Научная статья на тему 'Планарное геттерирование дефектов в МДП-структурах'

Планарное геттерирование дефектов в МДП-структурах Текст научной статьи по специальности «Нанотехнологии»

CC BY
115
30
i Надоели баннеры? Вы всегда можете отключить рекламу.
i Надоели баннеры? Вы всегда можете отключить рекламу.
iНе можете найти то, что вам нужно? Попробуйте сервис подбора литературы.
i Надоели баннеры? Вы всегда можете отключить рекламу.

Текст научной работы на тему «Планарное геттерирование дефектов в МДП-структурах»

Секция физики

2. Клово АТ., Куповых Г В. Моделирование гидродинамических процессов в приводном слое атмосферы // Материалы Всерос. научн. конф. “Математическое моделирование в научных исследованиях”. Ч.!!, Ставрополь. С.50-54.

УДК 621. 382

АТ. Захаров, В.Н. Котов, Н.А. Кракотец ПЛАНАРНОЕ ГЕНЕРИРОВАНИЕ ДЕФЕКТОВ В МДП-СТРУКТУРАХ

С целью исследования возможности планарного геттерирования с помощью электроимпульсной обработки (ЭИО) были сформированы МДП -структуры на основе кремния, марки КЭФ-4,5. ЭИО в широком диапазоне энергий подвергалась часть рабочей поверхности пластины кремния, которая затем отжигалась при температуре Т=1000оС. Готовые МДП-структуры распределялись по группам в зависимости от длительности термического отжига (ТО) (1=1 час, 2 часа, 4 часа) и плотности энергии ЭИО.

,

(НС) плотность поверхностных состояний уменьшается, оставаясь неизменной на уровне = 3 -1010эВ-1см-2 до расстояния от НС порядка 5,5мм.

Затем, по мере удаления от НС, величина возрастает до значения

Ы88 = 8-10пэВ-1см-2. Такое распределение по поверхности пластины

кремния можно объяснить геттерирующим действием НС, обусловленным ускоренной диффузией точечных дефектов и их аккумуляцией на дислокациях НС.

- - ,

поверхности пластин кремния, показывает, что кроме дислокационных глубоких уровней с Б4 = Ес -0,57эВ появились пики с Б4 = Ес -0,17эВ и

Е4 = Ес -0,49эВ. Наличие этих пиков указывает на поверхностную миграцию

дефектов из ненарушенной области подложки в область НС. Последние два ГУ могут быть связаны с атомами железа.

Установлена зависимость ширины области геттерирования от плотности энергии ЭИО и времени ТО. Показано, что существует оптимальный по

длительности режим термического отжига. В частности, для Т=1000^ оптимальной величиной времени отжига является 1=2часа.

,

планарное геттерирование дефектов.

i Надоели баннеры? Вы всегда можете отключить рекламу.