CC BY
6ФУНДАМЕНТАЛЬНЫЕ ИССЛЕДОВАНИЯ
УДК 535.3; 537.533.31;539.219.1
Некоторые особенности прикраевой люминесценции СdS(O) с позиций теории непересекающихся зон
Н.К.Морозова, Н.Д.Данилевич, В.М.Семенов Московский энергетический институт (технический университет)
В.Г.Галстян Институт кристаллографии РАН
В.И.Олешко, С.С.Вильчинская, В.М.Лисицын Томский политехнический университет
Выяснена природа полос люминесценции, которые превалируют в прикраевой области спектра кристаллов CdS(O) при высокой интенсивности возбуждения 10 -10 см- -с- . Показано, что твердые растворы кислорода в реальных кристаллах АПВУ1 образуют гетерогенную систему, в которой кислородные скопления присутствуют в матрице кристалла.
В работах [1-6] предложен новый подход к интерпретации оптических свойств кристаллов группы АПВУ1 на примере соединений ZnS^) - ZnSe(O), содержащих изо-электронную примесь кислорода. Эта интерпретация базируется на выводах теории непересекающихся зон (band anticrossing - ВАС) [3, 4, 7, 8], которая позволяет учесть присутствие кислорода ОS в узлах решетки кристалла - матрицы. Теория ВАС показывает, что примесь изоэлектронного акцептора кислорода, взаимодействуя с состояниями зоны проводимости этих кристаллов, приводит к разделению ее на две подзоны: нижнюю Е- и верхнюю Е+. В настоящей работе рассматриваются с тех же позиций некоторые особенности люминесценции CdS вблизи края фундаментального поглощения, не получившие до настоящего времени объяснения.
Изучены монокристаллы, выращенные на ориентирующей затравке CdS по методике, описанной в работах [9, 10], при 1100 °С и контролируемом давлении паров компонентов в процессе роста. Условия роста варьировались в пределах области существования соединения и определялось отклонение от стехиометрии. Содержание кислорода (как фоновой примеси) оценивалось как [0]общ по методике, приведенной в [11]. Оно максимально в образцах с избытком кадмия: до 2-10 (1021) см и, испытывая резкий скачок в точке стехиометрии, уменьшается до ~10 19 см-3 при увеличении давления паров серы в зоне роста [12, 13]. Сдвиг экситонных полос в спектрах катодолюми-несценции (КЛ), исследованных в широком пучке при энергии 5-10 кэВ по методике [10], не отражает закономерного изменения концентрации растворенного кислорода [0S] в кристаллах с изменением состава [13, 14].
В растровом электронном микроскопе (РЭМ) исследованы спектры микрокатодо-люминесценции (МКЛ), а также микроструктура и микросостав срезов выращенных кристаллов по (0001). Результаты показали, что кристаллы мозаичны, причем размер
© Н.К.Морозова, Н.Д.Данилевич, В.М.Семенов, В.Г.Галстян, В.И.Олешко, С.С.Вильчинская, В.М.Лисицын, 2009
моноблоков, характер их срастания, сетка межкристаллитных границ, а также неоднородность в объеме моноблоков меняются при отклонении от стехиометрии. Возможно было предполагать скопление кислорода на дефектах при охлаждении, особенно в области средних составов. Крупные моноблоки кристаллов CdS с избытком Сd размером более 150 мкм уменьшаются до 50-100 мкм вблизи стехиометрии и до ~10 мкм при максимальных давлениях паров серы. Характерна слоистая неоднородность состава в плоскостях (0001), которая усиливается при избытке Cd. При максимальных избытках S наблюдается пористость в объеме.
Распределение дефектных областей вскрывает травление. Некоторые примеры приведены на рис.1.
Рис.1. РЭМ-микрофотография монокристаллов CdS(O): а - крупноблочный кристалл CdS•Cd с максимальным избытком кислорода; б - моноблок кристалла CdS•Cd после травления (видны удаленные слои в плоскостях (0001)); в - кристалл CdS•S с максимальным избытком серы; г - CdS•S после травления (видны множественные округлые ямки)
Чтобы исключить влияние неоднородностей структуры при исследовании зависимости оптических свойств кристаллов СdS от состава, были предприняты исследования спектров, полученных от отдельных крупных моноблоков. Спектры МКЛ снимались при увеличении х 10000, чаще всего при размере растра 10*10 мкм (диаметр пучка 1000 А = 10 - 1 мкм).
На рис.2 приведены спектры МКЛ с изменением состава при изменении избыточного давления паров Р^ и Р^. Видны некоторые закономерности, зависящие от режима роста. Однако во многих случаях спектры, снятые из разных участков даже одного и того же кристалла, могут быть различны. Например, кривые 3 и 3' соответствуют одному и тому же кристаллу стехиометрического состава.
Полученные экспериментальные данные показали, что в прикраевой области вблизи края фундаментального поглощения CdS(O) спектры МКЛ при 300 К представлены двумя полосами неизвестной природы: 516 нм (I) и 537 нм (II), хотя свободный экситон Аех при 300 К соответствует 504,7 нм, а зеленое краевое свечение CdS должно загасать с повышением температуры более 200 К [15, 14].
516
Рис.2. Спектры МКЛ, снятые в РЭМ при температуре 300 К, энергии пучка 25 кэВ и плотности возбуждения О = 1024 см-3-с-1, для разных составов CdS: сте-хиометрического (кривые 3 и 3'); с избытком кадмия (кривые 2^-1); с избытком серы (кривые 4 ^ 5). Все спектры получены из центральной части отдельных моноблоков (3'- от угла блока)
Согласно [16] полосы краевого свечения (ЕЕ) при повышении температуры смещаются подобно экситонному спектру, а энергия активации температурного тушения ЕЕ составляет 0,14 ± 0,02 эВ. Следует при этом учитывать, что в области температурного гашения ЕЕ разгорается оранжевая полоса ~640 нм.
Для получения дополнительной информации сняты спектры импульсной катодо-люминесценции (ИКЛ) и импульсной рентгенолюминесценции (ИРЛ) образцов, которые дают информацию из глубины кристалла. Так, для ИКЛ при средней энергии электронного пучка ~ 250 кэВ глубина информационного слоя ~ 125 мкм.
Методика исследования описана в [17]. Использовались две схемы. По схеме 1 образец располагался под углом 45° к направлению электронного пучка и свечение (ИРЛ или ИКЛ) регистрировалось со стороны облучаемой поверхности. По схеме 2 регистрировалась ИКЛ с грани, полученной сколом, в направлении, перпендикулярном к направлению падения электронного пучка (под углом 90°).
В таблице приведены положения основных полос прикраевой области спектра CdS в зависимости от температуры, что позволяет сопоставлять результаты МКЛ, ИКЛ и др., снятые при разных температурах. Так, на рис.3 представлены спектры ИРЛ и ИКЛ при температуре 30 К для образца CdS(O) стехиометрического состава.
Сравним спектры, приведенные на рис.2 и 3,а, учитывая температурное смещение полос в соответствии с изменением ширины запрещенной зоны Е§(Т) CdS (см. таблицу). Можно заключить, что полосы I (516 нм) и II (537 нм), присутствующие в спектрах МКЛ при 300 К, могут быть сопоставлены при 30 К, во-первых, полосе 496 нм, неиден-тифицированной до настоящего времени и, во-вторых, головной линии 515 нм, типичной для данных кристаллов серии зеленого краевого свечения CdS.
Температурная зависимость полос I и II в сравнении с Аех полосой CdS
Т, К Ц(Е)
АТ, нм (эВ) Е8, эВ Аех - 1Ю, нм (эВ) I (РЕ^-о), нм (эВ) Аех - 2Ю, нм (эВ) Аех- 3Ю, нм (эВ) II (ЕЕ) (Ю = 0, [0]^0), нм (эВ) II (ЕЕ) (Ю =0, [0] ф 0), нм (эВ)
30 485,85 (2,5519) 2,5809 493,14 (2,5142) 496 (2,4982) 500,6 (2,4765) 508,4 (2,4388) 505 (2,4535) 515,6 (2,4042)
77 487,17 (2,5450) 2,5740 494,5 (2,5073) 498,9 (2,4853) 502,0 (2,4696) 509,8 (2,4319) 508 (2,4406) 518,5 (2,3913)
300 504.70 (2,4565) 2,4855 512,6 (2,4188) 516 (2,4028) 520,7 (2,3811) 529,1 (2,3434) 526 (2,3571) 537 (2,3088)
Примечание. Для определения расчетного положения полос при разных температурах измерения использована зависимость: Е(Т) = Е(0) - у Т2 / Т + 5, где у = 9,7-10-4, 5 = 600, Т, К [18]
489,5
а б
Рис.3. Спектры ИРЛ кристалла стехиометрического состава при температуре 30 К сняты в максимуме импульса возбуждения (кривая 1) и через 10 мкс (кривая 2) (а); зависимость спектров ИКЛ того же кристалла от плотности возбуждения: 1,6-1026 (кривая 3), 4-1026 (кривая 4), 6,5-1026 (кривая 5) см-3-с-1, измерения проводились по схеме 2 в максимуме импульса возбуждения (б). Полосы 11 и 12 - типичные связанные экситоны CdS
Длина волны для полос I и II (см. рис.2) взята условно, так как они могут смещаться. Так, наиболее интенсивная полоса I наблюдалась в МКЛ разных участков от 511 до 518 нм.
Как видно из рис.3,б, полоса I появляется с ростом плотности возбуждения. Этот факт отмечался и ранее, например в [14] показано, что эта полоса с ростом плотности возбуждения в РЭМ возникает и усиливается примерно по линейному закону, а при высоких плотностях возбуждения полоса I превалирует в спектре. Возникновение свечения I при возбуждении >1026 см-3-с-1 позволило авторам [17] предположить, что оно обусловлено рекомбинацией носителей, образующих электронно-дырочную плазму.
Однако полоса I наблюдается и при малых плотностях возбуждения. Так, на рис.4,а приведены спектры КЛ, снятые в широком пучке при плотности возбуждения
22 -3 -1
G < 10 см -с и глубине информационного слоя менее 0,5 мкм. Для сравнения пред-
ставлены спектры образца СёБ-Сё, выдержанного в течение 7 месяцев на воздухе (кривая 1) и травленого в течение 5 и 50 с в НС1 (рис.4,а, кривые 2, 3). Видно, что полоса I ~ 498 нм возникает в спектре после вскрытия объема кристалла травлением.
Имеются определенные различия и в краевом свечении при травлении кристалла. Если краевое излучение нетравленого образца представлено полосой с максимумом 518 нм, то после травления всегда характерна серия полос с ЬО-мотивом и головной линией более коротковолновой, в частности 508 или 514 нм (80 К) на рис.4,а.
При исследовании спектров отражения СёБ в жидком азоте (см. рис.4,б) также обнаружена полоса I (середина полосы ~ 496 нм). Особенно ярко она выражена в слоях, ионно-легированных кислородом [14]. В этих спектрах кроме того наблюдается при 77 К возникновение сильного дополнительного поглощения, перекрывающего область экситонного спектра
20 —3
матрицы. При [0]общ < 10 см край «дополнительного поглощения» (КДП) наблюдался
20 21 —3
при 496-500 нм. Если содержание кислорода более 10 (10 ) см , то наблюдается также второй более слабый край ~514-515 нм (см. рис.4,б, кривая 5). Основной КДП ограничен полосой отражения I, которая имеет типичную для экситона форму: представлена коротковолновым минимумом 493-494 нм и длинноволновым максимумом отражения 498-500 нм.
Таким образом, возможно наблюдать полосу I и при малых интенсивностях возбуждения. Это отрицает связь ее с плазмой. Более того, наблюдалось [19] усиление по интенсивности и длинноволновой сдвиг по отношению к Аех полосы типа I вюрцита, как и в [17], с ростом интенсивности возбуждения, но по причине увеличения содержания кислорода в образцах. Можно полагать, что в [17] подобный эффект связан с неоднородностью исследуемых кристаллов. Кроме того, в работах [5, 6] детально описаны полосы КЛ, подобные I, для 2пБе(0) и 2пБ(0). Эти исследования согласуются с нашими результатами по СёБ, существенно дополняя информацию о рассматриваемой полосе I. Для 2пБе(0) и 2пБ(0) полосы I наблюдались только в кристаллах с БЛ свечением, что послужило основанием рассматривать их как «связанный» с БЛ центрами экситон. Была подтверждена экситонная природа таких полос, непредсказуемость появления их в КЛ при малой глубине информационного слоя ~ 0,3 мкм, обнаружена связь полос с объемом образца и присутствием кислорода [3-6].
Образование аномальной длинноволновой экситонной полосы, зависящей от присутствия кислорода, можно встретить и в литературе [5, 20].
Однако интерпретация природы полос, как «связанного» экситона, встречает сложности, например, из-за большой энергии связи экситона, которая для вюрцита с большей растворимостью кислорода превышает уже 100 мэВ [2].
а б
Рис 4. Спектры КЛ, снятые в широком пучке при температуре 80 К: после старения на воздухе (кривая 1) и последующего травления в течение 5 и 50 с (кривые 2 и 3) (а); микрофотограммы спектров отражения при температуре 77 К кристаллов CdS с содержанием кислорода порядка 1019 см-3 (кривая 4) и 1020 см-3 (кривая 5) (б)
Дополнительную информацию дает рассмотрение полосы II (см. рис.2). Природу различных серий зеленого краевого свечения CdS также не всегда удается объяснить. Изучение особенностей краевого свечения исследуемых нами чистых кристаллов СdS с разным отклонением от стехиометрии показало следующее. При высокой плотности возбуждения краевое свечение надежно проявляется в спектрах кристаллов, выращенных с избытком Сd и кислорода. Стабилизация центров ЕЕ при увеличенном содержании кислорода в кристаллах с избытком Cd отмечалось и в [14, 17]. По нашим данным, увеличение давления паров серы при росте и одновременное уменьшение содержания кислорода уменьшает краевое свечение. Так, у кристаллов CdS, близких по составу к стехиометрии, краевое свечение практически не наблюдается при плотности возбуждения G ~ 1025 см-3-с-1, а при максимальном избытке серы («бескислородный» CdS ) выделяется только слабая по интенсивности серия с головной линией 506 нм (47 К). Эта серия была ранее описана в работах [10, 14, 21]. Учитывая температурное смещение (см. таблицу), полоса соответствует головной линии того же краевого свечения, если принять в этих «бескислородных» кристаллах CdS глубину акцепторного уровня ЕЕ ~ 0,13 эВ.
Для исследуемых реальных кристаллов CdS(0) на разных локальных участках наблюдались разные серии краевого свечения с головными линиями при 80 К, соответствующими 508, 512, 515, 518 нм и т.д., причем более длинноволновое положение наблюдалось у кристаллов с повышенным содержанием кислорода. С позиций теории ВАС можно предположить, что разные положения головных линий серий краевого свечения (ЕЕ) в этих чистых с одинаковым примесным фоном кристаллах определяются одним и тем же акцепторным уровнем, но зависят от изменения ширины запрещенной зоны (положения Е- ), которое связано с изменением концентрации растворенного кислорода [0з].
Оценка величины возможного изменения АЕё (Е- ) с концентрацией кислорода по длинноволновому сдвигу типичной для наших кристаллов серии ЕЕ с головной линией 515 нм (см. рис.3,а) по сравнению с «бескислородными» кристаллами CdS•S (505 нм при 30 К, см. таблицу) соответствует ~50 (48) мэВ. Оказывается, что такую же величину смещения обнаруживает полоса I в экситонных спектрах МКЛ (516 нм при 300 К на рис.2) по отношению к А-экситону «бескислородного» CdS. Возникающий в отражении край дополнительного поглощения, зависящий от концентрации кислорода [13, 14], также соответствует этому сдвигу I и II полос [2-4].
Ранее в работах [1-6] описана связь ЗА свечения и 2пЗе с кислородными скоплениями, при этом полосы типа I наблюдаются только в кристаллах с ЗА свечением, т.е. в кристаллах с кислородными скоплениями. Самоактиви^рованное ЗА свечение превалирует при малых интенсивностях возбуждения <10 см- •с- , а с увеличением уровня возбуждения выходит на насыщение и одновременно растет по интенсивности экси-тонная полоса I [2, 5, 6, 12-14]. Все эти факты свидетельствуют о том, что полоса I в спектрах CdS является ни чем иным, как свободным экситоном твердого раствора CdS(0) в кислородных скоплениях.
Вывод о том, что экситонная полоса I обусловлена кислородными скоплениями, объясняет все противоречивые факты в отличие от концепции «связанного» экситона на ЗА центрах. Выяснение роли кислородных скоплений в формировании спектра CdS позволяет понять, в частности, почему свечение I возникает в случае возбуждения объема кристаллов или при увеличении темпа возбуждения с насыщением ЗА люминесценции и почему оно спектрально смещается в сторону длинных волн с концентрацией кислорода.
Присутствие скоплений в объеме кристаллов объясняет спектры ИКЛ при 300 К, не соответствующие спектрам МКЛ, особенно при съемке ИКЛ после прохождения возбуждающего пучка через весь неоднородный образец (по схеме 2 под 90°). Примеры таких спектров даны на рис.5.
Природа широких полос (см. рис.5), очевидно, сложная. Известно, что с интенсивностью возбуждения усиливается экситон-фононное взаимодействие и LO фононные повторы А-экситона начинают преобладать в спектрах. Экситон-фононное взаимодействие значительно возрастает в присутствии изоэлектронной примеси [22]. Кроме того, широкая полоса 518-520 нм (рис.5,а) может включать перекрывающиеся полосы разной природы, прежде всего 2LO фононных повторов Аех матрицы, а также экситон I CdS(O) скоплений в объеме. Следует учитывать неоднородное уширение этих полос от разных по составу участков и скоплений. Аналогичное заключение относится и к широкой полосе с максимумом в области 530 нм, спектрально соответствующей 3LO по-
а б
Рис.5. Спектры ИКЛ при температуре 300 К, полученные от разных участков кристалла CdS•Cd, близкого к стехиометрии. О = 1026 и 1027см-3-с-1 (0,02 и 0,2 Дж/см2 соответственно), выход пучка под углами 90° и 45°
Анализ всех имеющихся экспериментальных данных позволяет отметить, что уширенный спектр (см. рис.5,б, кривая 2) типичен для кристаллов с избытком Cd и кислорода. Спектр (см. рис.5,а, кривая 2) характерен для кристаллов с распадом твердого раствора CdS(O) и образованием чистых по кислороду областей CdS [4-6]. Спектры этого типа соответствуют также кристаллам, выращенным при максимальных давлениях паров серы, в которых присутствуют моноблоки, чистые по кислороду. Не исключено, что участки бескислородного CdS отвечают за возникающую узкую полосу 526 нм (см. таблицу). В работе [17] полоса 526 нм предположительно связывается с вынужденным излучением при высоких уровнях возбуждения ( > 1026 см-3-с-1) и низких (30 К) температурах, что подтверждается резким увеличением интенсивности свечения и появлением направленности.
Таким образом, исследуемые кристаллы, как оказалось, представляют собой гетерогенную, равновесную и устойчивую в объеме систему, в которой кислородные конгломераты взаимодействуют с матрицей как в плане составов, так и процессов поглощения-рекомбинации. Кислородные скопления в них ответственны за многие особенности оптических свойств, как показано и в [4-6].
Поскольку элекроотрицательность кислородных центров OS больше и они сильнее притягивают электрон, чем атомы матрицы, то матрица [22] служит «антенной», собирающей энергию возбуждения и передающей ее к скоплениям изоэлектронной примеси. Для скоплений дно нижней подзоны Е- существенно ниже дна зоны проводимости матрицы, что и определяет высокую интенсивность свечения в области таких образований. Сложная мультизона в скоплениях определяет полосы самоактивированного свечения при низких уровнях возбуждения (< 10 22 см-3-с-1) или экситонное свечение I при
высоких уровнях возбуждения (1025 -1026 см 3-с 1). В кислородных скоплениях при увеличенных концентрациях кислорода [OS] проявляется и краевое свечение даже при 300 К (см. рис.2).
В данной работе для CdS усредненное по объему содержание кислорода в кристал-лах^ например стехиометрического состава, согласно анализам составляет порядка 10 см- . Это сопоставимо незначительному смещению экситонных полос матрицы, которое не превышает 10 (20) мэВ. ( Экситонные полосы матрицы проявляются в спектрах КЛ, снятых в широком пучке при малой глубине информационного слоя и в отражении.) Наблюдаемое смещение экситонной полосы I в скоплениях достигает ~50 мэВ
20 -3
при концентрации кислорода в скоплениях порядка 10 см [23].
Согласно исследованиям в РЭМ, скопления, отвечающие за I полосы, малы по размеру (менее 0,1 мкм). Их конгломераты на 1-2 порядка больше. Последние имеют либо форму сферолитов в кристаллах с избытком серы или дают слоистое распределение в плоскостях (0001), что и выявляется при травлении образцов (см. рис.1). Образование таких систем возможно в результате коалесценции при газостатировании [2, 3], при охлаждении кристаллов с достаточно большой исходной концентрацией растворенного кислорода [2-6], при ионной имплантации кислорода [2, 14] и т.п.
Наиболее важным выводом следует считать то, что распределение такой изоэлек-тронной примеси, как кислород, сильно искажающей решетку твердых растворов типа CdS(O), ZnS(O), ZnSe(O), - неравномерное. При этом в большинстве кристаллов содержание кислорода в основном объеме - матрице много меньше, чем в скоплениях.
Зонная модель гетерогенной системы кристалла, содержащего кислородные скопления, более эффективна в плане поглощения и излучения энергии. Даже при существовании в матрице центров SA или краевого ЕЕ свечения в матрице оно проявляется почти исключительно из области скоплений. Скопления ответственны за основные полосы в прикраевой области спектра при 300 К исследованных нами кристаллов CdS(O). Это относится и к полосам, определяющим лазерный эффект [24]. Последнее представляет особый интерес, так как свидетельствует о том, что кристалл, содержащий кислород, может быть эффективным лазерным материалом.
Поскольку содержание кислорода в CdS(O) - в составе скоплений и в матрице -может быть различно, спектральное положение экситонных полос и самоактивированных или краевого свечения ЕЕ не постоянно.
Литература
1. Преобразование центров люминесценции CVD-ZnS при газостатировании / Н.К.Морозова, И.А.Каретников, Е.М.Гаврищук и др. // ФТП. - 2004. - Т. 38, № 1. - С. 39-43.
2. Влияние кислорода на электронную зонную структуру ZnS / Н.К.Морозова, И.А.Каретников, В.М.Лисицын и др. // ФТП. - 2005. - Т.39, № 5. - С. 513-520.
3. Роль фоновых примесей O и Cu в оптике кристаллов ZnSe c позиций теории непересекающихся зон / Н.К.Морозова, Д.А.Мидерос, Е.М.Гаврищук и др. // ФТП. - 2008. - Т. 4, № 2. - С. 131-135.
4. Особенности спектров люминесценции ZnS(O) и ZnSCu(O) c позиций теории непересекающихся зон/ Н.К.Морозова, Д.А.Мидерос, В.Г.Галстян и др. // ФТП. - 2008. - Т. 42, № 9. - С. 1039-1045.
5. Морозова Н.К., Мидерос Д.А. Связанный экситон на SA и SAL центрах ZnS(O) и ZnSe(O) // Изв. вузов. Электроника. - 2008. - № 3. - С. 3-10.
6. Мидерос Д.А. Oптические свойства соединений А2В6 с изоэлектронной примесью кислорода с позиций теории непересекающихся зон (на примере системы ZnS-ZnSe): Дис. канд. физ.-мат. наук. - М.: МЭИ, 2008. - 172 с.
7. Band Anticrossing in GalnNAs Alloys / W.Shan, W.Walukiewicz, J.WAger et al. // Phys. Rev. Lett. - 1999. -Vol. 82, № 6. - P.1221-1224.
8. Band structure of highly mismatched semiconductor alloys: Coherent potential approximation / J.Wu, W.Walukiewicz, E.E. Haller et al. // Phys. Rev. B. - 2002. - Vol. 65. - Р. 2332101-2332104.
9. Давыдов А.А., Марков Е.В. Выращивание ориентированных монокристаллов CdS // Изв. АН СССР. Сер. Неорганические материалы. - 1976. - Т. 11, № 10. - С. 1755-1759.
10. Oптические свойства монокристаллов CdS(O), выращенных при контролируемом давлении паров серы и кадмия / А.В.Морозов, И.А.Каретников, В.А.Теплицкий и др. // ЖПС. - 1993. - Т. 59, № 3-4. - С.318-326.
11. Определение содержания кислорода в соединениях А2В6 кинетическим методом с использованием газовой хроматографии / В.С.Зимогорский, Н.А.Яштулов, В.В. Блинов и др. // 30 Междунар. науч.-техн. семинар «Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах» (29.113.12.1999, Москва). - М.: МЭИ, 2000. - С.211-215.
12. Морозова Н.К., Морозов А.В., Зимогорский В.С. О растворимости кислорода в CdS // Неорганические материалы. - 1993. - Т. 29, № 7. - С. 1014-1019.
13. Влияние контролируемого изменения собственных точечных дефектов и кислорода на оптические свойства CdS / Н.К.Морозова, А.В.Морозов, ЛД.Назарова и др. // ФТП. - 1994. - Т. 28, № 10. -С. 1699-1713.
14. Морозов А.В. Кислород в CdS и его влияние на оптические свойства: Дисс. канд. физ.-мат. наук. - М.: МЭИ, 1993. - 223 с.
15. О природе центров свечения в чистом CdS / Н.А.Власенко, Н.И.Витриховский, З.Л.Денисова и др. // Оптика и спектр. - 1966. - Т. 21, № 4. - С. 466-475.
16. Физика и химия соединений А В6 / Под.ред. Медведева С.А. - М.: Мир, 1970. - 624 с.
17. Низкотемпературная люминесценция CdS при низких и высоких уровнях возбуждения / В.И.Олешко, С.С.Вильчинская, В.И.Корепанов и др. // Тр. VI Междунар. науч. конф. «Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах» (8-15 августа 2008, Томск). - Томск: ТПУ, 2008. - С. 922-927.
18. Дмитриенко А.К. Температурная зависимость экситонных переходов в А 11 BVI // ФТП. - 1985. -Т. 19, № 5. - С. 20-27.
19. Морозова Н.К., Веселкова М.М. Изменение ширины запрещенной зоны вюрцита при легировании кислородом // ЖПС. - 1981. - Т. 34. - С. 1094-1100.
20. Temperature dependence and bowing of the bandgap in ZnSei-xOx / A.Polimeni, M.Capizzi, Y.Nabetani et al. // Appl. Phys. Lett. - 2004. - Vol. 84. - P. 3304-3310.
21. Van Doorn C.G Abnormal green «edge» emission in CdS due to oxygen impurity // Solid State Comm. -1965. - Vol. 3, N 4. - P. 355-356.
22. Экситоны / Под ред. Рашба Э.И., Стерджа М.Д. - М.: Наука, 1965. - 616 с.
23. Влияние кислорода на зонную структуру CdS(O) с позиций теории ВАС / Морозова Н.К., Олеш-ко В.И., Данилевич Н.Д. и др. // 39 Междунар. науч.-техн. семинар «Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах» (25.11-28.11.2008, Москва). - М.: МЭИ, 2009. - С. 105-111.
24. Catalano I.M., Cingoliani A., Minafra A. Spontaneous and stimulated luminescence in CdS and ZnS exrited by multiphonon optical pumping // Phys. Rev. B. - 1973. - Vol.8. - P. 1488-1492.
Статья поступила 16 сентября 2008 г.
Морозова Наталия Константиновна - доктор физико-математических наук, профессор кафедры полупроводниковой электроники МЭИ. Область научных интересов: изучение роли кислорода в создании и стабилизации собственно-дефектных и примесных центров и их влияние на оптику соединений AIIBVI.
Данилевич Надежда Дмитриевна - аспирант кафедры полупроводниковой электроники МЭИ. Область научных интересов: исследование оптики кристаллов CdS(O) с позиции теории непересекающихся зон.
Семенов Владимир Михайлович — научный сотрудник кафедры полупроводниковой электроники МЭИ. Область научных интересов: изучение влияния кислорода на экситонную люминесценцию CdS(O).
Галстян Виктор Гайкович — кандидат физико-математических наук, ведущий научный сотрудник Института кристаллографии РАН. Область научных интересов: электронно-микроскопические исследования кристаллов.
Олешко Владимир Иванович — кандидат физико-математических наук, доцент кафедры лазерной и световой техники (ЛИСТ) ТПУ. Область научных интересов: методы высокоэнергетической рентгено- и катодолюминесценции.
Вильчинская Светлана Сергеевна — научный сотрудник кафедры ЛИСТ ТПУ. Область научных интересов: изучение особенностей спектров импульсной рентге-но- и катодолюминесценции.
Лисицын Виктор Михайлович — доктор физико-математических наук, профессор, заведующий кафедрой ЛИСТ ТПУ. Область научных интересов: радиационно-оптические эффекты в полупроводниках.
