CC BY
8
ИЗВЕСТИЯ
ТОМСКОГО ОРДЕНА ТРУДОВОГО КРАСНОГО ЗНАМЕНИ ПОЛИТЕХНИЧЕСКОГО
ИНСТИТУТА имени С. М. КИРОВА
Том 156
1969
ПИТАНИЕ ОТСЕКАЮЩИХ ПЛАСТИН СИСТЕМЫ ВВОДА ПУЧКА ЭЛЕКТРОННОГО СИНХРОТРОНА НА 300 Мэв
Л. И. МИНЕНКО
Для ввода в камеру ускорителя пучка электронов с узким энергетическим спектром на определенный диапазон орбит в системе ввода пучка установлена пара отсекающих пластин [1] (длина пластин 100 мм, расстояние между пластинами 20 мм). Система ввода позволяет полностью 'исключить влияние электронов вне этого диапазона при настройке и исследовании ускорителя. Отсекающие пластины питаются
Стадилиъцробанный 6&прямитель
- и кб
I сяено эойеркки и формирования импульсов
..1
мостины
Рис. 1. Блок-схема питания отсекающих пластин
от стабилизированного высоковольтного .источника. При прохождении пучка электронов с энергией 260 кэв м,ежду пластинами электроны не попадают в камеру ускорителя при напряжении на отсекающих пластинах 4 кв■ В необходимый момент времени напряжение на пластинах резко снижается до нулевого уровня, что обеспечивает прохождение пучка электронов в камеру. Окончание инжекции электронов в камеру определяется моментом подачи напряжения на отсекающие пластины. Питание отсекающих пластан выполнено по блок-схеме, приведенной на рис. 1.
5. Заказ 4594 65
Отсекающие пластины подключены параллельно конденсатору нагрузки Ci («выход»). При зажигании тиратрона Л2 емкость отсекающих пластин заряжается до полного напряжения — 4 кв. После зарядки емкости отсекающих пластин протекание тока через тиратрон прекращается. В дальнейшем напряжение на отсекающих пластинах поддерживается на уровне 4 кв за счет связи пластин с источником питания с помощью лампы Л5 (рис. 2). Снижение напряжения на отсекающих пластинах до нулевого значения происходит при затирании Л$ и зажигании тиратрона Лх импульсом, сформированным первой схемой задержки (Л7 ч- Л\0), В нашем случае эта схема задержки позволяла регулировать момент снижения напряжения на отсекающих пластинах относительно начала им,пульса инжекции от 0,5 до 7 иксе к. Запуск схемы задержки осуществляется от специального блока формирования синхронизирующего импульса пермаллоевого датчика, расположенного в зазоре синхротрона. На «Вход» схемы подается положительный импульс амплитудой 40 в при длительности 10 мксек и с. 2.
Время инжекции (время, на которое напряжение снимается с ог-• секающих пластин) определяется сдвигом во времени моментов зажигания тиратронов Л\ и Л2. В нашем случае оно регулировалось от 0,1 до 6 мксск с помощью второй схемы задержки (Ли + Ли)
Высокое и а п р я ж ен и е д л я питания отсекающих пластин с нестабильностью 0,5% подавалось" от стандартного источника типа «Орех», который укомплектован выпрямителями па 2,5 и 5 кв. Нахал тиратронов Л\ и Л2 осуществляется с т отдельных трансформ а торов, которые пптались ферро-резонамсным стабилизатором т::па СНЭ-0,5. Применение д в у х трансформаторов дл я питания накалов тиратронов вызвано необход'имосты о
уменьшить связь между катодами тиратронов, а следовательно, и паразитные колебания при формировании импульса па отсекающих пластинах.
Снижение напряжения на отсекающих пластинах до нулевого значения происходит при разрядке емкости пластин через тиратрон ТГИ-90/8 при выполнении условия нейтрализации [2]. Кроме этого остаточное напряжение определяется колебаниями, возникающими пdи протекании разрядного тока емкости пластин через паразитную индуктивность в разрядной цепи. Для снижения амплитуды этих колебаний разрядная цепь выполнена с минимальной паразитной индуктивностью. С этой целью разрядный блок расположен в непосредственной близости от пластин, и приняты соответствующие меры для снижения паразитной индуктивности внутри блока. При наладке системы в разрядную цепь было введено специально подобранное сопротивление , обеспечивающее оптимальное затухание без существенного увеличения времени снижения напряжения. Остаточное напряжение на отсекающих
Рис. 3. Осциллограмма снижения наряжения до нуля нй отсекающих плас ] и-нах.. Амплитуда импульса 4 кв. Длительность импульса 0,7 мксек (частота меток времени 11 Мгц)
пластинах, которое приложено к пластинам в момент инжекции, регулируется изменением напряжения на конденсаторе С2. Регулировка этого напряжения позволяет плавно изменять угол влета электронов в камеру синхротрона.
Значительная величина емкости отсекающих пластин вместе с паразитной емкостью и емкостью конденсатора С\ (900 пф) исключает влияние импульса тока инжекции (один ампер) на величину остаточного напряжения отсекающих пластин-
На рис. 3 показана осциллограмма снижения напряжения на отсекающих пластинах до нуля. Длительность импульса равна 0,7 мксек, амплитуда импульса 4 кв (частота меток времени 11 Мгц).
В заключение следует заметить, что результаты экспериментального исследования системы ввода пучка оказались удовлетворительными. В .камеру ускорителя пропускался сгусток электронов в нужное время и необходимой длительности с фронтами 0,05 мксек [3].
ЛИТЕРАТУРА
1. Л. Г. К о с и ц ы н. Инжектор и тракт инжекции электронного синхротрона на 300 Мэв. В настоящем сборнике.
2. Л. И. Миненко, В. П. Анохин. ПТЭ, 3, 88, 1962.
3. В. П. Анохин, В. П. Епонешников, Л. Г. Косиц ы н. Коррекция магнитного поля по пучку и квазибетатронный режим в синхротроне на 300 Мэв. В настоящем сборнике. »
