ОТСЕКАЮЩИЙ УФ-СВЕТОФИЛЬТР ДЛЯ ПРЕДОТВРАЩЕНИЯ ОТРИЦАТЕЛЬНОГО НАКЛОНА СТЕНОК МАСТЕР-ШТАМПА МЯГКОЙ ЛИТОГРАФИИ Текст научной статьи по специальности «Технологии материалов»

Научная статья

УДК 535.345.6:524.3-74

doi:10.24151/1561-5405-2022-27-1-41-49

Отсекающий УФ-светофильтр для предотвращения отрицательного наклона стенок мастер-штампа мягкой литографии

Т. А. Радзиевская1'2, Н. Н. Иванов3, С. А. Тарасов2

1ОАО «Авангард», г. Санкт-Петербург, Россия 2Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина), г. Санкт-Петербург, Россия

3Санкт-Петербургский государственный университет телекоммуникаций им. проф. М. А. Бонч-Бруевича, г. Санкт-Петербург, Россия

tamaramanvelova239@mail.ru

Аннотация. Для решения проблемы формообразования неспециализированных полимеров применяются микро - и наноэлектронные технологии нового поколения, например наноимпринтная литография. Частный случай наноимпринтной литографии - мягкая литография, которая включает в себя формирование топологии с использованием мягкого штампа, изготовленного путем оттиска (импринта) жесткого мастер -штампа. Следовательно, проработка возможности самостоятельного изготовления мастер-штампов для формирования оптоэлектронных шин печатных плат нового поколения из неспециализированных полимерных материалов общего применения является актуальной задачей. В работе для рационализации затрат на приобретение дорогостоящего жесткого мастер-штампа мягкой литографии разработан и реализован оригинальный технологический процесс изготовления мастер-штампа на основе фоторезиста SU-8. В ходе отработки предложенного технологического процесса определена причина формирования отрицательного наклона (T-topping) стенок мастер-штампа мягкой литографии. С целью исключения отрицательного наклона разработана и изготовлена серия отсекающих УФ-светофильтров для длин волн оптического излучения менее 350 нм. По экспериментальным данным измерений интенсивности УФ-излучения ртутной лампы i-линии автоматизированной установки совмещения и экспонирования EVG620 NIL построены зависимости ослабления интенсивности УФ -излучения от толщины функционального слоя разработанного УФ -светофильтра для длин волн оптического излучения 365 и 400 нм. Доказана эффективность применения разработанных УФ -светофильтров за счет устранения отрицательного наклона при проведении технологического процесса изготовления тестовой топологии мастер-штампа мягкой литографии. Мягкая литография позволит в перспективе создать печатные платы со встроенной оптоэлектронной шиной передачи данных в виде массива поли-

© Т. А. Радзиевская, Н. Н. Иванов, С. А. Тарасов, 2022

мерных планарных оптических волноводов и элементов ввода -вывода оптического излучения.

Ключевые слова: полимерный планарный оптический волновод, мастер-штамп мягкой литографии, фоторезист SU-8, отрицательный наклон стенок фоторезиста (T-topping), отсекающий УФ-светофильтр

Для цитирования: Радзиевская Т. А., Иванов Н. Н., Тарасов С. А. Отсекающий УФ-светофильтр для предотвращения отрицательного наклона стенок мастер-штампа мягкой литографии // Изв. вузов. Электроника. 2022. Т. 27. № 1. С. 41-49. doi: https://doi.org/10.24151/1561-5405-2022-27-1-41-49

Original article

Cut-off UV light filter to prevent negative slope of the soft lithography hard mold walls

• 12 3 2

T. A. Radzievskaya ' , N. N. Ivanov , S. A. Tarasov

JSC "Avangard", Saint Petersburg, Russia

2Saint Petersburg Electrotechnical University "LETI", Saint Petersburg, Russia

Bonch-Bruevich Saint Petersburg State University of Telecommunications, Saint Petersburg, Russia

tamaramanvelova239@mail.ru

Abstract. The general-purpose polymers formation issues are solved using micro- and nanoelectronic technologies of new generation, for example a nanoimprint lithography. One of its subspecies, soft lithography, includes topology formation using soft master die fabricated by hard mold imprint. Therefore, engineering study of possibility of hard molds self-dependent fabrication for the purposes of optoelectronic data bus formation for new generation printed circuit boards using general-purpose polymer materials is a priority. In this work, to rationalize the purchasing cost of an expensive hard mold of soft lithography, an original technological process for a hard mold fabrication based on the SU-8 photoresist has been developed and implemented. During the performing of the proposed technological process, the reason for the negative slope (T-topping) formation of soft lithography hard mold walls made of SU-8 photoresist was determined. A series of cut-off UV filters for optical wavelengths less than 350 nm has been developed and fabricated to eliminate T-topping. Based on the UV radiation intensity experimental measurements data from the i-line mercury lamp of the automated alignment and exposure system EVG620 NT, the UV radiation intensity attenuation dependences on the functional layer thickness of the developed optical UV filter for 365 and 400 nm wavelengths are plotted. The developed UV filters application effectiveness has been proven due to T-topping elimination during the technological process of producing the soft lithography hard mold test topology. The use of soft lithography will make it possible in the future to create a new generation printed circuit boards with a built-in optoelectronic data bus in the form of a polymer planar optical waveguides array and optical input / output elements.

Keywords, polymer planar optical waveguide, soft lithography hard mold, photoresist SU-8, photoresist negative slope (T-topping), cut-off UV filter

For citation. Radzievskaya T. A., Ivanov N. N., Tarasov S. A. Cut-off UV light filter to prevent negative slope of the soft lithography hard mold walls. Proc. Univ. Electronics, 2022, vol. 27, no. 1, pp. 41-49. doi. https://doi.org/10.24151/1561-5405-2022-27-1-41-49

Введение. Рост объемов данных, передаваемых в высокопроизводительных вычислительных комплексах, создает условия для развития новых систем передачи данных, например печатных плат нового поколения с внедренными оптоэлектронными шинами передачи данных [1]. Предполагается, что базовыми компонентами такой оптоэлек-тронной шины будут массив полимерных планарных оптических волноводов и элементы ввода-вывода излучения [2].

Одна из основных задач при создании коммутационной среды нового поколения -разработка технологии формирования встроенных оптических компонентов с учетом соответствия условиям производства традиционных печатных плат. Полимерные материалы [3-6], характеризующиеся высокой оптической прозрачностью на длинах волн 850, 1330, 1500 нм, могут заменить традиционные полупроводниковые или диэлектрические материалы [2, 3] при изготовлении оптических волноводов оптоэлектронной шины. Отдельный интерес представляет использование неспециализированных полимеров общего применения при формировании оптоэлектронной шины печатной платы, так как они имеют сравнительно низкую стоимость. Основной недостаток неспециализированных полимеров заключается в отсутствие возможности УФ-отверждения.

Решением проблемы формообразования неспециализированных полимеров является применение микро- и наноэлектронных технологий нового поколения, например нано-импринтной литографии. Частный случай наноимпринтной литографии - мягкая литография [7], которая включает в себя формирование топологии с использованием мягкого штампа, изготовленного путем оттиска (импринта) жесткого мастер-штампа. Однако стоимость мастер-штампов высокая, поэтому проработка возможности их изготовления для формирования оптоэлектронных шин печатных плат из неспециализированных полимерных материалов общего применения актуальна.

Особенности изготовления мастер-штампа мягкой литографии. Схема разработанного технологического процесса изготовления мастер-штампа приведена на рис. 1. Для создания топологии жесткого мастер -штампа широко применяется фоторезист SU-8 с учетом последующих этапов формирования полимерных планарных оптических волноводов из полимера полидиметилсилок-сана [8, 9].

Проявление и удаление

Рис. 1. Схема изготовления мастер-штампа Fig. 1. Hard mold fabrication scheme

В ходе отработки технологического процесса формирования мастер-штампа отмечено возникновение на этапе УФ-экспонирования отрицательного наклона вертикальных стенок фоторезистивной маски. Данный негативный эффект называется «T-topping» в соответствии с формой образования «наростов» в приповерхностном слое фоторезиста (рис. 2) [10]. На рис. 2 ФКГ - фотокислотный генератор фоторезиста SU-8 (соль триарилсульфония гексафторантимоната) [11, 12].

; Приповерхностный

; Область : слой фохорезиста

. экспонирования; Т-1орр1гщ на поверхности фоторезиста

области

Рис. 2. Схема возникновения отрицательного наклона стенок фоторезистивной маски Fig. 2. Masking photoresist walls T-topping occurrence scheme

Причина возникновения отрицательного наклона заключается в избыточном поглощении широкополосного УФ-излучения с длиной волны менее 350 нм при экспонировании топологии мастер-штампа [11]. Из-за протекающих фотохимических реакций при избыточном поглощении оптического излучения в приповерхностном слое происходит локальное переэкспонирование фоторезиста [10, 12]. Согласно технологической документации на фоторезист SU-8, с целью исключения условий возникновения отрицательного наклона рекомендуется проводить экспонирование фоторезиста через отсекающие УФ-светофильтры [11, 12]. Принцип работы УФ-светофильтров основан на избирательной фильтрации спектра ртутной лампы и исключении длин волн менее 350 нм. Отметим, что такие отсекающие УФ-светофильтры имеют высокую стоимость.

Разработка светофильтра оригинальной конструкции. Для минимизации затрат в ходе исследования разработан УФ-светофильтр оригинальной конструкции, обеспечивающий отсечение длин волн менее 350 нм УФ-спектра ртутной лампы i-линии, которая используется при экспонировании фоторезиста SU-8 [13]. Конструкция разработанного УФ-светофильтра включает в себя стеклянное основание из кварцевого стекла с нанесенным функциональным слоем фоторезиста SU-8 определенной толщины.

Для экспериментальной оценки зависимости ослабления интенсивности УФ-излу-чения от толщины функционального слоя отсекающего УФ-светофильтра оригинальной конструкции созданы светофильтры с различными толщинами функционального слоя фоторезиста SU-8. Затем с помощью двухканального измерителя интенсивности ABM Model 150 определены интенсивности излучения УФ-лампы автоматизированной установки совмещения и экспонирования EVG620 NIL на длинах волн 365 и 400 нм

без светофильтра через УФ-светофильтры оригинальной конструкции, а также через стеклозаготовку УФ-светофильтра без слоя фоторезиста SU-8. Результаты измерений представлены в таблице.

Результаты измерений интенсивности УФ-излучения, мВт/см2 UV intensity measurement results, mW/cm2

Толщина слоя фоторезиста SU-8, мкм

Без светофильтра

№ п/п 25 60 40 0

Д ,лина волны X, нм

365 400 365 400 365 400 365 400 365 400

1 31,29 75,31 21,05 62,8 - - - - - -

2 31,23 75,22 20,13 61,44 17,09 58,92 - - - -

3 31,09 75,13 19,86 60,26 16,88 58,68 18,18 59,24 - -

4 31,08 74,82 19,18 60,92 16,61 58,72 17,52 58,82 27,04 68,49

Из таблицы следует, что для каждой длины волны наибольшая интенсивность УФ-излучения детектируется при отсутствии светофильтра, а затем при увеличении толщины функционального слоя УФ-светофильтра интенсивность убывает.

Пусть зависимость ослабления интенсивности УФ-излучения от толщины функционального слоя УФ-светофильтра имеет вид функции / (х, X), где x - толщина функционального слоя УФ-светофильтра, X - длина волны УФ-излучения. Тогда

f ( X) =

1сф (

1сф (0, '

где /сф (х, X) - измеренная интенсивность УФ-излучения, мВт/см2, с длиной волны X, которая проходит через УФ-светофильтр с толщиной х функционального слоя; /Сф (0, X) - измеренная интенсивность УФ-излучения, мВт/см2, с длиной волны X, которая проходит через стеклозаготовку УФ-светофильтра без функционального слоя.

Далее для длин волн 365 и 400 нм построены отдельные точечные зависимости /(х,X) по ранее измеренным данным из таблицы (рис. 3). Эти зависимости аппроксимированы логарифмической функцией вида: /(х,Х) = С1(Х)-1п(х) + С2(Х),

где С1 (X) и С2 (X) - коэффициенты, зависящие от длины волны УФ-излучения.

Из построенных логарифмических ап-проксимационных зависимостей следует, что для длины волны 365 нм коэффициенты ^ (X) и C2 (X) равны 0,2501 и 0,6099, а для 400 нм - 0,0491 и 0,9716 соответственно. Таким образом, для длины волны 365 нм и отсекающего УФ-светофильтра с толщиной функционального слоя 25 мкм величина ослабления интенсивности УФ-излучения составит 1,4149.

1,5

1,3 "1,2 1.1

А. = 36 5 нм

о ,2501 1 i(jc) + 0 ,6099

Х = 400 нм

У = 0,049 11п(*)4 0,9716

10

20

30

40

X, мкм

50

60

70

Рис. 3. Зависимость ослабления интенсивности УФ-излучения от толщины функционального

слоя УФ-светофильтра Fig. 3. Dependence of the UV intensity attenuation on the UV filter functional layer thickness

Проверка эффективности отсекающего УФ-светофильтра. Для проверки эффективности применения отсекающего УФ-светофильтра оригинальной конструкции изготовлен тестовый образец мастер-штампа из фоторезиста SU-8. С целью отработки различных условий и режимов на этапе УФ-экспонирования пластина мастер-штампа разделена на четыре сектора, два из которых проэкспонированы через УФ-светофильтр оригинальной конструкции при различных значениях интенсивности УФ-излучения, а другие два - без использования УФ-светофильтра при ранее экспериментально подобранной оптимальной интенсивности излучения. На рис. 4 представлен процесс автоматизированного совмещения перед экспонированием мастер-штампа через УФ-светофильтр с использованием секторной заслонки на 1/4 подложки на автоматизированной установке совмещения и экспонирования EVG 620 NIL. В результате проведения последующих операций изготовлены тестовые топологии мастер-штампа, увеличенные изображения которых представлены на рис. 5.

Рис. 4. Процесс экспонирования сектора мастер-штампа с использованием

УФ-светофильтра Fig. 4. The hard mold sector exposing process using the UV light filter

Тестовая топология мастер-штампа на рис. 5, а в отличие от топологии на рис. 5, б сформирована при экспонировании широкополосным УФ-излучением без использования отсекающего УФ-светофильтра оригинальной конструкции, что привело к возникновению отрицательного наклона в виде «наростов» в приповерхностном слое фоторезиста. При этом на рис. 5, б отсутствует отрицательный наклон в тестовой топологии мастер-штампа, проэкспонированной через УФ-светофильтр, что подтверждает эффективность применения разработанного светофильтра. Кроме того, интенсивность излучения для приведенного на рис. 5,б сектора топологии мастер-штампа в 1,4 раза больше по сравнению с ранее определенной оптимальной интенсивностью излучения. Следовательно, для разработанного УФ-светофильтра с функциональным слоем толщиной 25 мкм подтверждена обоснованность определенной аппроксимационной зависимости.

Рис. 5. Вид сверху и РЭМ-изображения поперечного сечения тестовых топологий мастер-штампа, сформированных при ранее определенной оптимальной мощности экспонирования (а)

и с применением УФ-светофильтра (б) Fig. 5. Top view and cross-sectional SEM images of hard mold test topologies: a - formed at the previously determined optimal exposure power; b - formed using the UV light filter

Заключение. В результате проведенных исследований выявлено, что при изготовлении мастер-штампа мягкой литографии из фоторезиста SU-8 для формирования полимерных планарных оптических волноводов необходимо исключить факторы возникновения отрицательного наклона стенок фоторезистивной маски. Установлена основная причина возникновения отрицательного наклона - это экспонирование фоторезиста SU-8 с применением широкополосного УФ-излучения ртутной лампы i-линии. УФ-спектр такой ртутной лампы включает в себя длины волн менее 350 нм, которые провоцируют появление отрицательного наклона стенок фоторезистивной маски.

Разработанный отсекающий УФ-светофильтр оригинальной конструкции доказал свою эффективность. При использовании данного светофильтра исключается отрицательный наклон в отдельных секторах тестового образца мастер-штампа, которые проэкспони-рованы широкополосным УФ-излучением ртутной лампы i-линии. Кроме того, экспериментально подтверждено рассчитанное теоретически значение ослабления УФ-излучения при прохождении через УФ-светофильтр с толщиной функционального слоя 25 мкм.

Полученные результаты имеют решающее значение для рационализации процесса изготовления полимерных планарных оптических волноводов с пониженным уровнем потерь для оптоэлектронных шин печатных плат нового поколения. Затраты на их изготовление минимизируются за счет применения неспециализированных полимерных материалов и технологии мягкой литографии с самостоятельным изготовлением мастер-штампов.

Литература

1. Ахманов А. С., Наний О. Е., Панченко В. Я. Оптическая передача информации в супер-ЭВМ и микропроцессорных системах. Ч. 1 // Lightwave Russian Ed. 2008. № 3. С. 46-53.

2. Miller S. E. Integrated optics: An introduction // The Bell System Technical Journal. 1969. Vol. 48. No. 7. P. 2059-2069. doi: https://doi.org/10.1002/j.1538-7305.1969.tb01165.x

3. Cai D. Optical and mechanical aspects on polysiloxane based electrical-optical-circuits-board: Dr. Sci. (Eng.) diss. Dortmund, 2008. 129 р. doi: https://doi.org/10.17877/DE290R-8242

4. Cai D., Neyer A. Polydimethylsiloxane (PDMS) based optical interconnect with copper-clad FR4 substrates // Sensors and Actuators B: Chemical. 2011. Vol. 160. Iss. 1. P. 777-783. doi: https://doi.org/ 10.1016/j.snb.2011.08.062

5. Prajzler V., Neruda M., Nekvindova P., Mikulik P. Properties of multimode optical epoxy polymer waveguides deposited on silicon and TOPAS substrate // Radioengineering. 2017. Vol. 26. No. 1. P. 10-15. doi: https://doi.org/10.13164/re.2017.0010

6. Immonen M., Karppinen M., Kivilahti J. K. Fabrication and characterization of polymer optical waveguides with integrated micromirrors for three-dimensional board-level optical interconnects // IEEE Transactions on Electronics Packaging Manufacturing. 2005. Vol. 28. No. 4. P. 304-311. doi: https://doi.org/10.1109/ TEPM.2005.856538

7. Zhou W. Nanoimprint lithography: An enabling process for nanofabrication. Berlin; Heidelberg: Springer, 2013. XIII, 249 p. doi: https://doi.org/10.1007/978-3-642-34428-2

8. Cai Z., Qiu W., Shao G., Wang W. A new fabrication method for all-PDMS waveguides // Sensors and Actuators A: Physical. 2013. Vol. 204. P. 44-47. doi: https://doi.org/10.1016/j.sna.2013.09.019

9. Manvelova T. A., Tarasov S. A., Ivanov N. N. Polymer optoelectronic bus for high-speed data transmission systems // J. Phys.: Conf. Ser. 2019. Vol. 1400. Iss. 6. Art. No. 066051. doi: https://doi.org/10.1088/1742-6596/1400/6/066051

10. Радзиевская Т. А., Ламкин И. А., Тарасов С. А., Иванов Н. Н. Технологические способы снижения факторов роста поверхностных дефектов полимерных планарных оптических волноводов // Изв. вузов. Приборостроение. 2021. Т. 64. № 6. С. 469-476. doi: https://doi.org/10.17586/0021-3454-2021-64-6-469-476

11. Madou M. J. Fundamentals of microfabrication and nanotechnology. 3rd ed. Boca Raton, FL: CRC Press, 2011. 1992 p. doi: https://doi.org/10.1201/9781315274164

12. Microfluidics and nanofluidics handbook: Fabrication, implementation, and applications / ed. S. K. Mitra, S. Chakraborty. Boca Raton, FL: CRC Press, 2011. 624 p. doi: https://doi.org/10.1201/b11188

13. Радзиевская Т. А., Иванов Н. Н., Тарасов С. А. Подходы к снижению потерь на рассеяние в полимерных планарных оптических волноводах // Труды учебных заведений связи. 2021. Т. 7. № 1. С. 31-40. doi: https://doi.org/10.31854/1813-324X-2021-7-1-31-40

Статья поступила в редакцию 30.09.2021 г.; одобрена после рецензирования 30.09.2021 г.;

принята к публикации 21.12.2021 г.

Информация об авторах

Радзиевская Тамара Александровна - ведущий инженер-технолог ОАО «Авангард» (Россия, 195271, г. Санкт-Петербург, Кондратьевский пр-т, 72), аспирант Санкт-Петербургского государственного электротехнического университета «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина) (Россия, 197376, г. Санкт-Петербург, ул. Профессора Попова, 5), tamaramanvelova239@mail.ru

Иванов Николай Николаевич - доктор технических наук, заместитель директора по научной работе Института магистратуры Санкт-Петербургского государственного университета телекоммуникаций им. проф. М. А. Бонч-Бруевича (Россия, 193232, г. Санкт-Петербург, пр-т Большевиков, 22/1), ivanov.2nik@yandex.ru

Тарасов Сергей Анатольевич - доктор технических наук, директор департамента науки, заведующий кафедрой фотоники Санкт-Петербургского государственного электротехнического университета «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина) (Россия, 197376, г. Санкт-Петербург, ул. Профессора Попова, 5), satarasov@mail.ru

References

1. Akhmanov A. S., Naniy O. E., Panchenko V. Ya. Optical transmission of information in supercomputers and microprocessor systems. Part 1. Lightwave Russian Ed., 2008, no. 3, pp. 46-53. (In Russian).

2. Miller S. E. Integrated optics: An introduction. The Bell System Technical Journal, 1969, vol. 48, no. 7, pp. 2059-2069. doi: https://doi.org/10.1002/j.1538-7305.1969.tb01165.x

3. Cai D. Optical and mechanical aspects on polysiloxane based electrical-optical-circuits-board. Dr. Sci. (Eng.) diss. Dortmund, 2008. 129 p. doi: https://doi.org/10.17877/DE290R-8242

4. Cai D., Neyer A. Polydimethylsiloxane (PDMS) based optical interconnect with copper-clad FR4 substrate. Sensors and Actuators B: Chemical, 2011, vol. 160, iss. 1, pp. 777-783. doi: https://doi.org/10.1016/ j.snb.2011.08.062

5. Prajzler V., Neruda M., Nekvindova P., Mikulik P. Properties of multimode optical epoxy polymer waveguides deposited on silicon and TOPAS substrate. Radioengineering, 2017, vol. 26, no. 1, pp. 10-15. doi: https://doi.org/10.13164/re.2017.0010

6. Immonen M., Karppinen M., Kivilahti J. K. Fabrication and characterization of polymer optical waveguides with integrated micromirrors for three-dimensional board-level optical interconnects. IEEE Transactions on Electronics Packaging Manufacturing, 2005, vol. 28, iss. 4, pp. 304-311. doi: https://doi.org/10.1109/ TEPM.2005.856538

7. Zhou W. Nanoimprint lithography: An enabling process for nanofabrication. Berlin, Heidelberg, Springer, 2013. xiii, 249 p. doi: https://doi.org/10.1007/978-3-642-34428-2

8. Cai Z., Qiu W., Shao G., Wang W. A new fabrication method for all-PDMS waveguides. Sensors and Actuators A: Physical, 2013, vol. 204, pp. 44-47. doi: https://doi.org/10.1016Zj.sna.2013.09.019

9. Manvelova T. A., Tarasov S. A., Ivanov N. N. Polymer optoelectronic bus for high-speed data transmission systems. J. Phys.: Conf. Ser., 2019, vol. 1400, iss. 6, art. no. 066051. doi: https://doi.org/10.1088/1742-6596/1400/6/066051

10. Radzievskaya T. A., Lamkin I. A., Tarasov S. A., Ivanov N. N. Technological methods for reducing the growth factors of surface defects in polymer planar optical waveguides. Izvestiya vuzov. Priborostroenie = Journal of Instrument Engineering, 2021, vol. 64, no. 6, pp. 469-476. (In Russian). doi: https://doi.org/10.17586/ 0021 -3454-2021 -64-6-469-476

11. Madou M. J. Fundamentals of microfabrication and nanotechnology. 3rd ed. Boca Raton, FL, CRC Press, 2011. 1992 p. doi: https://doi.org/10.1201/9781315274164

12. Mitra S. K., Chakraborty S. (eds.) Microfluidics and nanofluidics handbook: Fabrication, implementation, and applications. Boca Raton, FL, CRC Press, 2011. 624 p. doi: https://doi.org/10.1201/b11188

13. Radzievskaya T., Ivanov N., Tarasov S. The reducing approaches of scattering losses in polymer planar optical waveguides. Trudy uchebnykh zavedeniy svyazi = Proc. of Telecom. Universities, 2021, vol. 7, no. 1, pp. 31-40. (In Russian). doi: https://doi.org/10.31854/1813-324X-2021-7-1-31-40

The article was submitted 30.09.2021; approved after reviewing 30.09.2021;

accepted for publication 21.12.2021.

Information about the authors

Tamara A. Radzievskaya - Leading Process Engineer of the JSC "Avangard" (Russia, 195271, Saint Petersburg, Kondratievskiy ave., 72), PhD student Saint Petersburg Electrotechnical University "LETI" (Russia, 197376, Saint Petersburg, Professor Popov st., 5), tamaramanvelova239@mail.ru

Nikolay N. Ivanov - Dr. Sci. (Eng.), Deputy Director for Research of the Institute of Magistracy, Bonch-Bruevich Saint Petersburg State University of Telecommunications (Russia, 193232, Saint Petersburg, Bolshevikov ave., 22/1), ivanov.2nik@yandex.ru

Sergey A. Tarasov - Dr. Sci. (Eng.), Director of the Science Department, Head of Photonics Department, Saint Petersburg Electrotechnical University "LETI" (Russia, 197376, Saint Petersburg, Professor Popov st., 5), satarasov@mail.ru