CC BY
7
DOI: 10.33693/2313-223X-2022-9-2-73-79
Особенности электрофизических свойств гетеропереходов n-GaAs-p-(GaAs)1 _ x _ y(Ge2)x(ZnSe)y
С.З. Зайнабидинов3 ©, А.Й. Бобоевь ©, Д.П. Абдурахимов углис ©
Андижанский государственный университет, г. Андижан, Республика Узбекистан
a E-mail: prof_sirojiddin@mail.ru b E-mail: aboboevscp@gmail.com c E-mail: dilhayota@gmail.com
Аннотация. Определены оптимальные технологические условия выращивания многокомпонентных эпитаксиальных пленок твердых растворов (GaAs^ _ x _ (Ge2)x (ZnSe) с заданными физическими свойствами методом жидкофазной эпитаксии. Установлено, что наиболее оптимальными являются приведенные условия выращивания тонких пленок из оловянного раствора-расплава в диапазоне значений температуры 730-630, 650-550 °С со скоростью охлаждения подложки 1 град/мин. При этом пленки имели толщину 10 мкм и р-тип проводимости. Для омических контактов к таким полупроводниковым твердым растворам использованы Sn, Au, In, сплавы (In-Ga) и (Ge-Ag). Определено, что подвижность носителей тока зависит от состава, структурного совершенства эпитаксиальных слоев и энергии ионизации атомов составляющих компонентов, которые имеют значения 0,19, 0,07, 0,029 эВ. Установлено, что в гетероструктурах типа n-GaAs-p-(GaAs)1 - x - (Ge2)x (ZnSe)^ полученных при температуре 750 °С токопрохождение определяется туннельно-рекомбинационным зарядом, а в образцах, полученных при температуре 730 °С - токами ограниченными объемными зарядами. Определено также, что на гетерогранице образуется область с более высоким удельным сопротивлением, толщина которого в зависимости от условий роста тонких пленок, от 0,2 до 0,5 мкм.
Ключевые слова: твердый раствор, гетероструктура, подвижность, концентрация, вольтамперная и вольт-емкостная характеристика, эпитаксиальная пленка, кристаллизация
ССЫЛКА НА СТАТЬЮ: Зайнабидинов С.З., Бобоев А.Й., Абдурахимов Д.П. угли. Особенности электрофизических свойств гетеропереходов n-GaAs-p-(GaAs)1 - x- (Ge2)x(ZnSe) // Computational nanotechnology. 2022. Т. 9. № 2. С. 73-79. DOI: 10.33693/2313-223X-2022-9-2-73-79 " V "
DOI: 10.33693/2313-223X-2022-9-2-73-79
Features of the Electrical Properties of Heterojunctions n-GaAs-p-(GaAs)1 _ x _ y(Ge2)x(ZnSe)y
S. Zaynabidinov3 ©, A. Boboevb ©, D. Abdurahimovc ©
Andijan State University, Andijan, Republic of Uzbekistan
a E-mail: prof_sirojiddin@mail.ru b E-mail: aboboevscp@gmail.com c E-mail: dilhayota@gmail.com
Abstract. The optimal technological conditions for growing multicomponent epitaxial films of solid solutions (GaAs)j _ x - (Ge2)x (ZnSe)^ with specified physical properties by liquid-phase epitaxy have been determined. It has been established that the above conditions for growing thin films from a tin solution-melt at temperature intervals of 730-630, 650-550 °C with a substrate cooling rate of 1 deg/min are the most optimal. In this case, the films had a thickness of 10 |im and p-type conductivity. For ohmic contacts to such semiconductor solid solutions, Sn, Au, In, (In-Ga) and (Ge-Ag) alloys were used. It was determined that the mobility of current carriers depends on the composition, the structural perfection of the epitaxial layers and the ionization
DEVELOPMENT OF FUNCTIONAL NANOMATERIALS BASED ON NANOPARTICLES
energy of the atoms of the constituent components have values of 0.19, 0.07, 0.029 eV. It has been established that in heterostruc-tures of the n-GaAs-p-(GaAs)1 _ x _ (Ge2)x (ZnSe)^ type, obtained at T = 7500 °C, the current transmission is determined by tunneling-recombination, and in the samples obtained at T = 7300 °C, by currents limited volume charges. It was also determined that a region with a higher resistivity is formed at the heterointerface, the thickness of which, depending on the growth conditions of thin films, is from 0.2 to 0.5 |im.
Key words: Solid solution, heterostructure, mobility, concentration, current-voltage and capacitive-voltage characteristics, epitaxial film, crystallization
FOR CITATION: Zaynabidinov S., Boboev A., Abdurahimov D. Features of the Electrical Properties of Heterojunctions n-GaAs-p-(GaAs)1 - x - (Ge2)x(ZnSe) . Computational Nanotechnology. 2022. Vol. 9. No. 2. Pp. 73-79. (In Rus.) DOI: 10.33693/2313-223X -2022-9-2-73-79
ВВЕДЕНИЕ
Важной особенностью в технологии получения фоточувствительных полупроводниковых гетеро-структур, являются эффекты, связанных с наличием изовалентных примесных атомов в материалах. Этих структур особо перспективным направлении представляется использование эффектов, обусловленных действием фото- и токовой модуляции зарядов примесных центров в таких структурах, приводящих к линейным и сублинейным характеристикам. Существование атомов изовалентных примесей в полупроводниковых структурах [1-3] приводят к ряду особенностей их электрических свойств, которые представляют практический интерес в связи с возможностью использования таких структур в микро- и оптоэлектронике.
С целью определения электрических и рекомбина-ционных характеристик исследованы электрофизические свойства n-GaAs-p-(GaAs)1 _ х _ ^е2)х ге-тероструктуры.
МЕТОДИКА ЭКСПЕРИМЕНТА
Гетероструктуры были выращены методом жидкостной эпитаксии по технологии, изложенной в работе [4]. В вертикальной графитовой кассете укреплялись две параллельные, горизонтально расположенные подложки. Подложки, вырезанные из монокристаллического GaAs с ориентацией (100) в форме шайбы диаметром 20 мм и толщиной ~350 мкм, имели п-ти-па проводимости и с концентрацией носителей тока 5 • 1017см_3. Процесс кристаллизация тонких пленок на кристаллы GaAs было проведено из оловянного раствора-расплава с последующим принудительным охлаждением в атмосфере водорода, очищенного палладием. Состав и соотношение элементов раствора-расплава были выбраны на основе литературных данных. Гетерообразцы выращивались при различных значениях технологии жидкостной эпитаксии и составляющих компонентов в соответствии с данными авторов работ [5; 6]. Пленки с необходимыми физическими параметрами были выращены при температурном интервале кристаллизации оловянного раствора-расплава 730-630, 650-550 °С и скорости охлаждения подложки _ 1 град/мин. Выращенные пленки имели р-тип проводимости и толщину 10 мкм.
Учитывая то, что при исследовании электрофизических свойств полупроводниковых твердых растворов особое место занимает качество омических контактов, тщательно подбирали их состав и условия нанесения. Это означает, что на контакте не должен происходит инжекция носителей и имеется линейная зависимость тока от напряжения в обоих полярностях напряжения, контакт должен быть строго омическим. В нашем случае это достигается созданием области сильного легирования полупроводника между металлом и полупроводником. Для получения омических контактов к полупроводниковым твердым растворам (GaAs)1 _ х _ ^е2)х^^е), мы использовали следующие материалы: Аи, Ag, Ge-Ag(1/10), 1п, 1п^а(1/1), Sn, 1п^а(1/2).
Качество омичности, полученных контактов предварительно оценивалось на характереографе, а в последующем проверялись измерением падения напряжения, а также определением их сопротивлении.
Для дырочного типа проводимости полупроводниковых твердых растворов (GaAs)1 _ х _ ^е2)х контакты с наименьшим удельным сопротивлением и с хорошей линейностью получены при вакуумном напылении Аи и Ag на поверхность эпитаксиаль-ных слоев с последующим отжигом при температуре 150 °С. Кроме того, было обнаружено, что остатки раствора-расплава ^п + GaAs + ZnSe + Ge), имеющиеся в отдельных местах на поверхности эпитаксиальных слоев в виде мельких капель также использованы в качестве омических контактов.
Электрофизические свойства полученных эпи-таксиальных слоев (GaAs)1 _ х _ ^е2)х^^е), изучены методом Ван-дер-Пау в температурном интервале 77_330 К, а тип проводимости твердых растворов определялся термозондом, а также по знаку постоянной Холла. Нелегированные слои твердого раствора преимущественно оказывались дырочного типа проводимости и для исследований в основном использовались также образцы, то есть слоях твердых растворов с дырочным типов проводимости.
РЕЗУЛЬТАТЫ ИССЛЕДОВАНИЙ И ОБСУЖДЕНИЯ
Результаты измерений концентрации, удельного сопротивления и подвижности при температурах 77 и 300 К для отдельных партий образцов приведены в табл. 1.
Таблица 1
Некоторые электрофизические свойства эпитаксиальных слоев (GaAs^ _ x _ (Ge2)x (ZnSe)y [Some electrophysical properties of epitaxial layers (GaAs^ _ x_ (Ge2)x(ZnSe)^]
Температурный интервал роста, °С [Temperature range of growth, °С] 300 К 77 К
р, см 3 [р, cm3] р, Ом • см [р, й • cm] ц, см2/В • с [ц, cm2/V • s] р, см 3 [р, cm3] р, Ом • см [р, й • cm] ц, см2/В • с [ц, cm2/V • s]
650-550 3 • 1016-1017 2-7 30-35 1015-7 • 1015 6-12 110-135
730-630 1017-3 • 1018 0.07-2 18-26 9 • 1015-5 • 1016 0.1-6 70-105
lnn,sm 3 ln|j, (V-s)/sm2
103/7", K-1
a
ln T, K b
Рис. 1. Температурные зависимости концентрации (а) и подвижности (Ь) носителей заряда для слоев (GaAs)t _ x _ у (Ge2)x (ZnSe),, выращенных при различных условиях:
1 - Гнк = 730 °С; 2 - Тнк = 650 °С.
Fig. 1. Temperature dependences of concentration (a) and mobility (b) carriers of a charge for layers (GaAs): _ x _ (Ge2)x (ZnSe) grown up under various conditions:
1 - т.
bc
730°С; 2 - Т. = 650°С
bc
Температурные зависимости концентрации носителей тока таких слоев твердых растворов (GaAs)1 _ х _у (Ge2)x^^е), в интервале температур 77-300 К (рис. 1, а) показали что это, зависимость в полулогарифмическом масштабе от обратной температуры имеет несколько явно выраженных прямолинейных участков с различными углами наклона. Энергии активации носителей, соответствующих этим участкам определенные по наклонам прямых имеют значения 0,19, 0,07, 0,029 эВ, которые соответствуют энергии ионизации примесных атомов 8п, Ge, Zn в арсениде галлия [7].
Учитывая то, что механизмы, токопрохождения, в многокомпонентных полупроводниковых твердых растворах имеют особую важность, нами исследованы зависимости подвижности носителей от температуры. Кроме того, известно, что механизмы рассеяния носителей зарядов в твердых растворах могут дать дополнительную информацию о дефектах и структурном совершенстве кристалла. В связи с этим нами исследованы Холловская подвижность носителей заряда в магнитом поле с напряженностью 5 • 103 Э в температурном интервале 77-300 К, в слоях, выращенных на полу-
изолирующих подложках GaAs р = 106-108 Ом • см. Было обнаружено, что подвижность носителей заряда при прочих равных условиях всегда оказывались в несколько раз выше в слоях, выращенных на нижних подложках, то есть тех слоях, где по морфологическим данным и дифракционным измерениям было показано относительно высокое структурное совершенство.
Температурная зависимость Холловской подвижности исследованных образцов имеет типичный вид, представленный на рис. 1, Ь. При низких температурах с увеличением температуры подвижность носителей
Г 3/2
,
что соответствует рассеянию дырок на ионизованных примесях. Далее, кривая зависимости 1п ^ = (1/Г) проходит через максимум, после которого следует спад подвижности носителей заряда пропорционально квадрату обратной температуры ^ ~ Т -2. Следовательно, величина подвижности носителей заряда в исследуемых нами твердых растворах (GaAs)1 - х - у (Ое2)х ^^е), с увеличением температуры уменьшается сильнее, чем следовало ожидать в случае рассеяния носителей на высокотемпературных колебаниях решетки ^ ~ Т 3/2. Вероятно, это связано с особенностями кристаллической
DEVELOPMENT OF FUNCTIONAL NANOMATERIALS BASED ON NANOPARTICLES
структуры твердого раствора. Обнаруживается увеличение подвижности дырок с увеличением содержания германия в твердом растворе.
ВОЛЬТ-АМПЕРНЫЕ И ВОЛЬТ-ЕМКОСТНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ГЕТЕРОПЕРЕХОДОВ n-GaAs-p-(GaAs)1 _ х _ у (Ge2)x (ZnSe)y
Поскольку, приборные характеристики гетероди-одов в основном определяются механизмами токо-прохождения, то изучение вольтамперной и вольт-емкостной характеристик гетеропереходных структур и влиянии на них различных внешних факторов являются одной из актуальных задач. Поэтому в данном разделе приводятся результаты исследований вольтамперной и вольт-емкостной характеристик гетерострук-тур n-GaAs-p-(GaAs^ _ х _ у (Ge2)x (ZnSe)y.
Для проведение эксперимент в по изучению вольтамперной характеристики (ВАХ) выбраны гетеро-структуры n-GaAs-p-(GaAs)t _ x _ у(Ge2)x(ZnSe)^, изготовленные, в различных технологических условиях (температура начала эпитаксии, временной интервал роста, состав раствора-расплава, объем раствора-расплава и т.д.). Измерения показали, что по виду образцы можно разбить на две группы. ВАХ одной группы образцов содержали участки, для которых как и в работе [8], преобладает туннельно-рекомбинационный механизм прохождения тока через гетеропереход (рис. 2, a), то есть в зависимостях тока от напряжения наблюдаются два последовательных экспоненциальных участка, по форме не зависящих от температуры (рис. 2, b). Такую зависимость ВАХ можно аппроксимировать следующей формулой:
1 = V exP (oiiV) + ;02 exP ^^
где öl = 6; а2 = 3,5.
Выпрямляющий коэффициент данной гетерострук-туры в зависимости от технологических условий изменялись в интервале 10-300. Обратную ветвь ВАХ данных гетеропереходов можно описать следующим выражением:
I* = Аутб ,
обр обр'
где m - для напряжения до 1 В составляло —1, а для больших напряжений —8.
Для другой группы образцов типичен ВАХ со следующими последовательными участками (рис. 3)
I ~ V; I ~ V2; I ~ Vа; I ~ V2; I ~ Vß,
где значения а и ß в зависимости от режима роста изменяются в интервале 7-12. Это свидетельствует о том, что через такие гетероструктуры протекают токи ограниченные пространственным зарядом (ТОПЗ) [9].
Исследования с использованием косых шлифов образцов, выращенных в различных технологических условиях, а также морфологические исследования скола гетероструктур показали, что для первой группы образцов эпитаксиальные слои твердых растворов фактически росли или на слегка подрастворенных раствором-расплавом подложках GaAs или же на подложках GaAs на поверхности которых не успели образоваться высокоомные прослойки.
Во второй группе образцов между пленкой и подложкой обнаружена тонкая высокоомная прослойка, что вероятно и определило характер токопрохождения через гетероструктуры.
Образование высокоомной прослойки, вероятно, связано с интенсивным испарением цинка из раствора-расплава, находящегося при относительно высокой температуре и диффузионным внедрением его на поверхность подложки n-GaAs, которая перед началом эпитаксии располагалась в непосредственной близости от раствора-расплава.
In I, A
10-
10-3
10-
10-
0,4 U,V a
In I, A 2,0
1,5
100
10-1
10-2
10-3
104
10-5
0,3 0,4 0,5 U,V b
0,6 0,7
Рис. 2. Вольтамперные характеристики гетероструктур n-GaAs-p-(GaAs)1 _ x _ у (Ge2)x (ZnSe)y.
При комнатной (а) и при различных температурах (Ь): 1 - 325 К; 2 - 350 К; 3 - 375 К; 4 - 400 К (Тнк = 650 °С)
Fig. 2. Current-voltage characteristics of heterostructures n-GaAs-p-(GaAs): _ x _ у (Ge2)x (ZnSe)v.
At room (a) and at various temperatures (b):
1 - 325 К; 2 - 350 К; 3 - 375 К; 4 - 400 К (ГЬс = 650 °С)
In I, A 10-2
10-:
10-
10-
10н
-
- ö л ^ /
1
---T"^ i , 1 1 1
0 12 3 4
In U,V
Рис. 3. ВАХ гетероструктур n-GaAs-p-(GaAs\ _ x _ у (Ge2)x (ZnSe)y. Тн. = 730 °С
Fig. 3. I-V characteristics of heterostructures n-GaAs-p-(GaAs\ _ x _ у (Ge2)x (ZnSe)y. Tbc = 730 °С
При этом есть вероятность компенсации донор-ных примесей подложки внедренными атомами цинка. В пользу этого предположения свидетельствует и тот экспериментальный факт, что увеличение времени выдержки подложки в указанном положении приводило к увеличению толщины высокоомной прослойки. Следовательно, вторая группа образцов фактически представляет собой n-GaAs-p-(GaAs)1 _ x - у (Ge2)x (ZnSe)^.
Измерения вольтемкостных характеристик n-GaAs-p-(GaAs)1 _ x - у(Ge2)x(ZnSe)^ гетероструктур приводились при температуре 300 К, на частоте 1 МГц на установке ЕС-12.
На этих C-V-зависимостях обнаружен (кривые 1, 2, 3 на рис. 4) участок, где емкость структуры почти не зависит от приложенного напряжения. Такие зависимости известны в литературы [10] для гетероструктур n-CdS/p-CdTe и n-ZnS/p-CdTe. Появление плато на вольтфарадных характеристиках в работах [11-14] объясняется наличием на гетерогранице слоя с более высоким удельном сопротивлением, толщина которого сравнима с толщиной области объемного заряда при подаче обратного смещения на гетеропереход.
Механизм возникновения высокоомной прослойки в структурах n-GaAs-p-(GaAs)1 - x - у (Ge2)x(ZnSe)y ранее был обсужден в работе [15]. Толщины высокоом-ных прослоек, определенные с использованием значений емкостей, соответствующих плато, составляли для разных образцов 0,51, 0,35 и 0,22 мкм. Обнаружено, (кривая 1 на рис. 4) что толщина высокоомных прослоек зависит как от температуры выдержки подложек GaAs над раствором-расплавом непосредственно перед процессом его погружения (кривая 2 на рис. 4), так и от продолжительности выдержки (рис. 4, кривая 3). Таким образом, выбирая необходимую технологию роста пленок можно получить структуры n-GaAs-p-(GaAs)1 - x - у (Ge2)x (ZnSe)y с тем или иным механизмом прохождения тока через гетеропереход, что представляет особый интерес в микроэлектронике.
Х1018Ф-2
1 3,5
3,0
2,5
2 о 5—О—ОО—Q ■
— 2,0
CL- 1,5
3 1,0-
0,5
| 1,1, 0,0 |
-2 U.V
Рис. 4. Вольт-емкостные характеристики структур n-GaAs-p-(GaAs): - х - у (Ge2)x (ZnSe)y:
Fig. 4. C-V characteristics of heterostructures
n-GaAs-p-(GaAs)1 - x - у (Ge2)x (ZnSe)y:
1 - Tbc = 730 °С, t = 150 min; 2 - Tbc = 730 °С, t = 100 min;
3 - T_
-- 650 °С, t = 100 min
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
На основе проведенных исследований некоторых электрофизических свойств гетеропереходов n-GaAs-p-(GaAs)1 _ х - у (Ое2)х(ZnSe)y сделаны следующие выводы:
• показано, что холловская подвижность дырок в слоях (GaAs)1 _ х -у(Ge2)x(ZnSe)^ при низких температурах определяется рассеянием их на ионизованных примесях, а при высоких-определяется рассеянием на колебаниях решетки. Обнаружена зависимость подвижности дырок, при прочих разных условиях, от состава и структурного совершенства эпитакси-альных слоев;
• исследованы вольт-амперные характеристики ге-тероструктур n-GaAs-p-(GaAs)1 _ х - у(Ое2)х(ZnSe)^, полученных в различных температурных режимах: Т = 730 °С и Т = 650 °С. Показано, что в структу-
нк нк
рах n-GaAs-p-(GaAs)1 _ х - у (Ge2)x (ZnSe)^, полученных при Тнк = 750 °С, токопрохождение определяется тун-нельно-рекомбинационным механизмом, а в структурах n-GaAs-p-(GaAs)1 _ х - у (Ge2)x(ZnSe)^, полученных при Тнк = 730 °С протекают токи ограниченные объемным зарядом;
• исследованием вольт-фарадных характеристик n-GaAs-p-(GaAs)1 _ х - у(Ge2)x(ZnSe)^ гетероструктур обнаружено, что на гетерогранице образуются области с более высокими удельными сопротивлениями, толщина которых изменяются в зависимости от условий роста в интервале 0,2-0,5 мкм.
0
1 - Тнк = 730 °С, t = 150 мин; 2 - Тнк = 730 °С, t = 100 мин;
3 - Т = 650 °С, t = 100 мин
DEVELOPMENT OF FUNCTIONAL NANOMATERIALS BASED ON NANOPARTICLES
Литература
References
1. Саидов М.С. Электроактивность изовалентныгх примесей и фотовольтаический эффект // Гелиотехника. 2005. № 3. Ст. 67-72.
2. Londos C.A., Sgourou E.N., Hall D., Chroneos A. Vacancy-oxygen defects in silicon: the impact of isovalent doping // J. Mater Sci: Mater Electron. 2014. Vol. 25 (6). Pp. 2395-2410.
3. Pashartis C., Rubel O. Localization of electronic states in III-V semiconductor alloys: A comparative study // Physical Review Applied. 2017. Vol. 7 (6). Pp. 064011-(1-12).
4. Saidov A.S., Razzakov A.Sh., Risaeva V.A., Koschanov E.A. Liquid-phase epitaxy of solid solutions (Ge2)1 - (ZnSe)* // Materials Chemistry and Physics. 2001. Vol. * 68 (1-3). Рр. 1-6.
5. Усмонов Ш.Н. Взаимодействие примесей в твердых растворах на основе кремния, арсенида галлия, селенида цинка, сернистого кадмия и электрофизические свойства гетероструктур, полученный на их основе: Дис. ... д-ра физ.-мат. наук. Ташкент: ФТИ, 2018. 220 с.
6. Марончук И.Е., Кулюткина Т.Ф., Марончук И.И., Быковский С.Ю. Жидкофазная эпитаксия и свойства наногете-роструктур на основе соединений III-V // Наносистемы, наноматериалы, нанотехнологии. 2012. Т. 10 (1). С. 77-88.
7. Бахадирханов М.К., Ортиков И.Б. Малый энциклопедический словарь по полупроводниковым материалам. Ташкент, 2006.
8. Катеринчук В.Н., Кудринский З.Р., Хомяк В.В. и др. Электрические и фотоэлектрические свойства анизотипных гетеропереходов n-CdO-p-InSe // Физика и техника полупроводников. 2013. Т. 47. Вып. 7. С. 935-938.
9. Зайнабидинов С.З., Бобоев А.Й., Лейдерман А.Ю. Исследование механизмов переноса тока в n-GaAs^-(GaAs^ - * - v (Ge2)x (ZnSe) гетероструктур // Узбекский физический журнал. 2019. № 1. С. 14-21.
10. Ashith V.K., Priva K., Rao G.K. The electrical properties of n-CdS/p-CdTe and n-ZnS/p-CdTe heterojunctions fabricated by a combination of SILAR and vacuum deposition techniques // Physica B: Condensed Matter. 2021. No. 614. Р. 413025.
11. Музафарова С.А., Мирсагатов Ш.А., Жанаберге-нов Ж. Механизм переноса тока в гетеропереходах n-CdS/p-CdTe // Физика твердого тела. 2007. Т. 49. Вып. 6. С. 1111-1116.
12. Goutam Kumar Dalapati et al. Defect analysis and performance evaluation of p-type epitaxial GaAs layer on Ge substrate for GaAs/Ge based advanced device // Adv. Mater. Lett. 2016. No. 7 (7). Pp. 517-524.
13. Shih-Hsuan Tang et al. Ge epitaxial films on GaAs (100), (110), and (111) substrates for applications of CMOS hetero-structural integrations // Journal of Vacuum Science & Technology B. 2013. No. 31. P. 021203.
14. Chen Weidong. Gallium arsenide (100) and zinc selenide (100): Surfaces and interfaces with metals: Dis. ... Cand. Sci. (Philos.). Princeton University, 1995. P. 9528916.
15. BoboevA.Y., KalanovM.U., ZainabidinovS.Z. et al. Research of current transport mechanism in n-GaAs-p-(GaAs)1 - * _ v (Ge2)x (ZnSe)v heterostructure at various temperatures // Доклады Академии наук PYs. 2016. № 6. С. 43-45.
1. Saidov M.S. Electroactivity of isovalent impurities and photovoltaic effect. Solar Engineering. 2005. No. 3. Pp. 67-72. (In Rus.)
2. Londos C.A., Sgourou E.N., Hall D., Chroneos A. Vacancy-oxygen defects in silicon: the impact of isovalent doping. J. Mater Sci: Mater Electron. 2014. Vol. 25 (6). Pp. 2395-2410.
3. Pashartis C., Rubel O. Localization of electronic states in III-V semiconductor alloys: A comparative study. Physical Review Applied. 2017. Vol. 7 (6). Pp. 064011-(1-12).
4. Saidov A.S., Razzakov A.Sh., Risaeva V.A., Koschanov E.A. Liquid-phase epitaxy of solid solutions (Ge2)1 _ (ZnSe)x. Materials Chemistry and Physics. 2001. Vol. 68 (1-3). PpX 1-6.
5. Usmonov Sh.N. Interaction of impurities in solid solutions based on silicon, gallium arsenide, zinc selenide, cadmium sulphide and electrophysical properties of heterostructures obtained on their basis: Dis. ... Dr. Sci. (Phys.-Math.). Tashkent: FTI, 2018. 220 p.
6. Maronchuk I.E., Kuljutkina T.F., Maronchuk I.I., Bykovskij S. Ju. Liquid-phase epitaxy and properties of nanoheterostruc-tures based on compounds III-V. Nanosystems, Nanomate-rials, Nanotechnologies. 2012. Vol. 10 (1). Pp. 77-88. (In Rus.)
7. Bahadirhanov M.K., Ortikov I.B. Small encyclopedic dictionary of semiconductor materials. Tashkent, 2006.
8. Katerinchuk V.N., Kudrinskij Z.R., Homjak V.V. et al. Electrical and photoelectric properties of anisotypic heterojunctions n-CdO-p-InSe. Physics and Technology of Semiconductors. 2013. Vol. 47. Issue 7. Pp. 935-938. (In Rus.)
9. Zajnabidinov S.Z., Boboev A.J., Lejderman A.Ju. Investigation of current transfer mechanisms in n-GaAs-p-(GaAs)1 - - (Ge2)x (ZnSe) heterostructures. Uzbek Physical Journa/.X2019. No. 1. Pp.y 14-21.
10. Ashith V.K., Priya K., Rao G.K. The electrical properties of n-CdS/p-CdTe and n-ZnS/p-CdTe heterojunctions fabricated by a combination of SILAR and vacuum deposition techniques. Physica B: Condensed Matter. 2021. No. 614. P. 413025.
11. Muzafarova S.A., Mirsagatov Sh.A., Zhanabergenov Zh. The mechanism of current transfer in n-CdS/p-CdTe het-erojunctions. Solid State Physics. 2007. Vol. 49. Issue 6. Pp. 1111-1116.
12. Goutam Kumar Dalapati et. al. Defect analysis and performance evaluation of p-type epitaxial GaAs layer on Ge substrate for GaAs/Ge based advanced device. Adv. Mater. Lett. 2016. No. 7 (7). Pp. 517-524.
13. Shih-Hsuan Tang et. al. Ge epitaxial films on GaAs (100), (110), and (111) substrates for applications of CMOS hetero-structural integrations. Journal of Vacuum Science & Technology B. 2013. No. 31. P. 021203.
14. Chen Weidong. Gallium arsenide (100) and zinc selenide (100): Surfaces and interfaces with metals: Dis. ... Cand. Sci. (Philos.). Princeton University, 1995. P. 9528916.
15. BoboevA.Y., Kalanov M.U., Zainabidinov S.Z. et al. Research of current transport mechanism in n-GaAs-p-(GaAs)1 - x - y (Ge2)x (ZnSe) heterostructure at various temperatures. Doklady Akademii Nauk RUz. 2016. No. 6. Pp. 43-45.
Статья проверена программой Антиплагиат
Рецензент: Рахимов Р.Х., доктор технических наук; зав. лабораторией № 1 Института материаловедения Научно-производственного объединения «Физика-Солнце» Академии наук Республики Узбекистан
Статья поступила в редакцию 10.05.2022, принята к публикации 14.06.2022 The article was received on 10.05.2022, accepted for publication 14.06.2022
СВЕДЕНИЯ ОБ АВТОРАХ
Зайнабидинов Сиражиддин Зайнабидинович, доктор физико-математических наук, академик Академии Наук Республики Узбекистан; профессор Андижанского государственного университета. Андижан, Республика Узбекистан. Scopus Author ID: 6603790401; ORCID: 0000-0003-2943-5844; E-mail: prof_sirojiddin@ mail.ru
Бобоев Акрамжон Йулдашбоевич, кандидат физико-математических наук; доцент Андижанского государственного университета. Андижан, Республика Узбекистан. Scopus Author ID: 56907010900; ORCID: 0000-0002-3963-708X; E-mail: aboboevscp@gmail.com Абдурахимов Дилхаётжон Пулатжон угли, докторант Андижанского государственного университета. Андижан, Республика Узбекистан. ORCID: 0000-00029754-9272; E-mail: dilhayota@gmail.com
ABOUT THE AUTHORS
Sirajiddin Zaynabidinov, Dr. Sci. (Phys.-Math.), Academician at the Academy of Sciences of the Republic of Uzbekistan; Professor at the Andijan State University. Andijan, Republic of Uzbekistan. Scopus Author ID: 6603790401; ORCID: 0000-0003-2943-5844; E-mail: prof_sirojiddin@mail.ru
Akramjon Boboev, Cand. Sci. (Phys.-Math.); docent at the Andijan State University. Andijan, Republic of Uzbekistan. Scopus Author ID: 56907010900; ORCID: 0000-0002-3963-708X; E-mail: aboboevscp@gmail.com Dilhayotjon Abdurahimov, doctoral student at the Andijan State University. Andijan, Republic of Uzbekistan. ORCID: 0000-0002-9754-9272; E-mail: dilhayota@ gmail.com
