CC BY
211
УДК 621.315.5
ПРОМЫШЛЕННЫЕ МЕТОДЫ ПОЛУЧЕНИЯ И ОСОБЕННОСТИ СВОЙСТВ КРЕМНИЯ ДЛЯ ФОТОВОЛЬТАИКИ
Т.В. Критская1, Л.Я. Шварцман2, Н.В. Немчинова3
Запорожская государственная инженерная академия,
Запорожье, Украина, 69006, г. Запорожье, просп. Ленина, 226, krytskaja@mail.ru 2Компания «Activ Solar Gmbh», Вена, Австрия, schv@mail.ru
3 Иркутский государственный технический университет,
Иркутск, Россия, 664074, г. Иркутск, ул. Лермонтова, 83, ninavn@yandex.ru.
Проведен анализ существующих технологических схем получения кремния для фотоэлектрических преобразователей (ФЭП). Приведены результаты эксперимента по повышению КПД элементов на кремнии, полученном по традиционному Siemens-процессу. Разработан и предложен метод управления конвективными потоками в расплаве при воздействии на его поверхность специально направленными струями аргона. Проведены эксперименты по легированию кремния. В результате исследований было установлено, что повышение эффективности ФЭП возможно за счет преимущественного использования монокристаллов кремния с комплексом новых свойств. Ил. 6. Табл. 1. Библиогр. 17 назв.
Ключевые слова: кристаллический кремний; возобновляемые источники энергии; солнечная энергетика; фотовольтаика; фотоэлектрические преобразователи.
INDUSTRIAL PRODUCTION METHODS AND PROPERTIES PECULIARITIES OF SILICON FOR PHOTOVOLTAICS
T.V. Krytskaya1, L.Ya. Shvartsman2, N.V. Nemchinova3
1
1Zaporozhye State Engineering Academy,
226, Lenin Ave., Zaporozhye, 69006, Ukraine, krytskaja@mail.ru
2Company «Activ Solar Gmbh»,
schv@mail.ru
3Irkutsk State Technical University,
83, Lermontov St., Irkutsk, 664074, Russia, ninavn@yandex.ru
The analysis of current technological schemes for the silicon production for photovoltaic converters (PEC) has been held. The results of the experimental works to improve the silicon elements efficiency have been described. These elements have been obtained by the traditional Siemens-process. The method of control of convective flows in the melt during surface exposed by argon streams was developed and proposed. The investigations of silicon doping have been held. It is found that the PEC efficiency increasing is possible due to the preferential using of single crystals silicon with complex of new properties. 6 figures. 1 table. 17 sources.
Key words: crystalline silicon; renewable energy; solar energy; photovoltaic; photovoltaic converters.
Традиционная энергетика, основанная на сжигании угля, нефти и газа, может исчерпать себя, по пессимистическим прогнозам, в ближайшие 50 лет, а по оптимистическим - в течение 150-200 лет [16,8,7]. Курс на развитие атомной энергетики не перспективен, поскольку запасы дешевого урана сравнимы с запасами нефти и будут использованы в течение 3070 лет. Ощутимый вклад термоядерной энергетики прогнозируется к 2050 г., но даже в слу-
чае успеха мощность коммерческих термоядерных реакторов к концу XXI века во всём мире не превысит 100 ГВт. Поэтому во всем мире сегодня стремятся использовать возобновляемые источники энергии - тепло Земли, ветер, морские приливы, энергию Солнца и др. Использование солнечной энергии признается предпочтительным: на 1 м2 поверхности Земли приходится ее мощность, равная 1000 Вт [16], что в течение года составляет 1,5 ' 1018 кВтч,
при общеземном потреблении электроэнергии 6,9 ' 1013 кВтч/год.
Для прямого преобразования солнечной энергии в электрическую используются полупроводниковые фотоэлектрические преобразователи (ФЭП) и, прежде всего, ФЭП на кремнии. Исходным сырьем для получения, например, по известной Siemens-технологии трихло-силана (ТХС) SiНCl3, используется металлургический (металлический) кремний, получаемый из кварцевого сырья восстановлением углеродом в электродуговых печах [6,12]. Преобразователи на основе кремния обладают большим КПД, экологичностью, простотой конструкции, достаточностью запасов данного элемента в земной коре и отлаженностью технологий его производства. Успехи в разработке конструкций и технологий изготовления Si-ФЭП позволили этим устройствам занять лидирующие позиции в космической и наземной фотоэнергетике, и число приверженцев солнечной энергетики постоянно увеличивается, в особенности с позиций «зелёных» (экологически безопасных) технологий.
Мировые инвестиции в солнечную энергетику достигли в 2011 г. уровня 260 млрд. долл., что в пять раз больше, чем 53,6 млрд. долл. в 2004 г. К 2020 г. в 20 странах ЕС прогнозируется 20%-е возрастание выработки всех видов электроэнергии именно за счет возобновляемых источников. Инвестиции в солнечные технологии с 40 млрд. евро в 2010 г. возрастут до более чем 70 млрд. евро в 2015 г.
На протяжении последних 10 лет декларировался общий прирост производства полупроводникового Si на уровне 15% в год, а для нужд солнечной энергетики - до 30% в год. И хотя производство поликристаллического Si в мире с 2006 по 2012 выросло в 10 раз, уровень его потребления в 2012 г. для нужд фотоволь-таики ^^ снизился на 34%. Также несколько замедлились темпы инсталлирования солнечных модулей. К 2012 г. избыточные мощности у компаний-производителей поликремния составили 58 ГВт, пластин - 38 ГВт, ячеек ФЭП -42 ГВт, модулей на кристаллическом кремнии - 41 ГВт, объёмы инсталлирования снизились c 37 до 34 ГВт. Цены на поликристаллический Si в 2008 г., в среднем, составляли - 450, в 2009 ~ 52, в 2010, ~ 90, в 2011 ~ 55 $/кг. Спото-вые цены на Si солнечного качества в конце 2012 г. находились на уровне 16-22 $/кг. Коэффициент использования мощностей по всей производственной цепочке PV в 2012 г. составил 42-51% [13].
Возникшая ситуация связана с возросшей необходимостью повышения эффективности ФЭП, снижения степени деградации их харак-
теристик, требованием продления срока службы ФЭП и модулей. Конкуренция на рынке сейчас возможна только при доказанности высоких качественных характеристик полупроводникового кремния при низком уровне затрат на его производство и обеспечении экологической безопасности. Варианты различных методов получения кристаллического кремния для солнечной энергетики представлены на рис. 1.
Солнечные элементы первых поколений изготавливались, в основном, на кремнии, получаемом из отходов: остатки монокристаллов, поликристаллического кремния, очищенный металлургический кремний (UMG-Si) чистотой 6N (N - от англ. перевода цифры 9 «Nine»). Возросшие требования к эффективности ФЭП потребовали производства специальных сортов кремния чистотой до 11 N (рис. 2). Технология «ленточного» кремния (String Ribbon) и получившая широкое распространение технология мультикристаллического кремния, предусматривавшие существенное повышение производительности и удешевление подложек кремния для ФЭП, в настоящее время не могут конкурировать с монокристаллическим кремнием по достигнутым показателям КПД (соответственно 12-18 % и 18-26,4% у промышлен-но выпускаемых ФЭП). Причины: достаточно высокая стоимость качественного сырья, используемых кварцевых тиглей, оборудования для резки слитков на блоки и пластины, отсутствие перспектив существенного повышения КПД у ФЭП на мультикремнии и необходимость предоставления больших площадей для размещения солнечных электростанций (для электростанции мощностью 1 ГВт требуется несколько десятков квадратных километров площади). У слитков мультикремния достаточно низкий выход годной части (несоответствие требованиям по удельному электрическому сопротивлению (УЭС), величине времени жизни неравновесных носителей заряда (тннз), возникновение скоплений карбидов в объёме и др.) [1]. Наличие большого количества активных границ зерен между кристаллитами в мультикремнии приводит к образованию вокруг них «примесных облаков», которые препятствуют свободному перемещению носителей тока в объеме пластин, приводят к рекомбинации фотопар, снижению фотоэлектрических характеристик и требуют принятия специальных мер по дезактивации границ зерен.
Нестабильность свойств мультикремния во времени, обусловленная присутствием существенно больших концентраций примесей и структурных дефектов, чем у монокристаллов, также является причиной «деградации характеристик ФЭП, вызванной светом» (Light in-
Рис. 1. в
Методы получения кристаллического кремния для использования технологии ФЭП [3]: 1 - метод Чохральского; 2 - нормальная направленная кристаллизация (Heat Exchange Method); 3 - «ленточная» технология (String Ribbon)
<6N £6 <9N Ba9N<llN ■ i UN Рис. 2. Динамика чистоты поликремния для фотовольтаики
duced degradation - LID) [14,17]. В частности, при нагреве элемента на один градус свыше 25 оС он теряет в напряжении 0,002 В, т.е. 0,4%/градус. В яркий солнечный день элементы нагреваются до 60-70 оС, теряя 0,07-0,09 В
каждый. Параметр LID с недавнего времени входит в число основных качественных параметров кремния «солнечного качества», гарантируемых производителями.
Альтернативой технологии мультикрис-
1
2
3
4
Рис. 3. Гибридные моно/мультикристаллические слитки, выращенные в плавильных печах направленной кристаллизации: 1 - полностью монокристаллическая пластина; 2 - монозона с небольшим количеством полизон; 3 - монозона, окруженная поликристаллической зоной; 4 - классическая мультипластина (по углам)
таллического кремния может стать недавно разработанная его промышленная модификация - «квази-моно» (MonoCast™, MonO). В данном случае дно тигля выстилается пластинами монокристаллического кремния. При использовании того же оборудования, что и для мультикремния, специальным подбором градиентов температуры обеспечивается кристаллизация от монокристаллической поверхности, и структура ~ 75% всего закристаллизовавшегося объема поддерживается монокристаллической (рис. 3). После резки на блоки монокристаллические «затравочные» части отделяются и могут использоваться повторно. Пластины «квази-моно» кремния имеют незначительно большую стоимость, но у изготовленных на их основе ФЭП воспроизводимо получают КПД ~ 18%, по cравнению с 16,8% на пластинах из мультикремния из одного и того же сырья. Компании, рекламирующие эффективность использования «квази-моно», в частности, предприятия КНР, США и нидерландская компания «AMG Ideal Cast MonoCastTM» полагают, что их применение приведет к снижению цен на фотовольтаические модули (вследствие меньших производственных затрат). Затраты меньше, чем при выращивании монокристаллов по методу Чохральского. Кристаллическая структура пластин - трех категорий. Возможность увеличения эффективности
ФЭП - на 1,0-1,3%.
Использование различных видов кристаллического кремния в технологиях ФЭП на протяжении 2009-2015 гг иллюстрируют данные табл.1
Из сказанного можно заключить, что в ближайшие несколько лет повышение эффективности фотопреобразования и снижение стоимости солнечной энергии будет идти в направлении использования высокочистого кремния в качестве сырья, из которого будут производиться монокристаллы и пластины для ФЭП.
Лидировать среди технологий получения кремния полупроводниковой чистоты, по-прежнему, будет испытанная временем, коммерчески доступная технология Siemens-процесса с использованием ТХС в качестве сырья. Доля этого продукта составит ~ 90% от объемов производимого высокочистого кремния при декларируемой себестоимости ~$19-25 за кг [15].
Современное конкурентоспособное производство кремния полупроводниковой чистоты должно обеспечиваться безотходными технологиями с использованием рециклирования реагентов и промежуточных продуктов реакций. Повышение производительности процесса водородного восстановления ТХС возможно
Таблица 1
Доли различных технологий кремния, используемого
для производства ФЭП (%) в 2009-2015 гг. [13]_
Технологии кремниевых ФЭП 2009 2010 2011 2012 2013 2014 2015
На основе моно^ (CZ) 34 27 33 36 37 38 40
На основе «квази-моно» 0 0 1 7 14 19 23
На основе мультиSi 47 58 55 50 42 36 29
Тонкоплёночные 18 13 10 7 7 7 8
Ленточные 1 2 1 0 0 0 0
Рис. 4. Экономически целесообразная схема получения поликристаллического кремния с существенно пониженной концентрацией металлических примесей
при переходе на реакторы нового поколения (27-36 пар стержней, производительность ~ 600 т/год), снижении энергопотребления до < 45 кВч/кг, рациональном способе стартового нагрева прутков. Повышение извлечения полупроводникового Si обеспечивается конверсией тетрахлорида кремния в трихлорсилан в процессе гидрирования, проведение которого при температуре менее 500 оС позволяет снизить содержание углеродсодержащих примесей. Применение моносилана с добавками HCl также позволит уменьшить скорость реакций образования твердых полимерных продуктов состава (SiHx)n, аморфного кремния, уменьшить газонасыщенность поликристаллического кремния и существенно увеличить скорость осаждения кремния на подложки в системе H2:SiH4:HCl.
Указанные подходы в совокупности позволяют создать новую, менее энергозатратную технологическую схему получения кремния методом водородного восстановления три-хлорсилана (рис. 4).
Использование кремния полупроводниковой чистоты в качестве исходного сырья при
дальнейшей переработке в монокристалл по методу Чохральского (CZ-Si) обеспечит, наряду с совершенной кристаллической структурой, требуемый уровень концентрации и характер распределения электрически активных и фоновых примесей для использования в ФЭП наземного и космического применения. Большое значение при этом имеет однородность распределения электрофизических параметров по объему монокристалла. Именно макро- и микрооднородность распределения примесей и величины тннз в объеме пластины характерна для ФЭП с величиной КПД 18-20%.
В процессе исследований технологии метода Чохральского [2] нами был разработан метод управления конвективными потоками в расплаве при воздействии на его поверхность специально направленными струями аргона. Этот метод позволяет уменьшить радиальную и осевую макро- и микронеоднородность распределения электрически активных примесей, а также кислорода до величины ± 5%.Особен-ностью разработанного метода является также возможность снижения концентрации углерода в монокристалле вплоть до значений меньших,
О 100 200 300 400 500 600 700 300 900
Длин л монокристалла, мм Рис. 5. Распределение концентрации углерода по длине монокристаллов, выращенных традиционным (о) и разработанным (А) методами [2]. Концентрация углерода (Ыс) в исходном сырье ~ 1017 ат/см3
чем в исходном сырье (рис. 5). Применение разработанного метода возможно и для других процессов направленной кристаллизации.
При получении монокремния для ФЭП по методу Чохральского нами было обнаружено заметное изменение их электрофизических параметров в результате хранения при комнатной температуре. Причем УЭС могло быть восстановлено в результате термообработки (923К), а снижение тннз носило необратимый характер. Обнаруженное явление проявлялось в большей степени у монокристаллов, выращенных из низкокачественного сырья (мелкие фракции поликристаллического кремния, бой пластин, остатки в тиглях). По-видимому, нестабильность характеристик кремния, полученного из данного вида сырья (с повышенной концентрацией фоновых примесей), и может быть причиной деградации характеристик ФЭП.
Особого внимания заслуживает поведение примеси бора. Наши исследования показали, что его существенная часть (до 60%) может находиться в электрически неактивной форме, и эта доля растет с повышением концентрации бора. Подобный эффект, названный «политро-пией», ранее приписывали только примесям V-группы в кремнии, либо примеси бора, если его концентрация была > 1018 ат/см3. Оценка степени политропии бора в монокристаллах для ФЭП (с концентрацией ~ 1016 ат/см3) в соответствии с методикой [11] показала, что причиной снижения электрической активности данного легирующего элемента может быть образова-
ние комплексов с кислородом, а также друг с другом, в виде В2, В3, В4 [4]. Использование бора при легировании кремния для технологий ФЭП вследствие активных процессов комплек-сообразования является причиной нестабильности и деградации их характеристик [9].
В качестве меры, способствующей снижению деградации электрофизических параметров, нами были проведены эксперименты по специальному легированию выращиваемых монокристаллов галлием (99,9999% Ga) в диапазоне концентраций (0,1-3)1016 ат/см , а также совместному легированию бором и фосфором N = 1016 cм-3, N < 1014 ат/см3), бором и германием: N = 1015; 1016 ат/см3; = (0,1-1)1019 ат/см3. После хранения в течение длительного времени (8-10 лет) при комнатной температуре изменений электрофизических параметров у выращенных монокристаллов замечено не было, в отличие от монокристаллов, легированных только бором. Полученные результаты могут быть объяснены повышением стабильности твердого раствора кислорода и снижением вероятности образования комплексов В-О.
Факт стабилизации твердого раствора кислорода в кремнии в присутствии германия подтверждают результаты более поздней работы [10], в которой методом ИК-поглощения обнаружены дефекты, идентифицированные как комплексы В-О с полосой поглощения 1026,7 см-1. Концентрация этих дефектов после облучения монокристаллического образца CZ-Si<B> светом со спектральным составом,
близким к солнечному излучению (интенсивностью 70-80 мВт/см), возрастала (рис. 6). Легирование кремния германием снижало эффективность образования дефектов, которым соответствует выявленная полоса, что свидетельствует о возможности снижения степени деградации характеристик солнечных ФЭП, изготавливаемых на основе CZ-Si<B,Ge>.
Таким образом, ставка изготовителей ФЭП на монокристаллический CZ-Si на сегодняшний день достаточно оправдана. Именно на пластинах из этого материала достигнуты самый высокий КПД единичного серийного ФЭП ~ 20%; CZ-Si<P> ~ 21,5%; CZ-Si<B + Ge> ~ 22,5%; мульти^ -14,5-18°%) и самый низкий расход Si на 1 Вт электрической мощности в 2012 г.: менее 5 г/Вт (13 г/Вт -~6,5 г/Вт - мульти^) [5,13].
В результате проведенного анализа современного состояния производства кремния для ФЭП можно сделать следующие выводы:
1. Снижение стоимости используемого кристаллического кремния возможно за счет усовершенствования ряда этапов существующей технологии его получения, а также использования новых технологий (получения тонких пластин путем скалывания, воздействия на ФЭП постоянным магнитным полем и др.).
2. Усовершенствование технологии поликристаллического кремния (безальтернативный <^етепэ-процесс») целесообразно в направлении использования моносилана для подпитки рециркуляционной системы данного процесса.
3. Добавление SiH4 позволит превратить побочные продукты реакции в основной про-
Рис. 6. Влияние легирования кремния германием на эффективность образования полосы 1027,6см-1, Nв = 10 15 ат/см3: 1 - 1,2; 2 - 2,2; 3 - 1,2; 4 - 1,5. N0 = 1017см-3: 1 - 7; 2 - 11; 3 - 8; 4 - 12. = 1019 ат/см3: 1 - 0; 2 -0,77; 3 - 1,2; 4 - 20. Г^ = 300 К[10]
дукт ^НС13), существенно уменьшит содержание металлических примесей в поликристаллическом кремнии, что сделает возможным создание новой, менее энергозатратной технологии.
4. Повышение эффективности ФЭП возможно за счет преимущественного использования монокристаллов кремния с комплексом новых свойств:
- повышенным тннз (за счет легирования нетрадиционными примесями Gа, Ge, В + Р и
др.);
- повышенной механической прочностью (использование среды азота при выращивании);
- повышенной термической и радиационной стабильностью (легирование Gа, Ge, Sn, ИГ и др.).
1. Критская Т.В. Современные тенденции получения кремния для устройств электроники. Запорожье: Изд-во ЗГИА, 2013. 356 с.
2. Критская Т.В. Управление свойствами и разработка промышленной технологии монокристаллического кремния для электроники и солнечной энергетики: дис... д-ра техн. наук. Запорожье, 2006. 375 с.
3. Критская Т.В., Меркер Р. Особенности технологий фотоэлектрических преобразователей на основе кристаллического кремния : материалы VII Междунар. конф. «Кремний-2010». Нижний Новгород, 2010. С. 64.
4. Критская Т.В., Скачков В.А. Присутствие электрически неактивного бора в монокристаллах кремния, выращенных по методу Чохральского // Металурпя. Науковi прац За-порiзькоТ державноТ шженерноТ' академп. 2006. Вип. 13. С. 65-69.
5. Наумов А.В., Плеханов С.И. О сырьевых ограничениях развития солнечной энергетики в 2012-2020 гг. : материалы IX Междунар. конф. «Кремний-2012». СПб, 2012. С. 5.
6. Немчинова Н.В., Клец В.Э. Кремний: свойства, получение, применение. Иркутск: Изд-во ИрГТУ, 2008. 272 с.
7. Немчинова Н.В., Клец В.Э., Непомнящих А.И. Кремний в XXI веке. Фундаментальные исследования. М., 2006. № 12. С. 13-17.
8. Непомнящих А.И. Прямое получение мультикремния для солнечной энергетики из высокочистого рафинированного кремния: материалы IX Междунар. конф. «Кремний-2012». СПб, 2012. С. 48.
9. Пат. Японии № ЕР 1 114 885 А1. МПК С
КИЙ СПИСОК
30 В 15/00. CZ single crystal doped with Ga and wafer and method for production thereof / T. ABE, T. Hirasava, K. Turanaga, T. Jagarashi, M. Ya-maguchi. 00922915.4, заявл. 28.04.2000; опубл. 11.07.2001, bull. 2001/28.
10. Хируненко Л.И. Помозов Ю.В., Соснин М.Г. Оптические свойства кремния с высоким содержанием бора // ФТП. 2013. Т. 47, вып. 2. С. 232-238.
11. Фистуль В.И. Взаимодействие примесей в полупроводниках. М.: Наука, 1999. 318 с.
12. Чебунин А.В., Немчинова Н.В., Толмачев С.В., Кованов В.И. Особенности химического состава металлургического кремния, применяемого для производства трихлорсила-на : материалы VII междунар. конф. «Кремний-2011». М., 2011. C. 68.
13. Bernreuter J. The 2012 Who's Who of Solar Production. Bernreuter Research, 2013. 100 p.
14. Johnson R. Calisolar : Solar Cells Based on Smart Silicon. Proc. 8th Int. Solar Silicon Conf. «PHOTON's». Stuttgart, 2010, pp. 22-25.
15. Riede H.-D. Siemens reactors - incumbent technology forever? // Proc. 8th Int. Solar Silicon Conf. «PHOTON's». Stuttgart, 2010, pp. 27-29.
16. Schmеla M. Market survey on global cell and module production in 2004. Photon International, 2005, no. 3, pp.10-11.
17. Ulset T. Update on Elkem Solar grade silicon production and application experience. Proc. 8th Int. Solar Silicon Conf. «PHOTON's». Stuttgart, 2010, pp. 12-15.
REFERENCES
1. Krytskaya T.V. Sovremennye tendentsii polucheniya kremniya dlya ustroistv elektroniki [Current trends of silicon production for electronics]. Zaporozhye, ZGIA Publ., 2013. 356 p.
2. Krytskaya T.V. Upravlenie svoistvami i razrabotka promyshlennoi tekhnologii monokristal-licheskogo kremniya dlya elektroniki i solnechnoi energetiki [Properties control and development of industrial technology of monocrystalline silicon for electronics and solar energy]. Thesis of Doctor of
Technical Sciences, Zaporozhye, 2006, 375 p.
3. Krytskaya T.V., Merker R. Osobennosti tekhnologii fotoelektricheskikh preobrazovatelei na osnove kristallicheskogo kremniya [Technology characteristics photovoltaic converters based on crystalline silicon]. Materialy VII Mezhdunarodnoi konferencii «Kremnii-2010» [Proc. Vll-th Int. Conf. «Silicon-2010»]. N. Novgorod, 2010, p. 64.
4. Krytskaya T.V., Skachkov V.A. Prisutstvie elektricheski neaktivnogo bora v mono-kristallakh
kremniya, vyrashchennykh po metodu Chokh-ral'skogo [The electrically inactive boron presence in monocrystalline silicon grown by the Czoch-ralski method]. Metalurgiya - Metallurgy, Zaporozhye, 2006, no.13. pp. 65-69.
5. Naumov A.V., Plekhanov S.I. O syr'evykh ogranicheniyakh razvitiya solnechnoi energetiki v 2012-2020 gg [About raw limiting of solar energy development in the 2012-2020 years]. Materialy IX Mezhdunarodnoi konferentsii «Kremnii-2012» [Proc. IX-th Int. Conf. «Silicon-2012»]. St.-Petersburg, 2012, p. 5.
6. Nemchinova N.V., Klets V.E. Kremnii: svoistva, poluchenie, primenenie [Silicon: properties, production, using]. Irkutsk, IrGTU Publ., 2008, p. 272.
7. Nemchinova N.V., Klets V.E., Nepomnyashchikh A.I. Kremnii v XXI veke [Silicon in the XXI centure]. Fundamental'nye isle-dovaniya - Fundamental research, 2006, no. 2, pp. 13-17.
8. Nepomnyashchikh A.I. Pryamoe poluchenie mul'tikremniya dlya solnechnoi energetiki iz vysokochistogo rafinirovannogo kremniya [The multisilicon direct production for solar power from a high-purity refined silicon]. Materialy IX Mezhdu-narodnoi konferentsii «Kremnii-2012» [Proc. IX-th Int. Conf. «Silicon-2012»]. St.-Petersburg, 2012, p. 48.
9. Patent Japan № ER 1 114 885 A1. MPK S 30 V 15/00. CZ single crystal doped with Ga and wafer and method for production thereof / T. ABE, T. Hirasava, K. Turanaga, T. Jagarashi, M. Yamaguchi. 00922915.4, applied 28.04.2000,
published 11.07.2001, bulletin 2001/28.
10. Khirunenko L.I. Pomozov Ju.V., Sosnin M.G. Physics and Technology of Semiconductor, 2013, vol. 47, no. 2, pp. 232-238.
11. Fistul' V.I. Vzaimodeistvie primesei v poluprovodnikakh [The impurities interaction in semiconductors]. Moscow, Nauka Publ., 1999, p. 318.
12. Chebunin A.V., Nemchinova N.V., Tolmachev S.V., Kovanov V.I. Osobennosti khimi-cheskogo sostava metallurgicheskogo kremniya, primenyaemogo dlya proizvodstva trikhlorsilana [The chemical composition properties of metallurgical silicon used for the trichlorosilane production]. Materialy VII Mezhdunarodnoi konferentsii «Kremnii-2011» [Proc. VII-th Int. Conf. «Silicon-2011 »]. Moscow, 2011, p. 68.
13. Bernreuter J. The 2012 Who's Who of Solar Production. Bernreuter Research, 2013. 100 p.
14. Johnson R. Calisolar : Solar Cells Based on Smart Silicon. Proc. 8th Int. Solar Silicon Conf. «PHOTON's». Stuttgart, 2010, pp. 22-25.
15. Riede H.-D. Siemens reactors - incumbent technology forever? Proc. 8th Int. Solar Silicon Conf. «PHOTON's». Stuttgart, 2010, pp. 27-29.
16. Schmela M. Market survey on global cell and module production in 2004. Photon International, 2005, no. 3, pp.10-11.
17. Ulset T. Update on Elkem Solar grade silicon production and application experience. Proc. 8th Int. Solar Silicon Conf. «PHOTON's». Stuttgart, 2010, pp. 12-15.
Поступило в редакцию 16 октября 2014 г.
