Научная статья на тему 'Microwave Office 4. 0: новый уровень автоматизированного проектирования'

Microwave Office 4. 0: новый уровень автоматизированного проектирования Текст научной статьи по специальности «Электротехника, электронная техника, информационные технологии»

CC BY
110
55
i Надоели баннеры? Вы всегда можете отключить рекламу.
i Надоели баннеры? Вы всегда можете отключить рекламу.

Похожие темы научных работ по электротехнике, электронной технике, информационным технологиям , автор научной работы — Желтобрюхов П. В.

iНе можете найти то, что вам нужно? Попробуйте сервис подбора литературы.
i Надоели баннеры? Вы всегда можете отключить рекламу.

Текст научной работы на тему «Microwave Office 4. 0: новый уровень автоматизированного проектирования»

Секция приборов сверхвысоких частот

СВЧ току G = 0'a + jar получаются выражения: a = b - lb2;

b = Sr0Tee2E2JmWо; A = Spfo/T0mW0

a0 = enp0/ mE 0 = (won/lSreEl + 4taTeSe 2E02/mW 0 ) - f~{e2nт0|m )l - a); (2)

aa = enpJmEi ={e2nTolm)[(l-A)(C + Q)+Aore(( -Q^e)]/] + cT+iw -Qane f J(3) ar = - enpi/mEi = (e2rna /m )[ ( + CA)+ (A - 1)^, ][( + C )2 + ( - Q (Te )2 J; (4)

Q = SP oTeeEol[mW о(l + M2*1 )J; C = 1 + SeE oTePolmW о

(где n- концентрация носителей), используя которые можно в конкретном полупроводнике строго определить микроволновые параметры его объема с целью использования их при расчете интегральных объемных схем СВЧ

[2].

ЛИТЕРАТУРА

1. Малышев В.А. Теория разогревных нелинейностей плазмы твердого тела, Изд-во РГУ, 1979.

2. Гзоздев В.И., Нефедов E.B. Объемные ИС СВЧ. М: Наука, 1985.

УДК 621.373.5

П.В. Желтобрюхов

MICROWAVE OFFICE 4.0: НОВЫЙ УРОВЕНЬ АВТОМАТИЗИРОВАННОГО

ПРОЕКТИРОВАНИЯ

[1 ] -

выми возможностями для автоматизации процесса разработки высокочастотных устройств благодаря тесной связи этапа синтеза устройства с моделированием и производственными технологиями. Версия 4.0 содержит встроенный язык объектно ориентированного программирования, что позволяет пользователю получить доступ ко встроенным моделям приборов, контролировать процесс разработки схемы, осуществить связь с технологическим процессом и другими возможностями автоматизированного проектирования.

Механизм API, доступный в Microwave Office 2000, может быть использован как для автоматизации решения задач, так и для расширения возможностей системы проектирования. Приведенный ниже список лишь пример того, что позволяет новый интерфейс.

♦ «Мастера» проектов могут быть легко созданы для автоматизации рутинных задач проектирования. Это обеспечивает общий механизм добавления специальных возможностей синтеза, таких, как синтез фильтра или согласующей цепи.

♦ Microwave Office -

матизированных средах тестирования или производства. Объединение различных приложений или тестовых приборов, поддер-

Известия ТРТУ

Специальный выпуск

живающих COM-скриптинг, может дать полную технологическую или тестовую систему. Программы, разработанные третьей сто, Microwave Office

для выполнения других видов анализа.

надстройки в Microwave Office для решения своих задач проектирования.

В версии 4.0 полностью обновлен алгоритм расчета методом гармони, . алгоритм работает на порядок быстрее предыдущих версий и настолько эффективен, что может моделировать прохождение сложномодулированно-, , через нелинейные цепи, такие, как смесители, мощные усилители и умножители.

Значительно улучшен редактор топологий: в него добавлены интерактивная проверка топологии схемы и дополнительные возможности для сложных топологий монолитных микросхем СВЧ.

Microwave Office 2000 4.0 содержит несколько новых моделей нелинейных приборов включая впервые представленную модель псевдоморф-ного ТВПЭ и модель МОП-транзистора промышленного стандарта BSIM3.

В области линейных моделей версия 4.0 содержит более 50 новых моделей для линий передач включая обширную библиотеку моделей копла-.

, - .

УДК 621.382.2

К.А. Филь

СТРОГИЙ УЧЕТ ВЛИЯНИЯ ПОЛЯ ВОЛН ОБЪЕМНОГО ЗАРЯДА В ТЕОРИИ МИКРОВОЛНОВОЙ ПРОВОДИМОСТИ ДИОДА ГАННА

В работах [1-3], посвященных упомянутой в заглавии теории, указанное поле не принималось во внимание при написании граничных условий.

,

при определении локального тока, то выражение для полной микроволновой проводимости диода Ганна будет иметь вид (обозначения те же что и в работах [1-3]):

C1 = [Ю)£М2^ - 1М(о -Dyl){N2eY2L -]ю1г2)-( -Dr2){NleYL -)]; C2 = \jaeN 1 {е* - 1)И(о -D/l^2е^ -)-(о -Dy2^^ -;'ф,1)]; 7е = S/L ( + СХМ 1 + C2M2);) = У0 - D у, - ja|yl;

MI = { -Dyl +а£Уг -1/^ -е/еГг .

На рис. 1 приведены частотные характеристики Ое = /(р), рассчи-

[3] ( 1) , -

i Надоели баннеры? Вы всегда можете отключить рекламу.