Научная статья на тему 'Пленка ZnO для большеэкранных дисплеев'

Пленка ZnO для большеэкранных дисплеев Текст научной статьи по специальности «Нанотехнологии»

CC BY
171
78
i Надоели баннеры? Вы всегда можете отключить рекламу.

Аннотация научной статьи по нанотехнологиям, автор научной работы — Огурцов Константин Александрович, Фомин Илья Викторович, Бахметьев Вадим Вадимович, Ерузин Александр Анатольевич

В статье говорится об изготовлении пленочного покрытия ZnO для применения в больших дисплеях. Пленки имеют хороший коэффициент пропускания света и высокую проводимость, устойчивую в течение долгого времени и при увеличении температуры.

i Надоели баннеры? Вы всегда можете отключить рекламу.

Похожие темы научных работ по нанотехнологиям , автор научной работы — Огурцов Константин Александрович, Фомин Илья Викторович, Бахметьев Вадим Вадимович, Ерузин Александр Анатольевич

iНе можете найти то, что вам нужно? Попробуйте сервис подбора литературы.
i Надоели баннеры? Вы всегда можете отключить рекламу.

Текст научной работы на тему «Пленка ZnO для большеэкранных дисплеев»

ПЛЕНКА ZNO ДЛЯ БОЛЬШЕЭКРАННЫХ ДИСПЛЕЕВ

К.А. Огурцов, И.В. Фомин, В.В. Бахметьев, А.А. Ерузин (Санкт-Петербургский государственный технологический институт (технический университет)) Научный руководитель - к.х.н., доцент М.М. Сычев (Санкт-Петербургский государственный технологический институт (технический университет))

В статье говорится об изготовлении пленочного покрытия ZnO для применения в больших дисплеях. Пленки имеют хороший коэффициент пропускания света и высокую проводимость, устойчивую в течение долгого времени и при увеличении температуры.

Введение

Благодаря развитию современных дисплеев и устройств оптоэлектроники необходимо развивать технологию изготовления для большой области прозрачных проводящих оксидных (ППО) пленок. Оксид цинка - один из перспективных материалов для таких покрытий [1]. Об изготовлении проводящих пленок ZnO сообщалось ранее, используя химическое осаждение из паровой (газовой) фазы, окисление металлических цинковых пленок, магнетронное распыление и т.д. [2-4]. В этом докладе мы сообщаем об электродуговом осаждении большой области пленочного покрытия ZnO для применения в дисплеях.

Эксперимент

Пленки ZnO были нанесены на стеклянную подложку, используя установку дугового разряда «Булат ННВ-6.6И1», ее схема показана на рис. 1. Коэффициент пропускания готовых пленок был измерен спектрофотометром SF-46. Сопротивление было измерено при помощи мультиметра Master Professional М-890в+. Используя готовые пленки, были изготовлены порошковые электролюминесцентные устройства переменного тока (ACPEL), и их яркость была измерена радиометром IL 1700.

Рис. 1. Схема аппарата «Булат ННВ-6.6И1»: 1 - вакуумная камера; 2 - испаритель;

3 - полый катод; 4 - подложка; 5 - спиральный катод; 6 - вакуумная система; 7 - поворотное устройство; 8 - источник питания испарителя; 9 - источник питания; 10 - источник высокого напряжения; 11 - вакуумметр; 12а - термопара; 12б - ионизационный манометр; 13 - игольчатый клапан

Результаты и их обсуждение

Готовые пленки с толщиной вплоть до 1,2 мкм имеют хороший коэффициент пропускания света в видимой области спектров, см. рис. 2.

Рис. 2 Коэффициент пропускания света стекла с покрытием 7пО

В то же время край полосы поглощения для образцов стекол с покрытием ZnO сдвигается от 300 нм для непокрытого стекла до 370 нм для стекла, покрытого 1,2 мкм пленкой оксида цинка (рис. 3). Поэтому пленки могут использоваться как ограничивающие фильтры в УФ-области с критической длиной волны, регулируемой толщиной пленки. Но в диапазоне 400-800 нм коэффициент пропускания света приблизительно 80%, что является достаточным для применения в дисплеях.

2 390 х

| 370 х

(U

350

я

ё ззо

с

3 310 о

о 290 -

с

я

J 270 -

Рис. 3. Граница полосы поглощения в зависимости от толщины пленки ZnO

Сопротивление пленок уменьшается с 1 кОм для 140 нм пленок к 300 Ом и 100 Ом для пленок с толщиной 300 и 700 нм соответственно, рис. 4. Таким образом, удельная проводимость соответствует требованиям необходимым для изготовления индикаторных устройств.

В этом исследовании порошковые электролюминесцентные (ЭЛ) устройства были изготовлены с использованием стеклянных подложек, покрытых ZnO. ZnS:Cu порошок люминофора (E-515, Luminophor JSC) был смешен с полимерным раствором и гомогенизирован перемешиванием. Затем ЭЛ слои были отлиты на стеклянную подложку при

помощи фильеры и высушены. После этого защитный слой и слой А1 электрода были изготовлены отливкой и вакуумным парообразованием соответственно. В результате была получена зависимость ЭЛ яркости относительно толщины слоя оксида цинка, рис. 5.

R, Ом

0 0.2 0.4 0.6 0.8

Толщина пленки, мкм

Рис. 4. Сопротивление стекол, покрытых ZnO, в зависимости от толщины пленки

Рис. 5. Яркость электролюминесцентных устройств в зависимости от толщины слоя ZnO

Можно видеть, что весьма тонкие слои (приблизительно 300 нм) обеспечивают яркую электролюминесценцию. Более толстые пленки имеют лучшую удельную проводимость и не слишком низкий коэффициент пропускания света, но не имеют самовосстанавливающихся свойств, которые имеют более тонкие пленки. Пленки с толщиной приблизительно 300 нм могут излечить пробои и таким образом поддерживать высокую ЭЛ яркость. Удельная проводимость и оптические свойства разработанных пленок оксида цинка весьма устойчивы в течение долгого времени и при повышении температуры.

Заключение

Прозрачные проводящие пленки 2п0 были нанесены на стеклянную подложку и использовались для изготовления электролюминесцентных устройств. Установлено,

что оптимальная толщина пленки - приблизительно 300 нм, и пленки имеют самовосстанавливающиеся свойства.

Пленки могут также использоваться как ограничивающие фильтры в УФ-области с критической длиной волны, регулируемой толщиной пленки.

Литература

1. T. Minami, T. Miyata and Y. Ohtani. New Techniques for Producing AZO Thin Films. Suitable for ITO Transparent Electrode Applications in LCDs. // SID 06 Digest. - 2006. -470-473.

2. T.M. Barnes, S. Hand, J. Leaf, and C.A. Woldena. ZnO synthesis by high vacuum plasmaassisted chemical vapor deposition using dimethylzinc and atomic oxygen. // J. Vac. Sci. Technol. A - 2004. - 22 (5). - 2118-2125.

3. Ya.I. Alivova, A.V. Chernykha, M.V. Chukichevb, R.Y. Korotkovc. Thin polycrystalline zinc oxide films obtained by oxidation of metallic zinc films. // Thin Solid Films. -2005.- 473. - 241-246.

4. M. Sanmyo, Y. Tomita, K. Kobayashi. Preparation of zinc oxide films containing Be and N atoms by radio frequency magnetron sputtering. // Thin Solid Films. - 2005. - 472. -189-194.

i Надоели баннеры? Вы всегда можете отключить рекламу.