CC BY
6
НАНОМАТЕРИАЛЫ И НАНОТЕХНОЛОГИИ NANOMATERIALS AND NANOTECHNOLOGIES
ISSN 1995-2732 (Print), 2412-9003 (Online) УДК 538.97
DOI: 10.18503/1995-2732-2023-21-3-137-143
ОСОБЕННОСТИ ВЗАИМОДЕЙСТВИЯ НАНОСЕКУНДНОГО ЛАЗЕРНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ С YBCO-ПЛЕНКАМИ
Позыгун И.С.1, Серопян Г.М.1, Сычев С.А.1, Федосов Д.В.1, Теплоухов А.А.2, Семенюк Н.А.2
1 Омский государственный университет им. Ф.М. Достоевского, Омск, Россия
2 Омский государственный технический университет, Омск, Россия
Аннотация. Постановка задачи (актуальность работы). Развитие современной техники и микроэлектроники вызывает необходимость совершенствования методов получения и обработки тонкопленочных сверхпроводящих микро- и наноструктур, в том числе YBa2Cu3O7-x (YBCO)-пленок. Это обуславливает актуальность задачи формирования сверхпроводящих пленок YBCO на подложках титаната стронция толщиной более 50 нм. Используемые методы. Для формирования тонкопленочных микроструктур в работе применялась многофункциональная универсальная установка лазерной литографии с твердотельным лазером Nd:YAG с длинами волн излучения 532 и 1064 нм. Новизна. Впервые обнаружены пороговые плотности мощности, при которых происходит плавление и фотоабляция пленки. Выявлено, что при длине волны X = 532 нм лазерного излучения порог лазерной абляции для YBCO-пленок толщиной от 30 до 200 нм достигается при значении плотности энергии 1,36 Дж/см2. Для YBCO-пленок толщиной 100 нм при X = 1064 нм лазерного воздействия порог лазерной абляции составляет 1,44 Дж/см2. Установлено, что для инфракрасного лазерного излучения тонкопленочные покрытия толщиной менее чем 40 нм становятся прозрачными, что является препятствием для создания микроструктуры на их основе. Результат. Определены оптимальные значения плотности энергии лазерного излучения для формирования границы фотоабляции YBCO-пленки. Обнаружены пороговые плотности энергии, при которых происходит плавление пленки. Практическая значимость. Пороговое значение плотности энергии для формирования качественной границы фотоабляции пленок при длине волны 532 нм оказалось равным 1,36 Дж/см2. Это указывает на то, что тонкие пленки YBCO имеют высокий коэффициент поглощения данного излучения, что делает возможным формирование микроструктур в широком диапазоне толщин.
Ключевые слова: сверхпроводящие структуры, лазерное воздействие, плотность энергии, YBCO-пленки, лазерная литография
© Позыгун И.С., Серопян Г.М., Сычев С.А., Федосов Д.В., Теплоухов А.А., Семенюк Н.А., 2023 Для цитирования
Особенности взаимодействия наносекундного лазерного излучения с YBCO-пленками / Позыгун И.С., Серопян Г.М., Сычев С.А., Федосов Д.В., Теплоухов А.А., Семенюк Н.А. // Вестник Магнитогорского государственного технического университета им. Г.И. Носова. 2023. Т. 21. №3. С. 137-143. https://doi.org/10.18503/1995-2732-2023-21-3-137-143
Контент доступен под лицензией Creative Commons Attribution 4.0 License. The content is available under Creative Commons Attribution 4.0 License.
FEATURES OF INTERACTION BETWEEN NANOSECOND LASER RADIATION AND YBCO FILMS
Pozygun I.S.1, Seropyan G.M.1, Sychev S.A.1, Fedosov D.V.1, Teploukhov A.A.2, Semenyuk N.A.2
1 Dostoevsky Omsk State University, Omsk, Russia
2 Omsk State Technical University, Omsk, Russia
Abstract. Problem Statement (Relevance). The development of modern technology and microelectronics fosters the improvement of methods applied to produce and process thin-film superconducting micro- and nanostructures, including YBa2Cu3O7-x (YBCO) films. This determines the relevance of the task of forming superconducting YBCO films on strontium titanate substrates with a thickness of over 50 nm. Methods Applied. To form thin-film microstructures, the authors used a multifunctional universal laser lithography unit with an Nd:YAG solid-state laser with radiation wavelengths of 532 and 1064 nm. Originality. The authors have first detected threshold power densities, when the film starts melting and photoablation occurs. It has been revealed that at a laser radiation wavelength of I = 532 nm, the threshold of laser ablation for YBCO films with a thickness of 30 to 200 nm is reached at an energy density of 1.36 J/cm2. Regarding YBCO films with a thickness of 100 nm, the laser ablation threshold is 1.44 J/cm2 at I =1064 nm of laser exposure. It has been established that in case of infrared laser radiation, thin-film coatings with a thickness of less than 40 nm become transparent, presenting an obstacle to creating a film-based microstructure. Result. We have determined the optimal values of the laser radiation energy density to form the qualitative YBCO film photoablation boundary, and threshold values of the laser radiation energy density that correspond to film melting. Practical Relevance. The detected threshold value of energy density, when a qualitative boundary of the YBCO films photoablation is formed at a laser wavelength of 532 nm, turned out to be 1.36 J/cm2. This indicates that the YBCO thin films have a sufficiently high absorption coefficient of such radiation; therefore, this radiation can be used to form microstructures in the wide thickness range.
Keywords: superconducting structures, laser exposure, energy density, YBCO films, laser lithography For citation
Pozygun I.S., Seropyan G.M., Sychev S.A., Fedosov D.V., Teploukhov A.A., Semenyuk N.A. Features of Interaction between Nanosecond Laser Radiation and YBCO Films. Vestnik Magnitogorskogo Gosudarstvennogo Tekhnich-eskogo Universiteta im. G.I. Nosova [Vestnik of Nosov Magnitogorsk State Technical University]. 2023, vol. 21, no. 3, pp. 137-143. https://doi.org/10.18503/1995-2732-2023-21-3-137-143
Введение
Несмотря на интенсивные исследования по взаимодействию лазерного излучения с тонкими пленками различных материалов, в литературе мало работ по взаимодействию импульсного лазерного излучения с YBCO-пленками. При прямом воздействии наносекундного лазерного излучения на сверхпроводящие тонкие пленки YBCO происходит фотоабляция материала пленки, в результате чего формируется необходимая топология для изготовления сверхпроводящих пленочных датчиков [1-4]. Преимущество метода лазерной литографии связано с тем, что исключается химическая обработка поверхности пленки. Известны химические методы формирования заданной топологии структур, но они имеют существенный недостаток, заключающийся в плохом контроле ухода формируемой структуры («под-травы»), что снижает выход годных образцов [5].
Известны также методы ионного травления пленок, которые способны обеспечить необходимый размер элементов структуры, но которые вызывают деградацию сверхпроводящего состо-
яния пленок при бомбардировке ионным пучком [6, 7]. Для формирования топологии используется ионная имплантация [8, 9], но несоблюдение оптимальных режимов технологии может привести к деградации сверхпроводящих свойств тонких пленок после имплантации [10, 11]. Лазерная литография позволяет исключить химическое воздействие и ионную бомбардировку, что является ее несомненным достоинством. Несмотря на интенсивные исследования по взаимодействию лазерного излучения с тонкими пленками различных материалов, в литературе практически нет публикаций, отражающих вопросы структурирования сверхпроводящих тонкопленочных покрытий на основе YBa2Cu3O7_x методом лазерной литографии.
Методы и материалы
Применяемая в работе лазерная установка для формирования пленочных микроструктур состоит из твердотельного импульсного лазера, системы управления энергией лазерного излучения, системы фокусировки, двухкоординатного столика для перемещения облучаемого образца
пленки относительно лазерного луча и формирования тонкопленочного рисунка, электронного микроконтроллерного блока управления двигателями. Схема установки, применяемая для воздействия лазером на тонкие УБСО-пленки показана на рис. 1.
Рис. 1. Установка для облучения тонких
YBCO-пленок Fig. 1. The unit used for irradiation of thin YBCO films
В работе использовалось лазерное излучение с длинами волн 532 и 1064 нм, а длительность импульса составляла 16 нс. Сверхпроводящие пленки облучались одиночными импульсами с разными энергиями в импульсе. Компьютерное управление лазером позволяет производить удаление материала YBCO-пленки без применения различных масок. Исследование поверхности пленок проводилось с применением атомно-силовой (SOLVERPRO) и оптической (МИИ-4) микроскопии.
Сверхпроводящие пленки YBa2Cu3O7-x были выращены методом лазерной абляции на монокристаллических подложках SrTiO3 (100) при температуре 830°C в атмосфере кислорода при давлении в камере 50-100 Па. Для напыления пленок использовалось лазерное излучение с длиной волны X = 532 нм с плотностью мощности излучения 5-108 Вт/см2. Длительность импульса лазерного излучения составила п = 16 нс при частоте следования импульсов v = 10 Гц. Выращенные пленки толщиной 100 нм имели следующие сверхпроводящие параметры: критический ток - 106 А/см2, критическая температура 90-92 K, ширина сверхпроводящего перехода -0,8-1,0 К. Скорость роста пленок при выбранных параметрах лазерного излучения и условий в напылительной камере составляла 40 нанометров в минуту, а толщина пленок задавалась временем напыления. Толщина пленки определя-
лась атомно-силовым микроскопом на предварительно сформированной ступеньке.
Результаты и обсуждение
Эксперименты по взаимодействию УБСО-пле-нок толщиной более 50 нм с лазерным излучением с длиной волны 1064 нм показали возможность изготовления сверхпроводящих микроструктур. Пленки толщиной менее 40 нм становятся проницаемыми для инфракрасного излучения, что существенно затрудняет формирование микроструктур. Порог фотоабляции для УБСО-пленок толщиной около 100 нм достигается при значении плотности энергии 1,44 Дж/см2. Пороговая плотность энергии падает с ростом толщины пленки из-за возрастания поглощенной энергии излучения.
На рис. 2 и 3 представлены микрофотографии УБСО-пленок толщиной 50 и 200 нм соответственно после облучения лазером различной плотности энергии с длиной волны X = 532 нм.
Экспериментально обнаруженный порог плотности энергии формирования качественной границы для УБСО-пленок толщиной 30-200 нм при длине волны 532 нм составляет около 1,36 Дж/см2. Это объясняется тем, что в этом диапазоне толщин пленка имеет высокий коэффициент поглощения излучения. Значение 7,68 Дж/см2 является верхним пределом при фотоабляции УБСО-пленок, выращенных на 8гТЮ3. При превышении указанной плотности энергии в монокристалле титаната стронция возникают упругие напряжения, приводящие к разрушению подложки [12].
На рис. 4 показана профилограмма границы фотоабляции УБСО-пленки.
Толщина пленки составляла примерно 180 нм, а плотность энергии лазерного излучения 2,24 Дж/см2. Достаточно резкая граница травления позволяет изготавливать тонкопленочные сверхпроводящие микромостики и иные микроструктуры.
На рис. 5 представлена микрофотография облученной YBCO-пленки при плотности энергии 64 мДж/см2.
Результаты облучения УБСО-пленок толщиной 100 нм лазерным излучением 532 нм показали, что плотность энергии менее 64 мДж/см2 приводит к нагреву пленки без образования расплава. В правой части рисунка - облученный участок пленки, а в левой - не облученный.
При плотности энергии 192 мДж/см2 наблюдается плавление пленки, как показано на рис. 6. В правой части рисунка в области облучения поверхность пленки приобретает рельефный вид, характерный для расплавленного материала. При плотности энергии выше 240 мДж/см2 начинается фотоабляция пленки.
Рис. 2. Микрофотографии YBCO-пленок толщиной 50 нм: a - импульсная энергия 80 мДж, плотность энергии 1,76 Дж/см2; б - импульсная энергия 60 мДж, плотность энергии 1,33 Дж/см2; в - импульсная энергия 40 мДж, плотность энергии 0,88 Дж/см2 Fig. 2. Micrographs of YBCO films with a thickness of 50 nm: a is pulsed energy of 80 mJ, energy density of 1.76 J/cm2, б is pulsed energy of 60 mJ, energy density of 1.33 J/cm2, в is pulsed energy of 40 mJ, energy density of 0.88 J/cm2
Рис. 3. Микрофотографии YBCO-пленок толщиной 200 нм: a - импульсная энергия 100 мДж, плотность энергии 2,24 Дж/см2; б - импульсная энергия 60 мДж, плотность энергии 1,34 Дж/см2; в - импульсная энергия 40 мДж, плотность энергии 0,90 Дж/см2 Fig. 3. Micrographs of YBCO films with a thickness of 200 nm: a is pulsed energy of 100 mJ, energy density of 2.24 J/cm2, б is pulsed energy of 60 mJ, energy density of 1.34 J/cm2, в is pulsed energy of 40 mJ, energy density of 0.90 J/cm2
б
а
в
400
350
300
250
200
0 1 2 3 4 5 6 7 3 Plant, |jm
Рис. 4. Профилограмма границы фотоабляции YBCO-пленки Fig. 4. The profilogram of the YBCO film photoablation boundary
100 мкм
Рис. 5. Микрофотография облученной YBCO-пленки при плотности энергии 64 мДж/см2 Fig. 5. The micrograph of the irradiated YBCO film at an energy density of 64 mJ/cm2
100 мкм
Рис. 6. Микрофотография облученной YBCO-пленки при плотности энергии 192 мДж/см2 Fig. 6. The micrograph of the irradiated YBCO film at an energy density of 192 mJ/cm2
AT = J™ - Т = 1020 - 20 = 1000°С (Тш « 1020°С -температура плавления YBCO-пленки ортором-бической модификации, Т0 = 20°С - температура пленки до облучения).
Масса облученного участка пленки m = psh = 1,78^ 10-8 кг, где р = 6,3 г/см3 - плотность YBCO-пленки, h = 100 нм - толщина пленки, 5 = 0,28 см2 - площадь лазерного пятна на пленке.
Таким образом, рассчитанное значение поглощенной энергии Ep = 18 мДж, а пороговое значение импульсной энергии, при которой пленка начинает плавиться, Ep = 45 мДж. Тогда
плотность энергии равна 160 мДж/см2, что хорошо согласуется с экспериментом.
Заключение
В результате исследований взаимодействия наносекундного лазерного излучения с тонкими пленками YBCO на подложках титаната стронция обнаружены пороговые плотности энергии, при которых происходит плавление и фотоабляция YBCO-пленки.
Проведем оценку пороговой плотности энергии, при которой начинается плавление материала пленки. Долю поглощенной пленкой импульсной энергии можно рассчитать по формуле
Ер = Ер-(1-Я - Т), (1)
где Ер - импульсная энергия; Я = 0,1 - коэффициент отражения YBCO-пленки [13]; Т = 0,5 -коэффициент пропускания YBCO-пленки толщиной 100 нм для X = 532 нм.
Ер = 0,4 • Ер. (2)
Процесс поглощения пленкой энергии лазерного излучения можно считать адиабатным, поскольку длительность импульса мала п = 16 нс. Пороговое значение поглощенной энергии, при котором пленка начинает плавиться, можно рассчитать по формуле
Ер = т • с •АТ, (3)
где т - масса облученного участка пленки; с = = 1000 Дж/кгК - удельная теплоемкость YBCO-пленки [14]; АТ - изменение температуры пленки,
Эксперименты показали, что взаимодействие лазерного излучения длиной волны 1064 нм с YBCO-пленками позволяет изготавливать микро- и наноструктуры на основе данных пленок. Порог фотоабляции для пленок толщиной 100 нм достигается при значении плотности энергии 1,44 Дж/см2 и уменьшается с увеличением толщины пленки. Однако пленки толщиной менее 40 нм становятся проницаемыми для инфракрасного излучения, что затрудняет формирование микроструктур на их основе.
При длине волны лазерного излучения 532 нм пороговое значение плотности энергии формирования границы фотоабляции пленок толщиной 30-200 нм составило 1,36 Дж/см2. Нижний предел плотности энергии, при котором начинает проявляться граница фотоабляции, составляет 0,24 Дж/см2.
Результаты экспериментов показали, что плавление пленки начинается при плотности энергии
0.19.Дж/см2. Расчетная оценка пороговой плотности энергии плавления тонкой YBCO-пленки дала значение 0,16 Дж/см2. Полученный результат удовлетворительно согласуется с экспериментом.
Список источников
1. Григорьянц А.Г. Основы лазерной обработки материалов. М.: Машиностроение, 1989. 304 с.
2. Шугуров А.Р., Панин А.В. Механизмы генерации напряжений в тонких пленках и покрытиях // Технология. Физика. 2020. №65. С. 1881-1904.
3. José M De Teresa. Nanoscale direct-write fabrication of superconducting devices for application in quantum technologies // Materials for Quantum Technology. 2023, vol. 3(1), рр. 1-9.
4. Lee Y.H., Schneiderman J. Focus on SQUIDs in Bi-omagnetism // Superconductor Science and Technology. 2018, vol. 31(8), p. 080201.
5. Investigation of the Parameters of Superconducting and Insulating Elements of Structures Obtained on YBCO Films by Master Mask with Decreasing Their Size / D.V. Masterov, S.A. Pavlov, A. Parafin [et. al] // Physics of the Solid State. 2021, vol. 63(10), pp. 1480-1484.
6. On a Possibility to Fabricate YBCO Bridges with the Perfect Surface, Critical Temperature over 88 K and Critical Current Density up to 5x106 A/cm2 / D.V. Masterov, S.A. Pavlov, A. Parafin [et. al] // Physics of the Solid State. 2020, vol. 62(9), pp. 1562-1566.
7. Обнаружение второй гармоники фазовой зависимости сверхпроводящего тока в гетеропереходах Nb/Au/YBCO / Ф.В. Комиссинский, Г.А. Овсянникова, Е. Ильичёв и др. // Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики. 2001. Т. 73. №7. С. 405-409.
8. High-Tc superconducting Josephson mixers for terahertz heterodyne detection / M. Malnou, C. Feuillet-Palma, C. Ulysse [et. al] // Journal of Applied Physics. 2014, vol. 116, pp. 074505-074505.
9. Влияние ионного облучения на электронный транспорт в тонких пленках YBCO / А.В. Антонов, Д.В. Мастеров, А.Н. Михайлов и др. // Физика твердого тела. 2022. Т. 64. №9. С. 1162-1168.
10. Вопилкин Е.А., Востоков Н.В., Парафин А.Е. Исследование свойств края полосковой структуры из высокотемпературного сверхпроводника // Микросистемная техника. 2003. №4. С. 10.
11. Формирование высокотемпературных сверхпроводящих слоев на границах несверхпроводящих фаз / М.И. Петров, С.И. Попков, К.Ю. Терентьев и др. // Письма в Журнал технической физики. 2020. Т. 46. №20. С. 11-14.
12. Взаимодействие наносекундного лазерного излучения с поверхностью монокристаллического ти-таната стронция / И.С. Позыгун, Г.М. Серопян, И.Р. Султанов и др. // Журнал технической физики. 2017. Т. 87. №8. С. 1261-1263.
13. Оптические свойства сверхпроводящих пленок YBCO, BSCCO, TBCCO в видимой и ближней инфракрасной части спектра / С.И. Тютюнников, В.Н. Шаляпин, Н.И. Балалыкин и др. Дубна: ОИЯИ, 1995. 10 с.
14. Термические эффекты в аморфных слоях YBaCuO при взаимодействии с лазерным излучением высокой мощности / В.Д. Окунев, В.А. Исаев, P. Gierlowski // Письма в Журнал технической физики. 2005. № 14. С. 22-29.
References
1. Grigoryants A.G. Osnovy lazernoy obrabotki materi-alov. [Fundamentals of laser processing of materials]. Moscow: Mashinostroenie, 1989, 304 р. (In Russ.)
2. Shugurov A.R., Panin A.V. Mechanisms of stress generation in thin films and coatings Tekhnologiya. Fizika. [Technology. Physics]. 2020;(65):1881-1904. (In Russ.)
3. José M. De Teresa. Nanoscale direct-write fabrication of superconducting devices for application in quantum technologies. Materials for Quantum Technology. 2023;3(1):1-9.
4. Lee Y.H., Schneiderman J. Focus on SQUIDs in bio-magnetism. Superconductor Science and Technology. 2018;31(8):080201.
5. Masterov D.V., Pavlov S.A., Parafin A.E. et al. Investigation of the parameters of superconducting and insulating elements of structures obtained on YBCO films by master mask with decreasing their size. Physics of the Solid State. 2021;63(10):1480-1484.
6. Masterov D.V., Pavlov S.A., Parafin A.E. et al. On a possibility to fabricate YBCO bridges with the perfect surface, critical temperature over 88 K and critical current density up to 5*106 A/cm2. Physics of the Solid State. 2020;62(9):1562-1566.
7. Komissinsky F.V., Ovsyannikova G.A., Ilyichev E. et al. Detection of the second harmonic of phase dependence of superconducting current in heterojunctions Nb/Au/YBCO. Pisma v Zhurnal eksperimentalnoy i teoreticheskoy fiziki [JETP Letters]. 2001;73(7):361-365. (In Russ.)
8. Malnou M., Feuillet-Palma C., Ulysse C., Faini G., Febvre P., Sirena M., Olanier L., Lesueur J., Bergeal N. High-Tc superconducting Josephson mixers for terahertz heterodyne detection. Journal of Applied Physics. 2014;116:074505.
9. Antonov A.V., Masterov D.V., Mikhailov A.N. et al. Effect of ion irradiation on electronic transport in YBCO thin films. Fizika tverdogo tela [Solid State Physics]. 2022;64(9):1162-1168. (In Russ.)
10. Vopilkin E.A., Vostokov N.V., Parafin A.E. Research of the properties of the edge of a strip structure from a high-temperature superconductor. Mikro-sistemnaya tekhnika [Microsystems Technology]. 2003;(4):10. (In Russ.)
11. Petrov M.I., Popkov S.I., Terentyev K.Yu. et al. Forming high-temperature superconducting layers at the boundaries of non-superconducting phases. Pisma v Zhurnal tekhnicheskoy fiziki [Technical Physics Let-
ters]. 2020;46(20): 11-14. (In Russ.)
12. Pozygun I.S., Seropyan G.M., Sultanov I.R. et al. Interactions between nanosecond laser radiation and a surface of single-crystal strontium titanate. Zhurnal tekhnicheskoy fiziki [Technical Physics]. 2017; 87(8):1261-1263. (In Russ.)
13. Tyutyunnikov S.I., Shaliapin V.N., Balalykin N.I. et al. Opticheskie svoystva sverkhprovodyashchikh ple-nok YBCO, BSCCO, TBCCO v vidimoy i blizhnei in-frakrasnoy chasti spektra [Optical properties of YBCO, BSCCO, TBCCO superconducting films in the visible and near infrared part of the spectrum]. Dubna: JINR, 1995, 10 p. (In Russ.)
14. Okunev V.D., Isaev V.A., Gierlowski P., Klimov A., Lewandowski S.J. Thermal effects in amorphous YBaCuO layers when interacting with high-power laser radiation. Pisma v Zhurnal tekhnicheskoy fiziki [Technical Physics Letters]. 2005;(14):22-29. (In Russ.)
Поступила 03.04.2023; принята к публикации 27.06.2023; опубликована 25.09.2023 Submitted 03/04/2023; revised 27/06/2023; published 25/09/23
Позыгун Ирина Станиславовна - старший преподаватель, Омский государственный университет им. Ф.М. Достоевского, Омск, Россия. Email: [email protected]. ORCID 0000-0002-2262-264X Серопян Геннадий Михайлович - кандидат физико-математических наук, доцент, Омский государственный университет им. Ф.М. Достоевского, Омск, Россия. Email: [email protected]. ORCID 0000-0001-8626-2893
Сычев Сергей Александрович - кандидат физико-математических наук, доцент, Омский государственный университет им. Ф.М. Достоевского, Омск, Россия. Email: [email protected]. ORCID 0000-0003-3849-8927
Федосов Денис Викторович - учебный мастер,
Омский государственный университет им. Ф.М. Достоевского, Омск, Россия. Email: [email protected]. ORCID 0000-0002-5617-112X Теплоухов Андрей Анатольевич - кандидат технических наук, доцент, Омский государственный технический университет, Омск, Россия. Email: [email protected]. ORCID 0000-0002-5649-2871 Семенюк Наталья Андреевна - кандидат технических наук, доцент, Омский государственный технический университет, Омск, Россия. Email: [email protected]. ORCID 0000-0003-0103-7684
Irina S. Pozygun - Senior Lecturer, Dostoevsky Omsk State University, Omsk, Russia. Email: [email protected]. ORCID 0000-0002-2262-264X
Gennady M. Seropyan - PhD (Physics and Mathematics), Associate Professor, Dostoevsky Omsk State University, Omsk, Russia. Email: [email protected]. ORCID 0000-0001-8626-2893
Sergey A. Sychev - PhD (Physics and Mathematics), Associate Professor, Dostoevsky Omsk State University, Omsk, Russia. Email: [email protected]. ORCID 0000-0003-3849-8927
Denis V. Fedosov - Training Instructor, Dostoevsky Omsk State University, Omsk, Russia. Email: [email protected]. ORCID 0000-0002-5617-112X
Andrey A. Teploukhov - PhD (Eng.), Associate Professor, Omsk State Technical University, Omsk, Russia. Email: [email protected]. ORCID 0000-0002-5649-2871
Natalya A. Semenyuk - PhD (Eng.), Associate Professor, Omsk State Technical University, Omsk, Russia. Email: [email protected]. ORCID 0000-0003-0103-7684
