CC BY
33
-►
Конференции
МЛ. Васильева, Т.А. Гаврикова, В.И. Ильин
ОДИННАЦАТАЯ ВСЕРОССИЙСКАЯ МОЛОДЕЖНАЯ КОНФЕРЕНЦИЯ ПО ФИЗИКЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВ И НАНОСТРУКТУР, ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ОПТО- И НАНОЭЛЕКТРОНИКЕ
В Санкт-Петербурге, в здании Санкт-Петербургского физико-технологического научно-об-разователыюго центра РАН с 30 ноября по 4 декабря 2009 года проходила Одиннадцатая всероссийская молодежная конференция по физике полупроводников и наноструктур, полупроводниковой опто- и наноэлектронике. Конференция проводилась при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (проект 09-02-06805-моб_г), Фонда некоммерческих программ "Династия", Закрытого акционерного общества "Полупроводниковые приборы".
Организаторами конференции выступили Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербургский физико-технологический научно-образовательный центр РАН, Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербургский государственный университет.
Большую работу по организации и проведению конференции провели программный (во главе с академиком РАН P.A. Сурисом, ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН) и организационный (во главе с профессором Л.Е. Воробьевым, СПбГПУ) комитеты конференции.
Опубликовано 118 докладов из 33 вузов и научных центров 20 городов России, от Санкт-Петербурга до Владивостока [1].
С приглашенными докладами выступили сотрудники ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН: A.A. Торо-пов ("Плазменное усиление экситонных переходов в полупроводниках") и М.В. Максимов ("Лазеры на основе квантовыхT04eKlnAs/GaAs").
В рамках реализации программы конференции [2] состоялось девять пленарных заседаний (56 докладов) и стендовая сессия (47 докладов)
по разделам "Объемные свойства кристаллов", "Поверхность, граница раздела", "Гетерострук-туры и низкоразмерные системы", "Дефекты и примеси", "Приборы". Фоторепортаж с конференции опубликован на сайте http:// www.photoshare.ru/albuml85117.html (авторы — С.И. Лосев, ФТИ им. Иоффе, В.Ю. Паневин, В.А. Шалыгин, СПбГПУ). Один из снимков приводим здесь.
Программный комитет отметил дипломами и премиями следующих аспирантов и студентов.
Дипломами и премиями (5000 руб.) имени Е.Ф. Гросса за лучшую работу в области оптики полупроводников награждены:
Мелентьев Григорий Александрович, аспирант СПбГПУ ("Эмиссия терагерцового излучения из эпитаксиальных слоев нитрида галлия в латеральном электрическом поле");
Степанов Петр Николаевич, студент СПбГУ ("Низкочастотная лэмбовская мода в расчетном спектре нанокристаллов со структурой сфалерита").
Дипломами I степени и премиями (3000 руб.) награждены:
Богданов Андрей Андреевич, аспирант ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН ("Анализ потерь на свободных носителях в квантовом каскадном лазере ");
Соколова Анастасия Анатольевна, студентка СПбГУ ("Исследование влияния спиновой прецессии триона на долгоживущую спиновую динамику резидентных носителей в квантовых ямах").
Дипломами II степени и премиями (2500 руб.) награждены:
Кунцевич Александр Юрьевич, аспирант МФТИ ("Термодинамическая спиновая намагниченность двумерной электронной системы ");
ИМШЫ
Стендовая сессия. Заведующий кафедрой физики полупроводников и наноэлектроники СПбГПУ
Д.А. Фирсов беседует со студентами
Прокофьева Марина Михайловна, аспирантка ННГУ ("Электролюминесценция InGaAs/ GaAs гетероструктур, содержащих 5<Мп>- слои в области пространственного заряда барьера Шоттки");
Моргун Леонид Александрович, студент МФТИ, соавтор А.Ю. Кунцевич, асп. МФТИ ("Диффузионная поправка к проводимости от электрон-электронного взаимодействия системы Id электронов в кремнии");
Петров Артур Михайлович, студент СПбГЭТУ ("Обнаружение донорных состояний примеси Мп в GaAs, выращенном при низкой температуре").
Дипломами III степени и премиями (2200 руб.) награждены:
Кочиев Михаил Валериевич, аспирант ФИАН, соавтор М.Х. Нгуен, магистр МФТИ ("Влияние температуры на кинетику экситонной фотолюминесценции GaAs/AlGaAs структур с мелкими квантовыми ямами");
Любин Александр Сергеевич, аспирант Новосибирского ГУ (" Спиновая релаксация электронов в массивах Ge/Si квантовых точек с разной степенью локализации носителей заряда");
Ельцина Ольга Сергеевна, студентка СПбГПУ ("Рост эффективности фотоответа пористого кремния в УФ диапазоне ");
Вишневский Дмитрий Владимирович, студент СПбГУ ("Время-разрешённый эффект Ханле в ансамбле ХпСаАх/СаАх квантовых точек").
Дипломами награждены аспиранты:
Бойко Сергей Борисович, инженер-соискатель ОАО НИИ "Гириконд", Санкт-Петербург ("Влияние энергетического распределения носителей заряда в поликристаллических пленках твердых растворов селенида свинца на спектральные характеристики фотопроводимости и фотолюминесценции");
Вайнштейн Юлия Сергеевна, стажер-исследователь ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН ("Взаимодействие квантоворазмерных нанокристаллитов кремния с возбужденными молекулами кислорода");
Галеева Александра Викторовна, МГУ им. М.В. Ломоносова ("Транспортные свойства сложных оксидов Бг0 75_хСахУ0 2зСо0 гзМгц, 7503_5 (0 <х< 0,6)");
Номери Хадия, Воронежский ГУ ("Синтез и исследования гетероструктур на основе наново-локон 1п20з/8п02");
I
Конференции^
Пономарева Алина Александровна, СПбГЭТУ, соавторы H.H. Иванов, студ., Новгородский ГУ, A.B. Желаннов, асп. НовГУ ("Атомно-силовая микроскопия НЕМТ-транзисторов");
Самосват Дмитрий Михайлович, ФТИ им. АФ. Иоффе РАН ("Оже-рекомбинация в квантовых точках, туннелыю связанных с квантовой ямой");
Сухоруков Андрей Владимирович, ННГУ, Нижний Новгород ("Механизмы спиновой релаксации электронов проводимости в кремнии с изменённым изотопным составом");
Цюк Александр Игоревич, СПбГПУ ("Влияние условий роста на структурное качество пленок нитрида галлия, полученных методом хло-рид-гидридной газофазной эпитаксии");
Чугров Иван Александрович, ННГУ, Нижний Новгород ("Люминесценция и комбинационное рассеяние периодических массивов нанокрис-таллов кремния в диэлектрической матрице");
Шаталина Евгения Сергеевна, АФТУ РАН, Санкт-Петербург ("Особенности применения InGaAs KT в солнечных элементах");
Шепель Денис Вячеславович, ФИАН, Москва ("Конденсация экситонов в квазидвумерных слоях SiGe кремниевых гетероструктур");
Дипломами награждены студенты:
Волкова Наталья Сергеевна, ННГУ, Нижний Новгород ("Влияние анодного окисления структур с квантовыми точками InAs/GaAs на температурные зависимости фотоэлектрических спектров");
Горбачева Екатерина Андреевна, ННГУ, Нижний Новгород ("Фотомагнитный эффект в гетеронаноструктурах с квантовой ямой InGaAs/ G aAs и дельта слоем Мп");
Илларионов Юрий Юрьевич, СПбГПУ ("Тун-нелирование и фототранзисторный эффект в системе Au/CaF2/nSi(l 11)");
Ластовкин Артем Анатольевич, ННГУ, Нижний Новгород ("Остаточная фотопроводимость в гетерост-руктурахЬъЛ5/А8Ьсдюш1ым11квш1товым11ямам11");
Неплох Владимир Владимирович, СПбГПУ ("Релаксация напряжений в структурах с InGaN активной областью, излучающих в зелёном диапазоне");
Панпурин Сергей Николаевич, СПбГПУ ("Условия образования квантовой точки в пентаго-налыюй нанопроволоке неоднородного состава");
Рожавская Мария Михайловна, АФТУ РАН, Санкт-Петербург, соавтор B.C. Сизов, асп. ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН ("Гетероструктуры InGaN/AlGaN для светодйодов ближнего ультрафиолетового диапазона");
Семенихин Петр Валерьевич, СПбГПУ ("Исследование микроволнового магнитосопротивле-ния в Р-Се при низких температурах методом электронного парамагнитного резонанса");
Смирнов Дмитрий Сергеевич, СПбГПУ ("Моделирование процесса плавления кулоновского стекла в двумерной системе положительно заряженных акцепторов с учётом их активации");
Утесов Олег Игоревич, СПбГПУ ("Длина локализации света в одномерных разупорядочен-ных фотонных кристаллах");
Фирсов Дмитрий Дмитриевич, СПбГЭТУ ("Исследование твердых растворов (А1,1п)8Ь методом Фурье-спектроскопии")
Шпаковский Алексей Игоревич, СПбГЭТУ ("Микроскопический подход к анализу энергетического спектра полупроводниковых наноге-тероструктур").
Девять докладов, имеющих инновационный потенциал, в номинации "Научные результаты, обладающие существенной новизной и сверхсрочной перспективой их коммерциализации" были отобраны на конкурсной основе для участия во втором этапе конкурса Программы "УМНИК";
Барановский Максим Владимирович, студент СПбГЭТУ ("Исследование вольт-фарадныххарактеристик полупроводниковых гетероструктур и разработка автоматизированной установки для неразрушающего контроля их качества");
Винниченко Максим Яковлевич, аспирант СПбГПУ ("Исследование фотолюминесценции и рекомбинации неравновесных носителей заряда в структурах с квантовыми ямами");
Григорьев Роман Игоревич, студент СПбГПУ ("Радиочастотные спектры лазеров на квантовых ямах с расширенным волноводом в режиме синхронизации мод");
Емельянов Виктор Михайлович, аспирант ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН ("Оптимизация толщин слоев космических Са1пР/Са(1п)А5/Се СЭ для увеличения фототока");
Калинина Карина Вадимовна, аспирантка ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН ("Применение опто-электронных пар светодиод — фоточувствительный элемент на основе гетероструктур Д$ в сенсорах влажности и водорода");
Корчагина Таисия Тарасовна, аспирантка ИФП СО РАН, Новосибирск ("Способ формирования аморфных и кристаллических нанокла-стеров кремния в диэлектрических пленках");
Кузнецов Антон Михайлович, аспирант АФТУ РАН, Санкт-Петербург ("Численное моделирование оптических мод резонатора для создания торцевых полупроводниковых лазеров нового типа");
Серебренникова Ольга Юрьевна, аспирантка ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН ("Быстродействующие р-1'-п фотодиоды для спектрального диапазона 1,2—2,4 мкм");
Чунарева Алена Валерьевна, аспирантка АФТУ РАН, Санкт-Петербург ("Температурно-стабильный торцевой инжекционный лазер").
Авторы разработок отобраны для финансирования в 2010—2011 годах (объем финансирования — 200 тыс. руб. в год).
Организаторы конференции благодарны сотрудникам Научно-образовательного комплекса "СПбФТНОЦ РАН" за создание всех условий для успешной работы конференции. Информация о следующей конференции будет помещена в сентябре 2010 года на сайте http://www.spbstu.ru/rphf/ conf2010.html.
СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ
1. Одиннадцатая всероссийская молодежная конференция по физике полупроводников и наноструктур, полупроводниковой опто- и наноэлек-тронике: Тезисы докладов. 30 ноября — 4 декабря 2009 года // СПб.: Изд-во Политехи, ун-та, 2009. 128 с.
2. Одиннадцатая всероссийская молодежная конференция по физике полупроводников и наноструктур, полупроводниковой опто- и наноэ-лектронике: Программа конференции. 30 ноября — 4 декабря 2009 года // СПб.: Изд-во Политехи, унта, 2009. 14 с.
A.C. Черепанов, A.A. Сочава
ИТОГИ XIII ВСЕРОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ СТУДЕНТОВ-РАДИОФИЗИКОВ
8-9 декабря 2009 года в Петродворце, в СПбГУ, прошла очередная Всероссийская научная конференция студентов-радиофизиков. В ней приняли участие более 45 студентов и аспирантов, а также преподаватели и научные сотрудники вузов Санкт-Петербурга. Как и в предыдущие годы, оргкомитет конференции был уполномочен Фондом содействия развитию малых форм предприятий в научно-технической сфере рекомендовать претендентов для участия в программе Фонда «УМНИК» (Участник молодежного научно-инновационного конкурса) по финансированию научных исследований, выполняемых молодыми учеными. Цель программы «УМНИК» — поддержка проектов тех молодых ученых (студентов, аспирантов, сотрудников вузов и научных организаций до 28 лет включительно), чьи научные результаты имеют перспективу внедрения и коммерциализации в ближайшие 5—7 лет.
На конференции 2009 года были представлены 40 докладов. Участвовали следующие вузы: Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербургский государственный университет телекоммуникаций, Московский институт радиотехники, электроники и автоматики, Марийский государственный технический университет, госуниверситеты Воронежа, Тамбова, Сыктывкара, Владимира. Число докладов значительно увеличилось по сравнению с предыдущим годом (40 против 26). Число вузов, приславших на конференцию своих представителей, осталось примерно на прошлогоднем уровне.
Финансирование конференции в этом году осуществлял физический факультет Санкт-Петербургского государственного университета.
Тематика докладов, представленных на конференции, отражает многие направления совре-
