Микросхемы энергонезависимой памяти Atmel с последовательным интерфейсом Текст научной статьи по специальности «Медицинские технологии»

память

Микросхемы энергонезависимой памяти Atmel

с последовательным интерфейсом

Корпорация Atmel выпускает широкий спектр устройств энергонезависимой памяти, отличающихся назначением, интерфейсом, организацией и архитектурой. В ее ассортименте имеется несколько линеек микросхем как с постраничным доступом к памяти (Flash), так и с побайтным (EEPROM). В настоящее время развиваются линейки микросхем с последовательным интерфейсом — как наиболее перспективные по сравнению с микросхемами с параллельным интерфейсом.

76 I www.finestreet.ru компоненты

Елена ЛАМБЕРТ

elena@efo.ru

Микросхемы

последовательной памяти

Микросхемы последовательной памяти (Serial Flash/EEPROM) корпорации Atmel применяют во многих приложениях, особенно актуально их использование в проектах, где требуется минимизировать себестоимость конечной системы. Основное отличие последовательной памяти заключается в том, что для нее требуется меньше линий передачи данных (рис. 1), а значит, упрощается проектирование связей на печатной плате, снижается уровень шумов, улучшаются показатели надежности, экономится место на печатной плате, упрощается разводка микросхемы на плате, а также уменьшается себестоимость изделия.

Для сохранения скорости обмена данными уменьшенное количество сигнальных линий компенсируют увеличением частоты сигнала. Приведем пример: современный персональный компьютер содержит несколько высокоскоростных последовательных интерфейсов, таких как PCI Express (2,5 Гбит/с), serial ATA (150 Мбит/с), USB 2.0 (480 Мбит/с) и IEEE 1394/FireWire (400/ 800 Мбит/с). Последовательные интерфейсы вытесняют

параллельные, например, PCI Express заменяет PCI и AGP, serial ATA заменяет IDE/ ATA, USB заменяет IEEE1284/параллельный порт.

Серии AT26 и AT45 последовательной Flash-памяти DataFlash корпорации Atmel в настоящий момент обеспечивают самую высокую скорость для этого типа памяти — они работают на частоте до 70 МГц. Например, частота 66 МГц позволяет получить скорость передачи данных до 66 Мбит/с или 8,25 Мбайт/с, что соответствует времени доступа 120 нс для 8-разрядной параллельной Flash-памяти. С такой высокой скоростью передачи данных микросхема памяти объемом 64 Мбит может быть прочитана менее чем за 1 с. Микросхемы памяти небольшой емкости, например, 8 Мбит, могут быть считаны за 127 мс.

Рынок последовательной памяти растет быстрыми темпами: ее используют во многих приложениях, в которых раньше традиционно применялась память с параллельным интерфейсом. По данным Web-Feet Research, рынок микросхем Flash-памяти с последовательным интерфейсом в 2007 году превысит 1 млрд долларов. В 2000 году эта цифра составляла всего 1млн долларов, а это значит,

что прогнозируется увеличение объемов продаж в тысячу раз за 7 лет!

Микросхемы последовательной Flash-памяти предназначены, в основном, для энергонезависимого хранения данных. На мировом рынке эти микросхемы часто используются как память программ в ПК-ориентированных устройствах, построенных на базе процессоров и ASIC, поддерживающих механизм сохранения данных во внешнюю память. Микросхемы памяти Atmel применяют вместе с чипсетами таких фирм, как Intel, Broadcom, Conexant, MediaTek, Genesis Microchip, Analog Devices, TI, LSI Logic и др.

Корпорация Atmel первой вышла на рынок последовательной Flash-памяти в 1997 году с серией AT45 DataFlash, которая производится по технологии элементарной ячейки NOR Flash, обеспечивающей 100%-ную программируемость каждого бита массива памяти в отличие от NAND Flash. Другие производители вышли на рынок с аналогичными предложениями только в 2000-2001 годах.

На рынке последовательных EEPROM корпорация Atmel является лидером с 1999 года (рис. 2). Atmel постоянно совершенствует эту линейку: увеличиваются объем памяти, сни-

□ Catalyst 7%

I Atmel 36%

□ Другие 8%

□ Microchip 15%

□ ST 34%

Рис. 2. Доля продаж производителей EEPROM

в 2005 году

1 X

и СО

со < 21 линия адреса < _| и_

X 2 -1

3 о z 16 линий данных _| < <

О.

3 линии

управления

X

со

О (О 2 линии данных < Sg!

< со <

X 2 линии

X управления 2

3

и

2

Рис. 1. Преимущество микросхем с последовательным интерфейсом

компоненты

77

память

WP

RESET -

FLASH MEMORY ARRAY

PAGE

SCK

cs

BUFFER 2

I/O INTERFACE

Vcc -GND -

SI

SO

RDY/BSY

Рис. 3. Блок-схема AT45

КОРПУСА СЕГОДНЯ

Б

MLF8

Н УЗКИЙ SOIC8

SOIC28

CASON8

У

ШИРОКИЙ

SOIC8

КОРПУСА В БУДУЩЕМ

CASON8

В 4*

# MLF8 УЗКИЙ SOIC8

О О 1 ШИРОКИЙ SOIC8

Рис. 4. Корпуса микросхем DataFIash

Таблица 1. Параметры серии AT45 DataFIash

Наимено- вание Емкость, Мбит Рабочая частота (макс.), МГц Тип интер- фейса Буферы SRAM, байт Размер страницы, байт Lockdown сектора Серийный номер Vcc, В Тип корпуса Тип корпуса (бессвинцовое исполнение)

AT45DB011B 1 20 SPI 264 264 2,7 SOIC8, CBGA9, TSSOP14 SOIC8, TSSOP14, CBGA9,

AT45DB011D 1 66 SPI, RapidS 256,264 264 + + 2,7 MLF8, SSOIC8, SOIC8

AT45DB021D 2 66 SPI, RapidS 256,264 264 + + 2,7 MLF8, SSOIC8, SOIC8

AT45DB041D 4 66 SPI, RapidS 256,264 264 + + 2,5; 2,7 MLF8, SSOIC8, SOIC8

AT45DB081D 8 66 SPI, RapidS 256,264 264 + + 2,5; 2,7 MLF8, SSOIC8, SOIC8

AT45DB161D 16 66 SPI 512,528 528 + + 2,5; 2,7 MLF8, SOIC8, TSOP28

AT45DB321C 32 40 SPI 528,528 528 2,7 CBGA24, CASON8, SOIC28, TSOP28 CBGA24, CASON8, TSOP28

AT45DB321D 32 66 SPI, RapidS 512,528 528 + + 2,7 MLF8 MLF8, TSOP28, CA-SON8

AT45DB642D 64 66/50 SeriaI, Rapid8 1024, 1056 1056 + + 2,7 CASON8, TSOP28

* указана нижняя граница диапазона питающих напряжений, верхняя граница диапазона для всех микросхем АТ45 ОвІаРІавИ составляет 3,6 В

** І^аріЬв — последовательный интерфейс, совместимый с интерфейсом вР1 (режимы 0 и 3), максимальная тактовая частота 66 МГц

*** І^аріЬ8 — параллельный 8-разрядный интерфейс, максимальная тактовая частота 50 МГц

жается энергопотребление микросхем, уменьшаются габариты корпусов, количество выводов, а для портативных приборов предлагаются безвыводные корпуса (dBGA, MLP).

Рассмотрим подробнее микросхемы памяти Atmel с последовательным интерфейсом:

• 4 семейства последовательной Flash-памяти:

- AT45 DataFlash с секторами малого размера: большой набор функций, постраничное стирание;

- AT26/25DF DataFlash с секторами малого размера: большой набор функций, совместимы повыводно с семейством AT25F, стирание блок/сектор;

- AT25F с секторами большого размера;

- AT25FS с секторами малого размера.

• 4 семейства последовательных EEPROM:

- AT24 с интерфейсом 2-wire (I2C);

- AT25 с интерфейсом SPI;

- AT93 с интерфейсом 3-wire (MicroWire);

- AT34 с интерфейсом 2-wire (I2C) и функцией нестираемой защиты от перезаписи.

• Конфигурационные ПЗУ для FPGA.

Серия DataFlash AT45

AT45 идеально подходят для хранения памяти программ, данных и для замены последовательных EEPROM (рис. 3). DataFlash AT45 поделена на страницы, блоки и сектора, что позволяет оптимизировать процесс стирания и защиты данных. Запись и чтение данных производится через два буфера SRAM, за счет которых ускоряется процесс обмена данными и обеспечивается возможность выполнения механизма «чтение-модификация-за-пись». Благодаря этому механизму данные во Flash, с точки зрения внешнего устройства, можно изменять побайтно (функция эмуляции EEPROM).

С 1997 года было выпущено несколько ревизий микросхем с измененными характеристиками, буквенное обозначение ревизии (А, В, С, D) указывается в конце наименования микросхемы. В последней ревизии «D» предусмотрен 128-байтный регистр для хранения служебной информации. Этот регистр включает уникальное 64-байтное число для каждой микросхемы (Device ID) и 64 байта однократно программируемой памяти (ОТР) для записи информации пользователя. Улучшенная защита секторов памяти микросхемы позволяет защищать каждый сектор отдельно.

Благодаря функции lockdown, запрещающей модификацию любого набора секторов (ячейки памяти становятся в дальнейшем доступны только для чтения), разработчик может заблокировать изменение определенной области памяти, например, кода загрузчика, и больше не беспокоиться о случайных нарушениях кода.

К концу 2007 года планируется все микросхемы серии АТ45 выпускать серийно в ревизии «D», а предыдущие версии будут постепенно сниматься с производства. Микро-

схемы серии АТ45 обеспечивают не менее 100 000 циклов перезаписи на страницу (начиная с ревизии «С»).

Микросхемы Ба1аЕ1а8Ь выпускаются с диапазоном питающих напряжений 2,7—3,6 В (5-вольтовые микросхемы сняты с производства в 2000 году). На данный момент микро-

схемы выпускаются в различных корпусных исполнениях (рис. 4). При разработке новых проектов следует учитывать, что производитель планирует в ближайшем будущем снять с производства корпуса с большим количеством выводов (801028, Т80Р, ОБОЛ) и свести весь ассортимент корпусов микросхем

Рис. 5. Микросхемы AT45 DataFIash в формате карточек MMC

к двум видам — широкий (209 ml) или узкий (150 ml) 8-выводный SOIC (выводы наружу), и 8-выводный MLF (6x8 мм) или CASON (6x5 мм) (выводы под корпусом). В «широком» SOIC будут выпускаться микросхемы емкостью от 1 до 128 Мбит, а в «узком» SOIC — микросхемы емкостью от 1 до

32 Мбит, что позволит в случае необходимости легко заменить в текущем проекте имеющуюся микросхему на микросхему с другим объемом памяти, не меняя разводку на плате. Причем «узкий» SOIC и MLF, а также «широкий» SOIC и CASON совместимы по геометрическому расположению выводов, то есть одну микросхему можно поменять на другую без изменения разводки на плате.

Параметры микросхем DataFlash сведены в таблице 1. Сегодня серийно выпускаются микросхемы емкостью от 1 до 64 Мбит. Микросхема емкостью 128 Мбит была в планах Atmel, но сроки ее выпуска отодвинуты на неопределенный срок.

Микросхемы DataFlash также выпускаются в виде карточек формата MultiMediaCards (MMC) емкостью 2-8 Мбит, что позволяет использовать combo-SD/MMC-разъемы (рис. 5). Карточки в таком формате удобно использовать для переноса информации.

В помощь разработчикам для программирования микросхем DataFlash поставляется программный комплект DataFlash Software Suite (DFSS, разработка компании HCC Embedded). Комплект распространяется свободно для покупателей микросхем памяти Atmel. Для получения DFSS необходимо подписать лицензионное соглашение, бланк которого можно получить у дистрибьюторов Atmel. После одобрения соглашения Atmel высылает по электронной почте DFSS конечному клиенту.

В комплект DFSS входят:

• базовые драйверы для всех функций DataFlash;

• функции организации файловой системы FAT12/FAT16;

• функции детектирования и коррекции ошибок;

• функции обеспечения равномерного «износа» ячеек памяти и автоматической перезаписи страниц;

• сжатие и распаковка данных.

Помимо этого бесплатного ПО также

предлагаются программные продукты фирмы HCC-Embedded, информацию о которых можно посмотреть на web-сайте www.hcc-embedded.com.

Серия DataFlash AT26

Микросхемы серии AT26/AT25DF DataFlash аналогичны микросхемам серии АТ45. Основное отличие заключается в том, что AT26/25DF имеют сокращенный набор возможностей. Например, AT26/25DF не содержат отдельного регистра для служебной информации и функции lockdown. Микросхемы этой серии повыводно совместимы с микросхемами последовательной Flash-памяти серии AT25F Atmel и микросхемами 25-й серии других производителей (рис. 6).

CS d 1 8 vcc

so d 2 7 d HOLD

WP Id 3 6 dSCK

GND d 4 5 dSI

И

SI d 1 8 d SO

SCK d 2 7 d GND

RESET d 3 6 d vcc

CS d 4 5 d WP

И

Рис. 6. Расположение выводов в микросхемах: а) серия AT45; б) серия AT26/25DF

Если сравнить AT26/AT25DF и AT25F, то серия AT26/AT25DF имеет меньшие по объему сектора (4, 32, 64 кбайт), поддерживает индивидуальную защиту секторов от записи, содержит Device ID и обеспечивает большее количество циклов перезаписи. Помимо этого, AT26/AT25DF работает на большей тактовой частоте (до 70 МГц) и выпускается по меньшим проектным нормам (0,13 мкм). Микросхемы серии AT26/AT25DF могут служить заменой микросхемам памяти 25-й серии различных производителей

Таблица 2. Параметры серии AT26/25DF DataFlash

(STM, SST, Spansion, MX и др.) и сопоставимы с ними по ценам.

Микросхемы AT26/25DF (табл. 2) поддерживают поблочное (секторное) стирание. Гарантированное количество циклов перезаписи — 100 000. В будущем планируется выпуск изделия с емкостью 64 Мбит — AT25DF641. Новым микросхемам планируется давать наименования, начинающиеся с AT25DF.

Микросхемы AT26DF отличаются от AT26F наличием SRAM-буфера (рис. 7), который позволяет осуществлять программирование от одного байта до 256 байт за один раз (в предварительно стертые сектора).

Микросхемы серий AT25Fxxx, AT25FSxxx и AT26F/DFxxx повыводно совместимы со всеми семействами последовательных EEPROM (с интерфейсом SPI) корпорации Atmel. Это позволяет без затруднений заменять «стандартные» последовательные EEPROM на последовательную Flash-память без внесения изменений в разводку печатной платы.

Серия последовательной Flash-памяти AT25F

Микросхемы серии AT25F Serial Flash имеют емкость от 512 кбит до 4 Мбит, рабочие частоты до 33 МГц, секторную организацию с одинаковыми секторами размером 64 кбайт. Размер страницы составляет 256 байт, программирование осуществляется постранично. Механизм «чтение-модификация-запись» позволяет изменять данные побайтно. Защита от записи упрощена по сравнению с сериями АТ45 и АТ26: возможна защита только верхней части массива (1/8, 1/4, 1/2 — зависит от емкости микросхемы) или всего массива данных. Помимо этого поддерживается аппаратная защита с помощью вывода WP (Write Protection). AT25F обеспечивают 10 000 циклов перезаписи.

Новое семейство AT25FS, выпущенное недавно, имеет меньший размер сектора (4 кбайт), позволяет осуществлять защиту секторов и страниц, а также имеет большую рабочую

Наименование Емкость, Мбит Рабочая частота (макс.), МГц Тип интерфейса Размер страницы, байт Vcc, В Тип корпуса (бессвинцовое исполнение)

AT25DF041A 4 70 SPI 256 2,7-3,6 MLF8, wideSOIC8, SOIC8

AT25DF321 32 70 SPI 256 2,7—3,6 wideSOIC8, SOIC16

AT26F004 4 33 SPI 256 2,7—3,6 MLF8, wideSOIC8, SOIC8

AT26DF081A 8 70 SPI 256 2,7—3,6 wideSOIC8, SOIC8

AT26DF161A 16 70 SPI 256 2,7—3,6 MLF8, wideSOIC8,SOIC8

AT26DF321 32 66 SPI 256 2,7—3,6 wideSOIC8, SOIC16

Таблица 3. Параметры серии AT25F последовательной Flash-памяти

Наименование Емкость, бит Рабочая частота (макс.), МГц Интерфейс Организация Vcc, В Тип корпуса Тип корпуса (бессвинцовое исполнение)

AT25F512A 512К 33 SPI 65536x8 2,7-3,6 SAP 8 SAP8, SOIC8

AT25F1024A 1M 33 SPI 131 072x8 2,7—3,6 SAP 8 SAP8, SOIC8

AT25F2048 2M 33 SPI 262 144x8 2,7—3,6 SOIC 8 SOIC8

AT25F4096 4M 33 SPI 524288x8 2,7—3,6 SAP 8 SAP8, SOIC8

AT25FS010 1M 50 SPI 131 072x8 2,7—3,6 SAP 8 SAP8, SOIC8

AT25FS040 4M 50 SPI 524288x8 2,7—3,6 SAP 8 SAP8, SOIC8

CS

SCK

SI

so -

INTERFACE

CONTROL

AND

LOGIC

CONTROL AND

PROTECTION LOGIC

Y-DECODER J-

И

I/O BUFFERS AND LATCHES

Ж

SRAM DATA BUFFER

31

FLASH

MEMORY

ARRAY

CS#-

SCK-

Sl-

SO*«

WP#-HOLD# -

INTERFACE

CONTROL

AND

LOGIC

CONTROL LOGIC

В

I/O BUFFERS AND LATCHES

Ж

Y-GATING

FLASH

MEMORY

ARRAY

Рис. 7. Блок-схемы микросхем: а) серия AT26F; б) серия AT26DF

частоту и, соответственно, меньшее время записи (табл. 3).

Последовательные EEPROM

Основное отличие последовательных EEPROM от последовательной Flash-памяти — побайтный доступ к массиву памяти и большая стоимость в пересчете на ячейку памяти. Кроме того, EEPROM обеспечивает не менее 1 млн циклов перезаписи.

Микросхемы последовательной EEPROM Atmel серий АТ24, АТ25, АТ93 имеют емкость

от 1 кбит до 1 Мбит и поддерживают каскадирование в единый блок памяти до 8 микросхем. Новое семейство АТ34 содержит интерфейс 2^116 (120) и поддерживает функцию нестираемой защиты от перезаписи (без возможности дальнейшей записи или стирания ячеек памяти). Микросхемы серии АТ24 с интерфейсом 2^ке (120) выпускаются в автомобильном (не приведены в таблице), индустриальном и коммерческом температурных диапазонах (табл. 4).

Микросхемы серии ЛТ25 соответствуют промышленному стандарту памяти 25-й се-

рии по расположению выводов. Они имеют механизмы аппаратной и программной защиты данных от модификации. Кроме режима записи байта микросхемы семейства АТ25 поддерживают режим страничной записи. Размер страницы зависит от объема массива EEPROM.

В рамках новой стратегии унификации и упрощения наименований микросхем последовательных EEPROM корпорация Atmel меняет их маркировку и правила формирования обозначения:

• удаляется суффикс «10», обозначающий максимальное время записи байта — 10 мс;

• для диапазона напряжений питания 1,8-3,6 В/5 В удаляется указатель напряжения «1.8», для диапазона 2,5-3,6 В/5 В будет использоваться указатель «25»;

• добавляется суффикс «-B» для микросхем, поставляемых в тубах (линейках);

• добавляется суффикс «-T» для микросхем, поставляемых на ленте.

Например, микросхема, ранее имевшая наименование AT24C256BN-10SU-1.8 (в линейке) в новом варианте будет выглядеть следующим образом — AT24C256BN-SH-B. Суффикс индустриального температурного диапазона «H» вместо «U» обозначает финишное покрытие выводов NiPdAu, соответствующее стандартам RoHS.

Конфигурационные ПЗУ

Еще один класс устройств для хранения данных — последовательные ПЗУ для конфигурации микросхем FPGA. Конфигурационные ПЗУ серии АТ17 могут использоваться для FPGA различных фирм — как Atmel, так и Xilinx, Altera, Lattice и др.

Для конфигурации FPGA фирмы Altera используются микросхемы с суффиксом «А» в наименовании, все остальные используются с FPGA других производителей. Семейства AT17LV, AT17N, AT17F отличаются технологией изготовления памяти — EEPROM, NTP и Flash соответственно. AT17N выпуска-

Таблица 4. Параметры серии последовательных EEPROM

Наимено- вание Емкость, кбит Интер- фейс Организация Защита от записи Vcc, В* Тип корпуса

AT24C01B 1 2-WIRE 128x8 всего массива 1,8; 2,7 dBGA28, MAP8, SOIC8, SOT23 5 PDIP8, TSSOP8

AT24C02B 2 2-WIRE 256x8 всего массива 1,8 dBGA28, miniMAP8, SOIC8, SOT23 5 PDIP8, TSSOP8

AT24HC02B 2 2-WIRE 256x8 1/2 1,8 SOIC8, PDIP8, TSSOP8

AT24C04B 4 2-WIRE 512x8 всего массива 1,8; 2,7 dBGA28, MAP8, SOIC8, SOT23 5 PDIP8, TSSOP8

AT24HC04B 4 2-WIRE 512x8 1/2 1,8 dBGA28, MAP8, SOIC8, PDIP8, TSSOP8

AT24C08B 8 2-WIRE 1024x8 всего массива 1,8; 2,7 dBGA28, MAP8, SOIC8, PDIP8, TSSOP8

AT24C16B 16 2-WIRE 2048x8 всего массива 1,8; 2,7 SOIC8, PDIP8

AT24C32C 32 2-WIRE 4096x8 всего массива 1,8; 2,7 MAP8, SOIC8, wideSOIC8, PDIP8, TSSOP8

AT24C64C 64 2-WIRE 8192x8 всего массива 1,8; 2,7 MAP8, SOIC8, wideSOIC8, PDIP8,TSSOP8

AT24C64B 64 2-WIRE 8192x8 1/4 1,8; 2,7 MAP8, SOIC8, wideSOIC8, PDIP8,TSSOP8

AT24C128B 128 2-WIRE 16 384x8 всего массива 1,8; 2,7 dBGA28, MAP8, SAP8, SOIC8, PDIP8, TSSOP8

AT24C256B 256 2-WIRE 32 768x8 всего массива 1,8; 2,7 dBGA28, MAP8, SOIC8, PDIP8, TSSOP8

AT24C512B 512 2-WIRE 65,536x8 всего массива 1,8 dBGA28, SOIC8, PDIP8, TSSOP8

AT24C1024B 1024 2-WIRE 13 1072x8 всего массива 2,7 LAP8, SAP8, wideSOIC8, PDIP8

AT25010A 1 SPI 128x8 1,8; 2,7 MAP8, SOIC8, PDIP8, TSSOP8

AT25020A 2 SPI 256x8 1,8; 2,7 MAP8, SOIC8, TSSOP8

AT25040A 4 SPI 512x8 1,8; 2,7 MAP8, SOIC8, TSSOP8

AT25080B 8 SPI 1024x8 1,8; 2,7 miniMAP8, MAP8, SOIC8, PDIP8, TSSOP8

AT25128A 128 SPI 16384x8 1,8; 2,7 dBGA28, SAP8, SOIC8, wideSOIC8, PDIP8, TSSOP8

AT25160B 16 SPI 2048x8 1,8; 2,7 miniMAP8, MAP8, SOIC8, PDIP8, TSSOP8

AT25256A 256 SPI 32 768x8 1,8; 2,7 dBGA28, SAP8, SOIC8, wideSOIC8, PDIP8, TSSOP8

AT25320A 32 SPI 4096x8 1,8; 2,7 MAP8, SOIC8, PDIP8, TSSOP8

AT25640A 64 SPI 8192x8 1,8; 2,7 MAP8, SOIC8, PDIP8, TSSOP8

AT25HP256 256 SPI 32 768x8 1,8; 2,7 LAP8, SAP8, wideSOIC8, PDIP8

AT25HP512 512 SPI 65 536x8 1,8; 2,7 LAP8, SOIC 16 PDIP8

AT25P1024 1024 SPI 131 072x8 2,7 LAP8, SOIC 20

AT34C02C 2 2-WIRE 256x8 1,7-3,6 dBGA28, MINIMAP8, SOIC8, TSSOP8

AT93C46D 1 3-WIRE 128x8 или 64x16 1,8; 2,7 dBGA28, MINIMAP8, MAP8, SOIC8, PDIP8, TSSOP8

AT93C46E 1 3-WIRE 64x16 1,8; 2,7 SOIC8, PDIP8, TSSOP8

AT93C56A 2 3-WIRE 128x16 или 256x8 1,8; 2,7 dBGA28, MAP8, SOIC8, wideSOIC8, PDIP8, TSSOP8

AT93C66A 4 3-WIRE 512x8 или 256x16 1,8; 2,7 dBGA28, MAP8, SOIC8, wideSOIC8, PDIP8, TSSOP8

AT93C86A 16 3-WIRE 2048x8 или 1024x16 1,8; 2,7 MAP8, SOIC8, PDIP8, TSSOP8

* указана нижняя граница диапазона напряжения питания, верхняя граница

для всех микросхем последовательной EEPROM составляет 5,5 В (за исключением АТ34С02В)

ются по специальной технологии NTP, они поддерживают сокращенное количество циклов перезаписи (10 циклов) и, соответственно, имеют низкую стоимость. Например, микросхемы семейства AT17N в 2-3 раза дешевле AT17LV той же емкости.

Серия АТ17 включает конфигураторы с логической емкостью от 64 кбит до 32 Мбит, максимальная рабочая частота составляет

33 МГц, диапазон питающих напряжений 3,3-5 В. Все микросхемы АТ17 могут каскадироваться для получения большего объема.

Корпорация Atmel унифицирует линейку конфигурационных EEPROM Atmel серии AT17LV для FPGA производства Altera. Микросхемы AT17LV65A/128A/256A были сняты с производства в конце 2006 года, в качестве замены предлагается использовать версию с большим объемом памяти AT17LV512A, которая будет выпускаться в бессвинцовом исполнении.

Сводная таблица по конфигураторам приведена в таблице 5.

Для конфигураторов Atmel выпускаются программатор ATDH2200E или кабель для внутрисхемного программирования ATDH2225. Утилита Atmel CPS (Configurator Programming System, последняя версия 8.07) для внутрисхемного программирования поддерживает все существующие конфигураторы семейства АТ17.

Будущее за последовательной памятью?

Использование микросхем памяти с последовательным интерфейсом позволяет снизить количество сигнальных линий для ор-

Таблица 5. Параметры серии конфигурационных EEPROM

Наимено- вание Емкость, бит Рабочая частота (макс.), МГц Тип интерфейса Vcc, В (±10%) Тип корпуса Тип корпуса (бессвинцовое исполнение)

EEPROM AT17LV

AT17LV65 64 K 10 Xilinx 3,3; 5,0 PDIPS, SOICS, PLCC20 LAP8

AT17LV12S 12S K 10 Xilinx 3,3; 5,0 PDIPS, SOICS, SOIC20, PLCC20 LAP8

AT17LV256 256 K 10 Xilinx 3,3; 5,0 PDIPS, SOICS, SOIC20, PLCC20 PDIP8, SOIC8, SOIC20, PLCC20, LAP8

AT17LV512 512 K 15 Xilinx 3,3; 5,0 PDIPS, PLCC20 SOIC20, PLCC20, LAP8

AT17LV512A 512 K 15 Altera 3,3; 5,0 PLCC20 PDIP8, PLCC20

AT17LV010 1 M 15 Xilinx 3,3; 5,0 PDIPS, PLCC20 SOIC20, PDIP8, PLCC20, LAP8,

AT17LV010A 1 M 15 Altera 3,3; 5,0 PDIPS, PLCC20, TQFP32 PDIP8, PLCC20

AT17LV002 2 M 15 Xilinx 3,3; 5,0 SOIC20, PLCC20, TQFP44, LAP8

AT17LV002A 2 M 15 Altera 3,3; 5,0 PLCC20, TQFP32 PLCC20

AT17LV040 4 M 15 Xilinx 3,3; 5,0 TQFP44, PLCC44

1 Flash AT17F |

AT17F040 4 M 33 Xilinx 3,3 PLCC20, LAP8

AT17F040A 4 M 33 Altera 3,3 TQFP32 PLCC20, LAP8

AT17F0S0 S M 33 Xilinx 3,3 TQFP44, PLCC20, LAP8,

AT17F0S0A S M 33 Altera 3,3 TQFP32 PLCC20, LAP8

AT17F16 16 M 33 Xilinx 3,3 TQFP44 PLCC20, LAP8

AT17F16A 16 M 33 Altera 3,3 PLCC20, LAP8

AT17F32 32 M 33 Xilinx 3,3 PLCC44

AT17F32A 32 M 33 Altera 3,3 PLCC44

| NTP AT17N |

AT17N256 256 K 10 Xilinx 3,3 PDIPS, SOICS, SOIC20

AT17N512 512 K 15 Xilinx 3,3 PDIPS, SOIC20

AT17N010 1 M 15 Xilinx 3,3 PDIPS, SOIC20

AT17N002 2 M 15 Xilinx 3,3 SOIC20, TQFP44

AT17N040 4 M 15 Xilinx 3,3 TQFP44

ганизации обмена данными с устройством, обращающимся к памяти, использовать более компактные корпуса, занимающие меньшее место на печатной плате. Применение микросхем с последовательным интерфейсом позволяет создавать более компактные, экономичные и дешевые устройства. А широкий выбор устройств энергонезависимой памяти с последовательным интерфейсом компании А1ше1 с различным напряжением питания и временем выборки, а также наличие микросхем в различных типах корпусов

позволяет разработчикам выбрать наиболее удобный вариант для использования в конечном приложении. ■

Литература

1. Золотухо Р. Энергонезависимая память производства корпорации ATMEL // Электронные компоненты. 2000. № 2-5.

2. De Caro R. The Explosive World Of Serial Flash. Atmel Corp. ECN. 8/1/2005.

3. www.atmel.com