Монолитные микросхемы коммутаторов СВЧ-сигналов компании Hittite Microwave Текст научной статьи по специальности «Электротехника, электронная техника, информационные технологии»

Монолитные микросхемы коммутаторов СВЧ-сигналов

компании Hittite Microwave

Владимир ДЬЯКОНОВ, д. т. н., профессор

vpdyak@yandex.ru

Американская компания Hittite Microwave выпускает обширную номенклатуру монолитных интегральных микросхем СВЧ-диапазона [1—3]. По ряду показателей они не уступают обычным коаксиальным СВЧ-устройствам [4] и даже превосходят их. В данной статье описаны монолитные микросхемы коммутаторов СВЧ-сигналов этой компании, которые широко применяются в современных системах связи гражданского и военного назначения.

Монолитные микросхемы СВЧ-коммутаторов общего назначения

Монолитные и гибридно-пленочные интегральные микросхемы компании построены на основе самых современных интегральных микротранзисторов типа MESFET, РНЕМТ, МНЕМТ и НВТ, изготавливаемых на GaAs, InGaP/GaAs, 1пР, SiGe. Сегодня это наиболее высокочастотные из известных транзисторов. По этому параметру они намного превосходят обычные германиевые и кремниевые и позволяют расширить диапазон частот до 100 ГГц.

На рис. 1а показан внешний вид корпуса типа SMT микросхемы Н427. Он имеет миниатюрные размеры 2x3 мм и предназначен для поверхностного монтажа на печатную плату. Очень малая паразитная индуктивность выводов такого корпуса обеспечивает высокие частоты переключаемых сигналов — от постоянного тока DC до 8 ГГц. Микросхема выполнена по технологии GaAs ММ1С.

Функциональная диаграмма микросхемы Н427 приведена на рис. 1б. Видно, что микросхема содержит четыре переключателя.

Таблица 1. Диаграмма состояния микросхемы H427

N/C VDD N/C N/C

ш

H if ft H

N/C CTLA CTLB N/C

-| 12 RF2

11 N/C

10 N/C

-| 9 RF3

PACKAGE

I BASE

GND

Сигналы управления Соединения

A B RF4-RF2 RF1-RF3 RF4-RF1 RF2-RF3

низкий высокий Вкл. Вкл. Выкл. Выкл.

высокий низкий Выкл. Выкл. Вкл. Вкл.

Рис. 1. Микросхема H427: а) внешний вид; б) функциональная диаграмма

Напряжение смещения Vdd = 5 В при токе 10 мкА. Управляющее напряжение низкое (0-0,2 В) при токе 6 мкА и высокое ±Vdc при токе 10 мкА. Описание состояний коммутатора указано в таблице 1.

Основными параметрами коммутаторов СВЧ-сигналов являются потери (ослабление) сигнала во включенном состоянии и потери в режиме выключения. Они измеряются в отрицательных децибелах (дБ) и характеризуют коэффициент передачи микросхемы или ее отдельного участка. Для микросхем коммутаторов желательно иметь малые потери во включенном состоянии (близкие к 0 дБ) и как можно большие в выключенном состоянии (например, -40 дБ соответствует ослаблению сигнала в 100 раз).

У микросхемы Н427 потери в режиме включения составляют от -1,2 до -1,6 дБ в диапазоне частот 0-6 ГГц. Частотная зависимость этого параметра во включенном состоянии коммутатора Н427 приведена на рис. 2а. Она отличается высокой равномерностью и небольшим спадом после частоты 7 ГГц.

В режиме выключения потери достигают 48 дБ, но сильно зависят от частоты (рис. 2б). Они, естественно, заметно возрастают на сравнительно низких частотах (менее 2 ГГц), но падают на частотах выше 6-7 ГГц. Последнее можно объяснить просачиванием сигнала с выхода на вход через малые проходные емкости структуры микросхемы.

Более полно микросхемы характеризуются S-параметрами. Из них наиболее часто указывают обратные потери. Зависимость обратных потерь от частоты в выключенном состоянии коммутатора Н427 представлена на рис. 2в. За пределами рабочего диапазона частот наблюдается рост сигнала отражения, характеризующего обратные потери.

Печатная плата модуля коммутатора с микросхемой Н427 показана на рис. 3. Подключение входов и выход осуществляется с помощью согласованных линий передачи. Отрезок такой линии, предназначенный для ее отдельного тестирования, создан в верхней части платы. Входы и выходы имеют бескорпусные разделительные конденсаторы С2-С5 с емкостью по 100 пФ каждый. Емкость конденсатора С1 — 1000 пФ. Номинал бескорпусных резисторов R1 и R2 — 100 Ом. Все компоненты имеют очень малую паразитную индуктивность.

m et

-+25 X +85 °С -40 °С

zrrz

3 4 5 6 Частота, ГГц

-10

ш

et

-10

ш

et

s "15

а.

g

ê -20

-25

-30

'¡""¡""¡"

- RF1 ........... RF2 .......RF3

---RF4

<7

---"I *• . # «. —* 4-- ^ I -—г / Г

\Ч \

3 4 5 Частота, ГГц

H

и

8 9

J1

Hittite

105674-2

THRU CAL

RF2

J3

J2

J4

J5 J6 J7 J8

Рис. 3. Монтаж микросхемы коммутатора H427 на печатную плату

Функциональная диаграмма микросхемы показана на рис. 4б. Коммутатор обеспечивает подключение общего радиочастотного вывода RFC на любой из выводов RF1-RF8 в соответствии с расшифровкой диаграммы состояния, представленной в таблице 2. Для уменьшения отражений каждый вывод, отключенный от общего вывода, подключается к конденсатору небольшой емкости, входящему в состав микросхемы (рис. 4б).

Зависимость коэффициента передачи (потерь в дБ) от частоты во включенном состоянии коммутатора HP321 при разных значе-

Рис. 2. Зависимости для коммутатора H427:

а) зависимость коэффициента передачи от частоты во включенном состоянии;

б) зависимость коэффициента передачи от частоты в выключенном состоянии;

в) зависимость обратных потерь от частоты в выключенном состоянии

Микросхемы многоканальных СВЧ-коммутаторов

Микросхема НР321 — это GaAs ММ1С SP8T (рис. 4а) неотражающий (точнее, мало отражающий) переключатель сигналов с полосой частот от постоянного тока DC (0 Гц) до 8 ГГц. Технические характеристики изделия:

• SMT-корпус типа LP4 ^Р4Е) размером 4x4 мм.

• Управление логическими сигналами с уровнями:

- низкий (0-0,8 В при типовом токе 5 мкА);

- высокий (2 и 5 В при типовом токе 25 мкА).

• Температурный диапазон:

- хранения -85... + 150 °С;

- рабочий -40...+85 °С.

• Максимальная мощность сигнала для каждого «горячего» вывода +26 дБм.

H

0

а о о

U- Z UL Z

а: о а: о

GND RF2 GND RF3 GND RF4

И

|г*| |2з| [21J |2oJ

tu 4

M

6 I I 3:8 DECODER |

8 9 10 11 12

а z

CD

a

о

>

о _i i-o

аз _i l-

о

5

н о

О Z

сэ

PACKAGE BASE

GND

Рис. 4. Микросхема коммутатора HP321LP4: а) внешний вид; б) функциональная диаграмма

Рис. 5. Зависимость коэффициента передачи от частоты: а) во включенном состоянии; б) в выключенном состоянии

Таблица 2. Диаграмма состояния соединений коммутатора HP321

Сигналы управления Соединения

А в с на

низкий низкий низкий RF1

высокий низкий низкий RF2

низкий высокий низкий RF3

высокий высокий низкий RF4

низкий низкий высокий RF5

высокий низкий высокий RF6

низкий высокий высокий RF7

высокий высокий высокий RF8

ниях температуры окружающей среды показана на рис. 5а. Потери составляют около -2 дБ на низких частотах и доходят до -2,6 дБ на высоких (до 8 ГГц).

Зависимость коэффициента передачи от частоты для каждого радиочастотного входа (от RF1 до RF8) в выключенном состоянии для коммутатора НР321 приведена на рис. 5б. Очень высокие потери характерны

для низких частот, где влияние паразитных емкостей минимально.

Монтаж коммутатора НР321 на печатную микроплату с радиочастотными разъемами показан на рис. 6. Все проводники выполнены в виде микрополосковых линий передачи со стандартным волновым сопротивлением 50 Ом. Конденсаторы С1-С9 бескорпусные с емкостью 100 пФ, ВЧ-разъемы типа SMA RF.

Сверхширокополосные микросхемы коммутаторов

Более широкополосная микросхема НМС64Ш4Е (рис. 7) — GaAs ММ1С SP4T неотражающий переключатель сигналов с полосой частот 0-20 ГГц. Микросхема также выполнена в SMT-корпусе типа LP4E. Выводы, не подключаемые к общему выводу, подключаются к согласующим резисторам с сопротивлением 50 Ом, что существенно уменьшает отражения по сравнению с ранее описанной микросхемой.

Частотная зависимость коэффициента передачи во включенном состоянии коммутатора НМС641 показана на рис. 8а. Ввиду широкой полосы частот коммутируемого сигнала эта зависимость имеет заметную неравномерность и немонотонный характер, а на частотах выше 20 ГГц демонстрирует довольно резкий спад. В режиме выключения коэффициент передачи во всей полосе частот составляет не более -40 дБ и также сильно зависит от частоты (рис. 8б).

Печатная плата модуля коммутатора с микросхемой НМС641 оказана на рис. 9. Подключение входов и выхода осуществляется с помощью согласованных линий передачи. Отрезок такой линии, предназначенный для ее отдельного тестирования, создан в правой части платы. Плата упрощена и имеет единственный блокирующий конденсатор С1 с емкостью 1000 пФ.

Многие микросхемы коммутаторов выполняются в бескорпусном исполнении (в виде чипов). Сверхминиатюрные размеры таких микросхем и очень малые паразитные реак-

Рис. 6. Печатная микроплата с коммутатором HP321

Рис. 7. Функциональная диаграмма широкополосного коммутатора HMC641LP4E

8 12 16 Частота, ГГц

12 16 Частота, ГГц

Рис. 8. Зависимость коэффициента передачи коммутатора HMC641: а) во включенном состоянии; б) от частоты в выключенном состоянии

■ ■

IV

ш*

\а

и

и

в Л

3 л 4 "П О

х

К

41'

л

а

■ih

RF2

Hi'

50

с jz

10 R 9 В 8 А X |||—

50

тивности позволяют расширить диапазон частот коммутируемых сигналов. Микросхема HMC347 (рис. 10а) — это мало отражающий коммутатор класса SPDT Non-Reflective Switch Chip с полосой частот коммутируемых сигналов 0-20 ГГц. Микросхема предназначена для поверхностного монтажа на печатную плату.

Функциональная диаграмма широкополосного коммутатора HMC347 показана на рис. 10б. Из этой диаграммы назначение микросхемы вполне очевидно и в дополнительном описании не нуждается.

Рис. 10. Широкополосный коммутатор HMC347: а) бескорпусная микросхема; б) функциональная диаграмма

Зависимость потерь во включенном состоянии коммутатора НМС641, показанная на рис. 8, свидетельствует о существенно улучшенной равномерности коэффициента передачи этой микросхемы по сравнению с той же зависимостью для микросхемы НМС347, выполненной в миниатюрном корпусе (рис. 11а). В частности, волнистость характеристики полностью отсутствует: виден лишь едва заметный провал в области частот около 12 ГГц.

То же можно сказать в отношении зависимости коэффициента передачи от частоты в выключенном состоянии (рис. 11б). Характерный резкий минимум этой зависимости виден лишь за пределами рабочего диапазона частот — на частоте около 22 ГГц.

■а -2

________I________1________J___i^v - -

_________I______

■ +25 °С

■ -55 °С

■ +85 °С

_________I_________I_________L________J_________

н

10 15

Частота, ГГц

20

25

10 15

Частота, ГГц

Рис. 11. Зависимость коэффициента передачи коммутатора HMC641: а) во включенном состоянии; б) в выключенном состоянии от частоты

N/C N/C N/C N/C

Vdd

Vctl

RFC

N/C

EN N/C N/C N/C

GND

Микросхемы коммутаторов с улучшенными показателями

Среди микросхем коммутаторов есть ряд образцов с рекордными показателями во включенном и выключенном состоянии. Например, микросхема HMC349 (рис. 12) имеет коэффициент передачи всего в -0,9 дБ на частоте 1 ГГц при частотном диапазоне 0-4 ГГц.

Зависимость коэффициента передачи во включенном состоянии коммутатора HMC349 показана на рис. 13а. Она монотонная и не имеет признаков колебаний. Частотные зависимости коэффициента передачи в выключенном состоянии для коммутатора HMC349 показаны на рис. 13б. Потери в этом случае велики и свидетельствуют о высокой степени изоляции отключаемых выводов.

В более узком диапазоне частот 0-2,5 ГГц еще лучшие показатели имеет микросхема коммутатора HMC348LP3/HMC348LP3E. Она дает ослабление сигнала во включенном состоянии -0,6 дБ и в выключенном состоянии -55 дБ на частоте 1 ГГц и даже -80 дБ в выключенном состоянии на частоте до 2,5 ГГц. Столь высокое ослабление сигнала достигается в достаточно широкой (хотя и не рекордной для микросхем компании Hittite Microwave) полосе частот.

Рис. 12. Функциональная диаграмма широкополосного коммутатора HMC349

Как видно из приведенных примеров, микросхемы коммутаторов на GaAs-транзисторах имеют заметное ослабление при включенном состоянии цепей коммутации. Это связано с работой на низкоомную (обычно 50 или 75 Ом) нагрузку и с конечным сопротивлением включенного транзистора. С другой стороны, ослабление в выключенном состоянии недостаточно велико из-за наличия паразитных емкостей в структуре микросхем. Это говорит о необходимости тщательной оптимизации схем. Она удорожает микросхемы и сужает их диапазон частот.

Микросхемы коммутаторов

с повышенной мощностью коммутируемых сигналов

В ряде применений коммутаторов необходимо коммутировать сигналы достаточно высоких уровней — с мощностью, не выводящей приборы из строя, до десятков ватт. Hittite Microwave выпускает ряд микросхем коммутаторов такого рода, именуемых Filesafe Switch.

Функциональная диаграмма одной из таких микросхем GaAs MMIC 40W Filesafe Switch HMC646LP2/646LP2E представлена на рис. 14. Рабочие состояния микросхемы представлены в таблице 3. Напряжение питания микросхем Vdd--+3.. .+8 В. Управляющее на-

Частота, ГГц

Частота, ГГц пп Частота, ГГц

Рис. 13. Зависимость коэффициента передачи коммутатора HMC349: а) во включенном состоянии; б) в выключенном состоянии

Тх

N/C

ACG

RFC

Vctl

Rx

PACKAGE BASE

Рис. 14. Функциональная диаграмма микросхемы HMC646LP2/646LP2E

Таблица 3. Рабочие состояния микросхемы HMC646LP2/646LP2E

Управляющее напряжение Состояние

Vctl Vdd RFC - Tx RFC - Rx

0 0 Вкл. Выкл.

0 Vdd Выкл. Вкл.

Vdd Vdd Вкл. Выкл.

пряжение Vctrl = ± 0,2Vdc. Микросхема имеет сигнальные порты RFC, Tx и Rx.

В отличие от описанных выше апериодических микросхем такие микросхемы имеют LC-резонансные цепи, хорошо согласующие импеданс, но в узком частичном диапазоне частот. Типичная схема включения микросхем HMC646LP2/646LP2E показана на рис. 15. В таблице 4 представлены номиналы ее компонентов на трех частотах при общем диапазоне 0,1-2,2 ГГц. Монтаж микросхемы HMC646LP2/646LP2E на печатную плату представлен на рис. 16.

Таблица 4. Номиналы компонентов схемы, приведенной на рис. 15

Частота 0,915 ГГц 1,6 ГГц 2,015 ГГц

C1, C3, C5, пФ 1000 330 330

C2, пФ 2,7 1,5 1,1

C4, пФ 1000 100 100

C6, пФ 1,8 0,5 0,5

C7, пФ 15 4,7 2,7

L1, нГ 15 3,9 1,8

L2, нГ 9 4,3 3,3

R1, кОм 10 10 10

L1

С1

J1 о-

С7

I

Тх RFC

N/C Vctl

ACG Rx

сз

R1

-си-

-о J3

"1 I

C4

С2

I"

I

Vdd -О J4

Vctl -О J5

С5

-О J2

=Ь Сб

Рис. 15. Принципиальная схема включения микросхем HMC646LP2/646LP2E

Рис. 16. Монтаж микросхемы HMC646LP2/646LP2E на печатную плату

Зависимости коэффициента передачи (потерь) для микросхем HMC646LP2/646LP2E во включенном и выключенном состоянии показаны на рис. 17.

У этой микросхемы не повреждающая ее мощность сигнала достигает 40 Вт. Мощность до 20 Вт обеспечивает микросхема HMC546MS8G/HMC546MS8GE. Диапазон частот коммутируемых сигналов у этой микросхемы 0,2-2,2 ГГц.

Микросхема HMC784MS8GE SPDT, 10W, T/R (рис. 18а) выполнена в миниатюрном корпусе с малоиндуктивными балочными

выводами. В полосе частот 0-4 ГГц она обеспечивает коммутацию СВЧ-сигналов с не-повреждающей мощностью до 10 Вт.

Типовая схема включения микросхемы представлена на рис. 18б. Она не содержит резонансных цепей с индуктивными элементами, что является ее несомненным достоинством.

На рис. 19 представлены типовые зависимости потерь микросхемы HMC784MS8GE во включенном и выключенном состояниях. Во включенном состоянии потери малы до частоты примерно 3 ГГц. Зависимость потерь от частоты гладкая и резонансных явлений не выявляет. В спецификации микросхемы есть обширные данные по параметрам, характеризующим ее нелинейные свойства при большой мощности коммутируемых СВЧ-сигналов.

Монтаж микросхемы на печатную плату представлен на рис. 20. Бескорпусные разделительные конденсаторы С1-С3 имеют номинал емкости в 100 пФ, блокирующий конденсатор С4 — 10 нФ. Применены бескорпусные резисторы с номиналом в 100 Ом.

Микросхемы СВЧ-коммутаторов на рч-п-диодах

Микросхемы коммутаторов на полевых GaAs-транзисторах имеют важное достоинство: по цепям управления они потребляют очень малый ток. Однако максимальные частоты коммутируемых сигналов у них ограничены примерно 20 ГГц. Существенно более высокие частоты имеют микросхемы коммутаторов на p-i-n-диодах. Такие GaAs-диоды имеют очень малые разме-

-0,5

ч

Ё -1 I

-1,5

' " - - —:

- +25 X --- +85 °С .......-40 "С

i

1,95

2 2,05

Частота, ГГц

2,1

2 2,05

Частота, ГГц

-0,5

ш ч

Ё -1

I 1=

-1,5

■ +85 °С ■ ■ -40 °С

И

1,95

2 2,05

Частота, ГГц

2,1

0 -5 -10

1П

- -15

5 -20

С

-25 -30

-35

--Тх, Input

- --Тх, Output

------------------Rx, Input

-------Rx, Output

1,95

И

2 2,05

Частота, ГГц

2,1

Рис. 17. Зависимости коэффициентов передачи микросхем HMC646LP2/646LP2E: а) во включенном состоянии; б) в выключенном состоянии

Рис. 20. Монтаж микросхемы HMC784MS8GE на печатную плату

Рис. 21. Функциональная диаграмма микросхемы HMC975

На рис. 24а приведены зависимости коэффициентов передачи при включенном состоянии. На низкочастотной границе рабочего диапазона коммутируемых сигналов коэффициент передачи составляет менее -0,5 дБ и почти монотонно растет с повышением частоты до 50 ГГц.

ры ¿-области и малые собственные емкости. При пропускании через них прямого тока дифференциальное сопротивление диодов падает до единиц Ом и менее, что и положено в основу коммутации сигналов.

На рис. 21 показана функциональная диаграмма микросхемы НМС975, которая является коммутатором сверхширокополосных сигналов с полосой частот 2-50 ГГц. Микросхема имеет бескорпусное оформление и очень малые размеры: 1,75x1,1x0,1 мм.

Функциональная схема этой микросхемы представлена на рис. 22. Здесь стоит обратить внимание на организацию радиочастотных выводов. Даже внутри микросхемы она реализована в виде микрополо-сковых линий передачи, обеспечивающих максимально возможное согласование с расчетными сопротивлениями в 50 Ом.

Микросхема коммутатора подключается к внешним цепям с помощью микрополосковых широкополосных линий передачи. Схема подключения показана на рис. 23. Для уменьшения паразитной индуктивности золотых проводников они выполнены на основе параллельного включения двух проводников.

Рис. 23. Подключение микросхемы HMC975 к микрополосковым линиям передачи

[^С

Рис. 22. Функциональная схема микросхемы HMC975

Частота, ГГц пп Частота, ГГц

Рис. 24. Зависимости коэффициентов передачи НМС975: а) при включенном состоянии; б) при выключенном состоянии

Зависимости коэффициентов передачи при выключенном состоянии показаны на рис. 24б. Они различны для левой и правой части функциональной схемы коммутатора.

На рис. 25 показан вид микросхемы НМС971, выполненной в бескорпусном оформлении. Ее размеры 2,21x1,26x0,1 мм (меньше спичечной головки).

Функциональная схема микросхемы НМС971 приведена на рис. 26. Здесь ра-

диочастотные выводы также реализованы в виде микрополосковых линий передачи. Подключение микросхемы НМС971 к внешним цепям представлено на рис. 27.

Зависимость коэффициента передачи при включенном состоянии микросхемы НМС971 от частоты показана на рис. 28а при различных значениях температуры окружающей среды, а частотная зависимость в выключенном состоянии — на рис. 28б.

[^С

Рис. 26. Функциональная схема микросхемы НМС971

РРС

□ип

□ НМС971 □

Ш1 Е:С

В т га □

0,01 мкФ

0,01 мкФ

Рис. 27. Подключение микросхемы HMC971

[^2

>41'

и-

СТЬА

_ RFOUT1

Ра

1

Ш

1

ст1_в

Рис. 29. СВЧ-коммутатор HMC SDD112:

а) бескорпусная микросхема; б) функциональная диаграмма

-Е

РРОиТ2

хЯ

0

-0,6

■а-1,2

5 -1,8

-2,4

J J 1 1 1 1 1 .1 .1 —

- +25° с с с

> 1 ----55 0

к-г ■ - -

а ш к V | 1 « 1

*

л

И

0

14 16 18 20 22 24 26 28 30 32 34 36 38 40 42 44 Частота, ГГц

14 16 18 20 22 24 26 28 30 32 34 36 38 40 42 44 Частота, ГГц

Рис. 28. Зависимость коэффициента передачи микросхемы HMC971: а) при включенном состоянии; б) при выключенном состоянии

Наиболее высокочастотной микросхемой коммутатора SPDT Функциональная диаграмма СВЧ-комму-татора НМС SDD112 приведена на рис. 29б. Управ -5/+5 В, коэффициент пе] в выключенном--30 дБ.

SWITH является НМС SDD112 (полоса частот 55-86 ГГц). Она вы- ведена на рис. 29б. Управляющее напряжение этой микросхемы пускается в бескорпусном исполнении (рис. 29а) и имеет размеры -5/+5 В, коэффициент передачи во включенном состоянии -2 дБ,

2,01x0,975x0,1 мм.

0

-5

-10

1П -15

ч -70

а.

Я! -25

о

-30

-35

-40

-45

65 70 75 80 Частота, ГГц

Рис. 30. Типовые частотные зависимости потерь при включенном и выключенном состоянии микросхемы HMC971

3 mil

Рис. 31. Подключение микросхемы к отрезкам линий передачи и источникам управляющих сигналов

Типовые зависимости от частоты потерь при включенном и выключенном состоянии микросхемы HMC971 показаны на рис. 30. Типичное подключение микросхемы к отрезкам линий передачи и к источникам управляющих сигналов приведено на рис. 31.

Заключение

Монолитные микросхемы коммутаторов корпорации Hittite Microwave многократно превосходят коммутаторы на основе обычных коаксиальных конструкций [4] по массо-габаритным показателям и частотному диапазону коммутируемых СВЧ-сигналов. Они не уступают им по коэффициенту передачи во включенном состоянии. В то же время ослабление в выключенном состоянии у них все же меньше, чем у обычных коммутаторов на полевых транзисторах и p-i-n-диодах. Это обусловлено ограниченными возможностями качественного экранирования цепей и отдельных их компонентов в монолитных микросхемах и влиянием паразитных емкостей их структур, расположенных очень близко друг от друга. Тем не менее перспективность монолитных микросхем коммутаторов СВЧ-сигналов очевидна, и продукция корпорации Hittite Microwave является этому наглядным подтверждением. ■

Литература

1. www.hittite.com

2. Дьяконов В. П. Пикосекундные цифровые монолитные микросхемы корпорации Hittite Microwave // Компоненты и технологии. № 9. 2011.

3. Дьяконов В. П. Монолитные СВЧ-микросхемы аттенюаторов и усилителей компании Hittite

Microwave // Компоненты и технологии. 2011. № 10.

4. Дьяконов В. П. СВЧ-аксессуары фирмы Agilent Technologies // Компоненты и технологии. 2011.

№ 9.

5. Афонский А. А., Дьяконов В. П. Электронные измерения в нанотехнологиях и микроэлектронике. М.: ДМК-Пресс. 2011.