CC BY
50
2
РАЗВИТИЕ СОВМЕСТНЫХ ФУНДАМЕНТАЛЬНЫХ, ПОИСКОВЫХ И ПРИКЛАДНЫХ ИССЛЕДОВАНИЙ В ОБЛАСТИ ОПТИКИ,ОПТИЧЕСКОГО И ОПТИКО-ЭЛЕКТРОННОГО ПРИБОРОСТРОЕНИЯ НА ОСНОВЕ КОМПЛЕКСНОГО ИСПОЛЬЗОВАНИЯ МАТЕРИАЛЬНО-ТЕХНИЧЕСКИХ И КАДРОВЫХ ВОЗМОЖНОСТЕЙ НАУЧНЫХ ОРГАНИЗАЦИЙ -_УЧАСТНИКОВ ПРОЕКТА
_2.1. НАУЧНЫЕ ИССЛЕДОВАНИЯ
ПРОВЕДЕНИЕ СОВМЕСТНЫХ ИССЛЕДОВАНИЙ НА БАЗЕ ВНЦ «ГОИ им. С.И. ВАВИЛОВА» ПО ИЗУЧЕНИЮ ЦЕНТРОВ ОКРАСКИ, ОБРАЗУЮЩИХСЯ В ОПТИЧЕСКИХ КРИСТАЛЛАХ ПОД ВОЗДЕЙСТВИЕМ ВУФ ИЗЛУЧЕНИЯ Е.В. Жукова, Н.Б. Маргарянц, Л.П. Шишацкая
Введение
Интерес к исследованию поглощающих свойств центров окраски (ЦО), образующихся под воздействием внешнего излучения в щелочно-галоидных (ЩГК) и щелочноземельных кристаллах (ЩЗК), связан с тем, что разнообразные электронно-оптические процессы, сопровождающие образование и распад ЦО, эффективно используются. Кристаллы с ЦО применяют в качестве оптических материалов при создании лазеров, радиационных индикаторов, при получении кристаллофосфоров, для хранения информации в оптических ячейках памяти и как среды для записи голограмм.
Предрасположенность ЩГК и ЩЗК к образованию в них ЦО негативно сказывается при эксплуатации кристаллических оптических элементов. Более того, существуют условия, когда возникновение ЦО неизбежно даже в кристаллах, выращенных совершенными способами с минимальной концентрацией примесей и дефектов.
ЩГК и ЩЗК, имеющие коротковолновую границу прозрачности в области длин волн короче 185 нм, относятся к оптическим материалам для вакуумной ультрафиолетовой (ВУФ) области спектра. При внешнем облучении ЩГК и ЩЗК спектральный диапазон излучения может совпасть с областью собственного поглощения кристаллов. Так как фундаментальные электронные переходы характеризуются большим значением коэффициента поглощения (а > 105 см-1), то физические явления, сопровождающие поглощение, локализованы в приповерхностной области кристалла, глубина которой составляет менее 1 мкм. Нарушения в поверхностном слое (ПС) кристаллической решетки, возникающие после механической обработки, создают условия для интенсивного взаимодействия поглощенных квантов света с ПС. Дефекты играют роль ловушек электронных возбуждений, возникших в результате фундаментального поглощения, что приводит к образованию в ПС ЦО. Избирательное поглощение ЦО в области прозрачности ЩГК и ЩЗК изменяет спектральные свойства ПС кристалла и ухудшает эксплуатационные характеристики оптических элементов.
В ВУФ диапазоне используются следующие кристаллы с коротковолновыми границами пропускания: ЩГК - LiF (103 нм); ЩЗК - MgF2 (113 нм), CaF2
(122 нм), ЭгР2 (128 нм), ВаР2 (135 нм), а также лейкосапфир Д120з (142 нм) и кристаллический кварц ЭЮ2 (156 нм). Видно, что расширение области прозрачности в коротковолновую область спектра повышает вероятность окрашивания кристаллов при их облучении жестким УФ излучением. Поэтому эксплуатация кристаллических оптических элементов в условиях прямого контакта с ВУФ излучением создает предпосылки для изменения прозрачности материалов в процессе работы.
В ВНЦ «ГОИ им. С.И. Вавилова» цикл исследований по изучению изменения оптических свойств кристаллов под воздействием ВУФ облучения появился благодаря работам по созданию источников излучения для ВУФ и УФ диапазонов [1-3].
Исследования на кристаллических окнах ВУФ источников проводились с помощью традиционного метода оптического пропускания, который является наиболее распространенным методом изучения ЦО в кристаллах. Результаты эксперимента отличаются точностью и доступностью в интерпретации спектров поглощения.
Экспериментальные исследования ЦО в ЩГК и ЩЗК велись по нескольким направлениям. Проводилось изучение влияния продолжительности облучения [4] и интенсивности ВУФ излучения [5, 6] на интенсивность роста концентрации Е- и Е2-центров; влияния температуры нагрева окна на сдвиг коротковолновой границы пропускания, приводящего к расширению области экситонного поглощения кристаллов [7] и на снижение прозрачности кристаллов при их нагреве, что ограничивает возможности метода термического отжига ЦО [8]; изучалось влияние спектрального состава на интенсивность радиационного окрашивания кристаллов в условиях длительного воздействия [9, 10].
Были проведены исследования по изучению поверхностных явлений, сопровождающих взаимодействие ВУФ с кристаллами [11]. Способы удаления поверхностных загрязнений и восстановления прозрачности окон детально рассмотрены в работе [12].
Но метод оптического пропускания непригоден для проведения исследований образования ЦО в тонком ПС кристалла по следующим причинам. На начальной стадии ВУФ облучения поверхности кристалла ЦО накапливаются в пределах ПС с толщиной до 1000 А. Такая толщина не позволяет регистрировать спектры пропускания кристаллов, несмотря на то, что поверхностная концентрация ЦО ( #пов ~ 1018-1021 см-3) превышает объемную ^об ~ 1017 см-3). Кроме того, в ходе эксперимента невозможно осуществлять непрерывное кинетическое изучение образования ЦО, так как для измерения пропускания кристаллического образца (окна) требуется его отделение от колбы ВУФ источника. Кроме того, изучение анизотропно поглощающих ЦО необходимо проводить с использованием нескольких кристаллических образцов, ориентированных различным образом относительно оптической оси кристалла (о.о.к.).
Исходя из возможностей спектроскопии нарушенного полного внутреннего отражения (НПВО) [13], был предложен неразрушающий способ исследований образования ЦО в кристаллах непосредственно в момент воздействия ВУФ облучения, который позволил зафиксировать процесс образования и преобразования коротко и долгоживущих ЦО в кристалле под воздействием ВУФ излучения с энергией квантов (11-15 эВ)
[14]. Последующие исследования ЦО по методу НПВО стали основой для разработки спектрально-кинетического метода исследования поглощающих центров, образующихся в поверхностном слое ЩГК и ЩЗК [15].
В данной статье обсуждаются некоторые результаты исследования релаксационных процессов, сопровождающихся преобразованием центров окраски в кристалле М§Б2, а также проблемы стабильности центров в условиях их фотообесцвечивания внешним излучением.
1. Исследование релаксационных процессов преобразования центров окраски в кристалле М^г
Из кристалла М§Б2 был изготовлен элемент НПВО (призма Дове), преломляющий угол которой равнялся 53о. Элемент служил измерительной ячейкой и одновременно окном для вывода ВУФ излучения из колбы источника. Излучение получается путем возбуждения в водороде низковольтного дугового разряда. Спектр излучения водорода в газовом разряде лампы ВМФ-25 простирается в коротковолновую область до 86 нм. Сила излучения в этой области 25 мВт/ср, что соответствует облученности окна в 25 мВт/см2. Лампа работает при разрядном токе 0,3 А.
Для выхода ультрафиолетового излучения торец колбы лампы снабжен окном из фтористого магния (элемент НПВО), которое вырезано так, чтобы рабочая грань элемента была перпендикулярна к о.о.к., т. е. ВУФ излучение не испытывает двойного лучепреломления. Поверхность граней элемента, в том числе и рабочая, были обработаны способом глубокого полирования. Такой способ полирования создает в приповерхностной области кристалла трещиноватый слой минимальной протяженности, поэтому и концентрация точечных дефектов в нем небольшая. Было сделано предположение, что малая глубина дефектного слоя и небольшая насыщенность трещиноватого слоя точечными дефектами должна сопровождаться небольшой по времени стадией накопления центров в приповерхностном слое, а затем более продолжительной стадией роста концентрации центров за счет накопления их в объеме кристалла.
ВУФ источник с окном из М§Б2 был установлен в измерительную схему, собранную на базе управляемого спектрально-вычислительного комплекса КСВУ-23. Элемент НПВО находился в течение всего эксперимента в одном положении в оптической схеме. Это обеспечило сохранение постоянства области взаимодействия ВУФ излучения с кристаллом и исключило появление случайных погрешностей при многократной установке элемента в измерительный канал. Так как измерительный комплекс снабжен ЭВМ, то результаты измерений сохранялись в виде файлов данных, что позволило вести непрерывную регистрацию спектров НПВО и получать информацию о кинетике исследуемых процессов.
До начала эксперимента были измерены коэффициенты отражения в поляризованном свете Я и Яр, которые далее выполняли роль 100%-ной линии. Включение ВУФ источника сопровождалось образованием центров окраски, а выключение источника позволяло исследовать центры на стадии релаксации, и при этом измерялись составляющие коэффициента отражения.
На рис. 1 представлен спектр НПВО ПС кристалла М§Б2, который в течение 12 ч и 30 мин подвергался ВУФ излучению, а затем источник был выключен и вместе с кристаллическим окном находился в темноте в течение 18 ч. Кроме того, показано, как изменились спектры после включения источника и ВУФ облучения кристалла в течение часа. Измерения уже выполнены в момент взаимодействия коротковолнового излучения с кристаллом.
Данные, полученные в поляризованном свете, позволяют судить о концентрации центров окраски с разной ориентацией дипольного момента. Так, регистрация составляющей коэффициента отражения дает информацию о центрах, чьи дипольные моменты ориентированы в плоскости, перпендикулярной к оптической оси (¡.1_ о.о.к.), а измерение Яр позволяет наблюдать за поглощением центров, чьи дипольные моменты параллельны или находятся под небольшим углом к оптической оси кристалла ( ¡и || о.о.к.).
Из графиков видно, что в кристалле образуются Е- и Е2-ЦО. Анизотропия оптических свойств Е-центров проявляется в том, что Е-центры с ¡1 о.о.к. поглощают на длине волны с максимумом при 255 нм, а ЦО с ¡и || о.о.к. - на длине волны 267 нм. Концентрация Е2-центров с разной ориентацией дипольных моментов также неодина-
кова, видно, что преобладают центры с ^^о.о.к., что можно объяснить большой насыщенностью приповерхностной области точечными дефектами, расположенными в кристаллографической плоскости, параллельной рабочей грани и совпадающей с поверхностью технологической обработки кристалла при его полировании. Видно, что повторное включение уменьшило концентрацию Е-центров с разной ориентацией ди-польного момента. В области поглощения Е2-ЦО уменьшается концентрация центров.
Рис. 1. Спектры НПВО поверхностного слоя кристалла МдР2, в котором произошло образование Р- и Р2-центров окраски под воздействием ВУФ облучения (12 ч 30 мин) (1) и в период последующей релаксации (18 ч) (2), а также после включения ВУФ источника (3) и облучения кристалла в течение 1 ч (4). Спектры определены в поляризованном свете: 1, 3 - для перпендикулярно поляризованного света (Яэ); 2, 4 - для параллельно
поляризованного света (Яр).
Из [16] известно, что для поверхностного слоя кристалла, полученного по способу глубокого полирования, образование в нем ЦО происходит менее чем за 15 мин, а далее формирование поглощающих центров идет в более глубоких слоях приповерхностной области и объеме кристалла. В [5] отмечается, что после 20 ч работы ВУФ источника ВМФ-25 образование ЦО достигает стадии насыщения. Достаточно удалить слой кристалла толщиной 5-10 мкм, чтобы полностью восстановить прозрачность кристалла М§Б2. Очевидно, что и в данном эксперименте следует ожидать глубины образования ЦО до 10 мкм, а условия данного эксперимента удобно интерпретировать на модели толстой пленки, принятой в спектроскопии НПВО [13].
На рис. 2 приведены в сравнении спектры НПВО поверхностного слоя, содержащие ЦО, которые появились в кристалле при повторном ВУФ облучении (измерения выполнены на 60-й минуте), а также после 1 ч 30 мин ВУФ облучения и последующей 18-часовой релаксации. Интересно, что наблюдающиеся на повторной стадии релаксации процессы уже свидетельствуют о сохранении концентрации Е-центров. Очевидно, что релаксация после ВУФ облучения большей длительности (12 ч 30 мин) способствует преимущественному накоплению Е-центров. Продолжение ВУФ облучения после
релаксации приводит к разрушению Е2, повторная релаксация вновь увеличивает концентрацию Е2-ЦО, но концентрация центров с о.о.к. меняется незначительно.
Рис. 2. Спектры НПВО поверхностного слоя кристалла MgF2, в котором произошло образование Р- и Р2-центров окраски под воздействием ВУФ облучения (измерения на 60-й минуте) (1, 2), а также после 1 ч 30 мин ВУФ облучения и в перид последующей релаксации (18 ч) (3, 4). Спектры определены в поляризованном свете: 1, 3 - для перпендикулярно поляризованного света (Яэ); 2, 4 - для параллельно поляризованного
света (Яр).
На рис. 3 также в сравнении представлены спектры НПВО поверхностного слоя кристалла М§Б2, содержащего ЦО. После хранения кристалла в темноте ВУФ источник был вновь включен и спектры записаны на 30-й минуте ВУФ облучения.
Проанализировав все графики на рисунках, можно отметить следующее. Эксперименты подтверждают сделанные в [14] выводы о существовании в кристалле М§Б2 долго- и короткоживущих центров. В период релаксации происходит накопление как Е-, так и Е2-центров, причем значительно увеличивается концентрация Е2-центров с ¡1 о.о.к. Релаксационные процессы сопровождаются падением прозрачности в области 290-340 нм, что можно объяснить появлением полосы поглощения Е2-центров с ¡1 о.о.к. с максимумом в области 300 нм. Концентрация таких центров недостаточна для того, чтобы в спектре появилась отчетливая полоса поглощения. Повторное включение ВУФ источника, т.е. создание условий облучения, приводит к частичному разрушению как Е-центров, так и Е2-центров, что связано с нагревом окна до 40° и созданием условий термического отжига центров. Анализ интенсивности разрушения корот-коживущих Е-центров свидетельствует о быстром разрушении Е2 -короткоживущих центров, особенно с ¡1 о.о.к.
Яр 1,0-,
0,9-
0,3-
0,0
0,1-
0,2-
0,4-
0,8-
0,5-
0,6-
0,7-
220 240 260 280 300 320 340 360 380 400
X, нм
Рис. 3. Спектры НПВО поверхностного слоя кристалла МдР2, в котором произошло образование Р- и Р2-центров окраски под воздействием ВУФ облучения (1 ч 30 мин) (1) и в период последующей релаксации (18 ч) (2), а также после повторного ВУФ облучения
(измерение на 30-й минуте) (3, 4). Спектры измерены в поляризованном свете: 1, 3 - для перпендикулярно поляризованного света (Яэ); 2, 4 - для параллельно поля-
2. Исследование фотообесцвечивания центров окраски в кристалле М^г
Дефектность ПС и нарушения в кристаллической решетке в объеме создают условия для интенсивного преобразования структурных дефектов. Так, повышенная концентрация анионных вакансий увеличивает нестабильность образующихся ЦО, концентрация которых может меняться как за счет их распада, так и из-за их ассоциации в более сложные центры. Стабильные оптические свойства исследуемого объекта определяются количеством долгоживущих центров, оптические свойства которых продолжительное время остаются неизменными, тогда как распад и преобразование короткожи-вущих центров являются одной из основных причин изменения характеристик кристалла.
С помощью предложенного спектрально-кинетического метода [15] были выполнены исследования монокристалла М§Б2> обработанного по способу нормального полирования. Это позволило как наблюдать и оценивать процессы накопления и преобразования разных видов ЦО в ПС кристалла, так и следить за развитием этих процессов в толщу материала.
На рис. 4 показан спектр НПВО ПС такого кристалла, содержащего центры окраски, накопленные в результате работы ВУФ источника в течение 15 ч и последующего хранения на свету в течение 2 лет. Анализ спектра указывает на то, что ПС насыщен Е-ЦО и процессы накопления перешли в толщу кристалла, поэтому полоса с X = 267 нм (р || о.о.к.) более интенсивна, чем X = 255 нм (р ± о.о.к.) [17]. В спектре зафиксированы две новых полосы при Х=245 и 300 нм соответственно для ЦО с р || о.о.к. и
ризованного света (Яр).
р-Ьо.о.к., которые соответствуют образованию Е2-центров с другой пространственной ориентацией в кристаллической решетке по сравнению с Е2, поглощающими на длине волны 370 нм.
Rs, Яр
Рис. 4. Спектры НПВО поверхностного слоя кристалла МдР2, в котором произошло образование Р- и Р2-центров окраски под воздействием ВУФ облучения (1) и последующего хранения на свету в течение 1 года (2), а также после фотообесцвечивания внешним источником ДНК-90 (3, 4). Спектры определены в поляризованном свете: 1, 3 - для перпендикулярно поляризованного света (Яэ); 2, 4 - для параллельно поляризованного света (Яр).
Фотообесцвечивание излучением от внешнего источника ДНК-90 [2] с максимумом спектральной излучательной способности при 230 нм приводит к уменьшению полосы с X = 245 нм, при этом наблюдается также незначительное уменьшение полосы с X = 267 нм. Поэтому можно отметить, что вклад в процесс накопления Е2-центров (Х= 245 нм) вносят преимущественно короткоживущие нестабильные центры, которые локализованы в дефектной приповерхностной области. Концентрация Е2-центров с полосой поглощения при X = 300 нм также очень незначительна.
На рис. 5 показан спектр НПВО ПС кристалла после включения источника ВМФ-25. Воздействие излучения разряда водорода на кристалл вновь приводит к процессам преимущественного накопления ЦО с полосами поглощения, при X = 255 и 267 нм. Уже на 15-й минуте работы источника наблюдается полное разрушение ранее зафиксированных новых полос поглощения. После ВУФ облучения кристалла в течение 2,5 ч было выполнено 10-часовое фотообесцвечивание кристалла излучением от источника ДНК-90. Фотообесцвечивание сразу после окончания воздействия ВУФ приводит лишь к небольшому уменьшению интенсивности полос при 255 и 267 нм с одновременным увеличением полосы при 370 нм, соответствующей Е2-центрам. Однако при хранении этого источника на свету в течение меньшего времени (около 1 года) зафиксирована
большая интенсивность полос с X = 245 и 300 нм, а также начальная стадия образования ЦО с ¡1о.о.к., поглощающих на длине волны 320 нм. Наблюдаемая большая стабильность Е-центров к внешнему фотовоздействию непосредственно после окончания облучения окна излучением газового разряда и одновременно большая концентрация новых центров при хранении на свету говорит о том, что начальная стадия накопления Е2-центров определяется в основном хаотичными неупорядоченными процессами распада и объединения короткоживущих центров.
X, нм
Рис. 5. Спектры НПВО поверхностного слоя кристалла MgF2, в котором произошло образование Р- и Р2-центров окраски при работе источника (ВУФ облучение рабочей грани окна) в течение 15 мин (1, 2), а также в период последующей релаксации на свету в течение 1 года (3, 4). Спектры определены в поляризованном свете: 1, 3 - для перпендикулярно поляризованного света (Яэ); 2, 4 - для параллельно поляризованного света
(Яр).
Таким образом, чувствительность метода НПВО в рамках предложенной методики измерений позволяет оценивать соотношения между максимумами интенсивности полос поглощения разных типов центров, а значит - и скорость, и характер их накопления (преобразования) ЦО в зависимости от стадии эксперимента. Видно, что процессы фотообесцвечивания, не приводящие к моментальным изменениям структуры дефектности ПС, стимулируют более интенсивные процессы накопления ЦО, которые образуются при хранении источника на свету, по сравнению с хранением на свету без предварительного ФО. Регистрация начальных стадий процессов образования Е2-ЦО (полосы поглощения 300 и 320 нм) показывает, что стабилизация свойств при хранении источников типа ВМФ-25 на свету не обеспечивается, а предварительное обесцвечивание в сочетании с последующим хранением на свету активизирует процессы фотопреобразований Е2-центров.
Заключение
Использование спектрально-кинетического метода исследования ЦО, разработанного на базе спектроскопии НПВО, позволяет изучать кинетику образования и преобразования разнообразных поглощающих структурных дефектов в поверхностном слое, образующихся в момент ВУФ облучения или фотообесцвечивания ЦО. Данный метод предназначен для изучения оптических свойств поверхности твердого тела без дополнительного контроля толщины ПС в ходе эксперимента. После количественной обработки экспериментальных спектров возможно получение достоверных значений оптических постоянных ПС, содержащего ЦО.
На примере изучения центров окраски в кристалле М§Б2 продемонстрировано, что спектроскопия НПВО, наряду с большой чувствительностью по сравнению с методом пропускания, создает условия для исследования ЦО, обладающих анизотропными поглощающими свойствами при использовании одного кристаллического образца.
Многолетнее использование данного метода позволило выполнить ряд экспериментов по изучению образования центров окраски и предколлоидальных центров металла в кристалле ЫБ. Количественная обработка результатов эксперимента с кристаллами дала возможность получить информацию об оптических свойствах дефектов и использовать эти данные при решении задач прогнозирования изменения оптических свойств поверхности материалов при взаимодействии ее с ВУФ облучением.
Работа выполнена при частичной поддержке Федеральной целевой программы «Интеграция науки и высшего образования России на 2002-2006 годы», Проект № Б0120. Направление 1.1. УНЦ «Оптика и научное приборостроение».
Литература
1. Яковлев С. А., Шишацкая Л.П. Источники света, применяемые в спектроскопии // ОМП. 1969. № 1. С. 58-65.
2. Шищацкая Л.П. Источники вакуумного ультрафиолетового излучения непрерывного действия // ОМП. 1984. № 9. С. 54-59.
3. Яковлев С. А. Шишацкая Л.П., Волкова Г. А. Газоразрядные лампы для вакуумной УФ области // Оптический журнал. 1995. № 7. С. 72-74.
4. Апинов А., Будина Н.Е., Рейтеров В.М., Шишацкая Л.П. Изменение спектрального пропускания окон из фтористого магния при длительном ультрафиолетовом облучении // ОМП. 1983. № 8. С. 10-12.
5. Шишацкая Л.П., Цирюльник Л.А., Рейтеров В.М., Сафонова Л.Н. Влияние ВУФ на пропускание кристаллов Ш и М§Б2 // ОМП. 1972. № 10. С. 69-70.
6. Шишацкая Л.П., Гребеньков В.С., Рейтеров В.М. Применение окон из фтористого магния в мощных дейтериевых лампах // ОМП. 1988. № 6. С. 60-62.
7. Шишацкая Л.П., Рыжова Л.С. Пропускание фтористых кристаллов в коротковолновой области спектра при их нагревании // ОМП. 1973. № 2. С. 69-72.
8. Рейтеров В.М., Сафонова Л.Н., Шишацкая Л.П. Влияние термообработки на пропускание окон из фтористых кристаллов в вакуумной и ультрафиолетовой области спектра // ОМП. 1976. № 7. С.43-45.
9. Шишацкая Л.П., Лисицин В.М. О способах устранения радиационного окрашивания окон водородных ламп // ОМП. 1978. № 8. С. 53-55.
10. Любарская Т.С., Пухов А.М. Изменение оптических свойств окон из кристаллов фтористого магния в импульсных источниках вакуумного ультрафиолетового излучения // ЖПС. 1988. Т. 48. № 8. С. 484-486.
11. Рейтеров В.М., Трофимова Л.М., Шишацкая Л.П. Влияние адсорбированных пленок на изменение спектрального пропускания окон из фтористых кристаллов в ВУФ области спектра // ОМП. 1980. № 5. С. 29-31.
12. Вангонен А.И., Пухов А.М., Шишацкая Л.П., Тихомиров Г.П., Туровская Т.С. Способы увеличения пропускания полированных окон из фтористого магния в ВУФ области спектра // ОМП. 1988. № 11. С. 26-29.
13. Харрик Н. Спектроскопия внутреннего отражения. М.: Мир, 1974. 335 с.
14. Шишацкая Л.П., Золотарев В.М., Рейтеров В.М., Вангонен А.И., Шилина Н.В. Изучение кинетики образования центров окраски в поверхностном слое монокристаллического MgF2 методом НПВО // Опт. и спектр. 1985. Т. 58. В. 4. С. 821- 824.
15. Жукова Е.В., Золотарев В.М., Маргарянц Н.Б., Шишацкая Л.П. Спектрально-кинетические исследования центров окраски в поверхностном слое кристаллов методом НПВО // Опт. и спектр. 1996. Т. 81. В. 2. С. 263-267.
16. Жукова Е.В. Исследование молекулярных дефектов в поверхностном слое кристаллов методом НПВО // Атореф. дис. СПбГИТМО (ТУ). 1997. 20 с.
17. Zhukova E.V. Optical properties of near-surface crystal layer with color centers // Proc. SPIE. 2001. V. 4419. P. 526- 29.
18. Ершова Ю.В., Шевырева В.И., Жукова Е.В. Компьютерное моделирование накопления центров окраски в поверхностном слое кристаллов под воздействием ВУФ излучения // Тез. Междунар. конфер. "Оптика-99". СПб, 1999. С. 50.
19. Жукова Е.В., Шишацкая Л.П. Исследование поглощения коллоидных частиц металла в поверхностном слое кристалла LiF // Оптический журнал. 2003. Т. 70. № 1. С. 24-27.
