CC BY
4Oriental Renaissance: Innovative, educational, natural and social sciences Scientific Journal Impact Factor Advanced Sciences Index Factor
О
R
VOLUME 2 | ISSUE 5 ISSN 2181-1784 SJIF 2022: 5.947 ASI Factor = 1.7
ПОЛИКРИСТАЛЛ СТРУКТУРАЛИ МАТЕРИАЛЛАРДА ЧЕГАРА СОХДЛАРИНИНГ ЭЛЕКТРОНЛАРНИНГ КУЧИРИЛИШИГА ТАЪСИРИ
Ушбу ишда поликристалл структурали материалларда чегара соуаларининг электронларнинг кучирилишига таъсири буйича тадцицот натижалари келтирилган. Экспериментал натижалар асосида аномал фотокучланиш самарасининг сифатий назарияси таклиф этилган.
Калит сузлар: поликристалл, дона чегараси, сиртий холатлар, аномал фотокучланиш, эффектив масса, концентрация.
In this paper, the results of a study on the effect of boundary areas on electron transfer in polycrystalline structural materials are presented. Based on the experimental results, a qualitative theory of the anomalous photocouple effect is proposed.
Keywords: polycrystalline, grain boundary, surface conditions, anomalous photocell, effective mass, concentration.
Термовакуумда конденсациялаш усули билан олинган PbTe пардалари инфракизил диапазонида ишловчи детекторларда актив элемент сифатида кенг кулланилади. Бундай пардалар асосида турли термоэлектрик батареялар, балометрлар ва турли асбоблар тайёрланади. Якин вактларгача бундай асбоблар техникада кенг кулланилишига карамасдан мутахассисларда уларда кечадиган физик жараёнлар хдкида ягона тасаввурлар мавжуд булмай ва бу холат барча яримуткакзгич поликристаллар учун умумий хисобланади. Биз куйида параметрлари тахлил этадиган юпка пардалар 1-3 мкм калинликда булиб, 5 10-5 Hg босимда (800±10)оС температурада, кварц тигелларда олинган. PbTe пардалари одатда электрон утказувчанликка эга булади ва материалда электронларни Холл концентрацияси (2^4) 1018см-3, конденсация температураси (350±10)оС га тенг.
Конденсацияланган кейинги юпка пардалардаги электронлар концентрацияси дастлабки кукунланмаган материал концентрациясига тенг.
d https://doi.org/10.24412/2181-1784-2022-5-372-374
С.М. Зайнолобидинова, М.К. Туйчиева
АННОТАЦИЯ
ABSTRACT
КИРИШ
Oriental Renaissance: Innovative, p VOLUME 2 | ISSUE 5
educational, natural and social sciences ISSN 2181-1784
Scientific Journal Impact Factor Q SJIF 2022: 5.947
Advanced Sciences Index Factor ASI Factor = 1.7
Шу сабабли, электронларнинг харакатчанлиги pH(T) ни улчашда электронлар концентрацияси кристаллада ва пардаларда узаро тенг деб хисобланади.
МУ^ОКАМА ВА НАТИЖАЛАР
Массив кристаллар учун у нинг каймати 1.75< у<2.75 булиб, электронлар сочилиш механизмларига боглик булади. Маълумки, электронларни поликристаллни ташкил этган атомларни тебранишлари билан боглик булган акустик ва оптик фононларда сочилиши туфайли хосил булган умумий яшаш вакти
-1 -1 -1 т1 = т 1 +т 1
0 а орт ^^
куринишида тасвирланади. Ушбу формула асосида электронларни поликристаллни ташкил этган битта кристаллит ва битта чегаравий сохадан утиш вактини т деб олсак, хар икки сохадан электронни утиш тезлигини L L -1 l LD( E)
— +--т — т0 .
т т0 t0D(E) ёки 0 (L -1)D(E) +1 (2)
куринишида тасвирлаш мумкин. Бунда L-хар икки соха кенглиги, булиб поликристалл структураси билан аникланади, l -ЧС-потенциал тусик кенглиги ва унинг кийматини бахолаш мумкин. PbTe юпка пардаларида L ни киймати тагликнинг турига баглик холда L=(1000-2000)A, атрофида булади. D(E) -потенциал тусикнинг шаффофлиги.
(2)- формула электронни L-масофада харакатланиш механизмларини бахолаш имконини беради. Маълумки, электронларни кристаллдаги харакати харакатчанлигини
Ио = e <то > 1 mdn (3) формула асосида бахоланади.
Бунда то -электронларни кучирилишдаги барча механизмларни хисобга
олиувчи уртача релаксация вакти булиб, (3) формула асосида поликристаллдаги
электрон харакатчанлиги учун куйидаги ифодани оламиз.
e e LD(E) e LD(E)
и =-<т>=-<т-—->=-<т ><-—->.
mdn mdn (L - l)D(E) +1 mdn 0 (L -1)D(E) +1 (4)
Ушбу формулада l ни, D(E) функцияларни температурага богликлигини билган холда р=р(Т) богланишни хисоблаш мумкин, ва бу богланишни натижалари 1-расмда штрих-пунктир чизиклар оркали келтирилган. Адабиётларда (4) формулани
Oriental Renaissance: Innovative, educational, natural and social sciences Scientific Journal Impact Factor Advanced Sciences Index Factor
о
R
VOLUME 2 | ISSUE 5 ISSN 2181-1784 SJIF 2022: 5.947 ASI Factor = 1.7
d lg ju
ßm ~ Т - d lg T = T -Гпл = T(5)
d lg j
Куринишда тасвирланади ва бунда, у=- d lg T эканлиги куринади.
Кристалларда зарядли заррачалар харакати туфайли сочилиш механизмларини, кристалларнинг ички параметрларини кийматларини турли хил физик эффектлар ёрдамида аниклаш (кристалларнинг зона параметрларини) эффектив метод хисобланади. Кристалл бир вактда электр ва магнит майдонларига жойлаштирилганда бир неча хил эффектлар кузатилади. Шулардан бири Нернст-Эттингаузеннинг кундаланг эффекти. ХУЛОСА
Бу ходисадаги кизик холатлардан бири температура градиентига эга булган магнит майдонларига киритилганда, яримутказгич кристаллидаги легирловчи аралашмаларнинг концентрацияси узгартириб борилса кундаланг Эрнст-Эттингаузен коэффициенти Q нинг киймати уз ишорасини узгартиради. Бу ходисага Q нинг инверсияси дейилади. Бу ходиса кристаллар билан бир каторда поликристалл структураларда хам кузатилиб, ундан поликристаллар чегара сохаларини зарядларни сочилиш механизмларини урганишда фойдаланиш мумкин. REFERENCES
1. Тешабоев А. "Яримутказгичлар физикасига кириш" Т.1985. ТошДУ нашриёти.
2. Атакулов Ш.Б., С.Зайнолобидинова, Юлдашев А.А. Влияние рассеяния потенциальными барьерами границ кристаллитов на формирование кинетических коэффициентов в поликристаллах полупроводников. Невырожденая статистика. // Узбекский физический журнал, 2012, №4-(14).-
3. Ш.Б Атакулов, С.М Зайнолобидинова, С.М Отажонов, О.А Тухтаматов. Особенности рассеяния носи-телей тока меж-кристаллиными потенциальными барьерами, обра-зованными электроными поверхностными состо-яниями в полик-ристаллических полупроводниках //Физическая инженерия поверхности, 2010, № 4-(8).- С.365-370.
4. С.М Зайнолобидинова . Стркутурное особенности полупроводниковых поликристаллов и керамик и электронное строение межзеренных границ//Успехи наук. 2017 г. С. 10-12.
с.227-233.
