CC BY
4
новый технологический уклад. Предложенный инновационный менеджмент на основе Теории целостной инновации является, по нашему мнению, одной из тех идей, которые так необходимы для повышения конкурентоспособности отечественной промышленности в сложной и динамичной рыночной среде, особенно с вхождением России в ВТО. Ее реализация в экономике может способствовать успешному выполнению задач в президентском послании.
Использованные источники:
1. Глазьев С.Ю., Львов Д. С., Фетисов Г.Г. Эволюция технико-экономических систем: возможности и границы централизованного регулирования. - М.: Наука, 2013.
2. Глазьев С. Ю. Экономическая теория технического развития. - М.: Наука, 2012.
3. Алексеев В.А. К теоретическим вопросам управления динамикой больших систем Вестник Волжского МАДИ, Вып. 2. - Чебоксары, 2007.
4. Алексеев В.А. Алексеев В.А., Ледрова А.В. Пути повышения устойчивого развития реальной экономики России Актуальные вопросы современной науки: Материалы 16 Международной научно- практической конференции. (30 июля 2012 г.): Сборник научных трудов.-М.: Издательство «Перо», 2012.
УДК 130.2:62:004.7
Бородина Н.А., кандидат философских наук доцент кафедры «Информатики, моделирования и статистики» Донской государственный аграрный университет
Россия, п. Персиановский Грицина В.В. студент
Донской государственный аграрный университет 3 курс, экономический факультет Россия, п. Персиановский Контарева Н.И. студент
Донской государственный аграрный университет
4 курс, БТФ Россия, п. Персиановский
ПАМЯТЬ ПК
В статье рассматриваются анализ архитектуры, назначения и особенности различных поколений ОЗУ, начиная с первых 16-разрядных микросхем памяти. Рассмотрение логической организации памяти, быстродействия, синхронизации работы (по отношению к процессору), контроля чётности, режимов страничного доступа, расслоения ОЗУ на банки и пакетноконвейерный режим.
Ключевые слова: персональный компьютер, память, оперативная память, дополнительная память.
BorodinaN. A., Ph.D., Associate Professor of "Informatics, modelling and statistics"
Don State Agrarian University Russia, p. Persianovsky Gritsina V. V student
Don State Agrarian University 3 Course, Department of Economics Russia, p. Persianovsky Kontaryova N.I Student
Don state agrarian University 4 year, BTF Russia, p. Persianovsky
THE PC MEMORY
The article deals with the analysis of the architecture, purpose and features of various generations of RAM, starting with the first 16-bit memory chips. The logical memory organization, speed, synchronization (relative to the processor), parity, modes page access, stratification of RAM banks andpechenocnami mode.
Keywords: personal computer, memory, RAM, additional memory.
Все персональные компьютеры используют три вида памяти: оперативную, постоянную и внешнюю (различные накопители). Память нужна как для исходных данных так и для хранения результатов. Она необходима для взаимодействия с периферией компьютера и даже для поддержания образа, видимого на экране. Вся память компьютера делится на внутреннюю и внешнюю. В компьютерных системах работа с памятью основывается на очень простых концепциях. В принципе, всё, что требуется от компьютерной памяти, - это сохранять один бит информации так, чтобы потом он мог быть извлечён оттуда.
Оперативная память предназначена для хранения переменной информации, так как она допускает изменение своего содержимого в ходе выполнения микропроцессором соответствующих операций.
В компьютерах с архитектурой фон Неймана (к этому классу относятся практически все ЭВМ, в том числе и РС) оперативная память играет очень важную роль. Именно в ней хранятся все выполняемые программы и их данные. Работа осуществляется центральным процессором и оперативной памятью, остальные же компоненты любой вычислительной системы напрямую в процессе вычисления не участвуют.
Кэш-память предназначена для согласования скорости работы сравнительно медленных устройств, таких например, как динамическая память с быстрым микропроцессором. Обычно программа использует память какой либо ограниченной области. Храня нужную информацию в кэш-памяти программа позволяет избежать циклов ожидания в его работе, которые снижают производительность всей системы. С помощью кэшпамяти обычно делается попытка согласовать также работу внешних устройств, например, различных накопителей, и микропроцессора. Реализация кэш-систем не так проста, как это может показаться с первого взгляда. Микропроцессор должен не только читать из памяти, но и писать в неё.
Целостность памяти - это одна из самых больших проблем разработчиков кэш-памяти. Все вопросы по преодолению этих проблем были возложены на отдельную микросхему - кэш-контроллер Intel 82385. Соответствующий контролер кэш-памяти должен заботиться о том, чтобы команды и данные, которые будут необходимы микропроцессору в определенный момент времени, именно к этому моменту оказывались в кэшпамяти.
Для этого существует принципиально иной тип оперативной памяти -SRAM, что расшифровывается как Static (статическая) RAM.
Почти на всех персональных компьютерах область памяти UMB (Upper Memory Blocks) редко оказывается заполненной полностью. Пустует, как правило, область расширения системного ROM BIOS или часть видеопамяти и области под дополнительные модули ROM. На этом и базируется спецификация дополнительной памяти EMS (Ехpanded Memory Specification), впервые разработанная фирмами Lotus Development, Intel и Microsoft (поэтому называемая иногда LIM-спецификацией). Эта спецификация позволяет использовать оперативную память свыше стандартных 640 Кбайт для прикладных программ.
Принцип использования дополнительной памяти основан на переключении блоков (страниц) памяти. В области UMB, между видеобуфером и системным RGM BIOS, выделяется незанятое 64-Кбайтное "окно", которое разбито на страницы. Программные и аппаратные средства позволяют отображать любой сегмент дополнительной памяти в любую из выделенных страниц "окна (TM). Хотя микропроцессор всегда обращается к данным, хранимым в "окне" (адрес ниже 1 Мбайта), адреса этих данных могут быть смещены в дополнительной памяти относительно "окна" на несколько мегабайт.
Особенность SDRAM по сравнению с другими типами оперативной памяти - синхронизация работы с центральным процессором. Соответственно, возрастает эффективность работы современных процессоров. Память типа Double Data Rate SDRAM, называемой также SDRAM II (ныне она уже стандартизирована) способна работать на частоте
200 МГц и обеспечивает в два раза большую производительность, чем SDRAM.
Память SLDRAM работает с шестнадцатью банками и поддерживает частоту до 400 МГц, впрочем, это лишь проект, проводимый группой из двенадцати крупнейших производителей DRAM. Однако, выход новой памяти на рынок ожидается уже в ближайшее время. Кроме того, SDRAM в состоянии работать без циклов задержки на частоте до 100 МГц, а наиболее качественные модули - до 125 МГц (на практике достигается до 133 МГц). Таким образом, время цикла памяти SDRAM составляет 7 - 10 нс. Существует мнение, что указываемое в спецификациях время цикла соответствует времени доступа. Считают, что у памяти SDRAM с частотой 100 МГц время доступа равно 10 нс, и она всегда работает в 5 раз быстрее, а у EDO DRAM - 50 нс. На самом деле это не так. И те и другие модули имеют полное время доступа 50 нс, то есть при обращении по случайному адресу данные будут получены именно через это время для обоих модулей памяти. При последовательном обращении второе слово модуль EDO выдаст через 20 нс, а модуль SDRAM - через 10 нс. Очевидно двукратное ускорение.
Впрочем, сегодня разговоры о том, что SDRAM безусловно быстрее, чем любые другие типы оперативной памяти, вполне уместны: если для EDO не существует в природе (а если и существует, то в продаже не появлялись) модули со временем доступа меньшим, чем упомянутые 50 нс, то для SDRAM время цикла 10 нс отнюдь не предел. Сейчас наибольшее распространение получают микросхемы с временем цикла 8 и даже 7 нс. Время доступа для них равно уже не 50, а 40 нс, благодаря чему получается значительный выигрыш по сравнению с EDO.
С современными задачами SDRAM в принципе справляется неплохо. Однако уже в ближайшее время её возможностей может оказаться недостаточно. Во-первых, это касается скорости её работы, которую неплохо бы увеличить уже сегодня. А во-вторых, важно дальнейшее повышение рабочей частоты, хотя это становится очевидным не сразу. Дело в том, что повышать внутреннюю частоту центрального процессора путём увеличения множителя занятие не благодарное: на определённом этапе может появиться более дорогой процессор, чем существующая модель, но при этом практически не повышающий быстродействие системы (которое зависит не только от скорости работы процессора, но и от частоты работы материнской платы). В этой связи очень показательна ситуация с компьютером на базе Intel Pentium 166 и 200. В своё время их стоимость отличалась в значительной степени, а по части производительности системы разрыв получался порядка 5%. Линию Pentium II пока спасает встроенный кэш второго уровня, но надолго ли его хватит? Скорее всего, недавно выпущенный Pentium II 500 станет последним в ряду процессоров с внешней частотой 100 МГц это косвенно подтверждает и Intel, объявив, что для новых процессоров разрабатывается шина с частотой 200 МГц, а возможностей классической SDRAM уже недостаточно.
Один из выходов в применении разработанной компанией Samsung памяти типа Double Data Rate SDRAM, называемой также SDRAM II. Ныне она уже стандартизирована ассоциацией и поддерживается некоторыми чипсетами. Благодаря отдельным косметическим улучшениям, данная память способна работать на частоте 200 МГц и обеспечивает в два раза большую производительность, чем SDRAM.
Ещё более производительной будет память SLDRAM. Она работает не с четырьмя, а с шестнадцатью банками и поддерживает частоту до 400 МГц впрочем, это лишь проект, проводимый группой из двенадцати крупнейших производителей DRAM. Выход новой памяти на рынок ожидается в ближайшее время, пока имеются лишь образцы. Межотраслевой стандарт отсутствует.
Особенность SDRAM по сравнению с другими типами оперативной памяти - синхронизация работы с центральным процессором. Соответственно, возрастает эффективность работы современных процессоров. Память типа Double Data Rate SDRAM, называемой также SDRAM II (ныне она уже стандартизирована) способна работать на частоте 200 МГц и обеспечивает в два раза большую производительность, чем SDRAM.
Память SLDRAM работает с шестнадцатью банками и поддерживает частоту до 400 МГц впрочем, это лишь проект, проводимый группой из двенадцати крупнейших производителей DRAM. Однако, выход новой памяти на рынок ожидается уже в ближайшее время.
Поскольку процессоры некоторых архитектур уже перешагнули барьер в 1 ГГц повышение в будущем тактовой частоты обеспечиваемой SLDRAM даже до 400 МГц, будет не достаточно необходимо по меньшей мере 600 МГц. Пропускная способность 400 Мбайт/с тоже невелика: до сих пор разрабатывая новые микросхемы памяти, все пытаются угнаться по быстродействию за процессорами, но ни о каком запасе скорости на пару-тройку лет развития и речи нет, а потребность в этом уже ощущается.
Использованные источники:
1. Каган, Б.М. Электронно-вычислительные машины и системы. - Москва «Радио и связь», 1991.
2. А.Д. Смирнов «Архитектура вычислительных систем» Москва «Радио и связь» 1990г.
3. Э.В. Евреинов, Ю.Т. Бутыльский, И.А. Мамзелев «Цифровая и вычислительная техника» Москва «Радио и связь» 1991 г.
4. Бородина, Н.А. Тестирование и отладка электронного учебного ресурса по информатике / Н.А. Бородина, Т.А. Харитонова / Современное состояние и приоритетные направления развития аграрной экономики в условиях импортозамещения: мат. междунар.-практической конф. Министерство сельского хозяйства Российской Федерации, Департамент научно-технологической политики и образования. - ДГАУ, 2015. - С. 228-232.
