
результаты открывают широкие возможности применения
выращенных эпитаксиальных наногетероструктур в
сверхбыстродействующих интегральных схемах и позволяют
решить фундаментальные проблемы перехода современной
техники на СВЧ-диапазон, как в военных целях, так и
повседневной жизни каждого человека.
