Применение финишной электронно-лучевой обработки для получения полупроводниковых и диэлектрических подложек для микрои нанотехнологий Текст научной статьи по специальности «Нанотехнологии»

Известия ТРТУ

Специальный выпуск

УДК 621.38

О. А. Агеев, С Л. Авдеев, Д.И. Чередниченко, Е.Ю. Гусев

ПРИМЕНЕНИЕ ФИНИШНОЙ ЭЛЕКТРОННО-ЛУЧЕВОЙ ОБРАБОТКИ ДЛЯ ПОЛУЧЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ И ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПОДЛОЖЕК ДЛЯ МИКРО- И НАНОТЕХНОЛОГИЙ

Современные методы проектирования и изготовления приборов и устройств

-

нормам и оперированием элементами размером порядка десятков и единиц нанометров [1].

Одним из ключевых требований процессов микро- и нанотехнологий является необходимость использования подложек с бездефектной структурой приповерхно-. ,

должны иметь характерные размеры, сравнимые с размерами формируемых при.

Механическая обработка полупроводниковых и диэлектрических кристаллов является сложной дорогостоящей операцией, сопровождающейся формированием дефектов в приповерхностном слое получаемых подложек. Эти недостатки приводят к необходимости разработки дополнительных технологических процессов финишной обработки поверхности подложек.

В работе проводилось исследование влияния режимов электронно-лучевой обработки (ЭЛО) на морфологию поверхности подложек карбида кремния и лей.

использовались разработки по модификации поверхности полупроводниковых и диэлектрических материалов электронным лучом [2]. Морфология поверхности исследовалась с использованием сканирующего зондового микроскопа “Solver P47 Pro” (NT-MDT, Зеленоград).

Исследования морфологии поверхности монокристаллов методом ACM пока, -верхности, близкий к атомарно-гладкому. Анализ показал, что кроме высокой эффективности данного метода, локальности и кратковременности воздействия отсутствует нарушение стехиометрии подложки и образование радиационных дефек-.

Таким образом представленные результаты показывают, что ЭЛО является эффективным инструментом финишной обработки, позволяющим получать полупроводниковые и диэлектрические подложки с бездефектной структурой приповерхностных слоев и однородной морфологией поверхности для нужд микро- и наноэлектроники и нанотехнологии.

БИБЛИОГРАФИЧЕСКИЙ СПИСОК

1. Powell J.A., Larkin D.J. Process-induced morphological defects in epitaxial CVD Silicon Carbide // Phys. stat. sol. 1997 (b) 202, 529.

2. Agueev O.A., Avdeev S.P., Svetlichnyi A.M. Surface preparation of 6H-SiC substrates by electron beam annealing//Mat.Sci.Forum, 2004, v. 483-485, pp.725-728.