CC BY
18Ю.В.Грановский
НАУКОВЕДЧЕСКИЙ АНАЛИЗ КРИТИЧЕСКИХ ТЕХНОЛОГИЙ ПО НОВЫМ МАТЕРИАЛАМ И ХИМИЧЕСКИМ ПРОДУКТАМ*
Введение
В «Основах политики РФ в области развития науки и технологий на период до 2010 года и дальнейшую перспективу», утвержденных Президентом РФ В.В.Путиным 30 марта 2002 г., определены важнейшие направления государственной политики, цели, задачи и пути их реализации, система экономических и иных мер, стимулирующих научную и научно-техническую деятельность. В разделе, посвященном совершенствованию государственного регулирования в области развития науки и технологий, отмечена необходимость формирования и реализации приоритетных направлений развития науки, технологий и техники, а также критических технологий как на федеральном уровне, так и на уровне субъектов РФ. Приоритетные направления и критические технологии федерального уровня формируются в целях обеспечения реализации важнейших инновационных проектов. Совершенствование государственного регулирования в области развития науки и технологий предусматривает создание механизмов государственной поддержки приоритетных направлений и критических технологий. Намечено целевое выделение бюджетных средств для реализации научного сопровождения важнейших инновационных проектов государственного значения и концен-
*Работа выполнена при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (проект № 01-06-80071).
трация бюджетных ресурсов для выполнения исследований по приоритетным направлениям и критическим технологиям. Составлены перечни приоритетных направлений и критических технологий. Подобные перечни имеются и в ряде развитых стран Запада, но общепринятого определения критических технологий еще нет. Одно из определе-ний - это технологии общего назначения, имеющие потенциал использования во многих отраслях промышленности. К ним относятся технико-технологические проекты и решения, связанные с укреплением обороноспособности страны, совершенствованием новейших вооружений, повышением качества жизни населения, решением экологических проблем и пр.
Необходимость выделения приоритетных направлений и критических технологий была осознана еще в середине прошлого века, когда стало ясно, что эффективность экономики определяется развитием современных высоких технологий и обеспечивающих их создание фундаментальных исследований. Концепции и подходы в выборе и реализации критических технологий в разных странах рассмотрены в работе «Государственные приоритеты в науке и образовании» [4].
В нашей стране в 1996 г. Правительством РФ был утвержден перечень основных направлений науки и критических технологий, включающий семь приоритетных направлений и около 70 критических технологий. Через три года число критических технологий было сокращено до 59, но, вероятно, в перечне остались технологии, фиксирующие устаревшие разработки. Это связано с неразрабо-танностью многих право -вых и организационных механизмов согласования и отбора национальных целей развития страны и соответствующих им приоритетов в области науки и технологии. Поэтому не исключено, что в перечне остались еще и критические технологии, не обеспеченные ресурсами, а жизненно важные для России технологии, менее существенные для других стран, не включены. Так как эмпирические исследования состояния и перспектив развития отечественных научных исследований и базирующихся на них критических технологий за последние годы в России почти не проводились, оценка и отбор критических технологий выполнялись весьма субъективно, с помощью метода экспертных оценок.
Метод экспертных оценок широко применяется за рубежом. Например, в США в составлении списка технологических решений, поддерживаемых правительством, принимали участие ученые, финансисты, лидеры бизнеса, аналитики Пентагона и ЦРУ, политические деятели. При этом использовались сложные и многоступенчатые процедуры [6].
Не отрицая важности и необходимости применения метода экспертных оценок, следует отметить его недостатки. Одним из них является так называемый «гало-эффект»: при выработке комплек-сной оценки по множеству показателей завышается общая оценка. Существует еще и ошибка «щедрости»: оценка завышается, если какой-либо показатель особенно нравится эксперту. Требования высокой компетенции эксперта и его личной незаинтересованности в результатах экспертизы часто трудно выполнимы.
Эти общеизвестные недостатки метода экспертных оценок и послужили причиной разработки иных подходов для решения актуальных задач развития науки и техники. Один из них - науковедческий подход, дающий объективную оценку уровня научно-исследовательских и опытно-конструкторских работ. Его эффективность определяется комплексным изучением науки с позиций логики ее развития, экономики, социологии науки и пр. В связи с важностью для нашей страны разработки методики отбора критических технологий предложено проводить их нау-коведческий анализ с учетом государственных интересов и состояния НИР и НИОКР в наиболее промышленно развитых странах [6].
Основателем науковедения считается английский ученый Дж.Бернал, опубликовавший в 1939 г. книгу «Социальная функция науки» [25]. Он выделил науку как особый объект исследования - социальный институт, требующий отдельной научной дисциплины для своего изучения. После Второй мировой войны стали широко изучаться социально-психологические, экономические, организа-ционные и иные проблемы науки, образовались исследовательские группы, появились специальные журналы, проводились конфе-ренции. Большой вклад в развитие науковедения внесли амери-канские исследователи Д.Прайс и Ю.Гарфильд. Д.Прайс начал широко применять количественные методы для изучения развития науки, а Ю.Гарфильд организовал Институт научной информации (ИНИ, г. Филадельфия). Эта организация с начала 60-х годов стала издавать «Указатель научных ссылок» (Science Citation Index), сыгравший важную роль в последующих исследованиях по науковедению.
В отдельное направление науковедения - наукометрию - выделились задачи применения математических методов. В наукометрии полезной оказалась информационная модель процесса развития науки: наука рассматривается как самоорганизующаяся система, управляемая своими информационными потоками. В информационной модели публикации являются носителями информации, журналы - каналами связи, библио-
графические ссылки - особым (кодовым) языком научной информации, показывающим влияние публикаций на развитие информационных потоков [17].
Для получения и анализа приводимых ниже результатов широко применялись методы наукометрии. Известны многочисленные примеры успешного использования наукометрических методов для оценки эффективности научных исследований, проводимых в разных странах и организациях, решения задач прогнозирования и т.д., результаты которых публикуются в международном журнале «8с1еП;оте<;г1с8». Например, построение кривых роста публикаций позволяет получать заключения о перспективности развития тех или иных научных направлений. Здесь широко используются базы данных ИНИ, в настоящее время аккумулирующие библиографические сведения из нескольких тысяч наиболее важных журналов всего мира. Эти сведения позволяют выявлять и анализировать тенденции в развитии мировой науки, определять структуру научных исследований в разных странах и пр. Используемая алгоритмическая кластеризация публикаций методом коцитирования (метод Мар-шаковой-Смолла) выявляет быстро развивающиеся научные направления - исследовательские фронты. Анализ кластеров позволяет определять вклад стран, организаций, научных сотрудников в исследовательские фронты. Подобная информация является одной из самых важных и полезных в работах по науковедению [12, 13].
В этой дисциплине продолжают разрабатываться новые концепции и методы, позволяющие расширить круг решаемых задач. Например, предложены математические модели, описывающие стационарные наукометрические распределения, разработаны проце-дуры кластеризации понятий для изучения развития научных направлений и пр. [23, 24].
Состояние отечественных науковедческих исследований
В нашей стране в середине 60-х годов стали возникать проблемные группы и сектора. В Институте истории естествознания и техники АН СССР был открыт отдел науковедения под руководством члена-корреспондента АН СССР С.Р. Микулинского. В Украине был создан Центр исследования научно-технического потенциала и истории науки во главе с Г.М. Добровым. Появились отделы науковедения в Институте мировой экономики и международных отношений АН СССР, Институте
горного дела СО АН СССР и в других организациях [5, 7, 16]. Весной 1966 г. была опубликована статья С.Р. Микулинского и Н.И. Родного по общим проблемам науковедения, в которой давалась трактовка предмета новой области науки [15]. Летом того же года во Львове состоялся советско-польский симпозиум, на котором термин «науковедение» был признан как название новой дисциплины - комплексной науки о взаимодействии различных элементов изучаемого предмета и синтезирующего знания о нем. В дискуссиях о предмете, задачах и основных направлениях науковедения ряд участников симпозиума считали, что к основным задачам науковедения относятся изучение процесса производства научных знаний, выявление оптимальных форм организации науки, достижение высокой эффективности научно-исследовательской работы и т.д. Решение этих задач станет возможным путем гармонического сочетания описательного и количественного подходов. На симпозиуме доктором технических наук В.В. Налимовым впервые был введен термин «наукометрия» для обозначения научного направления, входящего в науковедение и использующего количественные методы для изучения процесса развития науки. От науковедения ожидали рекомендаций по повышению эффективности научных исследований [1, 8, 11].
В дальнейшем одно из направлений отечественных исследо-ваний основывалось на концепции экспоненциально-логистического роста науки, выдвинутой Д. Прайсом. Он определил, что такие параметры развития науки, как число публикаций, журналов, научных сотрудников, в зависимости от времени растут по экспоненте, причем за десять-пятнадцать лет их значения удваиваиваются. Экстраполяция экспонент в прошлое показала, что единичные значения параметров относятся примерно к 1700 г., т.е. к эпохе Ньютона. Действительно, первые научные журналы появились во второй половине XVII в. Экспоненциальный рост прослеживался за последние 200-250 лет для широких областей науки - физики, химии, биологии. Локальные научные направления вначале развиваются по экспоненте, а после исчерпания потенциальных возможностей развития рост параметров становится линейной функцией времени. Экстраполяция экспонент в будущее, на сто лет и более, приводила к нереальным величинам, значения параметров возрастали на три порядка. Фактически кривые роста достигали насыщения, экспоненты переходили в логистические кривые. В начальные моменты времени логистические кривые практически совпадали с экспонентами, а затем с повышением значений параметров скорости роста снижались.
Концепция Д. Прайса привела к важному утверждению - изменился закон, по которому наука развивается последние столетия. Она вступила в новую фазу развития в связи с кризисом роста, обусловленным перегруженностью науки информационными пото-ками. Механизмом кризиса является адаптационное торможение, вызванное приспособлением науки к новым условиям. В связи с этим выдвинута гипотеза о предстоящих качественных преобразованиях науки, о переходе от преимущественно экстенсивного роста науки к интенсивному [17, 24].
В тот период у отечественных исследователей явно проявлялся интерес к общим проблемам управления наукой. Сыграли роль и модные тогда концепции кибернетики, позволяющие решать пробле-мы оптимального управления сложными объектами. Для науки, весьма сложного объекта, требовалось оптимальное управление при недостаточном знании механизма ее функционирования. Постепенно выделились шесть основных направлений исследований: логико-гносеологическое, истори-ко-научное, социологическое, науко-метрия, психология научного творчества, экономические проблемы развития науки [10].
В конце 60-х - начале 70-х годов отечественное науковедение развивалось довольно быстро, несмотря на недоступность статистических данных о развитии науки в стране, наличие идеологических запретов на разработку ряда вопросов и т.п. Например, в 1970 г. был основан отдел науковедения ИНИОН АН СССР (ныне РАН); его издания: серия «науковедение» РЖ «Общественные науки за рубежом», а также другие серии по актуальным проблемам науковедения сыграли существенную роль в развитии науковедческих исследований в стране; в середине 70-х годов нами была составлена библиография отечественных работ по наукометрии. Она включала более 700 публикаций [19]. Регулярно проводились общесоюзные конференции, в Киеве стал издаваться журнал «Науковедение и информатика», поддерживались контакты с зарубежными исследователями и т.п. В 1979 г. был основан международный журнал «8с1еп1отеМс$», в редакционном совете которого из 48 человек пять представляли Советский Союз.
Однако к концу 70-х - началу 80-х годов в нашей стране появились признаки торможения исследований в этой области науки. Стало сокращаться число организаций, занимавшихся проблемами науковедения, не одобрялись зарубежные контакты и т.п. Во второй половине 80-х годов в Институте истории естествознания и техники АН СССР проходил «круглый стол», посвященный развитию отечественного науковедения. На нем отмечалось, что в исследованиях принимало участие не-
большое число слабо связанных между собой научных групп. К началу 90-х годов торможение исследований в области науковедения заметно возросло [18, 21].
Выяснение причин этого явления требует отдельного рассмотрения. Гипотеза о влиянии на науковедение системного кризиса отечественной науки здесь вряд ли может быть принята. Кризис, конечно, оказал влияние, однако число научных организаций в стране продолжало расти [3]. Трудно найти рациональное объяснение сокращению исследований, если учесть, что в науковедении решается крайне актуальная задача повышения эффективности научных исследований. За рубежом работы по науковедению продолжают интенсивно развиваться.
За последние годы положение с отечественным науковедением изменилось в лучшую сторону. С 1999 г. издается общероссийский журнал «Науковедение», широкую программу развития исследований по науковедению обнародовал Центр информатизации, социальных, технологических исследований и науковедческого анализа (Центр «ИСТИНА») Минпромнауки и Минобразования РФ под руко-водством доктора философских наук, профессора А.И. Ракитова, снова стали проводиться конференции и т.д. Однако последствия торможения продолжают оказывать негативное влияние. Не восста-новлены в полной мере связи с зарубежными учеными, библиотеки страны получают мало зарубежных журналов, публикующих работы в данной области науки, недостаточно широко налажен доступ к зарубежным базам данных, особенно коммерческим, и т.п.
Таков фон проведения наших науковедческих исследований. Его нельзя назвать благоприятным, но можно надеяться, что с развертыванием отечественных работ отмеченные выше трудности будут преодолены и наши исследования будут развиваться в одном темпе с мировыми исследованиями по науковедению.
Сравнительный анализ отечественных и зарубежных исследований по синтетическим сверхтвердым материалам и материалам для микро- и наноэлектроники1
Выбор данных критических технологий определялся их важностью для народного хозяйства страны. Синтетические сверхтвердые материалы (СТМ) коренным образом изменяют технологию обработки различных изделий, способствуют созданию новых условий труда, повышают технический уровень и снижают себестоимость продукции, открывают путь к интенсификации и автоматизации производственных процессов.
По современным представлениям, к синтетическим сверхтвердым материалам относятся материалы с твердостью по Виккерсу выше 40 ГПа. Наиболее твердые вещества, алмаз (70-100 ГПа) и кубический нитрид бора (около 50 ГПа), проявляют данное свойство практически одинаково независимо от их дисперсности, компакт-ности и размерных характеристик.
Особо важную роль приобретают СТМ в связи с ростом применения в промышленности высокопрочных металлов, сплавов и труднообрабатываемых неметаллических материалов, с повышением требований к точности обработки, чистоте и качеству поверхности деталей машин и приборов. Алмазный инструмент эффективен для резки стекла, мрамора, гранита и пр. При этом сроки службы инструментов возрастают в десятки раз, повышается не менее чем на порядок производительность труда, увеличивается долговечность обрабатываемых деталей.
Использование композиционных алмазосодержащих матери-алов при бурении значительно снижает материальные и трудовые затраты в пересчете на единицу разведанных запасов. Широко распространены сверхтвердые абразивные материалы для чистовой обработки поверхности деталей: алмазные шлифовальные круги, цилиндрические головки для внутреннего шлифования, алмазные надфили и хонбруски, отрезные пилы и ленты и т.п.
Микроэлектроника (МЭ) является составной частью электроники, изучающей процессы взаимодействия элементарных частиц с элек-
1 В исследованиях принимали участие референт Всероссийского института научно-технической информации А.Я. Преображенский и старший научный сотрудник Московского института стали и сплавов кандидат технических наук Д.А. Подгорный.
тромагнитными полями. Здесь создаются приборы, в которых эти процессы применяются для преобразования электромагнитной энергии с целью обработки, хранения и использования информации. Микроэлектроника справедливо считается катализатором научно-технического прогресса. Применяемые в ней приборы имеют микроминиатюрное исполнение с сочетанием интеграции элементарных устройств и качественных функций. Микроэлектроника тесно связана с разработкой интегральных схем (ИС) - конструктивно законченных изделий, включающих электрически связанные между собой устройства (транзисторы, диоды, конденсаторы и пр.), изготовленные в одном технологическом цикле. Успехи в развитии МЭ связаны с решением проблем компьютеризации, информатизации, создания новейших систем связи, бытовой, медицинской и иной аппаратуры. Наибольшее распространение получили ИС, изготовленные на одной полупроводниковой пластине по так называемой планарной технологии. Поэтому из всех направлений МЭ (молекулярная, вакуумная, полупроводниковая, квантовая и т.д.) по размаху исследований и использованию достижений фундаментальной и прикладной науки на первое место вышла полупроводниковая микроэлектроника, хотя границы между направлениями четко не очерчены и часто трудно отнести ту или иную работу к определенному направлению.
Вся микроэлектроника, по примерной оценке, потребляет более 2000 материалов, не считая реактивов для анализа. В настоящей работе, в соответствии с отмеченными выше тенденциями развития этой области исследований, основное внимание уделено полупро-водниковым материалам, используемым при изготовлении элект-ронных приборов.
Термины «наноматериалы», «наноструктуры», «наноэлект-роника» (НЭ) появились в научной периодике примерно десять лет назад. Наноматериалы имеют для хотя бы одной из фаз линейные размеры менее 100 нанометров (10-7м). От крупнокристаллических твердых тел наноматериалы отличаются тепловыми, механическими и иными свойствами. Отличия объяснимы возрастанием вклада квантовых эффектов по мере приближения размера частиц к атомным размерам. Исследования по наносистемам и наноприборам направлены на создание новой технологии XXI в. - нанотехнологии, способной перевести электронику на качественно новый уровень. Работы развиваются широким фронтом в таких направлениях, как изучение нанокластерных реакций и полупроводниковых нанокластеров, высокоточный синтез наносистем методами молекулярного синтеза и химической сборки и т.д. Рабочими элементами в нанотехнологии служат отдельные атомы и молекулы. Прогресс в этом
направлении основан на успехах в развитии и применении новой инструментальной техники - сканирующей и силовой микроскопии, спектроскопии высокого разрешения и пр., в создании методов организации упорядоченных состояний материи, часто копирующих процессы, реализуемые в живых системах [22]. Далее информация по материалам НЭ будет представлять составную часть информации по материалам МЭ.
Источники информации
В настоящей работе были использованы следующие источники информации:
- База данных с поисковой системой на оптических дисках американского реферативного журнала «Chemical Absracts» за 1998-1999 гг. для СТМ и за 2000 г. для МЭ. Поиск проводился по ключевым словам «сверхтвердые материалы», «нитрид бора», «полупроводниковые материалы» и т.п. Выделены несколько сот рефератов статей, обзоров и патентов по СТМ и МЭ.
- База данных с поисковой системой Американского института научной информации «Указатель научных ссылок», доступная по Интернету. Выделена библиографическая информация для более ста публикаций за 1998-2000 гг. по СТМ и для такого же числа публикаций за 2000-2001 гг. по МЭ. Кроме того, собраны данные по цитируемости работ докторов наук, которые получают, изучают и применяют СТМ, а также членов редакционной коллегии отечественного журнала «Материалы электронной техники» и членов организационных комитетов конференций «Кремний-96» и «Кремний-2000».
- База данных с поисковой системой по отечественным патентам Федерального института промышленной собственности, доступная по Интернету. По ключевым словам выделены патенты, где приведены: автор (авторы), дата подачи заявки, дата публикации формулы патента, название, патентообладатель; реферат.
- База данных с поисковой системой Всероссийского научно-технического информационного центра (только для работ по СТМ). Здесь получена реферативная информация о кандидатских и докторских диссертациях за 1991-2000 гг., научно-исследовательских и опытно-конструкторских работах, проведенных в России и финансируемых из государственного бюджета. Для диссертаций, помимо фамилии диссертанта и названия работы, приведены реферат, ключевые слова, ученая
степень диссертанта, номер специальности, шифр совета, дата и место защиты. Похожая информация приведена и для отчетов.
- Для изучения тенденций в развитии исследований использованы библиографии работ из годовых выпусков журнала «Сверхтвердые материалы» за 1979-1981 гг. и 1990 г., статьи из журнала «Материалы электронной техники» за 1998-2001 гг.
Анализ мировых информационных потоков
В табл. 1 приведено распределение рефератов из реферативного журнала «Chemical Absracts» по первым десяти странам.
Таблица 1
Распределение рефератов по странам
Страна Число рефератов (%) Страна Число рефератов (%)
СТМ МЭ СТМ МЭ
США 11,8 36,0 Украина 4,5 -
Япония 14,6 - Белоруссия 2,6 -
Россия 10,6 4,7 Бразилия 1,9 -
Китай 9,8 4,0 Италия - 4,0
Германия 7,9 16,7 Бельгия - 2,0
Великобритания 3,9 2,7 Индия - 2,0
Франция 2,6 5,3 Швейцария - 2,0
По СТМ на долю других двадцати стран приходится около 30% рефератов, по МЭ - около 20%. Россия по обоим показателям входит в первую пятерку стран. Но если по СТМ отставание от лиде-ров можно считать небольшим, то по МЭ отрыв от США и Германии довольно существенный. Обращает внимание выдвижение Китая на передовые позиции по обоим критическим технологиям. Вызывает удивление факт отсутствия Японии среди передовых стран по МЭ.
Получено также распределение работ по направлениям исследований. Здесь, помимо рефератов из реферативного журнала, использованы сведения из «Указателя научных ссылок». Распре-деление работ по направлениям исследований по СТМ приведено в табл. 2, по МЭ - в табл. 3.
Таблица 2
Распределение работ (СТМ) по направлениям исследований
Направление Число работ (%)
«СИет1еа1 АЬэгяйз» «Указатель научных ссылок»
Алмаз 25,1 3,9
Пленки 19,7 26,2
Кубический нитрид бора 18,0 14,3
Наноструктуры 7,1 17,5
Покрытия 3,4 7,1
Фуллерены 3,2 3,2
Композиты 3,0 11,1
Прочие 20,5 16,7
В исследованиях по СТМ следует выделить лидирующие по «Указателю научных ссылок» направления - пленки и нано-структуры. Корреляция между двумя распределениями (из реферативного журнала и «Указателя научных ссылок»), оцененная по коэффициенту ранговой корреляции Спирмена, оказалась незначи-мой. Различие в значительной мере определяется разным вкладом исследований по алмазу и композитам (табл. 2). Его можно объяснить тем, что более 50% статей, полученных с помощью «Указателя научных ссылок», были опубликованы в 2000 г., в то время как публикации из реферативного журнала относятся к 1998-1999 гг. Не исключено, что в последнее время произошли изменения в структуре исследований по СТМ.
Таблица 3
Распределение работ (МЭ) по направлениям исследований
Направление Число работ (%)
«Chemical Absracts» «Указатель научных ссылок»
Получение гомо- и гетероэпи-таксиальных структур 41,5 44,2
Технология и оборудование для получения приборных структур 21,8 10,4
Методы и аппаратура для изучения физико-химических свойств 15,5 23,3
Материалы для наноэлектро-ники 12,7 17,4
Получение монокристаллов 7,0 1,2
Получение пленок, поликристаллов, аморфных и пористых материалов 0,75
Вопросы экономики 0,75 3,5
Отдельно было получено распределение по направлениям отечественных работ по СТМ из реферативного журнала «Chemical Absracts». Ранжирование направлений по их вкладу в общий информационный поток привело к такому ряду: алмаз, фуллерены, композиты, кубический нитрид бора, наноструктуры, пленки, покрытия и пр. Коэффициент ранговой корреляции, рассчитанный между распределениями отечественных и зарубежных работ по направлениям исследований, опять оказался незначимым. Различие определяется разным положением работ по пленкам, фуллеренам и композитам.
Сопоставление структур исследований по СТМ в начале 80-х годов, 1990 г. и к концу столетия показало, что около двадцати лет назад отечественные исследования были близки к зарубежным исследованиям. Различия, наметившиеся к 1990 г., стали весьма заметными в последнее десятилетие. В зарубежных работах пленкам уделяется большое внима-
ние (второе место в ранжировке), в то время как фуллерены и композиты находятся в конце ранжировочного ряда. Для отечественных работ картина иная. Здесь лидируют исследо-вания по алмазу, фуллеренам и композитам.
В исследованиях по МЭ также проранжированы направления по их вкладу в информационные потоки (табл. 3). Коэффициент ранговой корреляции оказался равным 0,87 при критическом значении 0,68, т.е. структуры исследований близки. Первое место в обоих ранжировках принадлежит работам по материаловедению, физико-химическим основам, технологии и оборудованию для получения гомо- и гетероэпитакси-альных структур.
Далее было получено распределение статей из отечественного журнала «Материалы электронной техники» за 1998-2000 гг. За каждый год проведено ранжирование направлений по их вкладам в общее число статей и рассчитаны коэффициенты ранговой корреляции между ранжировками. Все коэффициенты ранговой корреляции оказались значимыми, кроме одного - между ранжировками за 1998 г. и 2001 г. (коэффициент ранговой корреляции равен 0,54 при критическом значении 0,68). Это означает, что структура исследований в 2001 г. отличается от структуры в 1998 г. На первое место к настоящему времени вышли работы по материаловедению, физико-химическим основам, технологии и оборудованию для получения гомо- и гетероэпитоксиальных структур. Ранее они занимали третье место. С шестого на третье место перешли исследования по технологии и оборудованию для формирования приборных структур. Работы по материаловедению, физико-химическим основам, технологии и оборудованию для получения пленок, поликристаллов, микрокристаллов, аморфных и пористых материалов с четвертого места переместились в конец ранжировки.
При сравнении структур исследований по информации журналов «Материалы электронной техники» и «Chemical Abstracts» за 2000 г. получен коэффициент ранговой корреляции, равный 0,4. Его незначимость, очевидно, показывает разную структуру отечест-венных и мировых исследований по материалам микро- и наноэлектроники. В наших работах преобладают исследования по материаловедению, физико-химическим основам, технологии и оборудованию для получения монокристаллов. В зарубежных работах они занимают пятое место. За рубежом больше внимания уделяется работам по материалам наноэлектроники (третье место), в отечественных исследованиях они занимают только шестое место.
Из приведенных результатов можно сделать вывод, что вклад России в информационные потоки по СТМ и МЭ весьма значителен, однако структура отечественных исследований, задаваемая разными направлениями, отличается от структуры зарубежных работ.
Анализ отечественных информационных потоков
Патенты
В выборку попали 180 патентов по СТМ и 248 патентов по МЭ. Около 60% патентов заявлены государственными организациями, остальные - частными лицами и организациями ближнего и дальнего зарубежья. Распределение патентов по годам приведено в табл. 4 (по СТМ представлены данные только по отечественным патентам).
Для числа патентов максимумы приходятся на 1995-1996 гг. По МЭ за последние два года в выборку попало незначительное число патентов. Возможно, это связано с задержками в рассмотрении заявок.
Таблица 4
Распределение патентов по годам
Год Число патентов Год Число патентов
СТМ МЭ СТМ МЭ
1994 18 39 1998 18 36
1995 36 51 1999 14 24
1996 21 66 2000 10 4
1997 16 24 2001 - 4
С целью выяснения причин значительных изменений в дина-мике числа патентов, для патентов, заявленных отечественными организациями, рассчитывалось время ожидания - разность (в годах) между годом опубликования патента и годом подачи заявки. Значе-ния медиан для каждого года опубликования патентов, а также мини-мальные и максимальные значения этого параметра приведены в табл. 5.
Можно отметить положительный момент. По МЭ медианное время ожидания в 1998-2001 гг. уменьшилось в 1,5-2 раза по сравнению с 1994-1997 гг. Но все же максимальное время ожидания, за немногими исключениями, остается достаточно большим.
Медиана, минимальное и максимальное значения для времени ожидания патентов (годы)
Год Медиана миним. -максим. Год Медиана миним. -максим.
СТМ МЭ СТМ МЭ СТМ МЭ СТМ МЭ
1994 10 3 4-6 1-14 1998 3 2 0-15 1-5
1995 2,5 3 1-17 1-18 1999 2 2 1-19 1-18
1996 3 4 1-14 1-16 2000 28 1,5 2-36 1-6
1997 3 3 2-7 1-14 2001 - 2 - 1-2
В работе «Опыт и проблема оценки развития нового научного направления» [9] приведены данные о патентах по синтезу фулле-ренов и их производных, полученные с помощью той же Базы данных. В ней отмечено, что период от регистрации заявки до публикации сведений о формуле выданного патентного документа может достигать четырех лет и более. Для патентов по СТМ и МЭ максимальные значения времени ожидания находятся в интервале от двух до 36 лет. На основе изобретений, сделанных много лет назад, предприятия, приобретающие на них лицензии, не смогут создать высококонкурентную продукцию. Поэтому актуальна задача эффективной организации патентной службы, направленной на сокращение времени рассмотрения заявок на патенты.
По материалам МЭ в последнее время появились патенты организаций дальнего зарубежья, занимающих заметное место на рынке сбыта продукции электронной промышленности. В то же время уменьшилось число патентов из организаций ближнего зарубежья (Украина, Белоруссия), что, вероятно, связано с экономическим состоянием этих стран.
В табл. 6 приведены распределения патентов по типам организаций: НИИ - отраслевые научно-исследовательские организации, АО - акционерные общества различных форм, НПО - научно-производственные объединения, ПО - производственные объеди-нения, КБ - конструкторские бюро. Как по СТМ, так и по МЭ значительную изобретательскую активность проявили институты РАН. Например, по МЭ из академических организаций лидируют Институт физики полупроводников, Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе, Институт
микроэлектроники. В целом эффективность этой деятельности, выражаемая соотношением «патенты/ организации» (последние два столбца табл. 6), для организаций СТМ выше, чем для организаций МЭ (медианы для этих соотношений равны 3,33 и 1,9 соответственно).
Помимо распределения патентов по организациям, получено распределение авторов по числу патентов. Число исследователей, подавших заявки на патенты в течение двух и более лет, т.е. систематически работавших над изобретениями, невелико и составило 12% от общего числа авторов по СТМ и 7% по МЭ.
Таблица 6
Распределение патентов по типу организаций
Тип организации Число организаций Число патентов патенты/организации
СТМ МЭ СТМ МЭ СТМ МЭ
Институты РАН 9 14 43 49 4,77 3,5
НИИ 3 17 10 34 3,33 2,0
АО, ЗАО, ООО и др 13 13 39 16 3,0 1,2
НПО, ПО КБ и др. 3 20 10 38 3,33 1,9
Вузы 3 29 3 50 1,0 1,7
Кадры высшей квалификации
Сведения о диссертациях по СТМ были получены из базы данных Всероссийского научно-технического информационного центра. Аналогичная информация по МЭ получена из справки Высшей аттестационной комиссии Министерства образования РФ по работам специальности 05.27.01 «Твердотельная электроника, микро-электроника и наноэлек-троника». Распределение кандидатских и докторских диссертаций по годам за 1997-1999 гг. приведено в табл. 7.
Распределение диссертаций по годам
Год защиты Докторские диссертации Кандидатские диссертации
СТМ МЭ СТМ МЭ
1997 6 8 10 13
1998 2 10 10 35
1999 2 9 5 23
На следующем этапе исследований с помощью критерия цитируе-мости оценивался вклад кадров высшей квалификации в развитие работ по анализируемым критическим технологиям. Здесь был использован «Указатель научных ссылок» за 1975-2000 гг. для докторов наук в области СТМ (38 человек) и тот же источник информации за 1996-2001 гг. для членов редакционной коллегии журнала «Материалы электронной техники» и членов организа-ционных комитетов конференций «Кремний-96» и «Кремний-2000» (37 человек). Выделены три группы специалистов: низкоцитируемая группа (нет ссылок или число ссылок не превышает 10), среднецитируемая (число ссылок от 11 до 50), высокоци-тируемая (число ссылок выше 50). Распределение исследователей по цитируемости приведено в табл. 8.
Таблица 8
Распределение исследователей по цитируемости (%)
Группа СТМ МЭ
Низкоцитируемая 68,4 40,5
Среднецитируемая 21,0 32,5
Высокоцитируемая 10,6 27,0
С позиций информационной модели науки примерно 50% докторов наук по СТМ относятся к «информационным невидимкам» - их работы совсем не цитируются. У ряда научных работников из низкоцитируемой группы цитируемость носит «мерцающий характер» - появление единич-
ных ссылок за последние пять лет. Из высокоцитируемой группы по СТМ два доктора наук получили более 500 ссылок.
Цитируемость специалистов по МЭ заметно выше, чем специалистов по СТМ - меньше вклад низкоцитируемой группы и соответственно выше вклады других групп. Следует еще учесть, что цитируемость работ по МЭ получена за шесть лет, а по СТМ - за 25 лет.
Значительный опыт изучения цитируемости научных сотруд-ников показал, что публикации, имеющие большое значение для развития науки и получившие признание, имеют сотни ссылок за несколько лет. У специалистов по МЭ из высокоцитируемой группы число ссылок получено цитированием нескольких десятков публикаций. Эти данные не противоречат гипотезе о преобладании в отечественных исследованиях по МЭ традиционной тематики. Как по СТМ, так и по МЭ не отвергается и другая гипотеза - о невысоком интересе зарубежных исследователей к отечественным работам по материаловедению. Полученные данные коррелируют с результатами библиометрического анализа вклада стран, включая Россию, в общемировой прогресс науки. По числу опубликованных работ за 1993-1997 гг. Россия находится на седьмом месте, по цитируемости она занимает 89-е место среди ста стран. Отечественные работы по материаловедению среди 18 областей естественных наук имеют самый низкий импакт (среднее число ссылок на публикацию), равный 0,07 [14].
Причины низкой цитируемости российских работ по материаловедению требуют отдельного рассмотрения. Но одна из них, возможно, заключается в отмеченном выше несовпадении структур, задаваемых направлениями исследований. Длительное различие в структурах скорее всего негативно сказывается на эффективности отечественных работ, так как затрудняет использование достижений мировой науки. Но иногда эти отличия могут быть показателем лидирования наших работ в отдельных научных направлениях.
Диссертации по СТМ выполнены по 12 специальностям естественных наук и 28 специальностям технических наук. Они разделены на две группы. «Естественнонаучные» диссертации отнесены нами к фундаментальным исследованиям, технические - к прикладным. Распределение диссертаций по этим двум группам и периодам времени приведено в табл. 9.
Распределение диссертаций (СТМ) по двум группам и периодам времени
Группа Период
1990-1992 гг. 1993-1996 гг. 1997-1999 гг.
Фундаментальные исследования 11 (14,7%) 11 (31,4%) 3 (8,6%)
Прикладные исследования 64 (85,3%) 24 (68,6%) 32 (91,4%)
Если при переходе от первого ко второму периоду отношение фундаментальных к прикладным исследованиям возросло от 0,17 до 0,46 (возможно, за счет сокращения общего числа работ), то в третьем периоде эта величина уменьшилась в пять раз (0,093). Это указывает на ослабление фундаментальных исследований. Следует учесть, что докторские диссертации считаются значительным вкладом в научные направления. В физике пять докторских диссертаций были защи-щены в период 1991-1994 гг., в химии - три диссертации в период 1991-1996 гг. Эти данные не соответствуют требуемому масштабу исследований. Нет и работ, выполненных за последние годы.
В области прикладных исследований положение иное. Во втором периоде времени защищено шесть докторских диссертаций, в третьем -девять. Более половины работ выполнены по технологии машиностроения, процессам механической и физико-технической обработки, станкам и инструменту. Не было докторских диссертаций по транспортному, горному и строительному машиностроению, авиационной и ракетно-космической технике, электротехнике, электронике.
Что же касается докторских диссертаций по МЭ, то в работе «Краткий обзор тематики диссертаций, рассмотренный ВАК Минобразования России в 1999 году. Электроника, приборостроение и радиотехника» [20] отмечено: в этой области в 1999 г. работы были выполнены, хотя и в важных, но в традиционных направлениях: управление процессами дефектообразования в кремниевых структурах, низкотемпературные методы осаждения нитридных пленок из газовой фазы. В кандидатских диссертациях основное внимание уделено различным аспектам ге-
тероэпитаксии, обработке поверхности, композиционным материалам, получению новых материалов для электроники.
Уровень теоретических работ, как правило, соответствует мировому уровню, а иногда и превосходит его. Однако экспери-ментальные работы и особенно промышленное внедрение оставляют желать лучшего. Тематика многих работ не имеет подлинно иннова-ционного характера, не соответствует в полной мере потребностям развития электроники. Основные результаты исследований часто не публикуются в авторитетных научных журналах (эта оценка сделана одним из членов Экспертного совета по электронике, измерительной технике, радиотехнике и связи ВАК Министерства образования РФ).
По СТМ проделан также анализ отчетов о научно -исследовательских и опытно-конструкторских работах, проведенных в России в 1990-2000 гг. и финансируемых из государственного бюджета. Динамика численности отчетов приведена в табл. 10.
Таблица 10
Динамика численности отчетов по СТМ
Год Число отче- Год Число отче- Год Число
тов тов отчетов
1990 30 1994 8 1998 10
1991 41 1995 12 1999 9
1992 31 1996 19 2000 9
1993 13 1997 10 - -
Чтобы сделать результаты анализа статистически достоверными (выборки за год невелики), полученные данные объединены в три группы, соответствующие трем периодам времени: 1990-1992 гг., 1993-1996 гг., 1997-2000 гг. К первому периоду относятся работы, проводимые еще союзными организациями. Второй период может быть назван переходным по отношению к периоду, включающему работы за последние четыре года. Распределение числа организаций и отчетов по периодам времени приведено в табл. 11.
При переходе от первого периода ко второму число отчетов уменьшилось примерно в два раза. Это связано с сокращением числа организаций, работающих по СТМ. В табл. 12 приведены распределения
организаций и отчетов по союзным республикам для первого периода времени (1990-1992 гг.).
Таблица 11
Распределение числа организаций и отчетов по периодам времени
Период
1990-1992 гг. 1993-1996 гг. 1997-2000 гг.
Организации 53 35 24
Отчеты 102 52 38
Таблица 12
Распределение организаций и отчетов по союзным республикам для первого периода времени (1990-1992 гг.)
Республика Число организаций Доля организаций (%) Число отчетов Доля отчетов (%)
Россия 32 60,4 57 55,9
Украина 12 22,6 34 33,3
Белоруссия 5 9,4 7 6,9
Казахстан 3 5,7 3 2,9
Латвия 1 1,9 1 1,0
На долю бывших союзных республик (помимо России) приходится 39,6% организаций и 44,1% отчетов. Высок вклад украинских организаций, особенно Института сверхтвердых материалов АН СССР (г. Киев). В этой крупной специализированной организации исследования проводились по многим направлениям СТМ, а по числу отчетов она заняла первое место (15,7%). Во второй и третий периоды времени работы организаций бывших союзных республик, естественно, не учитывались.
По сравнению с первым периодом во второй период только 30% организаций продолжали исследования по той же тематике. Аналогичный вывод сделан и для третьего периода. Получается, что немного организаций достаточно длительное время (свыше десяти лет) систематически работают в области СТМ, накапливая опыт и информацию в этом направлении. Здесь можно выделить Московский институт стали и спла-
вов (технический университет), Институт физики высоких давлений РАН (ИФВД). Последний заслуживает отдельного рассмотрения. С ним связано получение первых искусственных алмазов в нашей стране. В 60-е годы там же были синтезированы крупные (размером в несколько миллиметров) поликристаллические алмазы, которые затем научились получать в виде деталей инструментов и устройств заранее заданной формы. ИФВД принимал деятельное участие в создании развитой сети научно-исследовательских институтов, лабораторий и групп, занимавшихся проблемами синтеза, изучения и применения СТМ. Она включала крупные научно-технические центры, специа-лизированные отделы и лаборатории в системе АН СССР, отдельные подразделения в вузах и других научных организациях. Такая структура обеспечивала решение всего комплекса задач - от разработки научных основ создания новых и совершенствования методов синтеза уже известных СТМ до перехода лабораторных наработок к опытным, опытно-промышленным и производственным технологиям получения СТМ, их использования в инструментальной и других отраслях промышленности. В 70-е годы ИФВД стал не только всесоюзным центром по СТМ, располагавшим современным оборудованием и крупнейшим прессом для исследовательских задач с усилием 50 тыс.т., но и возглавлял комплексную программу научно-технического сотрудничества со странами СЭВ по разделу СТМ.
В начале 90-х годов в ИФВД сменилось руководство, которое поддержало прикладные исследования по СТМ. Это, несомненно, сыграло негативную роль в развитии исследований по анализируемой критической технологии. Следует учесть, что, по оценкам американских экономистов, сверхтвердые материалы увеличивают промышленный и военный потенциал США примерно в два раза, а промышленно развитые страны продолжают вкладывать миллиарды долларов в исследования по СТМ. При этом, по нашим данным, в институте не удалось существенно повысить уровень фундаментальных исследований. В итоге страна лишилась крупнейшего базового центра по разработке процессов синтеза СТМ, передаче их для освоения промышленностью, развитию прогрессивных инструментальных приме-нений на основе известных и новых СТМ.
Стоит отметить, что предпринимались попытки улучшить состояние дел. В конце 90-х годов был образован Технологический институт сверхтвердых и новых углеродных материалов. Несмотря на ряд достижений (разработка технологий синтеза крупных монокристаллов алмаза и оптически прозрачных алмазов, синтез полупроводников на основе
КНБ и пр.), эта организация по размаху исследований еще не вышла на уровень ИФВД АН СССР и испытывает трудности, связанные с недостатком помещений, оборудования и т.п. [2, 6].
Отдельно рассмотрен вопрос о руководителях работ. Распределение руководителей по ученым степеням и периодам времени приведено в табл. 13. Следует отметить возрастание доли докторов наук. Кроме того, в первый период времени работали еще семь членов союзной и республиканских академий. Во втором периоде продолжал работать один академик РАН, в третьем периоде - три академика РАН. Среди руководителей с учеными степенями преобладали доктора и кандидаты технических наук. Заметное участие в исследованиях принимали доктора физико-математических наук (от 12 до 25% в разные периоды времени). Кандидаты и доктора химических наук составляют незначительную часть руководителей, не более 10%. Следует учесть, что химии принадлежит ведущая роль в синтезе и изучении свойств СТМ, очевидно, самому важному звену в данной критической технологии.
Таблица 13
Распределение руководителей работ по ученым степеням и периодам времени
Ученая степень Период
1990-1992 гг. 1993-1996 гг. 1997-2000 гг.
Доктор наук 31 (37,3%) 20 (43,5%) 17 (53,1%)
Кандидат наук 38 (45,8%) 16 (34,8%) 15 (46,9%)
Без ученой степени 14 (16,9%) 10 (21,7%) -
Около 40% руководителей работ преподавали в вузах (профессора и доценты), обеспечивая подготовку кадров по получению и применению СТМ.
Заключение
Проведенный науковедческий анализ двух критических технологий по новым материалам и химическим продуктам (сверхтвердым синтетическим материалам и материалам для микро- и наноэлектроники) показал, что за последние годы произошло снижение исследовательской активности и масштаба работ. Оно в большей степени затронуло работы по СТМ, где помимо известных причин (значительная часть научно-экспериментальной базы осталась за пределами Российской Федерации, системный кризис российской науки) негативную роль сыграл отказ руководства Института физики высоких давлений РАН от проведения прикладных исследований.
Для патентов, полученных отечественными организациями в обоих критических технологиях, отмечено большое время ожидания - разность (в годах) между годом опубликования патента и годом подачи заявки. Такое запаздывание в появлении новой информации служит одной из причин низкой лицензионной активности российских организаций. Определена цитируемость ряда высококвалифицированных отечественных исследователей, работающих в анализируемых областях науки. Установлено, что доля высокоцитируемых ученых (число ссылок на их работы более 50) невысока - от 10,6 до 27%. Этот результат коррелирует с результатами библиометрического анализа вклада нашей страны в общемировой прогресс науки. Выдвинута гипотеза об одной из причин невысокой цитируемости отечественных работ: различие в структурах исследований, задаваемых различными научными направлениями. Структура отечественных исследований заметно отличается от структуры исследований мировой науки, определяемой работами наиболее развитых в научном отношении стран мира.
Одним из эффективных способов развития отечественных исследований и преодоления их отставания от уровня мировой науки в рассмотренных критических технологиях может быть принятие целевых научных программ, сопровождаемых систематическим анализом достигнутых результатов методами науковедения. Эти программы, помимо научно-технических проблем, должны включать подпрограммы по подготовке кадров, разработке и изготовлению аппаратуры и пр. По СТМ разработка государственной научно-технической программы, охватываю-
щая все основные научные направления, должна сочетаться с созданием межведомственного научно-технического совета по руководству этой программы, а также с созданием академического научного центра, достаточно обеспеченного кадрами и финансированием. Помимо проведения собственных исследований по ряду направлений СТМ, центр вместе с межведомственным советом будет выполнять координационные функции в цепи «исследования-разработки-производство».
Приведенные выше результаты получены в основном наукометрическими методами. Этот подход целесообразно дополнить изучением исследований по СТМ и МЭ с позиций экономики и социологии науки как разделов науковедения.
При проведении настоящих исследований реализована идея по получению основного массива релевантной информации с помощью Интернета («Интернет-науковедение»). Преимущества такого подхода по скорости получения данных, небольшим финансовым затратам и пр. настолько очевидны, что не нуждаются в обсуждении. В то же время выявились и недостатки. Один из них - часто отсутствует информация об исследованиях, проведенных десять и более лет назад. Это не позволяет провести ретроспективный анализ и выявить долговременные тенденции в развитии различных областей науки. Случаются сбои при попытках получения сведений из ряда отечественных и зарубежных баз данных. Так, например, во время проведения исследований по МЭ по организационным причинам на долгое время были недоступны базы данных Всероссийского научно-технического информационного центра. Недоступны для науковедческого анализа и базы данных Высшей аттестационной комиссии. Ни одна организация страны (по нашим данным) не имеет доступа к столь важной для науковедения базе данных по исследовательским фронтам Института научной информации США. Главная причина - высокая стоимость получения информации (несколько тысяч долларов в год). Но при хорошо налаженном массовом доступе эта сумма несопоставима с важностью получения объективной оценки состояния мировых и отечественных исследований в изучаемых областях науки.
Интернет располагает различными системами поиска информации, и их применение приводит иногда к получению несовпадающих разнородных результатов. Подобные данные трудно представить в структурированном виде. Ситуация улучшается, если имеются сведения о наличии доступных специализированных баз данных. Однако такую информацию не всегда можно получить.
Результаты эмпирического изучения критических технологий нуждаются в обсуждении. Именно это будет способствовать дальнейшему развитию науковедческого анализа критических технологий, важного для создания прочных методологических основ их выбора и оценки достигнутых результатов.
Список литературы
1. Бирюков Б.В., Маркова Е.В. Проблема комплексного изучения развития науки // Науч. докл. высш. шк. Филос. науки. - М., 1967. - Т. 10, № 1. - С.173-178.
2. Васильева В. Интервью с сотрудниками Технологического института сверхтвердых и новых углеродных материалов // Поиск. - М., 2000. - 1 дек.
3. Воронцов В. А., Лялюшко Н.С. Научно-техническая сфера России в период разработки концепции ее реформирования // Науковедение. - М., 1999. - № 3. - С.44-62.
4. Государственные приоритеты в науке и образовании / Ракитов А.И., Авдулов А.Н., Иванова Н.И. и др.; Отв. ред. Ракитов А.И.; РАН. ИНИОН. Центр науч.-информ. исслед. по науке, образованию и технологиям; Центр информатизации, социал., технол. исслед. и науковед. анализа. - М., 2001. - 234 с.
5. Грановский Ю.В. Можно ли измерять науку? Исследования В.В.Налимова по наукометрии // Науковедение. - М., 2000. - № 1. - С.160-183.
6. Грановский Ю.В., Преображенский А.Я., Ракитов А.И., Ярилин А.А. Критические технологии с позиций науковедения: (на примере анализа технологий сверхтвердых материалов и иммунокоррекции) // Науковедение. - М., 2002. - № 1. - С.17-35.
7. Добров Г.М. Наука о науке: Введение в общее науковедение. - 2-е изд., перераб. и доп. - Киев: Наук. думка, 1970. - 320 с.
8. Келле В.Ж. Становление в СССР социологических исследований науки в послевоенный период // Вопр. истории естествознания и техники. - М., 1995. - № 2. - С.41-48.
9. Клебанер В.С., Мирабян Л.М., Терехов А.И. Опыт и проблема оценки развития нового научного направления // Науковедение. - М., 2000. - № 4. - С.106-128.
10. Козлов Б.И. Наука и науковедение в постиндустриальной России // Науковедение. -М., 2001. - № 4. - С.76-98.
11. Кузнецова Н.И. ИИЕТ как объект «полевого исследования» и сам по себе // Вопр. истории естествознания и техники. - М., 1995. - № 1. - С.138-145.
12. Маршакова И.В. Система цитирования научной литературы как средство слежения за развитием науки. - М.: Наука, 1988. - 288 с.
13. Маршакова-Шайкевич И.В. Вклад России в развитие науки: Библиометрический анализ. - М.: Янус, 1995. - 248 с.
14. Маршакова-Шайкевич И.В. Мировая наука на пороге XXI века // Вестн. РАН. - М., 2000. - № 12. - С.1086-1093.
15. Микулинский С.Р., Родный Н.И. Наука как предмет специального исследования (к формированию «науки о науке» — науковедения) // Вопр. философии. — М., 1966. — № 5. - С.25-38.
16. Монджили А. Приключения науковедения: Случай Института истории естествознания и техники // Вопр. истории естествознания и техники. — М., 1995. — № 1. — С.116-137.
17. Налимов В.В., Мульченко З.М. Наукометрия: Изучение развития науки как информационного процесса. — М.: Наука, 1969. — 192 с.
18. Науковедение и проблема перестройки в науке // Вопр. истории естествознания и техники. — М., 1987. — № 3. — С.89—99.
19. Наукометрия: Информ. указ. / Сост. Мурашова Т.И., Любимова Т.Н. и др.; Под ред. Грановского Ю.В. — М.: Науч. совет по комплекс. проблеме «Кибернетика» АН СССР, 1976. — 129 с.
20. Полторацкий Э.А. Краткий обзор тематики диссертаций, рассмотренный ВАК Минобразования России в 1999 году. Электроника, приборостроение и радиотехника // Бюл. Высш. аттестац. ком. М-ва образования РФ. — М., 2001. — № 3. — С.28—29.
21. Семенов Е.В. Первый российский науковедческий журнал // Науковедение. — М., 1999. — № 1. — С.5—6.
22. Суздалев И.П. Нанокластеры и нанокластерные системы // Вестн. РФФИ. — М., 1999. — № 1.
23. Хайтун С.Д. Наукометрия: Состояние и перспективы. — М.: Наука, 1983. — 344 с.
24. Хайтун С.Д. Проблемы количественного анализа науки. — М.: Наука, 1989. — 280 с.
25. Bernal J.D. The social function of science. — L.: Routledge & Kegan Paul, 1939. — 482 p.
