CC BY
54Компоненты и технологии, № 7'2003
Микросхемы памяти
компании STMicroelectronics
В статье продолжается рассмотрение различных видов памяти, разрабатываемых и производимых компанией БТМкгое^Стошсв (БТ), одним из мировых лидеров по производству электронных компонентов.
Анатолий Юдин, к. т. н.
info@stmicro.ru
Микросхемы последовательной энергонезависимой памяти (EEPROM и Serial NVM)
Последовательная энергонезависимая память — наиболее гибкий тип долговременной энергонезависимой памяти, которая обеспечивает возможность записи вплоть до байтового уровня, без необходимости стирания данных перед записью нового значения. Это делает их идеальными для хранения параметров.
Новые высокоскоростные микросхемы ЭППЗУ (EEPROM) с высокой плотностью памяти и последовательной Flash-памяти обеспечивают хранение кода, занимая мало места на плате при пониженном числе выводов.
Семейства последовательной Flash-памяти ST имеют возможность «секторного стирания и страничной прошивки» и «страничного стирания и страничной прошивки». Это стало возможно благодаря более тонкой мелкоячеистости памяти по сравнению со стандартной Flash-памятью, характеристика зернистости которой не соответствует характеристике байтового уровня последовательного ЭППЗУ.
Быстро развивающийся рынок передачи данных (телефонные трубки, цифровая беспроводная связь DECT, телефоны и модемы) полагается пока в большей степени на ЭППЗУ, которые энергетически эффективны и более удобны в использовании.
Компания STMicroelectronics имеет богатый опыт использования микросхем последовательной
памяти в бытовой технике. Она занимает лидирующие позиции по производству микросхем памяти для автоэлектроники, а также для рынка компонентов компьютеров и периферии. Эти направления — основные потребители микросхем долговременной памяти.
В этом году для ЕЕРИОМ компанией используется технология производства 0,35 мкм, что позволило довести емкость памяти до 1 Мбит в соответствии с потребностями рынка. В тоже время технология изготовления последовательной ЕЫЬ-памяти достигла уровня 0,18 мкм и появилась возможность производства и этого вида памяти полностью в соответствии с рыночными запросами.
Ассортимент микросхем последовательной энергонезависимой памяти вТ включает набор схем емкостью от 256 бит до 16 Мбит. Все микросхемы памяти 8Т обеспечены описаниями, указаниями примерами по применению и модельными файлами.
По напряжению питания микросхемы последовательной энергонезависимой памяти 8Т доступны в пяти диапазонах: 4,5... 5,5 В, 2,5... 5,5 В, 2,7... 3,6 В, 1,8... 5,5 В и 1,8. 3,6 В.
Проектная износостойкость ЕЕРИОМ — свыше миллиона циклов перезаписи с сохранностью данных в течение более чем 40 лет. Микросхемы производятся в различных корпусах, включая традиционные Р8Б1Р, ТввОР, 8О, а также современного типа ЬОЛ и 8БОЛ (тонкопленочные) (рис. 1). Кроме того, имеется возможность поставки микросхем в упаковках на барабане и в нераспиленном виде (рис. 2).
Компоиеиты и технологии, № 7'2003
Диаметр пластины: 6 дюймов (150 мм)
Толщина пластины: 280 мкм Пластины поставляются не распиленными в соответствующих упаковках Рис. 2. Пластины ЕЕР1ЮМ
вТ производит широкий диапазон высококачественной последовательной памяти ЕЕРИОМ, с плотностью от 1 кбит до 1 Мб, с тремя промышленными стандартами последовательных шин (400 кГц 12С — 2-проводная шина с плотностью до 1 Мбит, быстрая шина 1 МГц типа МЮЯО’^ЯЕ с плотностью от 1 кбит до 16 кбит и сверхбыстрая шина 10 МГц типа вР1 с плотностью до 256 кбит) с питанием 5; 2,5 и 1,8 В. Система обозначений последовательной ЕЕРИОМ для типовых корпусов показана на рис. 3. Для нераспиленных пластин и микросхем в барабанах обозначения могут несколько отличаться.
Имеется два типа микросхем последовательной ЕЫЬ-памяти вТ: семейство М25Рхх с секторным стиранием и страничным программированием и семейство М45РЕхх со страничным стиранием и программированием. Для частот 25 МГц и выше используется шина вР1. Микросхемы характеризуются небольшим потреблением мощности при питании от одного источника напряжением 2,7-3,6 В и имеют режим глубокого понижения мощности, потребление в котором обычно составляет менее 1 мкА. Обобщенные данные по возможностям последовательной долговременной памяти вТ представлены в таблицах 1 и 2.
Специализированные микросхемы памяти (ЛвМ) поддерживают оптимизированные решения, включая адаптированные дополнительные характеристики для специальной системы, что улучшает соотношение затрат и эффекта комплексной системы и обеспечивает защиту интеллектуальной собственности за счет встроенных заказных и защитных возможностей.
Компания вТ предлагает широкий выбор бесконтактных микросхем памяти с радиочастотным интерфейсом. Они удобны для считывания меток, беспроводной идентификации и систем бесконтактного доступа и могут быть использованы во многих разновидностях приложений большой дальности и краткости.
В настоящее время в большинстве высокотехнологичных устройств используется последовательная энергонезависимая память. Множество новых разработок нуждается в последовательной ЕЕРИОМ и последовательной ЕЫЬ-памяти, особенно автоэлек-
Тип интерфейса NV память:
93 - MICROWIRE® 24 - 12С 95 - PCI ASM:
33 - MICROWIRE®
34 - I2C
35 - PCI
Код группы:
С01=1 кбит I2С после. 128=128 кбит l2C,SPI 256=256 кбит l2C, SPI 512=512 кбит l2C, SPI М01=1 Мб l2C, SPI
Рис. 3. Система обозначений EEPROM ST
Напряжение питания нет = 4,5 до 5,5 В V= 2,7 до3,6 В W= 2,5 до 5,5 В S = 1,8 до 3,6 В R= 1,8 до 5,5 В
Тип упакоки: Т=на барабане
Температурный диапазон 6 = от -40 до 85 °С 3 = от -40 до 125 °С
Тип корпуса BN=PDIP8
MN=S08 сжатый (0,15)
MW=S08 широкий (0,2)
DL = TSSOP14
DW=TSSOP8
Ex=SBGA
LA=LGA
ML=S014
PA=SOT 23,3
PB=SOT 23,5
Таблица 1. Возможности последовательной долговременной памяти ST
I2C MICROWIRE SPI
Интерфейс 2-проводной унифицированные 1/0 синхронизация 4-проводной вх./вых. данных синхронизация и контроль строб-импульса 4-проводной вх./вых. данных синхронизация и контроль строб-импульса
Тактовая частота (макс.) 400 кбит/с 1 Мбит/с до 20 Мбит/с
Емкость памяти и организация Не ограничена, х8 16 Кб (х16 или х8) и х16 Не ограничена, х8
Специальные возможности Полный контроль записи, до 8 устройств каскадом на одной шине Блочная защита записи определяется программным обеспечением для семейства 93$хх Режим остановки. Управление записью для 4 блоков 1 байт/команда
Применение 1. Бытовые приборы 2. Техника связи 3. Компьютер 1. Автоэлектроника 2. Бытовые приборы 3. Промэлектроника 1. Автоэлектроника 2. Компьютер 3. Техника связи
Корпус Б08, Т$БР08, ЮЛ, РРІР8, МБ0Р8 $О8, ТББРО8, РР1Р8, МБОР8 Б08, Т$БР08, РРІР8, ЮЛ, МБ0Р8, МІР
Питание: от 4,5 до 5,5 В от 2,5 до 5,5 В от 1,8 до 3,6В* М24Схх от 1 кбит до 1 Мбит М93Схх от 1 до 16 кбит М93$хх от 1 до 4 кбит М95ххх от 1 до 256 кбит М25Рхх от 1 до 16 Мбит М45РЕхх от 1 до 16 Мбит
* планируется
Таблица 2. Имеющиеся возможности по емкости стандартной долговременной памяти $Т
K6ot M6ot
ерия 2 4 8 16 32 64 128 256 512 2 4 8 16
Последовательная шина MICROWIRE M93x x x x x x
Последовательная шина SPI M95x x x x x x x x x x *
Последовательная шина I2C M24x x x x x x x x x x x x
Шина SPI последовательной Flash с секторным стиранием M25Px x x x x x *
Шина SPI последовательной Flash со страничным стиранием M45PEx * * * x *
* планируется
троника (двигатели, приборные панели, автомагнитолы, подушки безопасности и анти-блокировочные системы), телекоммуникации (проводные и беспроводные телефоны, автоответчики, факсы, модемы, сетевое оборудование), изделия широкого потребления (телевизоры, приставки, мониторы, видеокамеры, аудиопроигрыватели МР3), промэлек-троника (управление моторами, осциллографы, счетчики-расходомеры, измерительные приборы, бытовые приборы) и компьютеры (принтер, привод жесткого диска, материнская плата, СБ-ИОМ, модем, клавиатура).
Последовательная ЕЕРЯОМ
Микросхемы последовательной ЕЕРИОМ с шиной 12С можно использовать в тех приложениях, где не требуется высокая шинная скорость для накопления и хранения данных, но желательно иметь возможность побайто-
вого и страничного чтения-записи. Шина работает с тактовой частотой 400 кГц при напряжении питания до 1,8 В. Последовательная EEPROM выпускается в различных корпусах: пластиковых DIP с двухрядным расположением выводов, SO, MSOP, TSSOP для поверхностного монтажа и SBGA с матрицей шарообразных выводов. Обобщенные данные для микросхем такого типа представлены в таблице 3.
Память EEPROM с шиной SPI предпочтительна для приложений с высокоскоростной передачей информации по шине. С появлением микросхем со скоростью от 5 до 10 МГц и емкостью от 512 кбит до 1 Мбит эта шина быстро завоевывает популярность на рынке микросхем памяти. EEPROM с шиной SPI имеют вход HOLD («Захват»), который позволяет сохранять синхронизацию при паузах в процессе передачи последовательностей данных по шине. Кроме того (рис. 4), имеет-
Компоиеиты и технологии, № 7'2003
Таблица 3. Последовательная EEPROM, шина I2C,
питание 4,5...5,5 В, 2,5...5,5 В (-W), 1,8...5,5 В (-R) и 1,8...3,6 В (-S)
Размер Обозначение Описание Корпус
1 кбит M24C0^ 1 кбит (х8), 400 или 100 кГц, время записи 5 или 10 мс PSDIP8, SO8, TSSOP8
2 кбит M24C02хх 2 кбит (х8), 400 или 100 кГц, время записи 5 или 10 мс PSDIP8, SO8, TSSOP8
4 кбит M24C04хх 4 кбит (х8), 400 или 100 кГц, время записи 5 или 10 мс PSDIP8, SO8, TSSOP8
8 кбит M24C08хх 8 кбит (х8), 400 или 100 кГц, время записи 5 или 10 мс PSDIP8, SO8, TSSOP8
16 кбит M24C16хх 16 кбит (х8), 400 или 100 кГц, время записи 5 или 10 мс PSDIP8, SO8, TSSOP8, SBGA5, SBGA
32 кбит M24C32хх 32 кбит (х8), 400 кГц, время записи 10 мс PSDIP8, SO8, SO8 широкий, TSSOP8
64 кбит M24C64хх 64 кбит (х8), 400 кГц, время записи 10 мс PSDIP8, SO8, SO8 широкий, TSSOP8
128 кбит M24128хх 128 кбит (х8), 400 кГц, время записи 10 мс, без входа для разблокировки PSDIP8, SO8
128 кбит M24128Bхх 128 кбит (х8), 400 кГц, время записи 10 мс, с 3 входами для разблокировки PSDIP8, SO8, TSSOP14
256 кбит M24256хх 256 кбит (х8), 400 кГц, время записи 10 мс, без входа для разблокировки PSDIP8, SO8 широкий
256 кбит M24256Aхх 256 кбит (х8), 400 кГц, время записи 10 мс, с 2 входами для разблокировки PSDIP8, SO8, SO8 широкий, TSSOP14, SBGA7
256 кбит M24256Bхх 256 кбит (х8), 400 кГц, время записи 10 мс, с 3 входами для разблокировки PSDIP8, SO8, TSSOP8, SBGA8
512 кбит M245^ 512 кбит (х8), 400 кГц, время записи 10 мс, с 3 входами для разблокировки PSDIP8, LGA8,SO8W, SBGA
1 Мб M24M01хх 1 Мб (х8), 400 кГц, время записи 10 мс, с 3 входами для разблокировки LGA8
HOLD W S -
D
Q<
Управляющая
логика
Генератор
высоеого
напряжения
Сдвиговой регистр вх/вых
Адресный регистр и счетчик
Регистр данных
Регистр
состояния
1 страница
Размер области EEPROM «Только для чтения»
Декодер X
Рис. 4. Блок-схема стандартной EEPROM
Таблица 4. Последовательная EEPROM, шина SPI,
Высокоскоростная, 4,5...5,5 В, 2,7...5,5 В (-V) и 2,5...5,5 В (-W — 2 МГц)
Примечание: скоро будут доступны микросхемы с частотой 10 МГц и временем записи 5 мс
Размер Обозначение Описание Корпус
1 кбит M950^ 1 кбит (х8), 5 или 2 МГц, время записи 10 мс, защита от записи PSDIP8, SO8, TSSOP8
2 кбит M95020хх 2 кбит (х8), 5 или 2 МГц, время записи 10 мс, защита от записи PSDIP8, SO8, TSSOP8
4 кбит M95040хх 4 кбит (х8), 5 или 2 МГц, время записи 10 мс, защита от записи PSDIP8, SO8, TSSOP8
8 кбит M95080хх 8 кбит (х8), 5 или 2 МГц, время записи 10 мс, защита от записи PSDIP8, SO8
16 кбит M95160хх 16 кбит (х8), 5 или 2 МГц, время записи 10 мс, защита от записи PSDIP8, SO8 SBGA8
32 кбит M95320хх 32 кбит (х8), 5 или 2 МГц, время записи 10 мс, защита от записи PSDIP8, SO8
64 кбит M95640хх 64 кбит (х8), 5 или 2 МГц, время записи 10 мс, защита от записи PSDIP8, SO8, TSSOP14
128 кбит M95128хх 128 кбит (х8), 5 или 2 МГц, время записи 10 мс, защита от записи PSDIP8, SO8, TSSOP14
256 кбит M95256хх 256 кбит (х8), 5 или 2 МГц, время записи 10 мс, защита от записи PSDIP8, SO8 широкий
512 кбит M955^ 512 кбит (х8), 2 МГц, время записи 10 мс, защита от записи PSDIP8, SO8 широкий
1 Мб M95M01 1 Мб (х8), 2 МГц, время записи 10 мс, защита от записи LGA8
ся специальный управляющий вход W для защиты матрицы памяти от записи.
Обобщенные данные об основных параметрах серий этих микросхем приводятся в таблице 4.
Память EEPROM с шиной MICROWIRE доступна с емкостью от 256 бит до 16 кбит. В настоящее время шина MICROWIRE широко применяется во многих современных устройствах, для которых требуется достаточно высокая скорость передачи данных без использования внешних шин адреса и данных. Обобщенные данные для микросхем данного типа приведены в таблице 5.
Последовательная Flash-память
Семейство высокоскоростной низковольтной последовательной Flash-памяти ST обладает четырехпроводным SPI-совместимым интерфейсом, что позволяет использовать Flash вместо последовательной EEPROM. Изготавливаемые по высокоизносостойкой технологии Flash КМОП, данные микросхемы обеспечивают по меньшей мере 10000 циклов перепрограммирования на сектор с сохранностью данных свыше 20 лет.
В настоящее время доступны два дополняющих друг друга подсемейства последовательной Flash-памяти с возможностью стирания сектора или страницы:
• Последовательная Flash-память с секторным стиранием и страничным программированием — серия M25Pxx (полностью в производстве).
• Последовательная Flash-память со страничным стиранием и программированием — серия M45PExx (это новая серия, доступны образцы, развертывается полное производство).
Серия M25Pxx последовательной Flash-памяти с секторным стиранием
Если рассмотреть различные виды микросхем последовательной долговременной памяти с высокой плотностью, то M25Pxx с тактовой частотой 25 M^ оказываются существенно быстрее, чем многие другие типы схем Flash-памяти с последовательной выборкой. Благодаря их высокой скорости, возможности последовательного считывания, экономичности, малых размеров корпусов и небольшой стоимости, семейство последовательной Flash-памяти ST находит широкое применение в приложениях различного рода.
Высокоскоростное низковольтное семейство M25Pxx последовательно считывает и записывает данные по четырехпроводной SPI-совместимой шине с тактовой частотой до 25 M^. Использование M25Pxx придает дополнительные возможности всем приложениям, требующим быстрой загрузки кода, типа дополнительных плат персонального компьютера, включая графические карты, SCSI и сетевые карты, привод жесткого диска и автомобильные радиоприемники.
Семейство последовательной Flash-памяти ST позволяет загружать в оперативную память 1 Мб за 43 мс при минимальном числе команд. Технические и программные средст-
Компоненты и технологии, № 7'2003
Таблица 5. Последовательная EEPROM, шина MICROWIRE® , 4,5...5,5 В, 2,5...5,5 В (-W)
Размер Обозначение Описание Корпус
256 б M93C06хх 256 б (х8/х16), 1 МГц, время записи 10 мс PSDIP8, SO8
1 кбит M93C46хх 1 кбит (х8/х16), 1 МГц, время записи 10 мс PSDIP8, SO8, TSSOP8
1 кбит M93S46хх 1 кбит (х16), 1 МГц, время записи 10 мс, защита от записи PSDIP8, SO8
2 кбит M93C56хх 2 кбит (х8/х16), 1 МГц, время записи 10 мс PSDIP8, SO8, TSSOP8
2 кбит M93S56хх 2 кбит (х16), 1 МГц, время записи 10 мс, защита от записи PSDIP8, SO8
4 кбит M93C66хх 4 кбит (х8/х16), 1 МГц, время записи 10 мс PSDIP8, SO8, TSSOP8
4 кбит M93S66хх 4 кбит (х16), 1 МГц, время записи 10 мс, защита от записи PSDIP8, SO8
8 кбит M93C76хх 8 кбит (х8/х16), 1 МГц, время записи 10 мс PSDIP8, SO8
16 кбит M93C86 16 кбит (х8/х16), 1 МГц, время записи 10 мс PSDIP8, SO8
Таблица 6. Последовательная Flash, шина SPI, высокоскоростная, секторное или полное стирание, 2,7...3,6 В (-V)
Размер Обозначение Описание Корпус
512 кбит M25P05-AV 512 кбит (х8), 25 МГц шина $Р1, 2 сектора по 256 кбит, 256 байт страница, последовательное чтение за 21 мс, 4 режима защиты записи SO8, MLP8
1 Мб M25P10-AV 1 Мб (х8), 25 МГц шина Р$1, 4 сектора по 256 кбит, 256 байт страница, последовательное чтение за 42 мс, 4 режима защиты записи SO8, MLP8
2 Мб M25P20-V 2 Мб (х8), 25 МГц, 4 сектора по 512 кбит, 256 байт страница, последовательное чтение за 84 мс, 4 режима защиты записи SO8, MLP8
4 Мб M25PE40-V 4 Мб (х8), 25 МГц, 8 секторов по 512 кбит, 256 байт страница, последовательное чтение за 168 мс, 4 режима защиты записи SO8, MLP8
8 Мб M25P80-V 8 Мб (х8), 20 МГц, 16 секторов по 512 кбит, 256 байт страница, последовательное чтение за 335 мс, 4 режима защиты записи SO8W, MLP8
16 M6 M25P16-V * 16 Мб (Х8), 25 МГц, 32 сектора по 512 кбит, 256 байт страница, последовательное чтение за 670 мс, 4 режима защиты записи LGA, MLP
* в разработке
ва защиты предохраняют хранимую информацию от перезаписи.
Для снижения потребляемой мощности эти микросхемы работают от одного источника питания от 2,7 до 3,6 В и имеют режим пониженного энергопотребления с потребляемым током менее 1 мкА. Кроме того, четырехпроводной интерфейс значительно уменьшает число выводов устройства, используемых для управления передачей данных по шине, что обеспечивает высокую интеграцию и меньшую стоимость по сравнению с другими подобными схемами. Микросхемы памяти серии М25Рхх выпускаются в широком и узком корпусах в08, ЬСЛ и МЬР. Обобщенные данные о параметрах микросхем данной серии представлены в таблице 6.
Для оценки и программирования М25РХХ имеется удобный программатор-считыватель (рис. 5). Этот программатор подключается непосредственно к компьютеру и обеспечивает пользователю прямой доступ и управление последовательной ЕЫЬ-памятью М25ххх в любой конфигурации.
M45PExx — последовательная Flash-память для хранения данных и параметров Если требуется быстрое перемещение данных и параметров, то для накопления и хра-
нения данных следует подумать о последовательной Flash-памяти.
Новая серия M45PExx предназначена для усовершенствования и придания новых качеств таким устройствам, как цифровые автоответчики (DECT и проводные телефоны), пейджеры, цифровые камеры, видеоигровые ТВ-приставки, сканеры, сотовые телефоны, принтеры, диктофоны, плейеры MP3 и системы GPS.
M45PExx — серия микросхем энергонезависимой памяти высокой производительности, обладающая более высокой зернистостью, чем ранее. Любая страница в 256 байт может быть отдельно стерта и запрограммирована, а команда Write предусматривает возможность модифицирования данных на байтовом уровне. Кроме того, архитектура M45PExx оптимизирована по минимуму необходимого прикладного программного обеспечения. Для модифицирования одной страницы в 256 байт требуется время 12 мс для записи, 2 мс для программирования или
10 мс для стирания. Это делает высокопроизводительные микросхемы последовательной энергонезависимой памяти M45PExx очень удобными для использования в приложениях, требующих хранения большого количества часто изменяющихся данных.
Специализированные микросхемы памяти
Специализированные микросхемы памяти имеют индивидуальные характеристики для конкретных приложений или разрабатываются в соответствии с предъявляемыми требованиями. Они основаны на стандартных матрицах памяти со специфичной электрической схемой ввода-вывода и специализированной внутренней логикой. Рассматриваемые в данной статье изделия основаны на последовательной EEPROM и включают логику для приложений компьютерного монитора типа «Plug and Play» со стандартом VESA, компьютерные модули DRAM или, например, автомобильного спидометра на приборной панели с однонаправленным счетчиком и записью пройденного расстояния. Обобщенные характеристики EEPROM специального назначения приведены в таблице 7.
• M24164 — каскадируемая EEPROM 16 Кб Назначение: каскадирование последовательной памяти на одной шине.
Характеристики: 16 кбит EEPROM со специальной адресацией, возможностью использования 8 устройств каскадом на одной шине, специальная адресация, используемая при конфликтах на шине I2C.
Основной рыночный сектор: телекоммуникации и промышленная электроника.
• ST24xy21 — «Plug and Play» EEPROM 1 Кб Назначение: функция «Plug&Play» для хранения параметров монитора.
Характеристики: 1 кбит EEPROM по стандарту VESA1 (24LC21), 1 кбит EEPROM по стандарту VESA2 (24FC21), функция контроля записи по Pin3 (24xW21).
Основной рыночный сектор: производство мониторов (на ЭЛТ и ЖКИ).
• M34C02 — «Plug and Play» для модуля DIMM 2 Кб (модуль памяти с двухрядным расположением выводов).
Компоненты и технологии, № 7'2003
Таблица 7. Микросхемы EEPROM специального назначения, 4,5...5,5 В, 2,5...5,5 В (-W), 2,2...5,5 В (-L)
Размер Обозначение Описание Корпус
384 б M34C00 3x128 б, последовательный интерфейс I2C для электронных меток S08, TSSOP8
1 кбит ST24FC21 1 кбит (x8), два режима совместимости с VESA 2.0 «Plug and Play» PSDIP8, SO8
1 кбит ST24FW21 1 кбит (x8), два режима совместимости с VESA 2.0 «Plug and Play» PSDIP8, SO8
1 кбит ST24LC21 1 кбит (x8), два режима совместимости с VESA 1.0 «Plug and Play» PSDIP8, SO8
2 кбит М34С02-хх 2 кбит (x8), интерфейс I2C для поиска наличия последовательной DIMM PSDIP8, SO8, TSSOP8
2 кбит M34A02 2 кбит (x8), интерфейс I2C для автоматического распознавания карт ПК S08, TSSOP8
8 кбит M35080 8 кбит (x8), интерфейс SPI с однонаправленными счетчиками SO8
16 кбит М24164хх 16 кбит (x8), 400 кГц, запись 10 мс, управление записью 3 выбираемых чипов PSDIP8, SO8
16 кбит ST24E16* 16 кбит (x8), 100 кГц, запись 10 мс, WC, защита блока от записи PSDIP8, SO8
16 кбит ST25E16* 16 кбит (x8), 100 кГц, запись 10 мс, WC, защита записи PSDIP8, SO8
64 кбит M34D64-W 64 кбит (х8), 400 кГц, аппаратное управление верхней четвертью памяти SO8
* Два адресуемых байта
Назначение: функция Plug and Play для сохранения параметров модуля DRAM (обнаружение наличия последовательности).
Характеристики: 2 кбит последовательной I2C EEPROM с 1 кбит доступным для блокировки (только чтение) по шине RAM (2,2 В).
Основной рыночный сектор: производство модулей DRAM.
• M34C00 — электронный дескриптор платы.
Назначение: специализированная EEPROM
для хранения небольших электронных заметок о плате.
В M34C00 можно сохранять:
-регистрационный номер;
-заводские установки (по умолчанию);
- пользовательские установки;
- данные о событиях в течение срока службы платы;
- сведения об отказах и сервисном обслуживании любой платы.
Характеристики: 3 банка по 128 бит, один из них не стираемый (OTP-типа), один стандартный банк EEPROM, один стандартный банк EEPROM с возможностью постоянной защиты от записи, двухпроводной шинный последовательный интерфейс I2C, питание от 2,5 до 5,5 В, корпуса SO8 и TSSOP8, рабочий диапазон температур -40. +85 °C.
Основной рыночный сектор: все сектора рынка.
• M34A02 — для современного компьютерного стыка связи (ACR).
Назначение: обеспечение хост-контроллера на системной плате считыванием конфигурационных данных карты стыка связи, находящихся в памяти последовательной EEPROM — M34A02.
На карте с последовательной EEPROM M34A02 сохраняются данные, которые программируются производителем. Данные могут быть использованы приложением в режиме чтения по протоколу системной управляющей шины. Двухпроводная шина ACR основана на использовании последовательного шинного протокола, разработанного для связи с системной управляющей шиной.
Характеристики: двухпроводной последовательный интерфейс системной управляющей шины, аппаратное управление записью, поддержка стандартного протокола последовательной шины 100 кГц, одиночное питание от 2,7 до 3,6 В, корпуса S08 и TSSOP8.
Основной рыночный сектор: карты стыка связи (модем, Ethernet, телефония, беспроводные сети, xDSL и др.)
• M34D64 — для аппаратного управления записью верхней четверти памяти. Назначение: аппаратная защита записи для верхней четверти памяти.
Характеристики: возможность аппаратного управления записью верхней части памяти. Основной рыночный сектор: компьютер.
Бесконтактные микросхемы памяти
Компания STMicroelectronics является одним из лидеров по производству микросхем памяти типа EEPROM, включая стандартные блоки памяти с плотностью до 1 Мбит и специализированные микросхемы памяти. Бесконтактные микросхемы памяти являются специфическим продуктом. По классификации их можно отнести, с одной стороны, к специализированным EEPROM, а с другой стороны, они все более и более выступают как самостоятельный вид памяти, получающий в последнее время очень широкое применение в разных сферах. Компания ST участвовала в разработке нового стандарта ISO для бесконтактной коммуникационной памяти — ISO 14443 тип В (реализован в мик-роконтроллерных устройствах на смарт-картах на транспорте и во многих других приложениях), а также ISO 15693 и ISO 18000.
В настоящее время ST предлагает новую серию микросхем бесконтактной памяти и бесконтактных микросхем связи с радиоТаблица 8. Бесконтактные микросхемы памяти
частотным интерфейсом для приложений типа меток, радиочастотной идентификации (RFID) и бесконтактных систем доступа с использованием специализированных микросхем памяти (таблица 8).
Возможности SRIX4K:
• 4096 пользовательских битов EEPROM с OTP, двоичный счетчик и защита записи.
• Стандарт ISO 14443-2 и 3 типа B. Патентованная компанией France Telecom
функция антиклонирования.
• 13,56 M^ несущая частота, 847 кГц подне-сущая частота и 106 кбит/с передача данных.
• Внутренняя подстроечная емкость.
• Модуляция данных с использованием амплитудной модуляции (ASK) при передаче со считывателя на карту и двоичная фазовая модуляция (BPSK) для передачи с карты на считыватель.
Возможности LRI512:
• 512 бит с блокировкой на уровне блока данных.
• Полное соответствие стандарту ISO 15693.
• E.A.S. (Электронный надзор за продуктом).
• 13,56 M^ несущая частота, 1/4 и 1/256 импульсное кодирование, использующее высокую и низкую скорость передачи данных на одной или двух поднесущих частотах.
• Модуляция данных с использованием амплитудной модуляции при передаче со считывателя на карту и манчестерского кодирования при передаче с карты на считыватель.
• Внутренняя подстроечная емкость. Возможности CRX14:
• Встроенный в чип механизм радиосвязи.
• Протокол и модуляция согласно стандарту ISO 14443 типа B (радиоинтерфейс).
• Патентованная France Telecom функция антиклонирования.
• Последовательный доступ к базе на частоте 400 кГц по двухпроводной последовательной шине I2C.
• По одной последовательной шине I2C можно соединяться с восемью CRX14.
• Буфер 32 байт для входного и выходного пакета.
• Встроенный вычислитель циклического избыточного кода (CRC calculator).
Тип Объем Интерфейс Рабочее расстояние Корпус Дополнительные возможности Применения
SR176 176 б 1$О 14443-2 и тип В 0-20 см ПлоскийWafer* 64 бит для идентификации Одноразовая недорогая метка
LRI512 512 б Полный 1$О 15693 0-100 см ПлоскийWafer* 64 бит для идентификации, 512 бит пользовательской EEPROM с блокировкой данных RFID, метки
SRIX4K 4 кбит |$О14443-2 и 3 тип В 0-20 см ПлоскийWafer* 64 бит для идентификации, функция антиклонирования, пересчетное устройство с защитой записи Многоразовая метка с защитой от клонирования
CRX14 1$О 14443 0-10 см S016N Механизм связи чипа с CRC, SRC, I2C Недорогой считыватель для встроенных приложений
M35102 2 кбит 1$О 14443-2 тип В 0-20 см ПлоскийWafer* 64 бит для идентификации, 192 бит блокируемой области для однократной записи Метки, RFID, память
* Специальные корпуса, соединенные с антенной в виде полосковой линии, поставляемые партнерами $Т ----------------------------------------www.finestreet.ru---------------
Компоненты и технологии, № 7'2003
• Корпус S016 Narrow (сжатый),
Возможности SR176: •
• 176 пользовательских битов E2PROM •
с программируемой защитой записи, •
• Стандарт ISO 14443-2 и 3 типа B.
• 13,56 M^ несущая частота, 847 кГц подне- • сущая частота и 106 кбит/с скорость передачи данных,
• Внутренняя подстроечная емкость,
• Модуляция данных с использованием амп- • литудной модуляции при передаче со считывателя на карту и двоичная фазовая модуляция при передаче с карты на считыватель,
Возможности с M35101/102:
• 2 кбит ЕЕРИОМ с защитой записи.
• Соответствие стандарту КО 14443-2 типа В.
• 13,56 МГц несущая частота, 847 кГц поднесущая частота и скорость передачи данных 106 кбит/с.
• Модуляция данных с использованием амплитудной модуляции при передаче со считывателя на карту и двоичной фазовой модуляции при передаче с карты на считыватель.
• Внутренняя подстроечная емкость.
В последующих статьях мы планируем осветить и другие виды микросхем памяти, производимых компанией 8ТМісгоеіес1гопіс8. Допол-
нительную информацию можно получить на сайте компании STMicroelectronics www.st.com/ memory и в Технико-консультационном центре STMicroelectronics info@stmicro.ru. МИ
Литература
1. M95128. Data Sheet. STMicroelectronics. August 2002.
2. M25P80. Preliminary Data. STMicroelectronics. December 2002.
3. M45PE80. Preliminary Data. STMicroelectronics. May 2003.
