CC BY
88Компоненты и технологии, № 6'2003
Компоненты
Мощные СВЧ-транзисторы
Philips Semiconductors
СВЧ-транзисторы применяются во многих областях человеческой деятельности: телевизионные и радиовещательные передатчики, ретрансляторы, радары гражданского и военного назначения, базовые станции сотовой системы связи, авионика и т. д.
Владимир Захаров
zww@gamma.spb.ru
В последние годы заметна тенденция перехода с биполярной технологии производства СВЧ-транзисторов на технологии VDMOS (Vertical Diffusion Metal Oxide Semiconductors) и LDMOS (Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductors). Самая передовая технология LDMOS обладает наилучшими характеристиками, такими, как линейность, усиление, тепловые режимы, устойчивость к рассогласованию, высокий КПД, запас по рассеиваемой мощности, надежность. Производимые Philips транзисторы имеют исключительно высокую повторяемость характеристик от партии к партии, и компания Philips этим гордится. При замене вышедших из строя транзисторов можно не беспокоиться о процессе настройки оборудования заново, так как все параметры транзисторов абсолютно идентичны. Этим не может похвастаться ни один из конкурентов Philips.
Все новые разработки Philips базируются на новой современной LDMOS-технологии.
I. Транзисторы для базовых станций сотовой связи
Кроме транзисторов упакованных в корпуса, Philips выпускает интегрированные модули.
Таблица 4. Основные интегрированные модули
Таблица 1. Транзисторы LDMOS 800 МГц — 1,0 ГГц
Тип Pвых, Вт Корпус
BLF1043 10 SOT538
BLF1046 45 SOT467
BLF1049 125 S0T502A
BLF0810-90 16 SOT502A
BLF0810-180 32 SOT502A
BLF900-110 25 SOT502A
Таблица 2. Транзисторы LDMOS 1,8 — 2,0 ГГц
Тип Pвых, Вт Корпус
BLF2043 10 SOT538
BLF1822-10 10 SOT467C
BLF1822-30 30 SOT467C
BLF1820-70 65 SOT502A
BLF1820-90 90 SOT502A
Таблица 3. Транзисторы LDMOS 2,0 — 2,2 ГГц для WCDMA
Тип Pср WCDMA, Вт Корпус
BLF1822-10 1 SOT467C
BLF1822-30 4 SOT467C
BLF2022-30 4 SOT608A
BLF2022-70 7,5 SOT5Ü2A
BLF2022-120 20 SOT539A
BLF2022-125 20 SOT634A
BLF2022-150 25 SOT634A
BLF2022-180 35 SOT539A
Тип Pвых, Вт Технология Частота Область применения
BGY916 19 BIPOLAR 900 МГц GSM
BGY916/5 19 BIPOLAR 900 МГц GSM
BGY925 23 BIPOLAR 900 МГц GSM
BGY925/5 23 BIPOLAR 900 МГц GSM
BGY2016 19 BIPOLAR 1800-2000 МГц GSM
BGF802-20 4 LDMOS 900-900 МГц CDMA
BGF 844 20 LDMOS 800-900 МГц GSM/EDGE (USA)
BGF944 20 LDMOS 900-1000 МГц GSM/EDGE (EUROPE)
BGF1801-10 10 LDMOS 1800-1900 МГц GSM/EDGE (EUROPE)
BGF1901-10 10 LDMOS 1900-2000 МГц GSM/EDGE (USA)
58
- www.finestreet.ru -
Компоненты и технологии, № 6'2003
Компоненты
Таблица 5. L- и S-полосные транзисторы для радаров
Тип F, ГГц Vcc, B Tp, мкс Коэфф. заполнения, % Мощность, Вт КПД, % Усиление, дБ
L-полоса RZ1214B3SY 1,2-1,4 SO 1S0 S >3S >30 >7
RZ1214B6SY 1,2-1,4 SO 1S0 S >70 >3S >7
RX1214B130Y 1,2-1,4 SO 1S0 S >130 >3S >7
RX1214B170W 1,2-1,4 42 S00 10 >170 >40 >6
RX1214B300Y 1,2-1,4 SO 1S0 S >2S0 >3S >7
RX1214B3S0Y 1,2-1,4 SO 130 6 >2B0 >40 >7
BLL1214-3S 1,2-1,4 36 100 10 >3S 4S >13
BLL1214-2S0 1,2-1,4 36 100 10 >2S0 4S >13
S-полоса BLS2731-10 2,7-3,1 40 100 10 >10 4S 9
BLS2731-20 2,7-3,1 40 100 10 >20 40 B
BLS2731-S0 2,7-3,1 40 100 10 >S0 40 9
BLS2731-110 2,7-3,1 40 100 10 >110 40 7,S
Верхняя S-полоса BLS313S-10 3,1-3,S 40 100 10 >10 40 9
BLS313S-20 3,1-3,S 40 100 10 >20 40 B
BLS313S-S0 3,1-3,S 40 100 10 >S0 40 B
BLS313S-6S 3,1-3,S 40 100 10 >6S 40 >7
Таблица 6. Транзисторы для авионики
Тип F, ГГц Vcc, B Tp, мкс Коэфф. заполнения, % Мощность, Вт КПД, % Усиление, дБ
MZ0912BS0Y 0,96-1,21S S0 10 10 >S0 >42 >7
BIPOLAR MX0912B100Y 0,96-1,21S SO 10 10 >100 >42 >7
MX0912B2S1Y 0,96-1,21S SO 10 10 >23S >42 >7
MX0912B3S1Y 0,96-1,21S 42 10 10 >32S >40 >7
Vds
LDMOS BLA1011-200 1,03-1,09 36 SO 1 >200 SO 1S
BLA1011-10 1,03-1,09 36 SO 1 >10 40 16
BLA1011-2 1,03-1,09 36 SO 1 >2 - 1B
Отличительные особенности интегрированных модулей:
• LDMOS-технология (пайка прямо на радиатор, линейность, большее усиление),
• пониженное искажение,
• меньший нагрев полупроводника за счет использования медного фланца,
• интегрированная компенсация температурного смещения,
• 50-омные входы/выходы,
• линейное усиление,
• поддержка многих стандартов (EDGE, CDMA).
Рекомендуемые решения для стандарта GSM:
на 800 МГц: BGF844 + BLF1049 на 900 МГц: BGF944 + BLF1049 на 1800 МГц: BGF1801-10 + BLF1820-10 на 1900 МГц: BGF1901-10 + BLF1820-10 Рекомендуемые решения для стандарта CDMA:
на 800 МГц: BGF802-20 + BLF0810-180 на 1900 МГц: BGF1901-10 + BLF1820-90 Рекомендуемые решения для стандарта EDGE:
BGF0810-90
• выходная мощность: 40 Вт,
• усиление: 16 дБ,
• КПД: 37%,
• ослабление мощности по соседнему каналу ACPR: -60 дБ,
• амплитуда вектора ошибок EVM: 2%. BLF1820-90
• выходная мощность: 40 Вт,
• усиление: 12 дБ,
---------------------www.finestreet.ru-
• КПД: 32%,
• ослабление мощности по соседнему каналу ACPR: -60 дБ,
• амплитуда вектора ошибок EVM: 2%.
II. Транзисторы для вещательных станций
На протяжении последних 25 лет компания Philips сохраняет лидерство в данной области. Использование последних достижений в технологии LDMOS (серии BLFlxx, BLF2xx, BLF3xx, BLF4xx, BLF5xx,) позволяет постоянно укреплять позиции на рынке. В качестве примера можно привести огромный успех транзистора BLF861 для ТВ-пере-датчиков. В отличие от транзисторов конкурентов, BLF861 зарекомендовал себя высоконадежным и высокостабильным элементом, защищенным от выхода из строя при отключении антенны. Никто из конкурентов не смог приблизиться к характеристикам BLF861 по стабильности работы. Можно назвать основные сферы применения таких транзисторов: передатчики на частоты от HF до 800 МГц, частные радиостанции PMR (TETRA), передатчики VHF гражданского и военного назначения.
Основные характеристики транзистора BLF861A
• Push-pull-транзистор (двухтактный усилитель),
• выходная мощность более 150 Вт,
• усиление более 13 дБ,
• КПД более 50%,
• закрывает полосу от 470 до 860 МГц (полосы IV и V),
• надежный, устойчивый к рассогласованию,
• устойчив к отключению антенны,
• является индустриальным стандартом в ТВ-передатчиках на сегодняшний день. Новая модель транзистора BLF647
• разработан на основе BLF861A,
• большой коэффициент усиления 16 дБ на 600 МГц,
• выходная мощность до 150 Вт,
• закрывает полосу от 1,5 до 800 МГц,
• надежный, устойчивый к рассогласованию,
• устойчив к отключению антенны,
• имеет встроенный резистор, позволяющий работать на частотах HF и VHF,
• Push-pull-транзистор (двухтактный усилитель).
Транзистор BLF872
• разрабатывается как более мощная замена BLF861A,
• начало производства 1 квартал 2004 года,
• выходная мощность до 250 Вт,
• самый надежный транзистор по устойчивости к рассогласованию,
• сохраняет линейность,
• сохраняет надежность,
• смещение тока Idq менее 10% на 20 лет,
• коэффициент усиления более 14 дБ,
• закрывает полосу от 470 до 860 МГц.
III. Транзисторы для радаров и авионики
Новые транзисторы Philips для радаров и авионики также производятся по современной LDMOS-технологии. Кристаллы, выполненные по технологии LDMOS, меньше нагреваются, являются более надежными, имеют большее усиление, не требуют изолятора между подложкой и радиатором. Соответственно, для достижения тех же характеристик требуется меньшее число транзисторов, что дополнительно повышает надежность и снижает стоимость изделия.
Новые разработки:
BLA0912-250
• полоса от 960 до 1250 МГц (все главные частоты авионики),
• высокое усиление до 13 дБ,
• надежность, устойчивость к рассогласованию фаз 5:1,
• линейность,
• образцы будут доступны с июня 2003 года. BLS2934-100
• полоса от 2,9 до 3,4 ГГц (все главные частоты авионики),
• использование стандартного негерметичного корпуса,
• образцы будут доступны к концу 2003 года. Подводя итоги, можно с уверенностью сказать, что компания Philips идет в ногу со временем и предлагает транзисторы, позволяющие создавать новые устройства, которые обладают более совершенными характеристиками: меньший размер, большая выходная мощность, меньшее число компонентов обвязки и меньшая цена конечного изделия.
S9
