Є
Компоненты и технологии, № 3'2002
Новая продукция
Philips Semiconductors
В статье приведен обзор новых разработок Philips Semiconductors, опубликованных в Philips News за последние 6 месяцев. Основное внимание уделено дискретным силовым элементам, аналоговым микросхемам, микросхемам стандартной логики и микроконтроллерам.
Виктор Алексеев
alekseev@megachip.ru Андрей Колпаков kai@megachip.ru Олег Мишин
oleg@megachip.ru
Интерфейсы
PDI1394P21: 400 Mbps физический интерфейс с 3 портами
Микросхема PDI1394 обеспечивает функцию передачи аналоговых и цифровых сигналов, необходимую для работы 3-портовой схемы, использующей шины IEEE 1394-1995 или 1394. Каждый порт включает 2 дифференциальных линейных трансивера. Трансиверы имеют специальную схему для мониторинга состояния линии, необходимую для определения состояния связей, для инициализации и арбитража и для приема и передачи пакетов. PDI1394 разработана для совместной работы с LLC контроллерами PDI1394L40 или PDI1394L41.
• Полная поддержка стандартов IEEE 1394-1995 и P1394a-2000 для последовательных шин.
• Три законченных кабельных порта со скоростями 100, 200 и 400 Mbps.
• Полное соответствие требованиям HCI.
• Порт мониторинга состояния линии для «горячего» подключения удаленного устройства.
• Функция управления подачей и отключением питания для батарейных применений.
• Интерфейс с LLC-контроллерами по 2-4-8 параллельным линиям на частоте 49,152 МГц.
• ФАПЧ без внешнего фильтрующего конденсатора.
• Совместимость с аналогичными устройствами TSB41LV03A, TSB41AB3 Texas Instruments.
TJA1054: CAN-трансивер с защитой от неисправности шины
Микросхема CAN-интерфейса TJA1054 разработана для передачи информации в бортовой автомобильной сети со скоростью 125 кБод.
• Имеет дифференциальный вход и выход, но при повреждении шины переходит в режим однопроводной передачи.
• Отличная электромагнитная совместимость.
• Режим перезапуска при неисправности шины.
• Защита от замыкания и обрыва шины.
• Автоматическая диагностика.
PCA9557: Параллельный, 8-разрядный, I2C и SMBus I/O-интерфейс с 8-разрядным входным регистром, выходным регистром и SMBus-интерфейсом
• Рабочее напряжение от 2,3 до 5,5 В.
• EC и SMBus-интерфейсная логика.
• Встроенная схема сброса.
• Импульсный фильтр на входах SCL/SDA.
• Плавное включение.
• Низкий ток потребления.
• Тактовая частота — до 400 кГц.
• Защита входов от ЭСР.
TJA1040: Быстродействующий дифференциальный CAN-трансивер для автомобильной электроники со скоростью передачи данных 1 МБод
• Поддержка автомобильного протокола CAN (Controller Area Network).
• Полная совместимость со стандартом ISO 11898.
• Минимальное паразитное электромагнитное излучение.
• Совместимость по входу с устройствами с питанием 3,3 В и 5 В.
• Возможность подключения до 110 устройств одновременно.
• Сверхнизкий ток потребления.
• Защита входов от импульсных перенапряжений и короткого замыкания.
• Тепловая защита.
Транзисторы
PHP210N03LT, PHB210N03LT: Новые полевые n-канальные транзисторы третьего поколения по TrenchMOS-технологии Транзисторы предназначены для использования в высокочастотных DC/DC-конверторах.
• Максимальный ток — 75 А.
• Максимальная мощность — 75 Вт.
• Сопротивление канала — 3 мОм.
• Корпус D2PAK.
PBSS2515VS: Сдвоенные миниатюрные npn-транзисторы с низким напряжением насыщения
• Сверхтонкий корпус SOT666 — 1,6х1,2 мм.
• Рассеиваемая мощность 300 мВт.
• Напряжение насыщения — 0,15 В.
• Максимальный ток — 1 А.
• Улучшенные тепловые характеристики.
PEMB2: Сдвоенные миниатюрные цифровые pnp-
транзисторы
• Сверхтонкий корпус SOT666 — 1,6х1,2 мм.
• Встроенные резисторы.
• Рассеиваемая мощность 300 мВт.
• Максимальный ток — 0,1 А.
е
Компоненты и технологии, № 3'2002
ВиК9245-55А: п-канапьный М08¥ЕТ-тран- • зистор с логическим уровнем управления по • технологии ТтепеНМ08
• Корпус 80Т428 (Б-РАК).
• Напряжение — 55 В.
• Ток— 28 А.
• Мощность — 70 Вт.
• Предельная температура— 175 °С.
• Сопротивление канала — 30 мОм.
РНР(РНВ, РИО) 66Ы03: п-канальный М08-
ЕЕТ-транэистор с логическим уровнем управления по технологии ТтепеНМ08
• РНР66Ш3ЬТ — 80Т78 (Т0-220АВ).
• РНВ66Ш3ЬТ — 80Т404 (Б1-РАК).
• РН066Ш3ЬТ — 80Т428 (Б-РАК).
• Напряжение — 25 В.
• Ток — 66 А.
• Мощность — 93 Вт.
• Предельная температура — 175 °С.
• Сопротивление канала — 9 мОм.
PHT2NQ10T: п-канальный М08ГЕТ-тран-
зистор по технологии ТгепеЬМ08
• Корпус 80Т223.
• Напряжение — 100 В.
• Ток— 2,5 А.
• Мощность — 6,25 Вт.
• Предельная температура— 175 °С.
• Сопротивление канала — 315 мОм.
ВЬ¥246В: п-канальный высокочастотный
В-М08ЕЕТ транзистор
• Напряжение — 28 В.
• Ток — 8 А.
• Мощность — 130 Вт.
• Предельная частота— 175 мГц.
• Корпус 80Т161 изолированный. ВПК95/96/9Е04-40А: ТтепекМ08ЕЕТ-транзи-
сторы с логическим управлением и предельной рабочей температурой до 175 °С
• Максимальный ток — 200 А.
• Максимальная мощность — 300 Вт.
• Сопротивление канала — 3,5 мОм.
• Корпус: 80Т404 (Б2РАК), 80Т78 (Т0-220АВ). Области применения:
• Автомобильная электроника.
• Осветительное оборудование.
• Управляющие приборы силовой электроники.
ВЕА1011-2: Высокочастотный ЮМ08-транзистор
• Выходная мощность — 200 Вт.
• Диапазон частот— 1030-1090 МГц.
ВЪЕ2022, ВЬЕ647: Мощный ЮМ08-транзи-
стор УКВ-диапазона
• Диапазон частот — 2,2 ГГц.
• Корпус 80Т502, 80Т540.
BFQ591: Широкополосный 7 ГГц транзистор в корпусе 80Т89
• Высокий коэффициент усиления.
• Низкий уровень шумов.
• Золоченые выводы.
МР8А92: Высоковольтный Р^-транзис-
тор
• Корпус — Т0-92, 80Т54.
• ЫРЫ-комплиментарная пара для МР8А42.
• Максимальный ток потребления — 100 мА.
• Максимальное рабочее напряжение 300 В. BSN304: Nканальный, с режимом обогащения В-М08-транзистор в корпусе Т0-92
• Прямая совместимость с ТТЬ — и С-М08 — изделиями.
• Высокая скорость переключения.
• Вторичное отпирание.
BSP130: Nканальный, с режимом обогащения D-M0S-mранзисmор в корпусе S0T223
• Прямая совместимость с ТТЬ- и С-М08-из-делиями.
• Высокая скорость переключения.
• Без вторичного отпирания.
PHP/PHB/PHD66NQ03LT: Nканальные,,
мощные полевые транзисторы (ТтепсЪМ08)
• Корпус — 80Т78 (Т0-220АВ) для
РНР66Щ03ЬТ.
• Корпус — 80Т404 (Б1-РАК) для
РНВ66Щ03ЬТ.
• Корпус — 80Т428 (Б-РАК) для
РНЭ66Щ03ЬТ.
• Низкое сопротивление перехода.
• Малые времена переключения.
ТА143ХК: Р^-транзистор со встроенными резисторами 47 кОм и 10 кОм в корпусе S0T346 ^С-59)
• Встроенные резисторы смещения.
• Мощность рассеивания 250 мВт.
• Габаритные размеры 2,9x1,5x1,15 мм.
РОТС143ХК: транзистор со встроен-
ными резисторами 47 кОм и 10 кОм в корпусе S0T346 ^С-59)
• Встроенные резисторы смещения.
• Мощность рассеивания 250 мВт.
• Габаритные размеры 2,9x1,5x1,15 мм. ВПК7508-55А, ВЦК7608-55А: M0SFET-mран-
зисторы технологии TrenchM0S с логическим входом и свернизким сопротивлением открытого канала
• Предельная рабочая температура 175 °С.
• Максимальный ток — 126 А.
• Сопротивление открытого канала— 6,8 мОм.
• Корпуса Т0-220АВ и Б1-РАК. BUK9107-40ATC:M0SFET-mранзисmоры технологии TrenchM0S с логическим входом и сверхнизким сопротивлением открытого канала
Содержит диод с малым зарядом обратного восстановления ТгепсЬРЬШ, имеет защиту от Е8Б и датчик температуры.
• Предельная рабочая температура 175 °С.
• Максимальный ток — 140 А.
• Сопротивление открытого канала— 5,8 мОм.
• Корпус Б1-РАК.
• Защита от Е8Б и перенапряжения.
• Интегральный датчик температуры для тепловой защиты.
PHN210: Сдвоенный M0SFET-mранзисmор технологии TrenchM0S с низким напряжением отсечки и малым временем переключения
• Предельная рабочая температура 175 °С.
• Максимальный ток — 3,5 А.
• Сопротивление открытого канала — 100 мОм.
• Корпус 80-8.
PSMN005-30K: M0SFET-mранзисmор технологии TrenchM0S со сверхнизким сопротивлением открытого канала и логическим входом
• Предельная рабочая температура 150 °С.
• Максимальный ток — 20 А.
• Рабочее напряжение — 30 В.
• Сопротивление открытого канала -4,5 мОм.
• Корпус 80-8.
PHP/PHB/PHD14NQ20T: M0SFET-mранзис-
тор технологии TrenchM0S
• Предельная рабочая температура 150 °С.
• Максимальный ток — 14 А.
• Рабочее напряжение — 200 В.
• Сопротивление открытого канала — 230 мОм.
• Корпус ТО-220, Б-РАК.
ВиК95/9640: M0SFET-mранзисmоры технологии TrenchM0S со сверхнизким сопротивлением открытого канала
• Предельная рабочая температура 175 °С.
• Максимальный ток — 40 А.
• Рабочее напряжение — 100 В.
• Сопротивление открытого канала — 30 мОм.
• Корпуса Т0-220АВ и Б2РАК.
PHD95N03: M0SFET-mранзисmоры технологии TrenchM0S со сверхнизким сопротивлением открытого канала и логическим входом
• Предельная рабочая температура 175 °С.
• Максимальный ток — 75 А.
• Сопротивление открытого канала — 5 мОм.
• Корпус БРАК.
Диоды
ВАТ721: сдвоенный SMD-диод Шоттки Корпус 80Т23.
Напряжение — 40 В.
Ток — 0,2 А.
Рабочая температура от -65 °С до +150 °С. Емкость перехода — 50 пФ.
ВАУ199: сдвоенный SMD-диод с низким током утечки
Корпус 80Т23.
Напряжение — 75 В.
Ток — 0,5 А.
Ток утечки — 3 пА.
Время переключения — 800 нс.
BAУ23S: сдвоенный SMD-диод общего приме-ния
Корпус 80Т23.
Напряжение — 200 В.
Ток — 0,75 А.
ВАУ70, ВАУ90: сдвоенные быстрые SMD-диоды
Корпус 80Т23.
Напряжение — 70 В.
Ток — 0,45 А.
Время переключения — 4 нс.
PMBD353: сдвоенный SMD-диод Шоттки Корпус 80Т23.
Напряжение — 4 В.
Ток — 0,03 А.
Рабочая температура от -65 °С до +150 °С. Емкость перехода— 1 пФ.
BAS16: быстрый SMD-диод Корпус 80Т23.
Напряжение — 75 В.
Ток — 0,5 А.
Время переключения — 4 нс.
BAS29,31,35: сдвоенные лавинные SMD-диоды
Корпус 80Т23.
Напряжение — 90 В.
Ток — 0,6 А.
Время переключения — 50 нс.
BAS40: сдвоенный SMD-диод Шоттки Корпус 80Т23.
Напряжение — 40 В.
Ток — 0,12 А.
Рабочая температура от -65 °С до +150 °С Емкость перехода — 5 пФ.
BAS70: сдвоенный SMD-диод Шоттки
e
Компоненты и технологии, № 3'2002
• Корпус 80Т323.
• Напряжение — 70 В.
• Ток — 0,07 А.
• Рабочая температура от -65 °С до +150 °С.
• Емкость перехода — 2 пФ.
ВАТ54: сдвоенный SMD-диод Шоттки
• Корпус 80Т23.
• Напряжение — 30 В.
• Ток — 0,2 А.
• Рабочая температура от -65 °С до +150 °С.
• Емкость перехода — 10 пФ.
ВУ715/ВУ724: Новое поколение высоковольтных диодов с малым временем восстановления Технические характеристики (BY716):
• Рабочее напряжение 6 кВ.
• Максимальный ток 20 мА.
• Время обратного восстановления 20 нс.
• Рабочая температура от -65 °С до +125 °С.
• Корпус 80Б61Е.
Области применения:
• Высоковольтные выпрямители с полосой частот до 75 кГц.
• Высоковольтные умножители.
• Корпус 80Б61Е.
ВАР1321-01, ВАР65-01: Планарные, высоковольтные, кремниевые РШ-диоды срегу-лировкой по току в миниатюрном корпусе S0D723A
• Высокочастотный резистор для ВЧ-аттеню-аторов и переключателей.
• Низкая емкость перехода.
• Низкое сопротивление прямого перехода.
• Диапазон рабочих частот до 3 ГГц.
ВАР27-01, ВАР63-01: Планарные, кремниевые РШ-диоды с регулировкой по току в миниатюрном корпусе S0D723A
• Высокая скорость переключения для ВЧ-сигналов.
• Низкая емкость перехода.
• Низкое сопротивление прямого перехода.
• Диапазон рабочих частот до 4 ГГц.
1PS79SB31: Планарный диод Шотки в микро-корпусе S0D523 ^С-79)
• Ультранизкое прямое напряжение.
• Охранные кольца для ограничения поверхностного темнового тока в полупроводнике.
Тиристоры
ВТ149, ВТ169—тиристоры общего применения
ВТ168GW—тиристор в SMD-корпусе сма-лым током управления
ВТ168— тиристор в корпусе ТО-220 сма-лым током управления
• Серия новых малогабаритных тиристоров с логическим управлением.
• Тиристоры предназначены для использования в импульсных устройствах и устройствах с фазовым управлением. Логический вход позволяет управлять тиристором непосредственно от микроконтроллера.
Логика
74^УСШ6832:7/28 адресный регистр с 3 устойчивыми состояниями
Микросхемы этой модели предназначены для использования в устройствах, в которых
четыре ячейки памяти управляются по одной адресной шине.
При высоком логическом уровне схема работает в качестве буфера, у которого две группы из семи выходов контролируются по двум запускающим входам.
При низком логическом уровне схема работает в качестве управляемого D-триггером регистра.
• 7 каналов с адресацией 1 на 4 бит.
• Напряжение питания от 2,3 В до 3,6 В.
• Рабочий диапазон температур от -40 до +85 °C.
• Не требуются внешние нагрузочные резисторы.
74LVT573: Счетверенный D-триггер с тремя устойчивыми состояниями и напряжением питания 3,3 В
• Напряжение питания 3,3 В (BiCMOS-технология).
• Входы и выходы с противоположных сторон корпуса.
• Выходные буферы с тремя состояниями.
• Дополнительный общий выход.
• TTL-совместимы выходы и входы.
• Для поддержки неиспользуемых входов не требуются внешние резисторы.
• При подключении к шине 5 В нет тока нагрузки.
• Защита от перегрузок по току в соответствии с JEDEC.
• Функция «сброс питания».
• Электростатическая защита в соответствии со стандартом MIL STD 883.
74AHC1GU04 — высокоскоростной CMOS-
инвертор
74AHC1G04; 74AHCT1G04 — высокоскоростной CMOS-инвертор 74AHC1G02,74AHCT1G02 — высокоскорос-той логический CMOS-элемент «или-не» с двумя входами
74AHC1G126, 74AHCT1G126 — высокоскоростной неинвертирующий буфер/линейный драйвер с тремя устойчивыми состояниями 74AHC1G86, 74AHCT1G86 — высокоскоростной логический элемент «исключающее или» с двумя входами
74AHC1G00; 74AHCT1G00: высокоскоростной логический элемент «и-не» с двумя входами 74AHC1G14, 74AHCT1G14 — высокоскоростной триггер Шитта 74AHC1G79, 74AHCT1G79 — высокоскоростной D-триггер
• Симметричный выходной импеданс.
• Нечувствительность к внешним наводкам.
• Защита от перегрузок по напряжению.
• Низкая мощность рассеивания.
• Согласованная скорость переключения.
• Миниатюрный 5-выводной корпус.
• Диапазон рабочих температур от -40 до +125 °C.
74AHC1G66, 74AHCT1G66 — высокоскоростной двунаправленный аналоговый переключатель
• Два входа/выхода (Y/Z).
• Активный разрешающий вход (E) с высоким уровнем в нормальном состоянии.
• Сопротивление в открытом состоянии 26 Ом (3.0 В), 16 Ом (4.5 В), 14 Ом (4.5 В).
• Нечувствительность к внешним наводкам.
• Защита от перегрузок по напряжению.
• Низкая мощность рассеивания.
• Согласованная скорость переключения.
• Миниатюрный корпус SOT353.
• Диапазон рабочих температур от -40 до +125 °С.
74LVC02A — счетверенный логический элемент «или-не» с двумя входами
• Управление входами по цепям 3,3 или 5,0 В.
• Напряжение питания от 1,2 до 3,6 В.
• Низкое энергопотребление.
• TTL-совместимость.
• Максимальный входной сигнал до 5,5 В.
• Рабочий диапазон температур от -40 до +125 °С.
PTN3151:распределитель тактовой частоты 1/10
Предназначен для работы с устройствами стандарта LVTTL. Эта микросхема обеспечивает разветвление тактовой частоты, подаваемой на ее вход, по десяти различным каналам.
• Искажения тактовой частоты — не более 10 пс (output-to-output).
• Защита входов и выходов от перегрузок по напряжению.
• LVTTL-совместимые входы и выходы.
• Дополнительный выход для источника опорного напряжения.
• Входной понижающий резистор — 75 кОм.
• Напряжение питания от 3,0 В до 3,6 В.
• Функциональный аналог CDC351 (Texas Instruments).
• Диапазон рабочих температур от -40 до +85 °C
• Корпус: PTN3151D — SO-24, PTN3151DB — SSOP-24.
PCA9515 — шинный ретранслятор для UC/SM
• Двухканальный, двунаправленный буфер.
• IIC, SMBus — совместимость.
• Входы/выходы с открытым коллектором.
• Напряжение питания от 3,0 до 3,6 В.
• Вход 5 В.
• Диапазон частот от 0 до 400 кГц.
• Корпуса SO и TSSOP.
CBT3384:10-разрядный шинный переключатель с пятью выходами
• Температурный диапазон от -40 до +85 °C.
• Сопротивление ключа в замкнутом состоянии — 5 Ом.
• TTL-совместимые входы и выходы.
• Защита от отрицательного выброса перед фронтом импульса (диод Шотки).
• Защита от перегрузок по току в соответствии с JEDEC.
• Электростатическая защита в соответствии со стандартом JESD22.
CBTD3384:10- разрядный сдвиговый шинный переключатель с пятью выходами
• Температурный диапазон от -40 до +85 °C.
• Сопротивление ключа в замкнутом состоянии — 5 Ом.
• TTL — совместимые входы и выходы.
• Рабочий диапазон напряжений от 3,3 до 5 В.
• Электростатическая защита в соответствии со стандартом JESD22-A114/JESD22-C101.
• Защита от перегрузок по току в соответствии с JESD78.
PCKV857: дифференциальный формирователь синхронизирующих импульсов 70-190МГц (1:10)
Є
Компоненты и технологии, № 3'2002
• Ультранизкие значения сдвига фазы и флук- •
туации временного положения синхронизи- • рующих импульсов (меньше 100 пс); •
• Дифференциальные входы и выходы. •
• Напряжение питания от 2 до 5 В.
• Диапазон рабочих температур от 0 до +70 °C; •
• Электростатическая защита в соответствии •
со стандартами JEDEC, JESD22.
• Защита от перегрузок по току в соответствии • со стандартом JEDEC, JESD78.
• Опция удвоения скорости передачи данных; •
• Распределение тактовой частоты по 10 ка- •
налам.
• Ультра низкие значения сдвига фазы и флук- •
туации временного положения синхронизирующих импульсов (меньше 100 пс). •
• Рабочее напряжение от 2,2 до 2,7 В.
• SSTL-совместимые интерфейсы синхрони- • зирующих выходов.
• CMOS-канал для контроля входного сигнала. •
• Широкий спектр преобразования тактовых •
частот.
• Корпус TSSOP-48 and TVSOP-48 SSTV16857:14-разрядный SSTL-совместимый буферизованный драйвер с дифференциальными тактовыми входами
• Предназначены для работы в модулях DIMM (Dual In-Line Memory Module).
• Рабочее напряжение от 2,3 до 2,7 В.
• Выходы, согласованные с емкостной нагрузкой или устройствами типа «интерфейсные заглушки».
• Асинхронная установка всех регистров в нулевое состояние при выполнении функции RESET.
• Функция удвоения частоты DDR (Double Data Rate) от 133 МГц до 266 МГц.
• Входные сигналы в соответствии со стандартом JESD8-9 SSTL_2.
• Электростатическая защита в соответствии со стандартом JEDEC.
• Корпуса TSSOP-48 и TVSOP-48.
Микроконтроллеры
80C31X2/32X2,80C51X2/52X2/54X2/58X2: семейство дешевых 8-разрядных низковольтных высокоскоростных микроконтроллеров
• ЦПУ — 80C51.
• Напряжение питания — от 2,7 до 5 В.
• Тактовая частота — 30/33 МГц.
• ROM/EPROM — 4 Кбайта для 80/87C51X2.
• ROM/EPROM — 8 Кбайт для 80/87C52X2.
• ROM/EPROM — 16 Кбайт для 80/87C54X2.
• ROM/EPROM — 32 Кбайта для 80/87C58X2.
• RAM— 128 байт для 8xC31X2/51X2.
• RAM — 256 байт для RAM
8xC32X2/52X2/54X2/58X2.
• 32 многофункциональные двунаправленные программно-настраиваемые линии ввода-вывода (четыре 8-битовых порта I/O).
• Три 16-битовых таймера.
• Полнодуплексный UART.
• Дополнительные интерфейсы UART и SPI.
• Встроенный кварцевый генератор.
• Четыре уровня приоритета прерываний.
• Шесть источников прерываний.
• Асинхронный порт сброса.
• Режим обработки — 6 и 12 тактов на команду (30/33 МГц).
• Защита ROM — 2 бита.
• Защита OTP — 3 бита.
• Защита пользователя — 64 бита.
• Возможности адресации — 64 Кбайта ROM и 64 Кбайта RAM.
• Статический режим работы.
• Два программируемых режима снижения мощности (ожидание и полное отключение).
• Сохранение времени и даты при отключении питания.
• Совместимость с CMOS- и TTL-изделиями.
• Функция обнаружения ошибки синхронизации.
• Функция автоматического контроля адресации.
• Автоматическое восстановление работоспособности после при перебоях питания.
• Низкая восприимчивость к внешним электромагнитным наводкам.
• Расширенный температурный диапазон.
• Корпус — PLCC, DIP, LQFP.
89C51Rx2 или 89C66x: микроконтроллеры, изготовленные по расширенной CMOS-технологии
Эти серии являются дальнейшим развитием семейства 80C51. Все устройства совместимы по кодам с 80C51.
• 80C51-совместимое ЦПУ.
• Flash-память программ на кристалле.
• Тактовая частота до 33 M^.
• Работа от нулевой частоты.
• Расширяемое ОЗУ (до 64 К).
• 4 уровня приоритета прерываний.
• 6 источников прерываний.
• Четыре 8-разрядных порта ввода-вывода.
• Полнодуплексный расширенный UART.
• Обнаружение ошибок кадра.
• Автоматическое распознавание адреса.
• Три 16-разрядных таймера-счетчика T0, T1 (стандартный 80C51) и дополнительный T2 (с возможностью захвата и сравнения).
• Режимы управления энергопотреблением.
• Останавливаемый тактовый генератор.
• Режим ожидания.
• Режим отключения.
• Программируемый выход тактового сигнала.
• Второй регистр DPTR.
• Асинхронный сброс портов.
• Режим работы с низким ЭМИ (отключение сигнала ALE).
• Функция «пробуждение» от внешнего прерывания.
89C51/89C52/89C54/89C58: семейство 80C51 8-разрядных микроконтроллеров с Flash-памятью объема 4K/8K/16K/32K Микроконтроллеры 89C51/89C52/89C54/89 C58 содержат энергонезависимую параллельно программируемую Flash-память программ.
Для устройств, программируемых в системе (ISP) или с возможностью самопрограммирования, смотрите документацию на микроконтроллеры семейств.
Стандартные аналоговые микросхемы
NE56604-42: схема сброса со встроенным таймером watchdog
• Прямой и инверсный сигнал сброса.
• Задержка сигнала включения контроллера.
• Встроенная программируемая функция watchdog (время мониторинга 100 мс). NE56605-42: схема сброса со встроенным
таймером watchdog
• Прямой и инверсный сигнал сброса.
• Задержка сигнала включения контроллера.
• Встроенная программируемая функция watchdog (время мониторинга 10 мс). SA58603: Прецизионный сдвоенный операционный усилитель со встроенным компаратором и источником опорного напряжения
• Напряжение питания — 1,8-6 В.
• Ток потребления— 100 мкА.
• Напряжение смещения — 100 мкВ.
• Входной ток — 50 нА.
• Напряжение опорного источника — 1,27 В.
• Дрейф напряжения опорного источника — 100 ррм/ °С.
• Корпус SO8.
BDG702: сдвоенный линейный малошумя-щий усилитель мощности RF-диапазона
• Диапазон частот — 750 МГц.
• Коэффициент усиления — 18,5 дБ.
• Корпус SOT115.
BGA2748, BGA2771, BGA2776: Широкополосный малошумящий усилитель 900 МГц в корпусе SOT363 SA57003: 5-канальный, сверхмалошумящий стабилизатор напряжения с малыми потерями
• Корпус TSSOP16.
• Выходное напряжение — регулируемое 2-5 В.
• Ток — 0,2 А.
• Падение напряжения — 0,15 В.
• Предельная температура — 85 °С.
• Защита от перегрузки по току и перегрева. NE1617A/NE1618—мониторы температуры для микропроцессорных систем
• Аналог MAX1617 иADM1021.
• Данные о температуре считываются из внутреннего регистра по 2-проводному SMBus-интерфейсу.
• Программируемые пороги срабатывания.
• Ждущий режим.
• Возможность одновременного контроля до 9 датчиков по одной SMBus-шине.
• NE1618 — прецизионный двухканальный монитор температуры с разрешением до 0,125 °С и точностью измерения температуры ±1 °С.
• NE1617A имеет точность измерения температуры ±2 °С для локального датчика на кристалле и ±3 °С для удаленного датчика.
• Не требует предварительной калибровки.
• Напряжение питания от 3 до 5,5 В.
• Ток потребления — 70 мА.
• Ток в режиме ожидания 3 мкА.
• Корпус QSOP-16.
SA57004: Малошумящий линейный МОП-стабилизатор напряжения для батарейных применений
• Максимальный ток 150 мА.
• Выходное напряжение 1,8-5 В.
• Ток потребления 1,5 мкА в рабочем режиме и 0,1 мкА в дежурном режиме.
• Низкое время отклика.
• Встроенный источник опорного напряжения.
• Ограничение выходного тока.
• Корпус SOT23-5.
Є
Компоненты и технологии, № 3'2002
SA57000**: первое в мире семейство стабилизаторов с малыми потерями, не требующих применения сглаживающих емкостей Стабилизаторы SA57000 с фиксированным выходным напряжением 2,5-3,6 В не нуждаются в выходной емкости благодаря практически нулевому значению выходного сопротивления. Это также позволяет стабилизировать температурные характеристики и снизить потери.
• Стабильные выходные характеристики, независимо от емкости и ESR нагрузки.
• Низкий уровень шумов (<30 мкВ) без выходной емкости.
• Ограничение выходного тока 150 мА.
• Падение напряжения 50 мВ при токе 50 мА.
• Защита от перегрузки по току и перегрева.
• Ток потребления менее 80 мкА.
• Стабильность выходного напряжения — 0,02 %/мА по нагрузке и 0,1 %/В по входному напряжению.
• Корпус SOT23.
SA57001**: микроминиатюрный маломощный прецизионный стабилизатор с малыми потерями и током до 200мА
SA57003: Микроминиатюрный маломощный малошумящий стабилизатор с малыми потерями. Имеет пять независимых выходов.
SA57022**: микроминиатюрный маломощный прецизионный стабилизатор с малыми потерями и током до 500 мА
UBA2032: высоковольтный драйвер полного моста для HID (High Intensity Discharge) ламп Драйвер UBA2032 выполняет все необходимые функции управления HID лампами и содержит бутстрепный диод, высоковольтное устройство сдвига уровня, регулируемый задающий генератор. Драйвер обеспечивает плавный запуск и защиту от перегрузок.
• Выходное напряжение — до 570 В.
• Пусковой ток — 0,7 мА.
• Выходной ток — 260 мА.
TDA8920: Однокристальный аудиоусилитель классаD
Стерео усилитель TDA8920 работает в режиме класса D, обеспечивая низкий коэффициент гармоник и малые потери.
• Эффективность (кпд) более 90 %.
• Выходная мощность — 2х50 Вт.
• Суммарный коэффициент гармоник — 0,02 %.
• Защита от перегрузки и перегрева.
• Защита от ESD.
LF398: Прецизионный усилитель выборки-
хранения
• Напряжение питания ±5... ±18 В.
• Время реакции — 10 мкс.
• Вход TTL, PMOS, CMOS.
• Низкий уровень шумов.
• Нелинейность 0,004 %.
Интеллектуальные силовые ключи
PIP3106-D PIP3107-D PIP3203 PIP3206 BUK127 BUK217
• TrenchMOS выходной каскад.
• Ограничение тока.
• Защита от перегрузки по току, напряжению и перегрева.
• Диагностика.
• Защита от ESD.
BUK218-50DC: сдвоенный TOPFET интеллектуальный ключ верхнего уровня
• Корпус SOT427.
• Напряжение — 50 В.
• Ток— 8 А.
• Сопротивление открытого канала — 40 мОм.
• Мощность 83 Вт.
• Активное ограничение тока.
• Термозащита.
• Защита от перенапряжения и падения напряжения.
• Защита от ESD.
Микросхемы для видео
TDA8359J мостовая схема вертикального отклонения LVDMOS TDA8359J предназначена для использования в отклоняющих системах цветных телевизоров.
• Отклонение 90° и 110°.
• Диапазон частот от 25 Гц до 200 Гц (4:3 и 16:9 трубки).
• Минимальное количество внешних компонентов.
• Полностью DC-сопряженная схема вертикального отклонения.
• Защита от перегрузок по току и температуре.
• Улучшенная система экранирования электромагнитного излучения.
SAA7128AH; SAA7129AH; SAA7148AH; SAA7149AH: Цифровые кодеры видеосигнала, содержащие тактовый генератор иЦАП
• Напряжение питания 3,3 В, шина управления — I2C, 5 В.
• Цифровая кодировка PAL/NTSC.
• Рабочая частота 13,5 МГц.
• Частота обмена информации 54 МГц.
• Три ЦАПа для сигналов CVBS (CSYNC), VBS (CVBS), C (CVBS) с разрешением 10 бит.
• Три ЦАПа для сигналов RED (C R), GREEN (Y), BLUE (C B) с разрешением 9 бит.
• Подавление перекрестных искажений.
• Телетекст в стандарте WST, NABTS.
• 400 кГц шина управления I2C.
• Синхронизация кадровой и строчной развертки.
• Встроенный тактовый генератор.
• Режим автоматического отключения и дежурный режим.
• Корпус QFP44.
SAA8103: генератор видеосигнала для систем непрерывной передачи данных
Предназначен для работы с ПЗС-датчиками изображения: FXA1012, FXA1013, FXA1022, FXA1004, FTF2020, FTF3020, FTT1010 и обработки видеосигнала.
• Генератор синхросигнала.
• Поддержка режима сканирования, мониторинга.
• Управление по шине I2C.
BGE847BO; BGE847BO/FC0; BGE847BO/SC0: BGO847; BGO847/FC0; BGO847/SC0: Малошу-мящие приемники оптического сигнала 870МГц
• Высокая линейность.
• Выход, совместимый с CATV.
• Высокая надежность.
Варикапы
BB200, BB201: низковольтные сдвоенные варикапы в SMD-корпусах
BB145C: Прецизионный варикап в миниатюрном корпусе SOD523
• Высокое емкостное отношение.
• Отношение C1/C4 в диапазоне от 2,39 до 2,53.
Микросхемы для телефонии
UAA3515A: Законченный приемо-передаю-щий интегральный модуль для беспроводных 900 МГц-телефонов В состав модуля входят:
• Передатчик с частотной модуляцией.
• Узкополосный приемник.
• Усилитель с низким уровнем шумов.
• Устройство подавления помех от зеркального канала.
• ЧМ-детектор на 10,7 МГц со встроенным ограничителем по промежуточной частоте.
• Широкополосный демодулятор.
• Выходной усилитель с возможностью подключения индикатора уровня принимаемого сигнала.
• Детектор несущей частоты с регулируемым порогом.
• Программируемый усилитель-ограничитель.
• Экспандер.
• Регулируемый выходной аудиоусилитель.
• Перестраиваемый кварцевый генератор.
• Программируемый делитель несущей частоты с выходом на микроконтроллер.
• Опорный источник делителя частоты.
• Узкополосный передатчик.
• Суммирующий усилитель.
• Компрессор с автоматическим контролем уровня сигнала.
• Микрофонный усилитель.
• 3-проводный последовательный интерфейс.
• Стабилизатор напряжения и устройство контроля питания.
BGY282: Двухканальный дециметровый усилительный модуль для GSM900/1800в керамическом корпусе SOT632A
• Два независимых канала для GSM900 и GSM1800 со встроенным устройством переключения и контроля мощности.
• Напряжение питания — 3,5 В.
• Выходная мощность 33 дБм для GSM1800.
• Выходная мощность 35 дБм для GSM900.
• Программируемый уровень выходной мощности и выбора канала с помощью внешнего постоянного напряжения.
Заключение
Подробную информацию о новых разработках Philips Semiconductors можно найти по адресу http://www-eu3.semiconductors.com/news.
Отдел технической поддержки фирмы МегаЭлектроника проводит регулярную рассылку обзоров Philips News на русском языке в виде pdf-файлов.
Для того, чтобы подписаться на эту бесплатную рассылку, достаточно подать заявку по адресу alekseev@megachip.ru.