CC BY
121
Описание и особенности применения микросхемы высоковольтного импульсного регулятора LM5001-Q1
А.В. Серебрянников, Г.В. Малинин, А.И. Самсонов Чувашский государственный университет имени И.Н. Ульянова, г. Чебоксары
Аннотация: В статье приведена структура и подробное описание работы микросхемы высоковольтного импульсного регулятора автомобильного класса LM5001-Q1, а также рассмотрены основные особенности её применения. Описаны все возможные режимы работы микросхемы, суть способа управления по току и компенсации наклона кривой тока. Объяснены принципы работы схем ограничения тока и тепловой защиты, а также особенности организации внешней синхронизации.
Ключевые слова: LM5001-Q1, микросхема, высоковольтный импульсный регулятор, импульсный преобразователь постоянного напряжения, широтно-импульсное регулирование.
Введение
Построение источников питания для автомобильной электроники является сложной и ответственной задачей [1-2]. Регуляторы напряжения в таких источниках должны работать в широком диапазоне номинальных напряжений, быть устойчивыми к воздействию кондуктивных помех и статических разрядов, а также иметь широкий диапазон рабочих температур [3-4].
Компания Texas Instruments, Inc. (USA, Texas) предлагает огромный выбор (более 120 наименований) аттестованных для автомобильной промышленности микросхем импульсных DC/DC-преобразователей [1]. Одной из таких микросхем является высоковольтный импульсный регулятор LM5001-Q1, который появился на рынке совсем недавно, поэтому информации на русском языке об этой микросхеме практически нет.
1. Структура и принцип работы микросхемы LM5001-Q1
Микросхема LM5001-Q1 представляет собой высоковольтный импульсный регулятор, обладающий всеми функциями для построения эффективных импульсных преобразователей постоянного напряжения (DC-DC преобразователей) с различной топологией силовых частей (повышающий
(Boost), обратноходовой (Flyback), прямоходовой (Forward), SEPIC (Single-Ended Primary Inductor Converter - несимметричный преобразователь на катушках индуктивности)) с использованием лишь нескольких внешних компонентов [5-6].
Микросхему можно использовать для построения источников питания для промышленных, телекоммуникационных и автомобильных приложений. Этот простой в использовании регулятор имеет в своей структуре n-канальный МОП-транзистор на напряжение 75 В, датчик тока этого транзистора, схему ограничения пикового значения тока с порогом 1 А, высоковольтный регулятор напряжения смещения VCC (напряжения питания драйвера встроенного МОП-транзистора), широкополосный усилитель ошибки (рис. 1). Кроме ограничения тока в микросхеме реализованы такие функции защиты, как блокировка при понижении входного напряжения (UVLO - Under-Voltage Lock-Out) и тепловая защита. Микросхема имеет возможность внешнего разрешения работы (Enable) или отключения микросхемы (Shutdown).
Частота переключений ключевого транзистора устанавливается с помощью единственного резистора и может достигать 1,5 МГц. Задающий генератор к тому же может быть синхронизирован внешними тактовыми импульсами. Микросхема может работать при температуре кристалла от -40 °C до 125 °C и соответствует стандарту AEC-Q100. Регулятор имеет ультраширокий диапазон входного напряжения (от 3,1 В до 75 В), регулирование выходного напряжения с точностью 1,5 %, пилообразное напряжение компенсации наклона кривой тока, максимальный коэффициент заполнения (относительную длительность включенного состояния транзистора) 85 %.
В начале каждого периода переключений задающий генератор тактовым импульсом ux устанавливает логику драйвера в состояние логической «1» и включает силовой МОП-транзистор для протекания тока в силовой части преобразователя через катушку индуктивности или трансформатор. Пиковое значение тока силового МОП-транзистора
Высоковольтный регулятор с низким падением напряжения (HV-LDO)
VIN О-
EN О—
6 мкА
0,45 В
f/вх = 3,1...75 В -И-1 Vcc = 6,9 В
[И
Генератор
Запрет опорных
VCC -О
5В
1,26 В
Разрешение
Задающий генератор с возможностью
внешней синхронизации
«т Л_П_iL
Максимальный коэффициент заполнения
Разрешение
— 450 мВ
— 0
Vc
Встроенный ключевой транзистор SW
CS
X 0,7
5В
1,26 В
5 кОм
FB
О—
Усилитель
ошибки
COMP О—
Разрешение
+
1,3 В 1,5 В
ШИМ-
компаратор
Триггер ШИМ
CS
S T
R
Q
L & И-1
Драйвер
Усилитель сигнала с датчика тока
CS Ку = 30
Компаратор ограничения тока
I Подавление --
по фронту
Рис. 1. - Функциональная схема микросхемы LM5001-Q1
Датчик
тока 50 мОм
GND -О
u
п
u
п
u
т
u
к
1
u
т
управляется напряжением на выводе COMP, которое повышается при увеличении нагрузки и снижается при её уменьшении. Это напряжение сравнивается с суммой напряжения, пропорционального току силового МОП-транзистора, и напряжения пилы ип , генерируемой внутри микросхемы. Когда суммарный сигнал превышает напряжение на выводе COMP, ШИМ-компаратор сбрасывает логику драйвера, выключая силовой МОП-транзистор. В начале следующего рабочего периода логика драйвера снова устанавливается задающим генератором в состояние «1».
2. Особенности работы основных узлов микросхемы LM5001-Q1
2.1. Высоковольтный регулятор напряжения смещения Vcc Высоковольтный регулятор напряжения смещения Vcc с низким падением напряжения (HV-LDO) микросхемы LM5001-Q1 позволяет ей работать при минимально возможном входном напряжении ивх [6]. Когда входное напряжение находится в диапазоне от 2,8 В до 6,9 В, напряжение Vcc ~ ивх . При ивх > 6,9 В, напряжение Vcc будет поддерживаться на уровне 6,9 В.
Ток выхода регулятора напряжения Vcc ограничен значением 20 мА. Во время включения, когда напряжение Пъх > 2,8 В, а напряжение на выводе EN больше 0,45 В, регулятор напряжения Vcc включается и подаёт ток на внешний керамический конденсатор ёмкостью не менее 0,47 мкФ, который необходимо подключить к выводу Vcc.
2.2. Задающий генератор и организация внешней синхронизации Частоту задающего генератора микросхемы LM5001-Q1 устанавливает один внешний резистор, подключаемый между выводами RT и GND. Если желаемая частота переключений генератора равна f , то необходимое значение сопротивления резистора RT рассчитывается по формуле [6]:
Ят = 13,1 -109 •
' 1 л --83 нс
/п
у
Микросхема также может быть синхронизирована по фронту импульсов от внешнего тактового генератора, частота которого должна быть больше собственной частоты задающего генератора, установленной резистором Ят . Тактовый сигнал должен быть подан на вывод ЯТ через конденсатор ёмкостью 100 пФ. Размах импульсов на выводе ЯТ должен быть больше 2,6 В. Микросхема регулирует среднее значение напряжения на резисторе Ят на уровне 1,5 В. Отрицательная амплитуда импульсов синхронизации поддерживается равной 1,5 В внутренним усилителем микросхемы с выходным сопротивлением примерно 100 Ом. Таким образом, для успешной организации внешней синхронизации задающего генератора двуполярный импульс, прикладываемый к резистору Ят , должен иметь положительную амплитуду не менее 1,1 В. Длительность импульсов синхронизации на выводе ЯТ должна быть больше 15 нс и меньше 5 % от периода переключений.
2.3. Режимы работы микросхемы
Микросхема ЬЫ5001^1 имеет два уровня разрешения работы («Отключение» и «Ожидание»), которые реализуются с помощью двух компараторов, связанных с выводом БЫ. Когда напряжение на выводе БЫ ниже 0,45 В, микросхема находится в режиме отключения с низким током потребления (около 95 мкА) и отключенным регулятором напряжения Уее. Когда напряжение на выводе БЫ выше порога отключения 0,45 В, но ниже порога ожидания 1,26 В, регулятор напряжения Уее включается, в то время как оставшаяся часть микросхемы остаётся отключенной. Когда напряжение на выводе БЫ поднимается выше порога ожидания 1,26 В, а напряжение Уее будет больше порога 2,8 В, работа всех узлов микросхемы разрешается и начинается нормальная работа регулятора. Контроллер остаётся включенным до тех пор, пока напряжение Уее не опустится ниже 2,7 В или напряжение на
выводе EN не станет ниже 1,16 В (для пороговых значений 2,8 В и 1,26 В имеется гистерезис в 100 мВ).
Внутренний источник тока 6 мкА подтягивает напряжение на выводе EN до нужного значения, чтобы разрешить работу микросхемы, когда на вывод EN ничего не подаётся.
2.4. Усилитель ошибки и ШИМ-компаратор Внутренний усилитель ошибки с высоким коэффициентом усиления генерирует сигнал ошибки, пропорциональный разности между регулируемым выходным напряжением и внутренним опорным напряжением микросхемы LM5001-Q1. Выход усилителя ошибки подключен к выводу COMP, позволяя разработчику импульсного преобразователя добавлять в схему управления цепь коррекции, как правило, 2-го порядка [6]. Для примера, который показан на рис. 2, а, передаточная функция усилителя ошибки с учётом цепи коррекции будет иметь вид [7-10]:
W ( ) Kуо (1 + Т Р)
где Куо - коэффициент усиления по постоянному току, т1 и T1 - постоянные времени, причём:
1 C C
Куо = п( +П ), Т = R2C2, T = R2 12
Л,(С, + С2) " — С, + С2 '
Эта цепь коррекции создаёт низкочастотный полюс (р = 0), который даёт первоначальный наклон -20 дБ/дек асимптотической логарифмической амплитудно-частотной характеристики (ЛАЧХ) усилителя ошибки £уо(ю) (рис. 2, б). Для точного регулирования выходного напряжения коэффициент усиления Куо должен быть достаточно большим. Нуль юн = 1/т, обеспечивает большое значение фазы вблизи частоты среза юс , чтобы иметь большой запас устойчивости по фазе, а высокочастотный полюс юп = 1/^ способствует ослаблению высокочастотных колебаний, вызванных переключениями
Um
R1
5 В
1,26 В
5 кОм
FB
Цепь коррекции
R2
С1
Н
С2
Усилитель ошибки
"t
COMP
1,3 В L
е
ШИМ-компаратор
LM5001-Q1
Ro
а
I Хуо(ю)
.-20
V
20lg(K уоТ1)
^-20 Я
У /-:
11/1
Юн =
Ii K
ю
Уо
Юп
T
б
Рис. 2. - Подключение цепи коррекции 2-го порядка (а); асимптотическая ЛАЧХ усилителя ошибки с учётом цепи коррекции
ключевого транзистора. ШИМ-компаратор сравнивает сигнал на выходе усилителя датчика тока с выходным напряжением усилителя ошибки.
2.5. Управление по току и компенсация наклона кривой тока Микросхема LM5001-Q1 работает в режиме управления по пиковому значению тока, которое также обеспечивает функцию попериодного ограничения тока. Внутренний резистивный датчик тока сопротивлением 50 мОм измеряет ток истока встроенного МОП-транзистора. Напряжение на резисторе с помощью операционного усилителя усиливается в 30 раз, чтобы обеспечить сигнал 1,5 В/А, подаваемый на компаратор ограничения тока. Ограничение тока включается, если входное напряжение отвечающего за это компаратора превышает порог 1,5 В, соответствующий току 1 А. При этом вывод SW немедленно переключается в г-состояние (состояние высокого импеданса).
Сигнал тока МОП-транзистора перед подачей на ШИМ-компаратор умножается на коэффициент 0,05-30 0,7 = 1,05 В/А. Затем полученный сигнал
1
0
суммируется с пилообразным напряжением с амплитудой 450 мВ (0 В в начале и 450 мВ в конце периода переключений). Суммарный сигнал сравнивается в ШИМ-компараторе с сигналом управления, который достигает 1,5 В, когда ток МОП-транзистора равен 1 А.
Добавление к сигналу с датчика тока пилообразного напряжения с фиксированным наклоном и называется компенсацией наклона кривой тока. Такая компенсация используется в структурах с ШИМ и управлением по току для устранения субгармонических колебаний тока в виде чередования коротких и длинных ШИМ-импульсов, которые возникают в статических режимах работы с коэффициентом заполнения более 50 %.
2.6. Тепловая защита
Внутренняя схема тепловой защиты микросхемы LM5001-Q1 необходима для её отключения при достижении максимально допустимой температуры кристалла 165 °C. При этом регулятор переводится в состояние ожидания с низким энергопотреблением и с отключением всех узлов, кроме регулятора напряжения VCC . Дальнейшая работа регулятора будет разрешена только после уменьшения температуры кристалла на 20 °С.
2.7. Силовой МОП-транзистор
Микросхема LM5001-Q1 содержит в своей структуре и-канальный МОП-транзистор с сопротивлением во включенном состоянии 440 мОм, которое меняется с изменением температуры. Типовой заряд затвора встроенного МОП-транзистора составляет 4,5 нКл и обеспечивается от напряжения VCC , когда транзистор включен.
Литература
1. Гавриков В. Texas Instruments за рулём: компоненты TI для автомобильных приложений // Новости электроники. 2014. №7. С. 23-29.
2. Звонарев Е., Черемисов П. Рекомендации при проектировании схем
защиты цепей питания 12 и 24 В для автомобильных приложений // Новости электроники. 2014. №8. С. 12-14.
3. Шанин Д. А., Чикин В.В. Нейросетевой адаптивный контроллер для задачи управления объектом с неизвестной структурой посредством глобальной обратной связи // Инженерный вестник Дона. 2008. №2. URL: ivdon.ru/ru/magazine/archive/n2y2008/60.
4. Кульченко А.Е. Структурно-алгоритмическая организация автопилота робота-вертолета // Инженерный вестник Дона. 2011. №1. URL: ivdon.ru/ru/ magazine/archive/n1y2011/330.
5. LM5001-Q1. Automotive Grade 3.1-75V Wide Vin, 1A Current Mode Non-Synchronous Switch Mode Regulator. URL: ti.com/product/lm5001-q1.
6. LM5001x High-Voltage Switch-Mode Regulator. URL: ti.com/lit/ds/ symlink/lm5001.pdf.
7. Белов Г.А., Серебрянников А.В., Павлова А.А. К синтезу одноконтурных систем управления понижающими импульсными преобразователями // Практическая силовая электроника. 2013. №2(50). С. 26-33.
8. Белов Г.А., Серебрянников А.В., Павлова А.А. Синтез одноконтурной системы управления понижающим импульсным преобразователем // Практическая силовая электроника. 2013. №3(51). С. 9-15.
9. Белов Г.А., Серебрянников А.В. К синтезу одноконтурной системы управления двухтактным импульсным преобразователем // Силовая электроника. 2013. №3. С. 47-52.
10. Белов Г.А., Серебрянников А.В. Синтез одноконтурной системы управления двухтактным импульсным преобразователем // Силовая электроника. 2013. № 4. С. 10-15.
References
1. Gavrikov V. Novosti elektroniki. 2014. №7. pp. 23-29.
2. Zvonarev E., Cheremisov P. Novosti elektroniki. 2014. №8. pp. 12-14.
3. Shanin D.A., Chikin V.V. Inzenernyj vestnik Dona (Rus). 2008. №2. URL: ivdon.ru/ru/magazine/archive/n2y2008/60.
4. Kul'chenko A.E. Inzenernyj vestnik Dona (Rus). 2011. №1. URL: ivdon.ru/ru/magazine/archive/n1y2011/330.
5. LM5001-Q1. Automotive Grade 3.1-75V Wide Vin, 1A Current Mode Non-Synchronous Switch Mode Regulator. URL: ti.com/product/lm5001-q1.
6. LM5001x High-Voltage Switch-Mode Regulator. URL: ti.com/lit/ds/ symlink/lm5001.pdf.
7. Belov G.A., Serebryannikov A.V., Pavlova A.A. Prakticheskaya silovaya elektronika. 2013. №2 (50). pp. 26-33.
8. Belov G.A., Serebryannikov A.V., Pavlova A.A. Prakticheskaya silovaya elektronika. 2013. №3 (51). pp. 9-15.
9. Belov G.A., Serebryannikov A.V. Silovaya elektronika. 2013. №3. pp. 47-52.
10. Belov G.A., Serebryannikov A.V. Silovaya elektronika. 2013. № 4. pp.
10-15.
