Нанесение защитного просветляющего покрытия на полупроводниковую гетероструктуру УФ-диапазона Текст научной статьи по специальности «Технологии материалов»

Нанесение защитного просветляющего покрытия на полупроводниковую гетероструктуру 79

Вера Леонидовна Ткалич

Константин Владимирович Дукельский —

д-р техн. наук, профессор; Санкт-Петербургский государственный университет информационных технологий, механики и оптики, кафедра проектирования компьютерных систем; E-mail: Vera_Leonidovna_Tkalich @mail.ru канд. техн. наук; Санкт-Петербургский государственный университет информационных технологий, механики и оптики, кафедра проектирования компьютерных систем; доцент; E-mail: [email protected]

Рекомендована кафедрой проектирования компьютерных систем

Поступила в редакцию 11.05.11 г.

УДК 681.2:535.8

В. М. Волынкин, В. С. Ермолаев, Д. С. Ковалев, Б. П. Папченко

НАНЕСЕНИЕ ЗАЩИТНОГО ПРОСВЕТЛЯЮЩЕГО ПОКРЫТИЯ НА ПОЛУПРОВОДНИКОВУЮ ГЕТЕРОСТРУКТУРУ УФ-ДИАПАЗОНА

Исследована возможность нанесения защитного просветляющего покрытия на полупроводниковую поверхность гетероструктуры УФ-диапазона. Показано, что специально приготовленный раствор на основе стандартной эпоксидной композиции ЭК-54 позволяет получать слои без существенного изменения объема (менее 1 %), а также снизить потери излучения, генерируемого полупроводниковой структурой, на 11 %.

Ключевые слова: УФ-диапазон, полупроводниковая гетероструктура, просветляющее покрытие.

В настоящее время активно расширяется применение светодиодных модулей в диапазоне спектра от ИК- до УФ-диапазона. В частности, авторы настоящей работы исследуют особенности использования УФ-излучения для решения задач в сфере экологии (очистка воды и воздуха) и космического приборостроения. Стандартные технологические приемы по защите и просветлению оптических поверхностей, освоенные в ходе создания оптико-механических устройств [1], в основном заключаются в нанесении различных покрытий на оптическую поверхность в условиях относительного вакуума и повышенной температуры.

В задачи настоящей работы входило исследование возможности нанесения просветляющего защитного (протектирующего) слоя на оптическую поверхность полупроводниковой структуры, генерирующей излучение с длиной волны 365 нм, для повышения механической стойкости поверхности. Авторы ожидали снижения потерь излучения при выходе его через высокопреломляюшую (п ~ 2,9) внешнюю поверхность полупроводниковой структуры благодаря нанесению защитного покрытия на полупроводниковую структуру. Защитное покрытие представляло собой слой эпоксидного раствора (ЭР) на основе стандартной эпоксидной композиции (ЭК-54), получаемого за счет глубокой очистки и добавки микродоз сенсибилизирующих веществ.

Предварительные исследования свойств ЭР в ходе полимеризации показали, что объемные изменения слоя ЭР не превысили 1 %, поперечные и продольные напряжения на поверхности слоя отсутствуют. Отсутствие напряжений в слое при полимеризации проверялось по стандартной методике контроля [2] в скрещенных поляроидах в видимой области спектра. Как и предполагали авторы, нанесение защитного покрытия с показателем преломления п ~ 1,47 на высокопреломляющую поверхность снизило потери излучения на 11 % при выходе

80 А. А. Мараев, А. В. Пантюшин, А. Н. Тимофеев, С. Н. Ярышев

его через внешнюю поверхность полупроводниковой структуры. В ходе исследований была отработана технология нанесения защитного покрытия на кристаллы 1*1 мм без нарушения свойств поверхностного слоя кристалла.

Работа выполнена при финансовой поддержке Министерства образования и науки РФ, государственный контракт № 02.523.12.3028.

список литературы

1. Фурман Ш. А. Тонкослойные оптические покрытия. Л.: Машиностроение, 1977.

2. Креопалова Т. В., Лазарева Н. Л., Пуряев Д. Т. Оптические измерения. М.: Машиностроение, 1987.

Валерий Михайлович Волынкин Владимир Сергеевич Ермолаев

Дмитрий Сергеевич Ковалев Борис Петрович Папченко

Рекомендована кафедрой лазерной техники и биомедицинской оптики

Сведения об авторах канд. хим. наук; НИТИОМ ВНЦ „ГОИ им. С.И. Вавилова", Санкт-Петербург; старший научный сотрудник; E-mail: [email protected] Санкт-Петербургский государственный университет информационных технологий, механики и оптики, кафедра лазерной техники и биомедицинской оптики; старший научный сотрудник; E-mail: [email protected]

ООО „Энергия УФ", Всеволожск, Ленинградская обл.; младший научный сотрудник; E-mail: [email protected]

ООО „Энергия УФ", Всеволожск, Ленинградская обл.; генеральный директор; E-mail: [email protected]

Поступила в редакцию 23.09.11 г.

УДК 681.78

А. А. Мараев, А. В. Пантюшин, А. Н. Тимофеев, С. Н. Ярышев

ИССЛЕДОВАНИЕ МЕТОДА СПЕКТРОЗОНАЛЬНОЙ СЕЛЕКЦИИ В ОПТИКО-ЭЛЕКТРОННОЙ СИСТЕМЕ ПРЕДУПРЕЖДЕНИЯ ТЕХНОГЕННЫХ КАТАСТРОФ

Рассмотрены возможности метода оценки координат изображений реперных меток в синей и красной областях спектра на матричном приемнике, реализованного по шаблону Байера.

Ключевые слова: спектрозональный метод, оптико-электронная система, оценки координат изображений меток.

При долговременном оперативном контроле пространственного положения элементов конструкций с целью предупреждения катастроф [1] распределенные оптико-электронные системы (РОЭС) имеют ряд преимуществ по точности и быстродействию [2]. Метод спектро-зональной селекции [3] при определении координат изображений активных реперных меток (РМ) на едином матричном фоточувствительном поле (МФП) позволяет ослабить влияние воздушного тракта на работу таких РОЭС. Наиболее доступной реализацией указанного метода является использование независимых каналов RGB единого МФП, что позволяет синхронно оценивать положения изображений меток в нескольких спектральных диапазонах. В настоящем исследовании ставилась цель оценить погрешности определения координат