Научная статья на тему 'ПЛЕНКИ ПОЗИТИВНОГО ДИАЗОХИНОН-НОВОЛАЧНОГО ФОТОРЕЗИСТА ФП9120, ИМПЛАНТИРОВАННЫЕ ИОНАМИ СЕРЕБРА'

ПЛЕНКИ ПОЗИТИВНОГО ДИАЗОХИНОН-НОВОЛАЧНОГО ФОТОРЕЗИСТА ФП9120, ИМПЛАНТИРОВАННЫЕ ИОНАМИ СЕРЕБРА Текст научной статьи по специальности «Нанотехнологии»

CC BY
10
1
i Надоели баннеры? Вы всегда можете отключить рекламу.
Ключевые слова
диазохинон-новолачный фоторезист / имплантация / ионы серебра / микроиндентирование / восстановленная микротвердость / diazoquinone-novolac resist / implantation / silver ions / microindentation / restored microhardness

Аннотация научной статьи по нанотехнологиям, автор научной работы — С.А. Вабищевич, Н.В. Вабищевич, Д.И. Бринкевич, В.С. Просолович

Методом индентирования исследованы пленки позитивного диазохинон-новолачного фоторезиста ФП9120 толщиной 1,8 мкм, имплантированные ионами Ag+ c энергией 30 кэВ в интервале доз 2,5×1016 – 1,0×1017 cм-2 на имплантаторе ИЛУ-3. Установлено, что свежеприготовленная пленка позитивного фоторезиста ФП9120 на кремнии проявляет упругопластичные свойства и после ее индентирования наблюдается упругое восстановление отпечатка. Сформированный при ионной имплантации Ag+ дозами свыше 2,5·1016 см-2 карбонизированный слой подавляет эффект восстановления отпечатка при индентировании. После длительного хранения (более 3 лет) пленка изменяет свои прочностные свойства и ведет себя как твердое (непластичное) тело. Это обусловлено сшиванием молекул фенолформальдегидной смолы, снижающим подвижность молекул в условиях внешнего воздействия. Сплошной алмазоподобный карбонизированный слой, сформированный в области пробега ионов при имплантации ионами Ag+, способствует увеличению значений истинной микротвердости фоторезистивной пленки после длительного хранения.

i Надоели баннеры? Вы всегда можете отключить рекламу.

Похожие темы научных работ по нанотехнологиям , автор научной работы — С.А. Вабищевич, Н.В. Вабищевич, Д.И. Бринкевич, В.С. Просолович

iНе можете найти то, что вам нужно? Попробуйте сервис подбора литературы.
i Надоели баннеры? Вы всегда можете отключить рекламу.

FILMS OF POSITIVE DIAZOQUINONE-NOVOLAC PHOTORESIST FP9120 IMPLANTED WITH SILVER IONS

Films of positive diazoquinone-novolac photoresist FP9120 1,8 μm thick, implanted with Ag+ ions with an energy of 30 keV in the dose range of 2,5∙1016 – 1,0∙1017 cm–2, were studied by indentation using an ILU-3 implanter. It has been established that a freshly prepared film of the positive photoresist FP9120 on silicon exhibits elastic-plastic properties and, after its indentation, an elastic recovery of the imprint is observed. The carbonized layer formed during ion implantation of Ag+ with doses above 2,5∙1016 cm–2 suppresses the effect of imprint restoration during indentation. After long-term storage (more than 3 years), the film changes its strength properties and behaves like a solid (non-plastic) body. This is due to the cross-linking of phenol-formaldehyde resin molecules, which reduces the mobility of molecules under external influence. A continuous diamond-like carbonized layer formed in the range of ions. when implanted with Ag+ ions, it contributes to an increase in the values of the true microhardness of the photoresistive film after long-term storage.

Текст научной работы на тему «ПЛЕНКИ ПОЗИТИВНОГО ДИАЗОХИНОН-НОВОЛАЧНОГО ФОТОРЕЗИСТА ФП9120, ИМПЛАНТИРОВАННЫЕ ИОНАМИ СЕРЕБРА»

УДК 541.183 DOI 10.52928/2070-1624-2023-41-2-42-47

ПЛЕНКИ ПОЗИТИВНОГО ДИАЗОХИНОН-НОВОЛАЧНОГО ФОТОРЕЗИСТА ФП9120, ИМПЛАНТИРОВАННЫЕ ИОНАМИ СЕРЕБРА

канд. физ.-мат. наук, доц. С. А. ВАБИЩЕВИЧ, Н. В. ВАБИЩЕВИЧ (Полоцкий государственный университет имени Евфросинии Полоцкой);

канд. физ.-мат. наук Д. И. БРИНКЕВИЧ, канд. физ.-мат. наук, доц. В. С. ПРОСОЛОВИЧ (Белорусский государственный университет, Минск)

Методом индентирования исследованы пленки позитивного диазохинон-новолачного фоторезиста ФП9120 толщиной 1,8 мкм, имплантированные ионами Ag+ с энергией 30 кэВ в интервале доз 2,5-1016 -1,01017 см-2 на имплантаторе ИЛУ-3. Установлено, что свежеприготовленная пленка позитивного фоторезиста ФП9120 на кремнии проявляетупругопластичные свойства и после ее индентирования наблюдается упругое восстановление отпечатка. Сформированный при ионной имплантации Ag+ дозами свыше 2,5 1016 см'2 карбонизированный слой подавляет эффект восстановления отпечатка при индентировании. После длительного хранения (более 3 лет) пленка изменяет свои прочностные свойства и ведет себя как твердое (непластичное) тело. Это обусловлено сшиванием молекул фенолформальдегидной смолы, снижающим подвижность молекул в условиях внешнего воздействия. Сплошной алмазоподобный карбонизированный слой, сформированный в области пробега ионов при имплантации ионами Ag+, способствует увеличению значений истинной микротвердости фоторезистивной пленки после длительного хранения.

Ключевые слова: диазохинон-новолачный фоторезист, имплантация, ионы серебра, микроинденти-рование, восстановленная микротвердость.

Введение. Позитивные диазохинон-новолачные фоторезисты (ФР), представляющие собой композит фенолформальдегидной смолы и светочувствительного агента (О-нафтохинондиазида), часто используются в современной микроэлектронике в качестве масок при ионной имплантации [1]. При ионной имплантации фоторезистивных пленок на кремнии радиационно-индуцированные процессы протекают не только в области пробега ионов, но и за его пределами, что приводит к существенным изменениям физико-химических свойств по всей толщине полимерных пленок и у границы раздела фоторезист/кремний [2; 3]. В последнее время был опубликован ряд работ [2; 4-7] по исследованию радиационно-индуцированных процессов в фоторезистивных пленках, имплантированных ионами В+, Р+ и Sb+ на ионно-лучевом ускорителе барабанного типа «Везувий-6». Однако прочностные свойства имплантированных ионами Ag+ пленок позитивных диазохинон-новолачных фоторезистов на пластинах монокристаллического кремния до настоящего времени не исследованы.

Цель настоящей работы - исследование методом микроиндентирования прочностных свойств имплантированных ионами Ag+ на имплантаторе ИЛУ-3 пленок диазохинон-новолачного позитивного фоторезиста марки ФП9120.

Материалы и методы измерений. Пленки позитивного фоторезиста ФП9120 толщиной 1,8 мкм наносились на поверхность пластин кремния марки КДБ-10 с ориентацией (111) методом центрифугирования при скорости вращения 1800 об/мин. Перед формированием пленки фоторезиста кремниевые пластины подвергали стандартному циклу очистки поверхности в органических и неорганических растворителях. После нанесения ФР на рабочую сторону пластины проводилась сушка в течение 50-55 мин при температуре 88 °С. Толщина пленок фоторезиста контролировалась механическим способом на профилометре «Dec-tak», при этом отклонения от среднего значения по пластине не превышали 1 %.

Имплантация ионами Ag+ c энергией 30 кэВ в интервале доз Ф = 2,5 • 1016 -1 • 1017 см-2 в режиме постоянного ионного тока (плотность тока j = 4 мкА/см-2) проводилась при комнатной температуре в остаточном вакууме не хуже 10-5 Па на имплантаторе ИЛУ-3. Во избежание перегрева и деструкции образца в процессе имплантации использовалась кассета, обеспечивающая эффективный сток ионного заряда с поверхности полимера и плотный контакт с металлическим основанием, охлаждаемым водой.

Микроиндентирование проводилось на приборе ПМТ-3 по стандартной методике при комнатной температуре [8; 9]. В качестве индентора использовался алмазный наконечник в форме четырехгранной пирамиды с квадратным основанием и углом при вершине a = 136°. Нагрузка Р на индентор варьировалась в пределах 1-50 г. Длительность нагружения составляла 2 с, выдержка под нагрузкой - 5 с. При каждом измерении на поверхность образца наносилось не менее 50 отпечатков. Для обработки экспериментальных данных использовались стандартные методы математической статистики [3]. Измерения восстановленной микротвердости и фиксация отпечатков индентора выполнялись через 10-20 мин после индентирования.

Погрешность измерений восстановленной микротвердости Н составляла 5 % с доверительной вероятностью 0,95.

Значения истинной микротвердости Н фоторезистивной пленки оценивались при нагрузках 1-2 г, для которых глубина проникновения индентора составляла ~50 % толщины пленки. Этот выбор обусловлен тем, что подложка оказывает существенное влияние на величину микротвердости композиций пленка -подложка [2]. В случае «мягкой» пленки на «твердой» подложке пластическая деформация локализуется в пленке, и микротвердость композиции пленка - подложка существенно возрастает лишь при глубине проникновения индентора, равной либо большей толщины пленки [10]. При нагрузках 1-2 г подложка не оказывает существенного влияния и измеренные значения Н соответствуют истинной микротвердости фоторезистивной пленки [11].

Эксперимент. Характерные микрофотографии отпечатков индентора в имплантированных Л§+ дозой 1-1017 см-2 пленках ФП9120 представлены на рисунке 1. В центре всех отпечатков наблюдается светлое пятно - след от проникновения индентора в кремний. Отметим, что отпечатки микроиндентора в пленках ФР, сформированные непосредственно после имплантации и через 3 года хранения, различаются существенным образом (см. рисунок 1). Форма отпечатков, сделанных сразу после формирования и ионной имплантации, серьезно отличалась от квадратной формы наконечника индентора - боковые грани отпечатка были вогнуты к центру (см. рисунок 1, б). Это свидетельствует о наличии сильных сжимающих напряжений в фо-торезистивной пленке. Область деформации вокруг отпечатка невелика. Она имеет сферическую форму, диаметр которой практически совпадает с диагональю отпечатка. Для малых нагрузок (10 г и менее) становится существенным разброс величин микротвердости, что, вероятнее всего, связано с упругим восстановлением отпечатка. Причем часть отпечатков восстанавливалась полностью. Например, при нагрузке 2 г наблюдалось только 10-15 % отпечатков. Приведенные экспериментальные данные указывают на быструю и существенную релаксацию отпечатка после индентирования и позволяют утверждать, что полимерная пленка проявляет упругопластичные свойства.

а б

Рисунок 1. - Микрофотографии отпечатков индентора в имплантированных Ag+ дозой 1-1017 см-2 пленках ФП9120.

Индентирование сразу после имплантации (б) и после хранения в течении 3 лет (а). Нагрузка 50 г

При индентировании после хранения в течение 3 лет форма отпечатков была близка к квадратной, искажения боковых граней отпечатка были слабо заметны (см. рисунок 1, а). Область деформации вокруг отпечатка была заметно больше диаметра отпечатка. Вокруг отпечатка наблюдались ореолы в виде интерференционных колец (светлые области на рисунке 1, а), обусловленные интерференцией на выдавленном из-под индентора материале. Размеры ореолов возрастали с ~20 до 45 мкм при увеличении нагрузки с 2 до 50 г. Это является прямым свидетельством отсутствия релаксации при комнатной температуре упругих напряжений в пленке ФР, возникающих в процессе индентирования. Приведенные экспериментальные данные позволяют сделать вывод о том, что после хранения пленка ведет себя как твердое (непластичное) тело.

Отметим также, что у отпечатков в области круговых навалов наблюдались небольшие радиальные трещины, причем одиночные трещины были даже у отпечатков с нагрузкой 1-2 г. Для выявления трещин в пределах отпечатка был применен известный прием выборочной фокусировки. Для определения размеров отпечатка фокусировка производилась на границах отпечатка (рисунок 2, а), а для выявления трещин фокусировка осуществлялась на поверхности (рисунок 2, б). По мере роста дозы облучения наблюдается увеличение трещинообразования при всех нагрузках. В то же время отколов пленки фоторезиста от подложки не происходило. Приведенные экспериментальные данные указывают на то, что зарождение и развитие трещин происходит в области пробега ионов Л§+. В этой приповерхностной области при дозах свыше 1-1016 см-2 происходит формирование легированного серебром сплошного карбонизированного слоя, толщина которого при внедрении Л§+ с энергией 30 кэВ составляет ~50 нм [12].

а б

Рисунок 2. - Микрофотографии отпечатков индентора в имплантированных Ag+ дозой 1-1017 см-2 пленках ФП9120 при фокусировке на границах отпечатка (а) и на поверхности пленки (б).

Индентирование после хранения в течение 3 лет. Нагрузка 50 г

Существенные различия в поведении «свежеприготовленных» и хранившихся 3 года фоторези-стивных пленок наблюдались и при измерении восстановленной микротвердости (рисунки 3 и 4). Отметим, что заметное влияние на величину восстановленной микротвердости имплантация оказывала только при нагрузках менее 5 г, когда индентор находился в ФР пленке (см. рисунки 3 и 4). Прочностные свойства кремниевой подложки после имплантации, как и после хранения, не изменялись.

Характер зависимости восстановленной микротвердости от дозы имплантации Л§+ в «свежеприготовленных» и хранившихся 3 года фоторезистивных пленках различается кардинально. Так в «свежеприготовленных» пленках ФР значения восстановленной микротвердости снижаются при увеличении дозы имплантации до 5-Ю16 см-2. В диапазоне Ф = (7,5-10)-1016 см-2 заметных изменений значений восстановленной микротвердости не наблюдалось (см. рисунок 3).

1,5 г

го С

.о I-

о о ч

СР О) ш I-

о

СР

1,2

0,9

0,6

0,3

10 15

Нагрузка, г

20

25

Рисунок 3. - Зависимости восстановленной микротвердости от нагрузки «свежеприготовленных» исходных (1) и имплантированных дозами 2,51016 (2), 51016 (3), 7,51016 (4) и 1,01017 см-2 (5) пленок фоторезиста

Длительное хранение пленок диазохинон-новолачного фоторезиста ФП9120 на кремнии приводит к снижению величины восстановленной микротвердости, наиболее выраженному в необлученных пленках. Так в неимплантированных пленках значения восстановленной микротвердости снижались почти в 3 раза

(с 0,7 до 0,25 ГПа), а в имплантированных дозой 1 -1017 см-2 образцах - всего на ~40 % (с 0,5 до 0,35 ГПа). После хранения имплантированной пленки ФР при нагрузках 1-2 г, когда индентор не достигает границы раздела ФР/Б1, наблюдалось существенное возрастание значений восстановленной микротвердости при увеличении дозы имплантации до Ф = 5,0 -1016 см-2 (см. рисунок 4). Дальнейшее увеличение Ф до 1,0 -1017 см-2 к существенным изменениям величины восстановленной микротвердости не приводило. Зависимости Н от нагрузки у этих образцов совпадали с аналогичными зависимостями для образцов с Ф = 5,0-1016 см-2.

3

4

5

0

5

га 1=

о

о ^

си ш н

о ^

1,2-

0,8-

0,4.

-Г" 0

10 15

Нагрузка, г

20

Рисунок 4. - Зависимости восстановленной микротвердости от нагрузки исходных (1) и имплантированных дозой 2,5^1016 (2) и 5,0^1016 см-2 (3) пленок фоторезиста.

Срок хранения 3 года

Полученные экспериментальные результаты могут быть объяснены с учетом следующих обстоятельств. Как показано ранее методом нарушенного полного внутреннего отражения [2; 13], при хранении фоточувствительный компонент фоторезиста (диазохинон) подвергается разложению с образованием ке-тена. В отсутствие ингибитора молекулы фенолформальдегидной смолы (основа фоторезиста) склонны к сшиванию, что снижает их подвижность в условиях внешних воздействий, и пленка ведет себя как твердое (непластичное) тело. Отметим, что сшивка молекул фенолформальдегидной смолы отмечалась ранее в работах [14; 15].

Вместе с тем при имплантации фоторезистивной диазохинон-новолачной пленки ионами Л§+ в области пробега ионов Яр наблюдается формирование сплошного аморфного карбонизированного слоя,

практически лишенного атомов водорода [16]. Оно интенсивно происходит при Ф > 1,0• 1016 см-2 и заканчивается при Ф = 5,0• 1016 см-2. Микротвердость такого слоя во многом определяется наличием 8р3-связей

и при доле 8р3-связей около 50 % достигает значений 30-50 ГПа [17; 18], что более чем на 2 порядка выше, чем микротвердость необлученных полимерных пленок. В проведенных нами экспериментах при нагрузках 1-2 г глубина проникновения индентора составляла 1,0-1,5 мкм, что меньше толщины пленки ФР, но значительно больше проецированного пробега ионов Л§+ (Яр = 40 нм) [12]. Поскольку вклад в измеряемую

микротвердость дает не только созданный имплантацией карбонизированный слой, но и область полимера за слоем внедрения ионов, экспериментально полученные значения микротвердости существенно ниже значений, характерных для аморфных углеродных пленок.

Свежеприготовленные пленки ведут себя как упругопластичные материалы. В них наблюдается упругое восстановление отпечатка, что приводит к увеличению значений восстановленной микротвердости. Сформированный при ионной имплантации карбонизированный слой подавляет эффект восстановления отпечатка, поэтому в свежеприготовленных имплантированных образцах значения восстановленной микротвердости ниже, чем в неимплантированных.

Заключение. Установлено, что свежеприготовленная пленка позитивного фоторезиста ФП9120 на кремнии проявляет упругопластичные свойства и после ее индентирования наблюдается упругое восстановление отпечатка. Сформированный при ионной имплантации Л§+ дозами свыше 2,5 -1016 см-2 карбонизированный слой подавляет эффект восстановления отпечатка при индентировании. После длительного хранения (более 3 лет) пленка изменяет свои прочностные свойства и ведет себя как твердое (непластичное) тело, что обусловлено сшиванием молекул фенолформальдегидной смолы, снижающим подвижность молекул в условиях внешнего воздействия. Кроме того, длительное хранение пленок диазохинон-новолач-ного фоторезиста ФП9120 на кремнии приводит к снижению величины восстановленной микротвердости пленки. Сплошной алмазоподобный карбонизированный слой, сформированный в области пробега ионов при имплантации ионами Л§+ с энергией 30 кэВ дозами > 2,5х1016 см-2, способствует увеличению значений истинной микротвердости фоторезистивной пленки.

0

5

ЛИТЕРАТУРА

1. Моро, У. Микролитография. Принципы, методы, материалы: в 2-х ч.: пер. с англ. - М.: Мир, 1990. - Ч. 2. - 632 с.

2. Brinkevich S., Grinyuk, E., Brinkevich, D. et al. Modification of Diazoquinone-Novolac Photoresist Films beyond the Region of Implantation of B + Ions // High Energy Chemistry. - 2020 - Vol. 54, iss. 5. - P. 342-351. - DOI: 10.1134/S0018143920050045.

3. Vabishchevich S. A., Brinkevich S. D., Vabishchevich N. V. et al. Adhesion of Irradiated Diazoquinone-Novolac Photoresist Films to Single-Crystal Silicon // High Energy Chemistry. - 2021. - Vol. 55, iss. 6 - P. 495-501. DOI: 10.1134/S0018143921060151.

4. Vabishchevich S., Brinkevich S., Prosolovich V. et al. Effect of Ion Implantation on the Adhesion of Positive Diazoqui-none-Novolak Photoresist Films to Single-Crystal Silicon // J. of Surface Investigation. X-Ray, Synchrotron and Neutron Techniques. - 2020. - Vol. 14, iss. 6. - P. 1352-1357. - DOI: 10.1134/S1027451020060476.

5. Kharchenko A. A., Brinkevich D. I., Prosolovich V. S. et al. Radiation-Stimulated Transformation of the Reflectance Spectra of Diazoquinone-Novolac Photoresist Films Implanted with Antimony Ions // J. of Surface Investigation: X-ray, Synchrotron and Neutron Techniques. - 2020. - Vol. 14, iss. 3. - Р. 558-561. - DOI: 10.1134/S1027451020030283.

6. Brinkevich S. D., Brinkevich D. I., Prosolovich V. S. Modification of Diazoquinone-Novolac Photoresist Films by the Implantation of Antimony Ions // Russian Microelectronics. - 2021. - Vol. 50, iss. 1 - P. 33-38. DOI: 10.1134/S1063739720060025.

7. Brinkevich D. I., Brinkevich S. D., Prosolovich V. S. Ion Implantation in Diazoquinone-Novolac Photoresist // High Energy Chemistry. - 2022. - Vol. 56, iss. 4. - P. 270-276. - DOI: 10.1134/S0018143922040051.

8. Бринкевич Д. И., Вабищевич Н. В., Вабищевич С. А. Физико-механические свойства эпитаксиальных слоев фосфида галлия // Вестн. Полоц. гос. ун-та. Сер. С, Фундам. науки. - 2010. - № 9. - C. 92-97.

9. Вабищевич С. А., Вабищевич Н. В., Бринкевич Д. И. и др. Физико-механические свойства облученных пленок диазохинон-новолачного фоторезиста на кремнии // Вестн. Полоц. гос. ун-та. Сер. С, Фундам. науки. - 2020. -№ 12. - C. 60-64.

10. Шугуров А. Р., Панин А. В., Оскомов К. В. Особенности определения механических характеристик тонких пленок методом наноиндентирования // Физика твердого тела. - 2008. - Т. 50, № 6. - С. 1007-1012.

11. Вабищевич С. А., Вабищевич Н. В., Бринкевич Д. И. и др. Микротвердость пленок сополимеров на основе метил-метакрилата, облученных у-квантами // Вестн. Полоц. гос. ун-та. Сер. С, Фундам. науки. - 2016. - № 12. - C. 51-57.

12. Бринкевич Д. И., Харченко А. А., Бринкевич С. Д. и др. Радиационно-стимулированная модификация спектров отражения за областью пробега ионов в пленках полиимида // Поверхность. Рентген., синхротр. и нейтрон. исслед. -2017. - № 8. - С. 25-30. - DOI: 10.7868/S0207352817080029.

13. Вабищевич С. А., Вабищевич Н. В., Эспиноза де лос Монтеро Г. А. и др. Радиационно-индуцированные процессы в пленках диазохинон-новолачного резиста на кремнии при имплантации ионов Ag+ // Вестн. Полоц. гос. ун-та. Сер. С, Фундам. науки. - 2020. - № 4. - C. 43-47.

14. Debmalya R., Basu P. K., Raghunathan P. et al. DNQ-novolac photoresist revisited: 1H and 13C NMR evidence for a novel photoreaction mechanism // Magnetic resonance in chemistry. - 2003. - Vol. 41, iss 2. - P. 84-90. DOI: 10.1002/mrc.1134.

15. Бринкевич Д. И., Бринкевич С. Д., Вабищевич Н. В. и др. Ионная имплантация позитивных фоторезистов // Микроэлектроника. - 2014. - Т. 43, № 3. - C. 193-199. - DOI: 10.7868/S0544126914010037.

16. Харченко А. А., Бринкевич Д. И., Бринкевич С. Д. и др. Радиационно-индуцированная модификация спектров отражения пленок диазохинонноволачного фоторезиста при имплантации ионов Ag+ // Химия высоких энергий. -2023. - T. 57, № 6. - С. 456-471. - DOI: 10.31857/S0023119323060062.

17. Островский В. С. Твердость углеродных материалов // Химия твердого топлива. - 2009. - № 5. - С. 56-60.

18. Коршунов С. Н., Лебедев А. М., Мартыненко Ю. В. и др. Изменение структуры осаждаемых углеродных пленок при электронном ассистировании // Поверхность. Рентген., синхротр. и нейтрон. исслед. - 2019. - № 4. - С. 56-64.

REFERENCES

1. Moreau, W. M. (1988). Semiconductor Lithography: Principles, Practices, and Materials. N.Y.; London: Plenum Press.

2. Brinkevich, S. D., Grinyuk, E. V., Brinkevich, D. I., & Prosolovich, V. S. (2020). Modification of Diazoquinone-Novolac Photoresist Films beyond the Region of Implantation of B+ Ions. High energy chemistry, 54(5), 342-351. DOI: 10.1134/S0018143920050045.

3. Vabishchevich, S. A., Brinkevich, S. D., Vabishchevich, N. V., Brinkevich, D. I., & Prosolovich, V. S. (2021). Adhesion of Irradiated Diazoquinone-Novolac Photoresist Films to Single-Crystal Silicon. High Energy Chemistry, 55(6), 495-501. DOI: 10.1134/S0018143921060151.

4. Vabishchevich, S., Brinkevich, S., Prosolovich, V., Vabishchevich, N., & Brinkevich, D. (2020). Effect of Ion Implantation on the Adhesion of Positive Diazoquinone-Novolak Photoresist Films to Single-Crystal Silicon. Journal of Surface Investigation: X-ray, Synchrotron and Neutron Techniques, 14(6), 1352-1357. DOI: 10.1134/S1027451020060476.

5. Kharchenko, A. A., Brinkevich, D. I., Prosolovich, V. S., Brinkevich, S. D., Odzaev, V. B., & Yankovski, Yu. N. (2020). Kharchenko, A. A. Radiation-Stimulated Transformation of the Reflectance Spectra of Diazoquinone-Novolac Photoresist Films Implanted with Antimony Ions. Journal of Surface Investigation: X-ray, Synchrotron and Neutron Techniques, 14(3), 558-561. DOI: 10.1134/S1027451020030283.

6. Brinkevich, S. D., Brinkevich, D. I., & Prosolovich, V. S. (2021). Modification of Diazoquinone-Novolac Photoresist Films by the Implantation of Antimony Ions. Russian Microelectronics, 50(1), 33-38. DOI: 10.1134/S1063739720060025.

7. Brinkevich, D. I., Brinkevich, S. D., & Prosolovich, V. S. (2022). Ion Implantation in Diazoquinone-Novolac Photoresist High Energy Chemistry, 56(4), 270-276. DOI: 10.1134/S0018143922040051.

8. Brinkevich, D. I., Vabishchevich, N. V., & Vabishchevich, S. A. (2010). Fiziko-mekhanicheskie svoistva epitaksial'nykh sloev fosfida galliya [Physicomechanical Properties of Epitaxial Layers Gallium Phosphide]. Vestnik Polotskogo gosudarstvennogo universiteta. Seriya C, Fundamental'nye nauki [Herald of Polotsk State University. Series С. Fundamental sciences], (9), 92-97. (In Russ., abstr. in Engl.).

9. Vabishchevich, S. A., Vabishchevich, N. V., Brinkevich, D. I., & Prosolovich, V. S. (2020). Fiziko-mekhanicheskie svoistva obluchennykh plenok diazokhinon-novolachnogo fotorezista na kremnii [Physical and Mechanical Properties of Irradiated Films of Diazoquinone-Novolach Photoresist on Silicon]. Vestnik Polotskogo gosudarstvennogo universiteta. Seriya C, Fundamental'nye nauki [Herald of Polotsk State University. Series С. Fundamental sciences], (12), 60-64. (In Russ., abstr. in Engl.).

10. Shugurov, A. R., Panin, A. V., & Oskomov, K. V. (2008). Osobennosti opredelenija mehanicheskih harakteristik tonkih plenok metodom nanoindentirovanija. Fizika tverdogo tela [Physics of the Solid State], 50(6), 1007-1012. (In Russ.).

11. Vabishchevich, S. A., Vabishchevich, N. V., Brinkevich, D. I., Brinkevich, S. D., & Prosolovich, V. S. (2016). Mikrotverdost' plenok sopolimerov na osnove metilmetakrilata, obluchennykh y-kvantami [Microhardness of y-Irradiated Films of Copolymers Based on Methyl Methacrylate]. Vestnik Polotskogo gosudarstvennogo universiteta. Seriya C, Fundamental'nye nauki [Herald of Polotsk State University. Series С. Fundamental sciences], (12), 51-57. (In Russ., abstr. in Engl.).

iНе можете найти то, что вам нужно? Попробуйте сервис подбора литературы.

12. Brinkevich, D. I., Kharchenko, A. A., Brinkevich, S. D., Lukashevich, M. G., Odzhaev, V. B., Valeev, V. F., ... Khai-bullin, R. I. (2017). Radiation-induced modification of reflection spectra beyond the ion path region in polyimide films. Journal of Surface Investigation. X-ray, synchrotron and neutron techniques, 11(4), 801-806. DOI: 10.1134/S1027451017040188.

13. Vabishchevich, S.A., Vabishchevich, N.V., Espinoza de los Monteros, Brinkevich, D. I., & Prosolovich, V. S. (2020). Radiaczionno-induczirovannye proczessy v plenkakh diazokhinon-novolachnogo rezista na kremnii pri implantaczii ionov Ag+ [Radiation-induced processes in films of diazoquinone-novolac resist on silicon during implantation of Ag+ ions]. Vestnik Polotskogo gosudarstvennogo universiteta. Seriya C, Fundamental'nye nauki [Herald of Polotsk State University. Series С. Fundamental sciences], (4), 43-47.

14. Debmalya, R., Basu, P. K., Raghunathan, P., & Eswaran, S. V. (2003). DNQ-novolac photoresist revisited: 1H and 13C NMR evidence for a novel photoreaction mechanism. Magnetic resonance in chemistry, 41(2), 84-90. DOI: 10.1002/mrc.1134.

15. Brinkevich D. I., Brinkevich S. D., Vabishchevich N. V., Odzhaev V. B., & Prosolovich V. S. (2014). Ionnaya implantatsiya pozitivnykh fotorezistov [Ion implantation of positive photoresists]. [Russian Microelectronics], 43(3), 194-200. DOI: 10.1134/S106373971401003X. (In Russ.).

16. Kharchenko, A. A., Brinkevich, D. I., Brinkevich, S. D., & Prosolovich, V. S. (2023). Radiaczionno-induczirovannaya modifikacziya spektrov otrazheniya plenok diazokhinonno-volachnogo fotorezista pri implantaczii ionov Ag+. Khimiya vysokikh energij [High energy chemistry], 57(6), 456-471. DOI: 10.31857/S0023119323060062. (In Russ.).

17. Ostrovskii, V. S. (2009). Hardness of Carbon Materials. Solid Fuel Chemistry, 43(5), 314-317. DOI: 10.3103/S0361521909050103.

18. Korshunov, S. N., Lebedev, A. M., Martynenko. Yu. V., Svechnikov, N. Yu., & Skorlupkin, I. D. (2019). Izmenenie struktury osazhdaemykh uglerodnykh plenok pri elektronnom assistirovanii [Structure Changes in Carbon Films Obtained by Electron-Beam Assisted Deposition]. Poverkhnost. Rentgenovskie, sinhrotronnye i neitronnye issledovamiya [Journal of Surface Investigation. X-ray, synchrotron and neutron techniques], (4), 56-64.

Поступила 15.09.2023

FILMS OF POSITIVE DIAZOQUINONE-NOVOLAC PHOTORESIST FP9120 IMPLANTED WITH SILVER IONS

S. VABISHCHEVICH, N. VABISHCHEVICH (Euphrosyne Polotskaya State University of Polotsk); D. BRINKEVICH, V. PROSOLOVICH (Belarusian State University, Minsk)

Films of positive diazoquinone-novolac photoresist FP9120 1,8 fim thick, implanted with Ag+ ions with an energy of 30 keV in the dose range of 2,51016 - 1,01017 cm-2, were studied by indentation using an ILU-3 implanter. It has been established that a freshly prepared film of the positive photoresist FP9120 on silicon exhibits elastic-plastic properties and, after its indentation, an elastic recovery of the imprint is observed. The carbonized layer formed during ion implantation of Ag+ with doses above 2,51016 cm-2 suppresses the effect of imprint restoration during indentation. After long-term storage (more than 3 years), the film changes its strength properties and behaves like a solid (non-plastic) body. This is due to the cross-linking of phenol-formaldehyde resin molecules, which reduces the mobility of molecules under external influence. A continuous diamond-like carbonized layer formed in the range of ions. when implanted with Ag+ ions, it contributes to an increase in the values of the true micro-hardness of the photoresistive film after long-term storage.

Keywords: diazoquinone-novolac resist, implantation, silver ions, microindentation, restored microhardness.

i Надоели баннеры? Вы всегда можете отключить рекламу.