Научная статья на тему 'Научная школа «Физика полупроводников и диэлектриков» в истории кафедры физики Вологодского государственного университета'

Научная школа «Физика полупроводников и диэлектриков» в истории кафедры физики Вологодского государственного университета Текст научной статьи по специальности «Физика»

CC BY
68
11
i Надоели баннеры? Вы всегда можете отключить рекламу.
Ключевые слова
история физики / научные исследования / полупроводники / диэлектрики.

Аннотация научной статьи по физике, автор научной работы — Ежов П.В.

В статье представлены наиболее яркие страницы истории кафедры физики Вологодского государственного университета (ВоГУ) в период становления и работы одной из научных школ «Физика полупроводников и диэлектриков».

i Надоели баннеры? Вы всегда можете отключить рекламу.
iНе можете найти то, что вам нужно? Попробуйте сервис подбора литературы.
i Надоели баннеры? Вы всегда можете отключить рекламу.

Текст научной работы на тему «Научная школа «Физика полупроводников и диэлектриков» в истории кафедры физики Вологодского государственного университета»

НАУЧНАЯ ШКОЛА «ФИЗИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ И ДИЭЛЕКТРИКОВ» В ИСТОРИИ КАФЕДРЫ ФИЗИКИ ВОЛОГОДСКОГО ГОСУДАРСТВЕННОГО УНИВЕРСИТЕТА

Ежов П.В.

Научный руководитель: Погожее С.Э., к.ф.-м.н., доцент, заведующий кафедрой физики

ФГБОУ ВО «Вологодский государственный университет», Вологда, Россия

Аннотация

В статье представлены наиболее яркие страницы истории кафедры физики Вологодского государственного университета (ВоГУ) в период становления и работы одной из научных школ «Физика полупроводников и диэлектриков».

Ключевые слова: история физики, научные исследования, полупроводники, диэлектрики.

Введение

История кафедры физики берет свое начало с 1918 года, когда Вологодский Учительский институт был преобразован в Институт народного образования, а затем в Вологодский государственный педагогический институт (ВГПИ) [2]. Становление и развитие научно-исследовательской деятельности на кафедре физики непосредственно связано с именем А.Г. Гольдмана, доктора физико-математических наук, профессора, академика АН УССР [1, 2]. Родился Александр Генрихович Гольдман в 1884г. в г.Варшава в еврейской семье врача Г.И. Гольдмана. В 1890г. семья переехала в г.Киев. В Киеве обучался в 1-й гимназии, а затем в Киевском университете, который закончил в 1909г. Для продолжения

научной работы был вынужден (ввиду еврейского происхождения) выехать за границу в г.Лейпциг, где и работал в течение трех лет ассистентом в Физическом институте. С началом первой мировой войны в 1914г. вернулся в Россию и до 1918г. работал в Петрограде в Главной палате мер и весов и преподавал в Политехническом институте. В 1920г. был назначен профессором и заведующим кафедрой физики Киевского политехнического института. В 1923г. организовал Киевскую научно-исследовательскую кафедру физики, которая в 1929г. была преобразована в Киевский научно-исследовательский институт физики АН УССР. Возглавив институт, А.Г. Гольдман в кратчайшие сроки, преодолев большие трудности и при минимальных затратах государственных средств, сумел создать научный институт, достойный требований советского времени и развернуть его научно-исследовательскую работу.

А.Ф. Иоффе, Я.И. Френкель, А.Г. Гольдман. Киев. 1936г.

Спектр научных интересов профессора А.Г. Гольдмана достаточно широк. Отметим некоторые работы, выполненные им к 1937 году.

• Высоковольтная поляризация в твердых диэлектриках (данное

исследование позволило открыть новое направление в области электрохимии твердого тела).

• Метод подобия и моделирования в различных областях науки и техники.

• Разработка фотоэлемента из сернистого серебра, создающего

электрический ток при освещении инфракрасными лучами.

• Разработка и создание установки высокой частоты для ускорения ионных лучей и изучения свойств этих лучей.

• Разработка высокочувствительных автоматических сигнализаторов для предупреждения о газовой опасности.

В 1938г. А.Г. Гольдман был арестован за «деятельность, которая направлена во вред УССР или СССР (участие в украинской националистической организации)», а 5 октября 1939г. Постановлением особого совещания при НКВД СССР направлен в ссылку на жительство в г.Акмолинск. Будучи в ссылке А.Г. Гольдман продолжил свою научную и педагогическую деятельность. Преподавал физику в средней школе №1 им. С.М. Кирова и по совместительству работал в должности инженера по гидравлическим расчетам в Ленинградском отделении Всесоюзного объединения изыскательско-проектных организаций «Союзтранспроект», временно находящемся в Акмолинске. В 1943г. А.Г. Гольдман поступает в распоряжение Народного Комиссариата Просвещения РСФСР и направляется на работу в г.Вологду. С июня 1944г. А.Г. Гольдман приступил к преподавательской и научной работе в Вологодском государственном педагогическом институте. В 1948г. была открыта аспирантура по направлению - «Физика полупроводников и диэлектриков». Первыми аспирантами стали выпускники физико-математического факультета: Полетаев А.П., Соколов Б.В., Гольдман З.А., Жолкевич Г.А., Скиба Е.П., Дикарев Н.М., которые впоследствии успешно защитили кандидатские диссертации и всю свою трудовую деятельность посвятили научной и педагогической работе.

Первые аспиранты профессора А.Г. Гольдмана. 1948г.

Представители научной школы профессора А.Г. Гольдмана в г.Вологде

Ш

Соколов Борис Васильевич родился в 1918 году в деревне Прохорово Чебсарского района Вологодской области. В 1927 году семья Соколовых переезжает жить в Вологду. В 1934 году Борис Васильевич окончил школу и поступил в педагогический институт. В 1938 году окончил институт и, получив диплом 1 степени, остался работать в качестве ассистента на кафедре физики для подготовки к научной деятельности. С ноября 1947 по ноябрь 1950 обучался в аспирантуре. Во время трудовой деятельности в институте Соколов Б.В. успешно справлялся с педагогической работой, систематически и упорно занимался научно-исследовательской работой и повышением своей квалификации. Создал лабораторию теплоты и молекулярной физики. Стоял у истоков создания политехнического института в г.Вологде. Основные научные работы: • О влиянии йода на электрические и фотоэлектрические свойства селена (1953г.).

• К вопросу о фотоэлектродвижущей силе в полупроводниках (1953г.).

• К неаддитивному действию света на селеновые элементы (1956г.).

• Электрические и фотоэлектрические свойства смеси селена и йода (1958г.).

• Влияние йода на электрические, фотоэлектрические свойства селена

(1958г.).

• Влияние йода на электропроводность жидкого селена (1966г.).

• Влияние йода на электропроводность и вязкость селена (1966г.).

• Кристаллизационные процессы в сплавах селен-сера (1966г.).

V

Гладковский Владимир Васильевич родился в 1921 году. Окончил Тотемское педагогическое училище, военную школу младших авиационных специалистов в 1941 году. В период с 1941 по 1945 годы воевал на фронтах Великой Отечественной войны. После демобилизации в 1945г. поступил и в 1949г. окончил физико-математический факультет ВГПИ. После завершения обучения работал учителем физики и завучем Рослятинской средней школы. С января 1952 г. по январь 1955 года обучался в аспирантуре на кафедре общей физики Вологодского пединститута. С 1955 года начал работать на кафедре в должности старшего преподавателя, а затем доцента. В 1964 г. Владимир Васильевич был избран деканом физико-математического факультета. В 1974г. проходил научную стажировку в Казниитехфотопроекте. За это время им была проделана большая экспериментальная работы по исследованию мало изученного фотографического явления эффекта Беккереля. В частности, им была обнаружена и исследована зависимость эффекта Беккереля от степени химического созревания эмульсии, что имело большое теоретическое и практическое значение.

Алексей Павлович Полетаев начал свою трудовую деятельность в 1951г. старшим преподавателем кафедры общей физики, затем доцентом и заведующим кафедрой (1957 - 1964). Алексей Павлович, выпускник физико-математического факультета 1948г. и ученик профессора А.Г. Гольдмана. В разные годы читал лекционные курсы по оптике и квантовой физике. В течение нескольких лет был проректором по учебной работе. Исторической вехой в институте стал 1957 год. Именно в этот год был запущен первый искусственный спутник Земли, в стране началось создание станций по наблюдению за спутниками. В августе 1957 года под руководством А.П. Полетаева при кафедре физики была создана Вологодская станция по наблюдению за искусственными спутниками Земли, которая явилась одной из первых и лучших в стране. Первое успешное наблюдение было проведено 10 октября 1957 года. Объектом наблюдения была ракета - носитель, доставившая в космос первый искусственный спутник Земли. С 1957 по 1961 год Алексей Павлович был начальником этой станции.

Гольдман Зинаида Александровна родилась в 1922 г. в г. Киеве. В 1947г. окончила физико-математический факультет ВГПИ. После окончания института начала работать старшим лаборантом кафедры общей физики. Занималась научно-исследовательской работой, а в 1950г. окончила аспирантуру. До 1953 г. работала в должности старшего преподавателя кафедры. Защитила диссертацию по теме: «Неаддитивное действие различных участков в спектре на селеновые фотоэлементы с запорным слоем» на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук.

Дикарев Николай Михайлович родился в 1924 году в селе Большое Нагаткино Богдашкинского района Ульяновской области. К началу Великой Отечественной войны Николай Михайлович был учеником средней школы №1 г. Вологды,

О

которую успешно окончил в 1941 году. В 1946 поступил в Вологодский институт на физико-математический факультет, который окончил с отличием в 1950 году и сразу же по рекомендации кафедры поступил в аспирантуру к профессору Гольдману А.Г. В последствии защитил кандидатскую диссертацию в Оптическом институте им. С.И. Вавилова. С 1954-1964гг. работал старшим преподавателем кафедры теоретической физики. Н.М. Дикарев читал курс лекций, вел практические и лабораторные занятия по радиотехнике. Все занятия проводил на высоком теоретическом и методическом уровне. Под его руководством в институте была создана лаборатория радиотехники, которая по своему оборудованию являлась одной из лучшей не только в нашем ВУЗе, но и среди других вузов. Постоянно руководил курсовыми работами студентов, которые получали высокую оценку на научных студенческих конференциях института, вел большую научно-исследовательскую работу по изучению свойств полупроводников. Им было опубликовано в ученых записках института и академических изданиях более 9 статей, которые стали основой его кандидатской диссертации.

Жолкееич Герман Алексеевич родился в 1929г. в с. Маккавеево Читинской области. В 1945 г. поступил и в 1949 г. окончил физико-математический факультет ВГПИ. Закончил аспирантура под руководством профессора А.Г. Гольдмана по . специальности «Физика полупроводников и диэлектриков». В 1960г. защитил кандидатскую диссертацию в Оптическом институте им. С.И. Вавилова. С 1952 по 1962 г. работал в должности старшего преподавателя кафедры теоретической физики. Затем продолжил научно-исследовательскую деятельность в Киевском институте физики и в последствии успешно защитил диссертацию на соискание ученой степени доктора физико-математических наук. Создал свою научную школу.

Берсенев Борис Владимирович родился в 1930г. в селе Сидорово Лежского района Вологодской области. Окончил физико-математический факультет ВГПИ в 1953 году. Еще будучи студентом, начал заниматься научно-исследовательской работой по изучение влияния межкристаллитных потенциальных барьеров на электрические и фотоэлектрические свойства пленок и СёБ. С 1957 года Борис Владимирович работает в должности старшего преподавателя кафедры общей физики, а с 1964 года - кафедры теоретической физики. Особой заслугой Берсенева Б.В. является создание в институте хорошо оснащенной электротехнической лаборатории, а затем и лаборатории автоматики и вычислительной техники. Защитил кандидатскую диссертацию по теме «Стимулированная проводимость и фотопроводимость сублимированных пленок сульфида цинка» в Киевском институте физики.

Васюков Алексей Ефремович родился в 1934г. в деревне Возмозеро Белозерского района Вологодской области в семье крестьянина. В 1951 году поступил на физическое отделение физико-математического факультета ВГПИ. В 1955 году окончил институт с отличием. Учился в аспирантуре под руководством профессора А.Г. Гольдмана в Киевском институте физики, успешно защитив в последствии кандидатскую диссертацию. На кафедре общей физики ВГПИ начал работать в 1961г. в должности ассистента. Поставил целый ряд новых лабораторных работ по механике и теплоте, по полупроводниковому спецпрактикуму. Занимался научно-исследовательской работой.

Основные научные работы:

• Электролюминесценция в процессах возбуждения и гашения,

стимулированной проводимости пленок (1971г.).

• Электролюминесценция и низкотемпературная стимуляция пленок при

возбуждении токами звуковой частоты. Создание и разрушение свойств

памяти в электролюминесцентных пленках сульфида цинка (1971г.).

• Спектральные свойства «памяти» пленок сульфида цинка при 77 К

(1971г.).

• Температурные свойства и способы управления стимулированной

проводимостью пленок при низких температурах (1971г.).

• Гашение темновой проводимости пленок электрическими импульсами

(1972г.).

• Электролюминесценция и низкотемпературная стимуляция пленок

(1972г.).

• Температурные свойства и способы управления стимулированной

проводимостью пленок при низких температурах (1972г.).

• Создание и разрушение свойств памяти проводимости и

электролюминесценции в пленках сульфида цинка (1972г.).

Таким образом, 8-летняя научно-исследовательская и педагогическая деятельность профессора, академика АН УССР А.Г. Гольдмана на физико-математическом факультете породила целую плеяду молодых талантливых физиков-экспериментаторов, которые в 1960-е годы непосредственно участвовали в создании и развитии нового научного направления, связанного с физикой полупроводников и диэлектриков. Результаты их исследований были использованы и реализованы промышленными предприятиями при разработке технологий производства полупроводниковых приборов. На кафедре физики были созданы лаборатории, оснащенные вакуумными установками ионного напыления, на базе которых изучались электро- и фотофизические свойства полупроводниковых материалов.

Материалы работы могут быть полезны учителям физики, учащимся, преподавателям и студентам при изучении исторических фактов тех или иных физических явлений и процессов [3, 4], а также в целях патриотического воспитания.

Библиографический список

1. 1нтел1генщя тоталггар1зму. Т.Вронська, М.Коваль. Повертаючись до справи академша Олександра Гольдмана. У № 1/2 журналу «З арх1в1в ВУЧК-ГПУ-НКВД-КГБ» за 1997 р. https://chtivo.org.ua/literature/istorichna/15969-povertajuchis-do-spravi-akademika-oleksandra-goldmana.html

2. Погожев, С. Э. Страницы истории кафедры физики и методики преподавания физики Вологодского государственного университета / С. Э. Погожев. // Вестник Вологодского государственного университета. - 2018. -№2(9). (Гуманитарные, общественные, педагогические науки). С.74-80.

3. Погожев, С. Э. Принцип историзма при решении задач по электростатике / С. Э. Погожев // Проблемы теории и практики инновационного развития и интеграции современной науки и образования: материалы II Междунар. междисципл. конф. - М.: МГОУ, 2021. С. 117-122.

4. Погожев, С. Э. Использование метода проблемного обучения в курсе молекулярной физики и термодинамики / С. Э. Погожев // Новации и традиции в преподавании физики: от школы до вуза: сборник материалов VI международной научно-практической конференции под общей редакцией В. А. Панина. - Тула: ТГПУ им. Л.Н. Толстого, 2020. С. 96-97.

i Надоели баннеры? Вы всегда можете отключить рекламу.