CC BY
136
УДК: 537.874; 537.624.
НАНОСТРУКТУРА АМОРФНЫХ ГРАНУЛИРОВАННЫХ КОМПОЗИТНЫХ ПЛЕНОК (Co45Fe45Zr10)x (Zr2O3)_ x
И.В. АНТОНЕЦ*, Е.А. ГОЛУБЕВ**, Л.Н. КОТОВ*
*ФГБОУ ВО «СГУ им. Питирима Сорокина», г. Сыктывкар **Институт геологии Коми НЦ УрО РАН, г. Сыктывкар kotov@syktsu.ru
Приведены результаты исследования наноструктуры аморфных гранулированных композитных пленок состава (£o45Fe45Zri0) (Zrfl^ )i толщиной 70550 нм, нанесенных на лавсановую подложку. Результаты получены с использованием атомно-силовой микроскопии и сканирующей электронной микроскопии. Показано, что наноструктура композитных пленок оказывает непосредственное влияние на их проводящие и отражающие свойства в диапазоне СВЧ.
Ключевые слова: аморфные гранулированные композитные пленки, атомно-силовая микроскопия, электронная микроскопия, наноструктура, проводящие и отражающие свойства
I.V. ANTONETS, E.A. GOLUBEV, L.N. KOTOV. NANOSTRUCTURES OF AMORPHOUS GRANULAR COMPOSITE FILMS (Co45Fe45Zr10)x (Zr2O3 )1_
Nanostructure of amorphous granular composite films (Cc>45Fe45Zrio) (Z^Oj )i >
deposited on mylar substrate, was investigated. In the thin films (thickness up to 200 nm) aggregates of densely packed grains are observed. In the thick films the granules form a continuous coating of substrates and the porosity is shown as interstices between granules. It is revealed that change of the granule size with thickness is described by function ф(й), by which the conductivity change c(d) for thin metal films was described. It is shown that nanostructure of the amorphous granular composite films determines their conductive and reflective properties. The thickness interval (d « 200+ 470 nm), in which the average grain size changes at change of films thickness, similarly to static conductivity in direct current and dynamic conductivity in the range of microwave frequencies, has been defined. It is found that the thickness interval differs from those thicknesses (d « 320+ 470 nm) at which the reflection coefficient strongly changes. It is hypothesized that at d « 200+ 320 nm the metal granules included in a dielectric matrix, yet do not possess sufficient conductivity to coherently reflect the microwaves. Studies of amorphous composite granular films by scanning electron microscopy were conducted. It is shown that in films with thickness up to 400 nm there are conductive paths discontinuities and between cracks and in the pores the substrate material is mainly located. If the film thickness exceeds 400 nm, the cracks are filled with the film material and the conductive paths have no discontinuities.
Keywords: amorphous granular composite films, atomic force microscopy, electron microscopy, nanostructure, conductive and reflective properties
Введение
Исследованию рельефа поверхности тонких пленок металлов и сплавов, многослойных и композитных структур, выращенных различными методами и нанесенных на подложки из различных материалов, уделяется значительное внимание [1-11]. Развитие нанотехнологий стимулирует исследование свойств и выявление новых особенностей
структуры и формирования пленок, толщины которых не превышают десятки или сотни нанометров. Особое внимание уделяется исследованиям аморфных тонких пленок [12-20]. В первую очередь это связано с их уникальными свойствами, отличающими их от пленок, имеющих кристаллическую структуру.
Как показано в предыдущих работах [21-29] на примере тонких рентгеноаморфных металличе-
ских пленок, зависимости размеров зерен, кластеров и других поверхностных неоднородностей и параметров проводящих и отражающих свойств пленок от их толщины коррелируют между собой и могут стать важнейшим инструментом для описания этих характеристик. Так, например, для пленок, имеющих кластерное строение, в работах [21,23,27] выявлена зависимость удельной проводимости от толщины пленки и, как следствие, от размеров кластеров. В работе [24] показано, что наноструктура металл-диэлектрических пленок состава (ре)х (ВаГ2)у определяет не только проводящие, но и отражающие свойства этих пленок. Последние для тонких рент-геноаморфных металлических пленок исследованы в работах [21-27].
Описывая различные свойства пленок необходимо также учитывать и особенности рельефа подложки. В работах [30,31] методами атомно-силовой и электронной микроскопии выявлена зависимость рельефа тонких пленок серебра, меди, железа от материала подложек (полимер, стеклотекстолит, стекло). При одинаковом количестве напыленного материала определены отличия в строении пленок, в частности, размерах фрагментов рельефа, характере контактов пленки и подложки, а также величинах среднеквадратичной шероховатости рельефа поверхности. Это говорит о том, что шероховатость поверхности и материал подложки оказывают непосредственное влияние не только на рельеф, но и на многие физические свойства тонких пленок. В частности, зависимость проводимости от толщины для тонких металлических пленок, нанесенных на стеклотекстолит [21], была выявлена при толщинах, почти на порядок превышающих толщину аналогичных пленок, нанесенных на рентгеновскую полимерную пленку [22].
Целью данной работы является исследование методами атомно-силовой и сканирующей электронной микроскопии рельефа, наноструктуры поверхности композитных гранулированных пленок состава (Со45Ге4^г10)х^г203)1_х' нанесенных на
подложку из лавсана.
Выбор объекта исследования определялся уникальной особенностью его проводящих свойств. В работах [32,33] была исследована удельная электрическая проводимость этих пленок, которая определялась по удельному сопротивлению пленок на постоянном токе и по коэффициенту отражения электромагнитных волн в диапазоне СВЧ. Выявлено, что динамическая проводимость в диапазоне СВЧ превышает статическую, измеренную на постоянном токе, на два-четыре порядка, принимая такие значения задолго до порога перколяции металлической фазы. В связи с этим, особый интерес вызывает исследование рельефа поверхности этих пленок и выявление возможной взаимосвязи между наноструктурой и проводящими и отражающими свойствами аморфных композитных пленок.
Характеристика исследуемых образцов
Композитные гранулированные пленки состава (Cü45Fe45Zrio)хZ2O3)1_х (где x~0.25_078) получены в атмосфере азота при давлении 0.078 Па на лавсановой подложке толщиной 0.02 мм и размером 21*28 см2. Пленки представляют собой металлические гранулы Co-Fe-Zr, вкрапленные в диэлектрическую матрицу Zr2O3. Изготовлены в Воронежском государственном техническом университете методом ионно-лучевого напыления. Методика получения пленок подробно описана в работах [18-20]. Для получения пленок использовалась составная мишень, основанием которой являлся слиток сплава CoFeZr размером 280*80*10 мм. На его поверхности были закреплены 12 навесок Zr2O3 размером 80*10*1 мм. Неравномерное расположение пластин оксида циркония на поверхности мишени позволяло получить непрерывное изменение концентрации металлической и диэлектрической фаз композита в зависимости от положения подложек относительно мишени в одном технологическом цикле нанесения. Время напыления составляло 120 мин. Время чистки поверхности лавсана ионным пучком - 30 мин. Общее давление в камере до напыления и после очистки лавсана -
2.4 ■ 10~4 Торр. Давление азота N2 в камере -
7.8 ■ 10~5 Торр.
После формирования на подложке непрерывно меняющейся по толщине композитной пленки подложка разрезалась, что позволило получить 12 образцов композитных пленок толщиной 70550 нм. Толщина пленок оценивалась с помощью сканирующего электронного микроскопа. Гранулированный (зернистый) характер металлических включений в композитных пленках определялся методом просвечивающей электронной микроскопии, аморфное строение - по высокой степени размытия кольцевых дифракционных гало на электронных микрофотографиях [18-20].
Техника и методика эксперимента
1. Методика определения толщины композитных пленок
Толщины пленок определялись с помощью сканирующего электронного микроскопа (СЭМ) Tescan Vega LMH (Чехия) с энергодисперсионным детектором X-MAX, Oxford Instruments. Измерения толщины проводились на вырезанных фрагментах пленок с длиной стороны 1 см. Для этого лавсановая подложка с нанесенной на нее пленкой приклеивалась проводящим скотчем на кубический кристалл MoS2 таким образом, чтобы пленка выступала за верхний край кристалла. Этот выступ пленки обрывался с помощью пинцета, затем кристалл помещался в камеру микроскопа сколотым торцом пленки вверх. В микроскопе торец пленки
идентифицировался позволяющем отли мов органические м< представленной отн
торца скола композитной пл рис. 1. Участки для определе
пмгк папипглопип пп огом п пи
в режиме фазового контра ать состоящие из легких ; териалы подложки и скотч; эсительно тяжелыми атом ьно проводилось тов с помощью р изатора для уто» изображении, пс
лотого торца плен программного обе »пределения толщ ским изображен енки представлен ния толщины выб1 не измеряемого ф
Рис. 3. АСМ-изображения поверхности аморфных композитных пленок: a - 70 нм (пл. №2), б - 190 нм (пл. №1), в - 320 нм (пл. №4), г - 550 нм (пл. №9). Размеры области сканирования - 1 мкм х 1мкм.
Рис. 4. Типичное АСМ-изображение поверхности пленки толщиной 70 нм (пл. №2). Стрелками указаны: (1) - зерна; (2) - палочкообразные частицы; (3) - поры; выделенная область (4) показывает скопление зерен.
ставлено двухмерное АСМ-изображение наиболее тонкой пленки толщиной 70 нм (пл. №2), где отдельно отмечены зерна и поры, образующие наноструктуру пленки.
Как видно из рисунков 3(а, б) и 4, в более тонких пленках толщиной 70 нм (рис. 3а и 4, пл. №2) и 190 нм (рис. 3б, пл. №1) наблюдаются связанные между собой скопления плотно упакованных округлых зерен, преимущественно эллипсоидальной формы. Эти скопления островками покрывают поверхность подложки, между скоплениями наблюдаются многочисленные поры. Палочкообразные частицы часто служат мостиками между
такими скоплениями. Размеры скоплений достигают нескольких сотен нанометров, поры по своим размерам сопоставимы со скоплениями. Зерна в пленках, толщины которых не превышают 200 нм, имеют форму, близкую к сферической.
В самой тонкой пленке толщиной 70 нм (рис. 3а и 4, пл. №2) зерна преимущественно обособленные, хотя в рамках скоплений встречаются и зерна, границы между которыми в области их сочленения не определяются. В пленке толщиной 190 нм (рис. 3б, пл. №1) зерна упакованы более плотно, островки сливаются, формируя практически сплошное покрытие подложки с порами, уже сопоставимыми по своим размерам с зернами.
В более толстых пленках толщиной 320 нм (рис. 3в, пл. № 4) и 550 нм (рис. 3г, пл. №9) эта тенденция сохраняется, зерна формируют сплошное покрытие подложек, при этом пористость проявляется в виде промежутков между зернами. В этих пленках преобладают уже зерна эллипсоидной формы, а основным способом агрегации является слияние зерен в цепочки, ориентированные, как правило, в одном направлении.
Необходимо отметить, что средние размеры зерен имеют ярко выраженную зависимость от толщины и увеличиваются с ростом последней (см. рис. 3 и таблицу). На рис. 5 представлена зависимость размеров зерен Ф от толщины композитных пленок С.
Параметры зерен, проводимость и коэффициент отражения аморфных композитных пленок
№№ Толщина d^) Средний размер зерен Ф(нм) Проводимость а ( Ом м-1) Коэффициент отражения R (частота волн - 16 ГГц)
1 190±15 37±7 6.60-10-2 1.60-10-3
2 70±30 33±5 Э.01-10"2 3.93-10-4
3 280±15 * 1.44-101 6.60-10-3
4 320±10 70±8 9.10-10-1 -
5 390±10 79±8 7.12-102 3.48-10-1
6 420±40 - 1.00-103 -
7 470±20 90±8 3.82-103 9.35-10-1
8 400±20 - 1.06-102 6.02-10-1
9 550±50 95±10 4.41-102 9.48-10-1
10 530±20 - 5.12-102 9.38-10-1
11 410±20 - 2.50-101 -
12 420±50 - 4.24-103 9.10-10-1
*- значение не определялось
Изменение размеров зерен с толщиной ф(с) хорошо описывается функцией, которой, как отмечалось в предыдущих работах [22,23,27], для тонких пленок различных металлов и металл-диэлектрических пленок описывалось изменение проводимости с толщиной <у(сС):
фd )=-
Al - A2
1 - exp
d - d Л dx
+A2
i6
где А! = 31,24 нм, А2 = 93,88 нм, d0 =303,53 нм,
сХ = 58,23 нм.
Как следует из рис. 5, до толщины пленок d«200 нм средний размер зерен Ф изменяется незначительно и составляет менее 40 нм (33-37 нм). Интервал толщин d « 200+ 470 нм соответствует резкому росту среднего размера зерен (с 37 до 90 нм). Таким образом, при увеличении толщины пленок в 2.35 раза размер зерен увеличился в 2.43 раза. С учетом статистического разброса можно говорить о том, что в указанном интервале средний размер зерен коррелирует с толщиной пленок (см. таблицу). При больших толщинах d « 470 + 550 нм зависимость размеров зерен с толщиной ослабевает. При этом Ф изменяется в пределах статистического разброса (с 90 до 95 нм).
Рис. 5. Зависимость средних размеров зерен Ф от толщины аморфных композитных пленок d. Экспериментальные точки аппроксимированы функцией (1).
Как видно из таблицы, а также из работ [32, 33], именно интервалу толщин d « 200 + 470 нм соответствует резкий рост статической проводимости, измеренной на постоянном токе. Исключение составляет образец №4, который имеет меньшую концентрацию металлической фазы, чем другие пленки в этом интервале толщин. При этом, как уже было отмечено в работах [32,33], динамическая проводимость в указанном интервале толщин на два порядка превышает статическую, а при толщинах d < 200 нм это превышение может достигать двух-четырех порядков. Можно заключить, что для аморфных композитных пленок, имеющих гранулированный характер, определен интервал толщин, в котором средний размер зерен качественно изменяется с толщиной пленок точно так же, как изменяется статическая проводимость на постоянном токе. То есть наноструктура пленок в большей степени определяет их проводящие свойства.
Значительное изменение отражающих свойств в диапазоне СВЧ (до 40 ГГц), исследованное в работах [32,33], обнаружено в несколько ином интервале толщин (d « 320+ 470 нм), чем изменение
). Некоторое расхождение толщин, при котором значительно изменяются средние размеры зерен и, как следствие, проводимость и коэффициент отражения в области СВЧ, по-видимому, связано со следующим. Начиная с толщины d«200 нм, рост зерен приводит к увеличению проводимости, однако этой проводимости гранулам, вкрапленным в диэлектрическую матрицу, еще не достаточно, чтобы отражать сВч волны. Поэтому рост проводимости не приводит к значительному увеличению коэффициента отражения вплоть до толщин d « 320 нм. В интервале толщин d « 320+ 470 нм также имеется резкий рост статической проводимости и коэффициента отражения СВЧ волн (соответственно, динамической проводимости) (таблица).
В распределениях зерен по размерам для всех пленок наблюдаются два неравноценных максимума (рис. 6). Один максимум является более выраженным, соответствуя основной массе зерен, второй - менее выраженный. Вероятно, такой характер распределения зерен отражает наличие двух фаз: диэлектрической и проводящей. При этом больший пик соответствует фазе с большим содержанием вещества в пленке.
Рис. 6. Типичные распределения зерен по размерам на примере пленок толщиной 70 нм (1 - пл. №2) и 390 нм (2 - пл. №5).
Характер сочленения зерен и их скоплений отражает процессы взаимодействия островков осажденного материала на стадии роста и слияния островков при формировании трехмерной пленки. Все многообразие способов слияния островков на подложке сводят к жидкоподобному (по аналогии с каплями жидкости) и твердофазному (по аналогии со слипанием двух твердых тел) [10]. В нашем случае для более толстых пленок преобладал способ слияния островков на подложке в жидкоподобной фазе, о чем свидетельствуют перешейки между удлиненными сторонами зерен, связывающие их в цепочки. При этом, вероятно, слияние происходило прежде всего за счет механизма роста исходных островков. Эффект, ориентирующий образующиеся при слиянии островков цепочки в одном направлении, связан, вероятнее всего, с рельефом поверхности подложки. Влияние рельефа подложки на шероховатость и морфологические особенности слагающих пленки зерен описано в наших преды-
дущих работах [23, 30, 31]. Структурирующими элементами рельефа в данном случае могут выступать бороздки и террасы на поверхности лавсановой подложки, наблюдаемые на АСМ-изображениях (рис. 2). Влияние подобного наноразмерного рельефа на структуру и морфологию зерен в металлических пленках отмечено в работе [11]. Даже в наиболее тонких пленках наблюдается выстраивание зерен непрерывными цепочками вдоль бороздок (рис. 3а). Малое количество напыляемого материала на поверхности предопределило миграционный характер слияния островков в самых тонких пленках, что привело к образованию скоплений, судя по отчетливым границам, преимущественно из уже сконденсировавшихся зерен.
Отдельно можно выделить вопрос о том, пронизывают ли пленки насквозь наблюдаемые на АСМ-изображениях поры, так как по данным снимкам однозначно об этом судить нельзя. СЭМ-изображения показывают, что процессы конденсации для пленок проходят неодинаково. Это проявляется в том, что часть пленок на макроуровне имеет сильно трещиноватую поверхность (рис. 7).
Рис. 7. РЭМ-изображения поверхности композитных пленок различной толщины: 280 нм (пл. №3), 390 нм (пл. №5), 470 нм (пл. №7), 400 нм (пл. №8).
Трещины либо располагаются практически параллельно друг другу, либо формируют сетки с разноразмерными ячейками. Ширина трещин варьируется от долей микрометра до нескольких микрон. В областях между трещинами и в порах таких пленок регистрируется преимущественно материал подложки, т.е. пленки имеют разрывы электропроводящих путей. Пленки из второй половины ряда напыления, как правило, имеют гладкую поверхность, на которой встречаются островки пористого либо трещиноватого материала. В порах и трещи-
нах этих пленок регистрируется наряду с материалом подложки и материал пленки, из чего следует, что эти трещины, в значительной степени, заполнены материалом пленки и не образуют разрывов в электропроводящих путях. Таким образом, часть пленок действительно может иметь сквозную пористость и на наноразмерном уровне, которые регистрируются методом АСМ. В частности, пленки толщиной 190 нм (пл. №1), 70 нм (пл. №2), 320 нм (пл. №4) и 390 нм (пл. №5), вероятнее всего, имеют сквозную наноразмерную пористость. В пленках толщиной 400 нм (пл. №8), 470 нм (пл. №7) и 550 нм (пл. №9) наблюдаемые на АСМ-изображениях поры, по-видимому, являются элементами рельефа поверхности пленки и представляют собой впадины.
Выводы
Исследована наноструктура аморфных гранулированных композитных пленок состава (Co45Fe45Zr10)x(Zr2O3)1_x, нанесенных на лавсановую подложку. В тонких композитных пленках (до 200 нм) наблюдаются скопления плотно упакованных зерен. В более толстых пленках гранулы формируют сплошное покрытие подложек, а пористость остается в виде промежутков между гранулами.
Выявлено, что изменение размеров гранул с толщиной ф(d) описывается функцией, которой для тонких металлических пленок описывалось изменение проводимости a{d). В распределении
гранул по размерам имеются два ярко выраженных максимума. Структурирующими элементами рельефа пленки выступают бороздки и террасы на поверхности лавсановой подложки, а гранулы выстраиваются непрерывными цепочками вдоль этих бороздок.
Показано, что наноструктура аморфных гранулированных композитных пленок определяет их проводящие и отражающие свойства. По результатам АСМ-исследований определен интервал толщин d « 200 + 470 нм, в котором средний размер зерен качественно изменяется с толщиной пленок аналогично статической проводимости. Выявлено, что этот интервал толщин несколько отличается от тех толщин, при которых значительно изменяется коэффициент отражения d « 320 + 470 нм. Высказано предположение о том, что при d « 200 + 320 нм металлические гранулы, вкрапленные в диэлектрическую матрицу, еще не обладают достаточной проводимостью, чтобы когерентно отражать СВЧ волны.
Проведены исследования аморфных композитных гранулированных пленок методом сканирующей электронной микроскопии. Показано, что на макроуровне в пленках толщиной до 400 нм имеются разрывы электропроводящих путей, и между трещинами и в порах регистрируется преимущественно материал подложки. Пленки же толщиной от 400 нм и выше не образуют разрывов в электропроводящих путях, а трещины, в значительной степени, заполнены материалом пленки.
Авторы выражают глубокую признательность Ю.Е. Калинину и А.В. Ситникову (Воронежский государственный технический университет) за предоставление пленок, С.С. Шевчуку (Институт геологии Коми НЦ УрО РАН) за электронно-микроскопические исследования.
Работа выполнена при поддержке гранта РФФИ № 13-02-01401-а.
Литература
1. Бажин И.В., Лещева ОА., Никифоров И.Я. Электронная структура наноразмерных металлических кластеров // ФТТ. 2006. Т. 48. № 4. С. 726-731.
2. Грабов В.М., Демидов Е.В., Комаров ВА. Атомно-силовая микроскопия пленок висмута // ФТТ. 2008. Т. 50. № 7. С. 1312-1316.
3. Структура и магнитооптические свойства гранулированных нанокомпозитов пористый кремний-кобальт / Е.А. Ганьшина, М.Ю.Коч-нева, Д.А.Подгорный, П.Н.Щербак, Г.Б. Де-мидович, С.Н.Козлов // ФТТ. 2005. Т. 47. № 7. С. 1333-1337.
4. Исследование наноструктурированных пленок меди методами растровой и атомно-силовой микроскопии / И.Н.Серов, В.И.Мар-голин, Н.А.Потсар, И.А.Солтовская, В.С.Фан-тиков, В.А.Тупик // Поверхность. 2004. №7. С. 31-35.
5. Atomic force microscopy of in situ deformed nickel thin films / C.Coupeau, J.F.Naud, F.Cley-mand, P.Goudeau, J.Grilhe // Thin Solid Films. 1999. Vol. 353. P. 194-200.
6. Scanning probe microscopy investigation of gold clusters deposited on atomically flat substrates/ N.Vandamme, E.Janssens, F.Vanhout-te, P.Lievens, C.Van Haesendonck // Journal of Physics: Condensed Matter. 2003. Vol. 15. P. 2983-2999.
7. Du J.H., Le Q, Wang L.C. Microstructural investigation of as-deposited Co-Ag nano-gra-ular films // Journal of Physics: Condensed Matter. 1995. Vol. 7. P. 9425-9432.
8. Житейцев Е.Р., Уланов ВА, Зарипов М.М., Жеглов Е.П. Исследование кластеров примесных ионов железа в кристалле BaF2 методом ЭПР // ФТТ. 2005. Т. 47. № 7. С. 12121216.
9. Yates H.M, Brook LA, Sheel D.W. et al. The growth of copper oxides on glass by flame assisted chemical vapour deposition // Thin Solid Films. 2008. Vol. 517. № 2. P. 517-521.
10. Кукушкин СА., Осипов А.В. Процессы конденсации тонких пленок // УФН. 1998. Т. 168. № 10. С.1083-1116.
11. Упорядоченные наноструктуры золота на поверхности сапфира: получение и оптические исследования / А.Э.Муслимов, А.В.Буташин, А.А.Коновко, И.С.Смирнов, Б.С.Рощин, Ю.О.Волков, А.А.Ангелуц, А.В.Андреев, А.П.Шку-ринов, В.М.Каневский, В.Е.Асадчиков // Кристаллография. 2012. Т. 57. № 3. С. 471476.
12. Бек Г., Гюнтеродт Г.Й. Металлические стекла. М.: Наука, 1983. 454 с.
13. Полухин ВА, Ватолин НА. Моделирование аморфных металлов. М.: Наука, 1985. 288 с.
14. Rosenbaum R., Heines A., Palevski A. Metallic transport properties of amorphous nickelsilicon films II Journal of Physics: Condensed Matter. 1997. Vol. 9. P. 5395-5411.
15. Marchai G., Mangin P., Janot C. Amorphous gold-iron alloys above room temperature II Thin Solid Films. 1974. Vol. 23. P. 17-19.
16. Андреенко А.С., Никитин СА. Магнитные свойства аморфных сплавов с переходными 3d-металлами II УФН. 1997. Т. 167. M 6. С. 605-622.
17. Луцев Л.В., Звонарева Т.К., Лебедев В.М. Электронный транспорт в гранулированных пленках аморфного углерода с наночастица-ми кобальта II Письма в ЖТФ. 2001. Т. 27. M 15. С. 84-89.
18. Калинин ЮЕ., Пономаренко АТ, Ситников А.В., Стогней О.В. Электронный транспорт в гранулированных пленках аморфного углерода с наночастицами кобальта II Физика и химия обработки материалов. 2001. M 5. С. 14-20.
19. Ситников А.В. Электрические и магнитные свойства наногетерогенных систем металл-диэлектрик: Дис. докт. физ.-мат. наук. Воронеж: ВГТУ, 2010. 318 с.
20. Электрическое сопротивление аморфных на-нокомпозитов CoTaNb+SiO2 I И.В.Золотухин, Ю.Е.Калинин, П.В.Неретин, А.В.Ситни-ков, О.В.Стогней II Альтернативная энергетика и экология. 2002. M 2. С. 7-14.
21. Антонец И.В., Котов Л.Н., Некипелов С.В., Голубев Е.А. Особенности наноструктуры и удельной проводимости тонких пленок различных металлов // ЖТФ. 2004. Т. 74. M 3. С. 2427.
22. Антонец И.В., Котов Л.Н., Некипелов С.В., Кар-пушов Е.Н. Проводящие и отражающие свойства тонких металлических пленок II ЖТФ. 2004. Т. 74. M 11. С.102-106.
23. Антонец И.В. Отражающие и проводящие свойства тонких металлических пленок и их наноструктура. Сыктывкар: Изд-во Сыктывкарского госуниверситета, 2007. 124 с.
24. Антонец И.В., Котов Л.Н., Макаров ПА., Голубев Е.А. Наноструктура, проводящие и отражающие свойства тонких пленок железа и (Fe)X(BaF2)Y II ЖТФ. 2010. Т. 80. M 9. С. 134-140.
25. Антонец И.В., Котов Л.Н., Шавров В.Г., Щеглов В.И. Электродинамические свойства тонких металлических пленок с различной толщиной и морфологией поверхности II Радиотехника и электроника. 2004. Т. 49. M10. С. 1243-1250.
26. Проводящие и отражающие свойства тонких металлических пленок с различной толщиной и морфологией поверхности I И.В.Анто-нец, Л.Н.Котов, С.В.Некипелов, В.Г.Шавров, В.И.Щеглов II Proceedings XII International Conference on Spin-Electronics and Gyrovector
Electrodynamics. Moscow: Publisher UNC-1 MPEI (TU). 2003. P. 642-655.
27. Котов Л.Н., Антонец И.В., Голубев ЕА., Пет-рунев С.Н. Статическая проводимость и СВЧ отражающие свойства тонких Fe, Ni, Ti пленок // Вестник Поморского государственного университета. Серия "Естественные науки". 2008. Т. 3. С. 50-57.
28. Баженов М.В., Антонец И.В., Голубев ЕА. Наноструктура аморфных металлических пленок и ее влияние на электромагнитные свойства // Вестник Института геологии Коми НЦ УрО РАН. 2000. № 3. С. 8-9.
29. Особенности проводящих и отражающих свойств композитных пленок (Co4SFe4SZr10)x(Al2O3)100-x / Л.Н.Котов, С.Н.Петрунев, А.И.Сметанин, И.В.Ан-тонец, Ю.Е.Калинин, А.В.Ситников// Вестник Сыктывкарского государственного университета. 2006. Серия 2. № 1. С. 34-41.
30. Антонец И.В., Котов Л.Н., Голубев ЕА. Влияние подложек на формирование рельефа поверхности тонких металлических пленок // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 2007. № 8. С. 65-71.
31. Антонец И.В., Котов Л.Н., Некипелов С.В. Влияние поверхности подложек на формирование тонких металлических пленок // Вестник Сыктывкарского государственного университета. 2006. Серия 2. № 1. С. 14-19.
32. Динамическая проводимость аморфных на-ногранулированных пленок в диапазоне сверхвысоких частот / И.ВАнтонец, Л.Н.Котов, Ю.Е. Калинин, А.В. Ситников, В.Г. Шавров, В.И. Щеглов // Письма в ЖТФ. 2014. Т. 40. № 14. С. 1-6.
33. Механизм динамической проводимости аморфных наногранулированных пленок "металл-диэлектрик" в диапазоне сверхвысоких частот / И.В. Антонец, Л.Н. Котов, О.А.Кирпи-чева, Е.А.Голубев, Ю.Е.Калинин, А.В.Ситнков, В.Г.Шавров, В.И.Щеглов // Журнал радиоэлектроники. Электронный журнал. 2014. №4. http://j re.cplire.ru/koi/apr 14/12/
References
1. Bazhin I.V., Leshcheva OA., Nikiforov I.Ya. Jelektronnaja struktura nanorazmernyh metal-licheskih klasterov [Electronic structure of nanosize metal nanoclusters]// FTT [Physics of Solid State]. 2006. Vol. 48. № 4. P. 726-731.
2. Grabov V.M., Demidov E.V., Komarov VA. Atom-no-silovaja mikroskopija plenok vismuta [Atomic-force microscopy of bismuth films]// FTT [Physics of Solid State]. 2008. Vol. 50. № 7. P. 1312-1316.
3. Struktura i magnitoopticheskie svojstva granu-lirovannyh nanokompozitov poristyj kremnij-kobal't [Structure and magnetic-optical properties of "porous silicon-cobalt" granular nanocom-posites]/E.A.Gan'shina, M.Yu.Kochneva, D.A.Pod-gorny, P.N.Shcherbak, G.B.Demidovich, S.N.Koz-lov // FTT [Physics of Solid State]. 2005. Vol. 47. № 7. P. 1333-1337.
4. Issledovanie nanostrukturirovannyh plenok medi metodami rastrovoj i atomno-silovoj mik-
roskopii [Investigation of nanostructured copper films by method of raster and atomic force microscopy]/ I.N.Serov, V.I.Margolin, N.A.Pot-sar, I.A.Soltovskaya, V.S.Fantikov, V.A.Tupik// Poverhnost' [J. of Surface Investigation]. 2004. № 7. P. 31-35.
5. Atomic force microscopy of in situ deformed nickel thin films/C.Coupeau, J.F.Naud, F.Cley-mand, P.Goudeau, J.Grilhe //Thin Solid Films. 1999. Vol. 353. P. 194-200.
6. Vandamme N, Janssens E., Vanhoutte F, Lievens P., Van Haesendonck C. Scanning probe microscopy investigation of gold clusters deposited on atomi-cally flat substrates // J. of Physics: Condensed Matter. 2003. Vol. 15. P. 2983-2999.
7. Du J.H., Le Q, Wang L.C. Microstructural investigation of as-deposited Co-Ag nano-granur films// J. of Physics: Condensed Matter. 1995. Vol 7. P. 9425-9432.
8. Zhiteitsev E.R., Ulanov VA, Zaripov M.M., Zhe-glov E.P. Issledovanie klasterov primesnyh ionov zheleza v kristalle BaF2 metodom JePR [ERP study of impurity iron ion clusters in BaF2 crystals]// FTT {Physics of Solid State]. 2005. Vol. 47. № 7. P. 1212-1216.
9. The growth of copper oxides on glass by flame assisted chemical vapour deposition / H.M.Yates, L.A. Brook, D.W. Sheel, I.B. Ditta, A. Steele, H.A. Foster // Thin Solid Films. 2008. Vol. 517. № 2. P. 517-521.
10. Kukushkin SA, Osipov A.V. Processy konden-sacii tonkih plenok [Thin-film condensation processes]// UFN [Advances in Physics Sciences]. 1998. Vol. 168. №10. P. 1083-1116.
11. Uporjadochennye nanostruktury zolota na po-verhnosti sapfira: poluchenie i opticheskie issledovanija [Ordered gold nanostructures on sapphire surfaces: Fabrication and optical in-vestigations]/A.E.Muslimov, A.V.Butashin, A.A.Ko-novko, I.S.Smirnov, B.S.Roshchin, Yu.O.Volkov, A.A.Angeluc, A.V.Andreev, A.P.Shkurinov, V.M.Kanevsky, V.E.Asadchikov // Kristal-lografija [Crystallography Reports]. 2012. Vol. 57, № 3. P. 471-476.
12. Bek G., Gyunterodt G.J. Metallicheskie stekla [Metal glasses]. Moscow: Nauka, 1983. 454 p.
13. Polukhin VA., Vatolin NA Modelirovanie amor-fnyh metallov [Modeling of amorphous metals]. Moscow: Nauka, 1985. 288 p.
14. Rosenbaum R., Heines A., Palevski A. Metallic transport properties of amorphous nickelsilicon films // J. of Physics: Condensed Matter. 1997. Vol. 9. P. 5395-5411.
15. Marchal G, Mangin P., Janot C. Amorphous gold-iron alloys above room temperature // Thin Solid Films. 1974. Vol. 23. P. 17-19.
16. Andreenko A.S., Nikitin SA. Magnitnye svo-jstva amorfnyh splavov s perehodnymi 3d-metallami [Magnetic properties of amorphous rare-earth - 3d-transition-metal alloys] // UFN [Advances in Physical Sciences]. 1997. Vol. 167. № 6. P. 605-622.
17. Lucev L.V., Zvonareva T.K., Lebedev V.M. Jelekt-ronnyj transport v granulirovannyh plenkah amorfnogo ugleroda s nanochasticami kobal'ta
[Electronic transport in the granular amorphous carbon films with cobalt nanoparti-cles]// Pis'ma v ZhTF [Technical Physics Letters]. 2001. Vol. 27. № 15. P. 84-89.
18. Kalinin Yu.E., Ponomarenko A.T., Sitnikov A.V., Stognei O.V. Jelektronnyj transport v granuli-rovannyh plenkah amorfnogo ugleroda s nano-chasticami kobal'ta [Electronic transport in the granulated films of amorphous carbon with cobalt nanoparticles] // Fizika i himija ob-rabotki materialov [Physics and chemistry of materials processing]. 2001. № 5. P. 14-20.
19. Sitnikov A.V. Jelektricheskie i magnitnye svo-jstva nanogeterogennyh sistem metall-dije-lektrik [Electric and magnetic properties of nanoheterogenous systems metal-dielectric]: Dis. dokt. fiz.-mat. nauk. Voronezh: VGTU, 2010. 318 p.
20. Jelektricheskoe soprotivlenie amorfnyh nano-kompozitov CoTaNb+SiO2 [Electric resistance of amorphous nanocomposites of CoTaNb+SiO2] / I.V. Zolotukhin, Yu.E. Kalinin, P.V. Neretin, A.V. Sitnikov, O.V. Stognei // Al'ternativnaja jenergetika i jekologija [Alternative power engineering and ecology]. 2002. № 2. P. 7-14.
21. Antonets I.V., Kotov L.N., Nekipelov S.V., Golu-bev E.A. Osobennosti nanostruktury i udel'noj provodimosti tonkih plenok razlichnyh met-allov [Nanostructure and conductivity of thin metal films]// ZhTF [Technical Physics]. 2004. Vol. 74. № 3. P. 24-27.
22. Antonets I.V., Kotov L.N., Nekipelov S.V., Kar-pushov E.N. Provodjashhie i otrazhajushhie svojstva tonkih metallicheskih plenok [Conducting and reflecting properties of thin metal films] // ZhTF [Technical Physics]. 2004. Vol. 74. № 11. P. 102-106.
23. Antonets I.V. Otrazhajushhie i provodjashhie svojstva tonkih metallicheskih plenok i ih nanostruk-tura [The reflecting and conducting properties of thin metal films and their nanostructure]. Syktyvkar: Izd-vo Syktyvkarskogo gosuniversiteta [Syktyvkar State Univ. Publ.], 2007. 124 p.
24. Antonets I.V., Kotov L.N., Makarov PA., Go-lubev EA. Nanostruktura, provodjashhie i otrazhajushhie svojstva tonkih plenok zheleza i (Fe)X(BaF2)Y [Nanostructure, conducting and reflecting properties of thin iron and (Fe)X(BaF2)Y films] // ZhTF [Technical Physics]. 2010. Vol. 80. № 9. P. 134-140.
25. Jelektrodinamicheskie svojstva tonkih metal-licheskih plenok s razlichnoj tolshhinoj i mor-fologiej poverhnosti [Electrodynamic properties of thin metal films with different thickness and morphologies of the film surface]/ I.V. Antonets, L.N. Kotov, V.G. Shavrov, V.I.Shheglov//Radiotehnika i jelektronika [J. of Communications Technology and Electronics]. 2004. Vol. 49. № 10. P. 1243-1250.
26. Antonets I.V., Kotov L.N., Nekipelov S.V., Shav-rov V.G., Shcheglov V.I. Provodjashhie i otrazhajushhie svojstva tonkih metallicheskih ple-nok s razlichnoj tolshhinoj i morfologiej pover-hnosti [The conducting and reflecting properties of thin metal films with various thickness and
morphology of surface]// Proceedings of XII International Conference on Spin-Electronics and Gyrovector Electrodynamics. Moscow: Publisher UNC-1 MPEI (TU). 2003. P. 642-655.
27. Kotov L.N., Antonets I.V., Golubev EA., Petru-nev S.N. Staticheskaja provo-dimost' i SVCh otrazhajushhie svojstva tonkih Fe, Ni, Ti plenok [Static conductivity and the microwave oven reflecting properties of thin Fe, Ni, Ti films] // Vestnik Pomorskogo gosudarstven-nogo universiteta. Serija "Estestvennye nauki" [Bull. of Pomor State Univ. Natural Sciences]. 2008. Vol. 3. P. 50-57.
28. Bazhenov M.V., Antonets I.V., Golubev EA. Na-nostruktura amorfnyh metallicheskih plenok i ee vlijanie na jelektromagnitnye svojstva [Nanostructure of amorphous metal films and its influence on electromagnetic properties] // Vestnik instituta geologii Komi NC UrO RAN [Bull. of Inst. of Geology, Komi Sci.Centre, Ural Branch, RAS]. 2000. № 3. P. 8-9.
29. Osobennosti provodjashhih i otrazhajushhih svojstv kompozitnyh plenok (Co45Fe45Zr1o)x(Al2O3)Wo-x [Features of conducting and reflecting properties of composite films (Co45Fe45Zrw)x(Al2O3)ioo-x] / L.N.Kotov, S.N.Petrunev, A.I.Smetanin, I.V.An-tonets, Yu.E.Kalinin, A.V.Sitnikov // Vestnik Syktyvkarskogo gosudarstvennogo universite-ta [Bull. Of Syktyvkar State Univ.]. 2006. Series 2. № 1. P. 34-41.
30. Antonets I.V., Kotov L.N., Golubev EA. Vlijanie podlozhek na formirovanie rel'efa poverhnosti tonkih metallicheskih plenok [Influence of substrates on formation of a relief of surface of thin metal films] // Poverhnost'. Rentgenov-skie, sinhrotronnye i nejtronnye issledovanija [J. of Surface Investigation]. 2007. № 8. P. 65-71.
31. Antonets I.V., Kotov L.N., Nekipelov S.V. Vlijanie poverhnosti podlozhek na formirovanie tonkih metallicheskih plenok [Influence of surface substrates on formation of thin metal films]// Vestnik Syktyvkarskogo gosudarst-vennogo universiteta [Bull. of Syktyvkar State Univ.]. 2006. Series 2. № 1. P. 14-19.
32. Dinamicheskaja provodimost' amorfnyh nanog-ra-nulirovannyh plenok v diapazone sverhvy-sokih chastot [Dynamic conductivity of amorphous nanogranular films in microwave frequency range] / I.V.Antonets, L.N.Kotov, Ju.E.Kalinin, A.V.Sitnikov, V.G.Shavrov, V.I.Shheglov // Pis'ma v ZhTF [Technical Physics Letters]. 2014. Vol. 40. № 14. P. 1-6.
33. Mehanizm dinamicheskoj provodimosti amor-fnyh nanogranulirovannyh plenok "metall-di-jelektrik" v diapazone sverhvysokih chastot [The mechanism of dynamic conductivity of amorphous nanogranular films "metal-dielectric" in microwave frequency range]/ I.V.Anto-nets, L.N.Kotov, O.A.Kirpicheva, E.A.Golubev, Ju.E.Kalinin, A.V.Sitnikov, V.G.Shavrov, V.I.Shheglov // Zhurnal radiojelektroniki. Jelektronnyj zhurnal [J. of Radio Electronic]. 2014. № 4. http://jre. cplire.ru/koi/apr 14/12/
Статья поступила в редакцию 20.01.2015.
