CC BY
22Плазмохимический синтез пленок карбонитрида
кремния
Смирнова Т.П. (1) ([email protected]), Бадалян А.М.(1), Борисов В.О.(1), Каичев В.В.(2), Бахтурова Л.Ф.(1), Рахлин В.И.(3), Воронков
М.Г.(3), Мирсков Р.Г. (3)
(1) Институт неорганической химии им. А.В. Николаева СО РАН, (2) Институт катализа им. Г.К.Борескова СО РАН, (3) Институт химии им. А.Е.Фаворского СО РАН
Введение
Углеродосодержащие материалы с ковалентными связями между sp3-гибридными атомами углерода и гетероатомами (Б^ К) могут найти широкое применение ввиду их предполагаемых полезных свойств: высоких твердости, теплопроводности, износоустойчивости. Этот материал является диэлектриком с шириной запрещенной зоны Её > 4 эВ и может использоваться в микроэлектронике в качестве защитных слоев или электронных полевых эмиттеров. Возможность изменения химического состава в процессе синтеза позволяет получать материалы с различной шириной запрещенной зоны и изменяющимся значением диэлектрической проницаемости, в том числе получать слои с низкой диэлектрической проницаемостью (т.н. 1о,^к диэлектрики).
При синтезе таких материалов имеют место принципиальные трудности, связанные с низкой термодинамической устойчивостью соединений с sp3-гибридизацией атомов углерода. Тем не менее, то, что это состояние не является термодинамически устойчивым, не налагает абсолютного запрета на поиск путей получения таких материалов. Одним из способов их синтеза является использование исходных веществ с подходящим дизайном молекулы, а именно: содержащих связи С^р3)-К Поскольку возможность образования четырехкоординированного углерода в пленках нитрида углерода или карбонитрида кремния ограничивается нестабильностью связи С^р3)-К, то в этом случае применение низких температур будет уменьшать вероятность графитизации и образования стабильных связей С=К что в свою очередь приведет к сохранению sp3-координированного углерода.
В данной работе представляются результаты исследования химического строения и свойств пленок, синтезированных из новых летучих соединений -силильных производных несимметричного диметилгидразина.
Эксперимент
В качестве исходных веществ-предшественников (прекурсоров) выбраны два соединения: бис(диметилгидразино)диметилсилан - Ме28^КНЫМе2)2 (бис-ДМГДМС) и 1, 1 -диметил-2(диметилсилил)гидразина - (CHз)2HSiNHN(CHз)2 (ДМДМСГ). Температуры кипения ДМДМСГ и бис-ДМГДМС составляли 353 и 470 К соответственно. Преимущество этих прекурсоров состоит в том, что они являются высокоазотсодержащими соединениями, поэтому в процессе осаждения слоев не требуется дополнительное введение в реакционную газовую смесь азотсодержащих компонентов (азота, аммиака). Для синтеза пленок использовался разработанный относительно недавно метод плазмохимического осаждения из газовой фазы в схеме с
удаленной плазмой (УПГХО). Детально этот процесс и экспериментальная установка описаны в работе [1]. Для активации химического процесса применены две формы воздействия на реакционную систему: возбуждение частиц газа-носителя (гелия или водорода) в плазме ВЧ-разряда (13,56 МГц) и дальнейшая передача энергии при столкновениях этих частиц с молекулами введенного прекурсора, а также термоактивация фрагментов прекурсора на поверхности нагретой подложки. Пары исходного мономера подавались через отдельный ввод за зоной ВЧ-разряда вниз по потоку ближе к подложкодержателю.
Пленки осаждались на предварительно очищенные кремниевые или кварцевые подложки для ИК, РФЭС или УФ-спектроскопических исследований соответственно. Условия осаждения пленок были следующими: общее давление P = 200 введенная мощность ВЧ-разряда W = 0,02 Втсм-3, температура подложки Тп = 298 - 873 K, отношение давления паров мономера к общему давлению смеси R = 0,5. Толщина пленок и коэффициент преломления материала определялись с помощью эллипсометра ЛЭФ-3М (А, = 632,8 нм). Скорость роста пленок варьировалась от 15 до 2,5 нм/мин и уменьшалась с увеличением температуры подложки. Колебательные ИК-спектры пленок, нанесенных на кремниевые подложки, регистрировались с помощью Фурье-спектрометра FTIR 8300 Shimadzu. УФ-, видимые абсорбционные спектры пленок, осажденных на кварцевые подложки, регистрировались с помощью спектрофотометра UV-2201 Shimadzu. Рентген-фотоэлектронная спектроскопия (РФЭС) пленок выполнялась на спектрометре VG Microtech. Предварительная калибровка проводилась относительно значений энергии связи остовных уровней Au 4f7/2 (84,0 эВ) и Cu 2p3/2 (932,6 эВ). Эффект подзарядки, возникающий в процессе фотоэмиссии, учитывался методом внутреннего стандарта, в качестве которого использовался C1s спектр углеводородов с энергией 284,5 эВ. Для определения химического состояния кремния, углерода и азота спектральные линии Si2p, C1s и N1s остовных уровней подвергались статистическому анализу методом нелинейной регрессии. Контур линии аппроксимировался функцией Фойгта с вычитанием фона в форме функции Ширли.
Результаты и их обсуждение
ИК-спектроскопия
На рис.1 и 2 приведены ИК-спектры пленок, синтезированных из ДМДМСГ и бис-ДМГДМС. Для сравнения там же показан спектр исходного соединения бис-ДМГДМС, который характерен и для исходного ДМДМСГ за исключением того, что в последнем имеется полоса поглощения, соответствующая колебательной моде Si-H групп (2100 см-1). Идентификация полос поглощения в спектрах пленок производилась на основании литературных данных [2-6] и сравнением со спектрами исходных соединений.
Из приведенных спектров видно, что химическое строение синтезированных пленок существенно зависит от дизайна молекулы прекурсора. Пленки, полученные из ДМДМСГ при низких температурах (см. рис. 1, спектр 2 и рис. 2, спектр 2), в большой степени сохраняют структуру исходного соединения. При повышенных температурах подложки Тп = 873 К (см. рис.1, спектры 3,4) колебательные полосы, соответствующие органическим фрагментам, исчезают, и в спектре присутствует одна широкая асимметричная полоса в области 600-1200 см-1. Эта полоса аппроксимируется тремя гауссовыми компонентами: для пленок, синтезированных в системе с активированным гелием, с максимумами при 960, 1050 и 1170 см-1 (3), а для пленок, синтезированных в системе с активированным водородом, - с максимумами при 870, 1010 и 1170 см- (4). Такой характер спектров, на наш взгляд, является следствием того, что в случае
активированного водорода протекает энергетически выгодная термически активированная реакция =К-СН3 + Н*^ СН4, что ведет к разрыву К-С-связей. В результате увеличивается вероятность образования карбидной составляющей, и спектральная полоса смещается в область колебаний Б^С-связей. Вместе с тем, полоса при 870 см-1 занимает промежуточное положение между частотами колебаний БьС (800 см-1) и БьК (900 - 940 см-1) связей. Отсюда следует, что пленки, полученные из ДМДМСГ в системе с активированным водородом, не являются простой смесью двух известных фаз - карбида и нитрида кремния, а представляют собой сложное соединение, в котором кремний образует химическую связь, как с углеродом, так и с азотом. В случае активированного гелия наблюдается сдвиг полосы в коротковолновую область (рис. 1, спектр 3), что указывает на уменьшение концентрации Б^С-связей. С ростом температуры подложки от 473 до 873 К соотношение (8ьС)/[(8ьК)+(С-К)] увеличивается от 0,2 до 0,4 соответственно.
Рис. 1. ИК-спектры исходного вещества бис-ДМГДМС (1) и пленок, полученных из ДМДМСГ (2-4) и бис-ДМГДМС (5,6) при температурах 473 (2,5) и 873 К (3-4,6) в системе с активированным гелием (2-3, 5-6) и активированным водородом (4).
Рис. 2. ИК-спектры исходного вещества бис-ДМГДМС (1) и пленок, полученных в системе с активированным гелием при комнатной температуре из ДМДМСГ (2) и бис-ДМГДМС (3).
В отличие от ситуации с первым прекурсором, ИК-спектры пленок, полученных из бис-ДМГДМС, практически подобны как при высоких, так и при низких, в том числе при комнатной, температурах синтеза (см. рис.1, спектры 5,6 и рис.2, спектр 3). Основной вклад в спектре поглощения представляет собой довольно узкая и симметричная колебательная полоса с максимумом при 1030 см-1. Такие ширина и сдвиг полосы в область колебаний С-К и БьК дают основания полагать, что материал пленки с точки зрения химического состава представляет собой единую фазу, в которой преимущественно азот образует химические связи с углеродом и кремнием. Также интересно заметить, что спектры пленок, полученных при комнатной температуре, позволяют наглядно продемонстрировать существенное различие в степени превращения молекул исходного мономера в газовой фазе. Видно, что молекула бис-ДМГДМС при взаимодействии с возбужденными атомами гелия претерпевает более глубокие превращения по сравнению с молекулой ДМДМСГ, что обусловливает термонейтральность плазмохимического процесса синтеза пленок из бис-ДМГДМС.
Рентгенофотоэлектронная спектроскопия
Результаты анализа полученных пленок методом РФЭС (рис. 3) находятся в хорошем согласии с приведенными выше данными ИК-спектроскопии. Заметим, что все РФЭ-спектры представляют собой довольно симметричные пики. Для материала пленок, синтезированных в системе с активированным гелием, спектры остовных уровней Si2p и заметно смещены в сторону больших энергий связи по отношению к таковым в пленках, синтезированных в системе с активированным водородом. Более того, полная ширина на полувысоте максимума (ПШПВМ) для пиков Si2p составляет 2,45 эВ, что существенно больше величины этого параметра для Si3N4 (1,79 эВ) или SiC (1,84 эВ) [7]. Следовательно, пик Si2p в этом случае представляет собой суперпозицию компонент, соответствующих различным связанным состояниям атомов кремния.
Е, эВ
Рис.3. РФЭ-спектры остовных уровней Si2p (а), (б) и С^ (в) для пленок, синтезированных при Тп = 873 К из ДМДМСГ в системах с активированными
водородом (1) и гелием (2).
Для пленок, синтезированных из бис-ДМГДМС, с увеличением температуры положение максимумов пиков всех остовных уровней в их спектрах не изменяется, но уменьшается значение ПШПВМ: для С^ - с 2,7 до 2,0 эВ, для - с 2,17 до 1,89 эВ и
для Si2p - с 2,38 до 2,16 эВ. Это может свидетельствовать об увеличении степени однородности состава и упорядоченности структуры материала.
Таким образом, резонно полагать, что материал, синтезированный из ДМДМСГ, кроме также содержит БьС связи. Их концентрация больше в пленках,
полученных в системе с активированным водородом, что и приводит к смещению максимума линии Si2p от 102,4 до 101,1 эВ (аналогично смещению колебательной полосы 600-1200 см-1 в ИК-спектре из-за обогащения материала пленки БьС связями).
Что касается идентификации С-К связей, то здесь имеет место значительная неопределенность, связанная с неоднозначностью трактовки аналитических данных различных авторов. Как отмечалось выше, разложение ИК-полосы поглощения в области 600-1200 см-1 выявляет наличие составляющей с максимумом при 1050 см-1. В [7] эту полосу относят к колебаниям C(sp3)-N. Сравнение спектра со спектром исходного вещества (см. рис. 1,2) также дает основание отнести эту полосу к моде колебания С^3)-К связи. Однако существование суперпозиции мод колебаний С-К (1050 см-1) и БьО (1070-1100 см-1) связей вносит неоднозначность в идентификацию этой полосы. Такая же неоднозначность наблюдается и при идентификации РФЭ-спектров пленок нитрида углерода и карбонитрида кремния. Литературные данные по РФЭС этих пленок достаточно многочисленны, но в значительной степени противоречивы. В подавляющем большинстве известных публикаций пики С^ и К^ в РФЭ-спектрах исследуемых пленок карбонитрида кремния и нитрида углерода являются несимметричными и обычно моделируются суммой нескольких пиков, относящихся к различным конфигурациям химических связей. В случае К^ пика большинство исследователей выделяют три компоненты: 398,5; 400,5 и 402,6 эВ. Пик С^ в большинстве случаев также разлагается на три составляющие. Наиболее часто линию с максимумом при 284,5 эВ относят к С=С и С-Н, линию с максимумом при 285,9 эВ - к С^2)-К а линию 287,7 эВ - к С^3)-К
Противоречивость идентификации этих составляющих может быть продемонстрирована следующими примерами. В работе [8] для пика К^ низкая энергия связи приписывалась конфигурации, в которой атом азота связан с двумя углеродными атомами, а высокая энергия - структуре, в которой атом азота связан с тремя атомами углерода. В работах же [9,10] отнесение энергий к этим конфигурациям прямо противоположное. В [6] пик при 398,3 эВ отнесен к атомам азота, связанным с sp3-координированными атомами углерода, на том основании, что с увеличением температуры подложки интенсивность этого пика падает, а интенсивность пика при 400 эВ, соответствующего термодинамически более стабильной конфигурации К-С ^2), увеличивается. В [11] энергию 399 эВ приписывают связям С^3)-К в в-С3К4. Авторы [12] указывают, что проблематично относить пик при 399 эВ к связи в Р-С3К4,
поскольку эта связь имеет более низкую энергию вследствие низкой электронной поляризации ее химической структуры. Определенное влияние на характер С-К связывания может оказывать неподеленная электронная пара у атома азота [13,14]. В [15] было установлено, что при отжиге пленок при температурах выше 673 К происходит резкое падение интенсивности пика при 284,25 эВ и симбатное увеличение интенсивности полосы при 285,9 эВ. Из этих наблюдений авторы сделали вывод, что пик при 284,25 эВ включает нестабильные С^3)-К связи, которые при отжиге превращаются в термодинамически стабильные С=К связи.
Неоднозначность интерпретации данных РФЭС, полученных при исследовании пленок нитрида углерода и карбонитрида кремния, по-видимому, определяется, во-первых, отсутствием соответствующих паспортизованных образцов. Делались попытки в качестве реперов использовать различные полимеры, в структуре которых имелись линейные, тригональные и тетрагональные конфигурации связей углерода с азотом
[11]. Ясно, что структура и химическое строение этих полимеров существенно отличались от таковых в исследуемых пленках. Во-вторых, представленные в литературе данные получены на образцах пленок, синтезированных различными методами, в результате чего химическое строение и структура рассматриваемых пленок значительно различались. Поэтому имеющиеся на сегодняшний день данные и их трактовки являются в значительной степени фрагментарными и противоречащими друг другу. Для прояснения ситуации, на наш взгляд, резонно воспользоваться дополнительными методами анализа материала. В частности, неопределенность в идентификации РФЭ-спектров может быть исключена с помощью спектроскопии комбинационного рассеяния и рентгеновского поглощения.
Спектроскопия комбинационного рассеяния (СКР)
Известно [8], что для графита и графитоподобных структур типа C(sp2)-(sp2)C, C(sp)-(sp)C, C(sp2)-N, C(sp)-N в КР-спектрах должны проявляться две характерные полосы: при 1570 см-1 (G-полоса) и при 1350 см-1 (D-полоса). G полоса появляется вследствие симметричных колебаний C(sp2)=C(sp2) связей в графите и сохраняется с образованием связей C=N при внедрении азота в графит. D полоса чувствительна к размеру графитоподобных микродоменов. При тщательном исследовании наших пленок методом СКР нам не удалось обнаружить G и D полосы, что дает основание отнести пик 284,5 эВ в РФЭ-спектре C1s к связанному состоянию C(sp3)-N. Более того, отсутствие в материале наших пленок колебательных фрагментов C(sp2)-N и C(sp)-N также подтверждается и ИК-спектрами поглощения, в которых не проявляются соответствующие этим колебаниям полосы при 1600 и 2200 см-1 [12].
Рентгеновская спектроскопия поглощения (XANES).
Рентгеновские спектры поглощения нескольких характерных образцов наших пленок записаны в Российско-германской лаборатории Берлинского сервис-центра синхротронного излучения BESSY и дают дополнительное подтверждение в пользу C(sp3)-N связывания в пленках. На рис. 4 приведен спектр края поглощения углерода CK для наших пленок в сравнении с известными спектрами для графита и пленки карбонитрида кремния, синтезированной традиционным способом. Видно, что край поглощения нашей пленки заметно смещен в низкоэнергетическую область.
О ^
Рис.4. Спектры края поглощения CK для пленки, полученной из бис-ДМГДМС при Тп = 473 К
(1), а также для пленок графита
(2) и карбонитрида кремния (3), полученных в работах [16,17] соответственно.
280
290 300 310
320
Энергия связи, эВ
Проведенный в работе [18] квантовохимический расчет плотности состояний (DOS) в валентной зоне для гипотетического соединения P-C3N4 показал, что в спектре CK этого соединения должна присутствовать полоса при Е = 285,4 эВ, которая ассоциируется с электронами, оккупирующими п-орбиталь C-N связей, и которая также должна проявляться в XANES спектрах пленок графита и графитоподобного карбонитрида кремния. Более высокоэнергетическая полоса ассоциируется с о-орбиталями C-N связей. Однако расчет также показал, что для P-C3N4 должна иметь место полоса с более низкой энергией, чем у электронов, занимающих п-орбиталь C-N связей. Авторы отнесли эту энергию к неподеленной паре электронов у азота в структуре, подобной кристаллическому нитриду углерода, в котором атомы азота связаны с sp3-гибридными атомами углерода. Поскольку в XANES спектрах наших пленок положение края полосы поглощения заметно смещено в низкоэнергетическую область по сравнению с краем полосы поглощения графита, то, следуя логике расчета [18], такое смещение можно объяснить образованием в наших пленках C(sp3)-N связей.
Таким образом, линия с максимумом 284,5 эВ в РФЭ-спектрах полученных нами пленок должна быть отнесена к связи C(sp3)-N.
Оптические свойства пленок
Показатель преломления пленок, синтезированных из ДМДМСГ, изменяется от 1,5 до 2,0 в зависимости от температуры синтеза, которая, как указывалось выше, определяет соотношение Si-C/[(Si-N)+(C-N)] в материале пленки. Оптическая ширина запрещенной зоны (Её) определялась по УФ-, видимым спектрам поглощения из уравнения Таука, решение которого в графическом виде сводится к линейной экстраполяции к нулевому поглощению. Так как диапазон, в котором спектральные зависимости адекватно спрямляются в координатах Таука, соответствует узкой области значений коэффициентов поглощения (0,5-1,5)* 104 см-1, то полученные значения Её следует рассматривать в качестве оценочных. Определенная таким способом оптическая ширина запрещенной зоны составила величину от 2 до 5 эВ (в зависимости от условий синтеза).
Электрофизические свойства пленок
Измерения электрофизических параметров пленок, нанесенных на кремниевые подложки, выполнены на специально приготовленных тестовых МДП-структурах. В качестве металлического электрода напылялся алюминий. Рассчитанные по CV-характеристикам соответствующие параметры структур варьировались в зависимости от температуры синтеза и составили: величина диэлектрической проницаемости - от 1,4 до 4,0, а удельное сопротивление пленок - от 1*1012 до 3*1012 Ом см.
Следует отметить, что достигнутые большие значения оптической ширины запрещенной зоны (~ 5 эВ) и удельного сопротивления (~ 1012 Ом см) являются сами по себе дополнительным подтверждением факта отсутствия графитоподобныъх и карбидных связей в материале соответствующих пленок.
Заключение
С использованием комплекса современных аналитических методов проведено исследование химического состава и свойств пленок карбонитрида кремния, синтезированных из силильных производных несимметричного диметилгидразина, характеризующихся различным содержанием атомов азота в молекуле.
Анализ ИК-, РФЭ- и XANES-спектров полученных пленок выявил наличие химических связей типа Si-С и Si-N, а также N-C в пленках, синтезированных из ДМДМСГ. Соотношение Si-C/Si-N в материале этих пленок увеличивается с ростом
температуры подложки от 0,2 (Тп = 473 К) до 0,4 (Тп = 673 К). Таким образом, пленки представляют собой сложную каркасную структуру, а не смесь фаз Si3N4, SiC и CN. Для пленок, синтезированных из бис-ДМГДМС, преимущественными являются связи типа Si-N и N-C. Результаты исследования оптических и электрических характеристик пленок позволяют сделать вывод, что пленки имеют хорошую перспективу для применения в электронных устройствах в качестве защитных и пассивирующих слоев.
Работа выполнена при финансовой поддержке РФФИ - проект 03-03-32080-а, и СО РАН - интеграционный проект 114.
Литература
1. T.P. Smirnova, L.V. Yakovkina, I.L. Jashkin, N.P. Sysoeva, Ju.I. Amosov. Boron nitride films prepared by remote plasma enhanced chemical vapor deposition from borazine // Thin Solid Films. 1994. V.237, No.1. P.32.
2. G. Fanchini, A. Tagliaferro, G. Messina, S. Santangelo, A. Paoletti, A. Tucciarone. Vibrational properties and microstructure of reactively sputtered hydrogenated carbon nitrides // J. Appl. Phys. 2002. V.91, No.3 P.1155.
3. А.М. Wrobel, A. Walkiewich-Fietrzkowska. Film-Forming Precursors in Plasma Chemical Vapor Deposition Using Tetramethyl-1,3-Disilacyclobutane as a Source Compound // J. Chem. Vapor Dep. 1995. V.4, No.10 P.87.
4. A.M.Wrobel, M. Kryszewski, M. Gazicki. Structure of Glow Discharge Polysilazane thin Films // Polymer. 1976. V.17, No.8. P.678.
5. Satoshi Kobayashi, Shinji Nozaki, Hiroshi Morisaki, Shigeo Fukui, Susumu Masaki. Carbon nitride thin films deposited by the reactive ion beam sputtering technique // Thin Solid Films. 1996. V.281-282. P.289.
6. Xing-cheng Xiao, Ya-wen Li, Li-xin Song, Xiao-feng Peng, Xing-fang Hu. Structural analysis and microstructural observation of SiC N x films prepared by reactive sputtering of SiC in N2 and Ar // Appl. Surf. Sci. 2000. V.156. P.155; Xiao-Ming He, T.N. Taylor, R.S. Lillard, K.C. Walter, M. Nastasi. Bonding structure and properties of ion enhanced reactive magnetron sputtered silicon carbonitride films // J. Phys.: Condens. Mater. 2000. V.12. P.L591.
7. O. Durand-Drouhin, M. Lejeune, M. Clin, J. Henocque. Correlation between the microstructure and optical properties of carbon nitride films deposited by RF magnetron sputtering // Material Science in Semiconductor Processing. 2001. V.4, No.1-3. P.335.
8. C. Ronning, H. Feldermann, R. Merk, and H. Hofsass, P. Reinke, J.-U. Thiele Carbon nitride deposited using energetic species: A review on XPS studies // Phys Rev. B. 1998. V.58. P.2207.
9. J.M. Ripalda, I. Montero, L. Galan. An XPS study of carbon nitride synthesized by ion beam nitridation of C60 fullerene // Diamond Rel. Mater. 1998. V.7, No.2-5. P.402.
10. Zhimin Zhou, Lifang Xia, Mingren Sun. The carbon nitride films prepared at various substrate temperatures by vacuum cathodic arc method // Diamond Rel. Mater. 2004. V. 13. P.14.
11. F.Le Normand, J. Hommet, T. Szorenyi, C. Fuchs, E. Fogarassy // Phys Rev. B. 2001. V.64. P.235416.
12. R. Ohta, K.H. Le, N. Saito, Y. Inoue, H. Sugimura, O. Takai. Origin of N1s spectrum in amorphous carbon nitride obtained by x-ray photoelectron spectroscopy // Thin Solid Films. 2003. V.434. P.296.
13. Stephen Muhl, Juan Manuel Mendez A revive of the preparation of carbon nitride films // Diamond Rel. Mater. 1999. V.8. P.1809
14. W. Kulish, C. Popov, L. Zambov, J. Bulir, M.P. Deplancke-Ogletree, J. Lancoc, M. Jelinec. Investigation of the thermal stability of nitrogen-rich amorphous carbon nitride films // Thin Solid Films. 2000. V.377-378. P.148.
15. J.H. Kaufman, S. Metin, D.D. Saperstein. Symmetry breaking in nitrogen-doped amorphous carbon: Infrared observation of the Raman-active G and D bands // Phys. Rev. B. 1989. V.39, No.18. P.13053.
16. I. Jimenez, R. Gago, J.M. Albella, L.J. Terminello. X-Ray absorption studies of bonding environments in graphitic carbon nitride // Diamond Rel. Mater. 2001. V.10 P.1170.
17. Y.K. Chang, H.h. Hsieh, W.F. Pong, M.H. Tsai, K.H. Lee, T.E. Dann, F.Z. Chien, P.K. Tseng, K.L. Tsang, W.K. Su, L.S. Chen, S.L. Wei, K.H. Chen, D M. Bhusari, Y.F. Chen. Electronic and atomic structures of SiCN Thin Film by X-Ray Absorption Spectroscopy and Theoretical Calculatopns // Phys. Rev. B. 1998. V.58, No.14. P.9018.
18. S. Souto, M. Pickhols, V.C. dos Santos, F. Alvares. Electronic structure of nitrogen-carbon alloys (a-CNx) determined by photoelectron spectroscopy // Phys. Rev. B. 1998. V.57, No.4. P.2336.
