О механизмах процесса геттерирования металлических примесей в кремнии Текст научной статьи по специальности «Нанотехнологии»

1 - Яр = 500

сТ

и а, В

Рис.3. Расчетные ВФХ МДП-структур, соответствующие обратному градиенту концентрации примеси (Q = 0,09 мкКл/см2, Ы0 = 1013 см'3, АЯР = 30 нм)

Результаты моделирования находятся в хорошем согласии с экспериментальными данными, приведенными в работе [2], что подтверждает адекватность разработанных моделей и программ.

Модели могут быть использованы на этапе проектирования ИС на основе -,

контроля электрофизических параметров этих структур (напряжения плоских зон, порогового напряжения, энергетического спектра поверхностных состояний) ме-.

БИБЛИОГРЛФИЧЕСКИЙ СПИСОК

1. Емкостные методы контроля электрофизических свойств полупроводниковых структур: Учебное пособие /АТ. Захаров, ДА. Сеченов, ЮМ. Молчанов, ГМ. Набоков. - Таганрог: ТРТИ, 1983. - 72с.

2. . ., . ., . ., . . . . вольт-фарадных характеристик для контроля электрофизических параметров МДП-структур со сложным профилем легирования// Известия вузов. Электроника. - 1999. - № 5. - С. 33 - 39.

3. Зи С.М. Физика полупроводниковых приборов. - М.: Энергия, 1973. - 656с.

4. Самарский АА. Теория разностных схем. - М.: Наука, 1983. - 548с.

УДК 621. 382

Н.А. Филипенко

О МЕХАНИЗМАХ ПРОЦЕССА ГЕТТЕРИРОВАНИЯ МЕТАЛЛИЧЕСКИХ

ПРИМЕСЕЙ В КРЕМНИИ

В последнее время в сфере исследований материалов и технологий микроэлектроники повышен интерес к изучению механизмов геттерирования переходных металлов в кремнии [1-3]. Достижению наиболее глубокого понимания меха-

нм, 2 - Яр = 1000 нм, 3 - Яр = 2000 нм.

низмов, приводящих к эффекту геттерирования переходных металлов [1,2], способствуют новые способы контроля этого процесса.

В работе [3] с помощью радиоактивного индикатора исследованы профили

распределений изотопов 64Cu и 55Co в пластинах кремния, выращенных по методу Чохральского, и в p/p+ эпитаксиальных пластинах, легированных B, после отжига в течение 30 минут при температурах в диапазоне (900 - 1000) °С в атмосфере Ar. При этом установлено, что распределение Cu коррелируют с распределе-p/p+ . , -ния уровня Ферми в области кремния с высоким содержанием В происходит снижение энергии активации диффузии Cu, что указывает на действие механизма геттерирования посредством электрического взаимодействия между ионами В. Рас-

Co , , p/p+ -

сиальных пластинах одинаково, то есть не зависит от наличия в кремнии областей

. , Cu

коррелируют с распределениями плотности объемных микродефектов (преципитатов SiO2), что, в свою очередь, свидетельствует о действии механизма сегрегаци-

Cu Co, -

си к центрам геттерирования обусловлена полями упругих напряжений дефектов.

Результаты экспериментов [3] представляют значительный интерес, с точки зрения оценки адекватности известных моделей процессов геттерирования [4] и постановки новых задач моделирования в этой сфере исследований.

БИБЛИОГРАФИЧЕСКИЙ СПИСОК

1. Kazuhito Matsukawa, Hideki Naruoka, Nobuyoshi Hattori, Yoji Mashiko. Study of Cu and Co gettering mechanism using radioactive isotope tracers //Applied Surface Science 216, 2003, p.371-375.

2. Koji Sumino. Basic aspects of impurity gettering //Microelectronic Engineering 66, 2003, p.268-280.

3. Myers S. M., Seibt M., Schroter W. Mechanisms of transition-metal gettering in silicon //Journal of applied physics, volume 88, number 7.2000, p.3795-3891

4. Захаров AT., Котов B.H., Кракотец КА. Моделирование процесса геттерирование примесей в кремнии. М икросистемная техника, 2001, №1. - С. 25.

УДК 621.315.592

Ю.Б. Ка курин

МОДЕЛИРОВАНИЕ РАСПРЕДЕЛЕНИЯ АТОМОВ ФОНОВОЙ ПРИМЕСИ ВБЛИЗИ КРАЕВОЙ ДИСЛОКАЦИИ В КРЕМНИИ

Актуальной в настоящее время является проблема исследования распределения атомов фоновых примесей при их диффузии в полях напряжений различных дефектов кристаллической решетки, ввиду использования их геттерирующих свойств.

В работе проводилось моделирование перераспределения атомов фоновых примесей в дислокационном кремнии, со значениями концентраций, обоснованными в работе [1]: для кремния, выращенного по методу Чохральского - кислород

17 183 16 173

(N0 = 1-10 +-2-10 см-); углерод (NC = 4-10 +-5-10 см-); переходные металлы (N < 5-1013 см-3); выращенного по методу бестигельной зонной плавки - кислород