CC BY
66. Zebrev G.I., Gorbunov M.S., Shunkov V.E. Physical modeling and circuit simulation of hardness of SOI transistors and circuits for space applications. Proceed. of RADECS 200б.
7. Anomalous radiation effects in fully-depleted SOI MOSFETs fabricated on SIMOX / Li Ying et al // IEEE Transaction on Nuclear Science. - Vol. 48, Dec. - 2001. - P. 2146-2151.
8. Петросянц К.О., Харитонов И. А., Орехов Е. В., Ятманов А.П. Квазитрехмерное приборное моделирование КНИ MОП-cтруктур с учетом стационарного ионизирующего излучения // Электроника, микро- и наноэлектро-ника: сб. науч. тр. / Под ред. В.Я. Стенина. - M.: MИФИ, 2009. - С. 241-249.
Поступило 11 декабря 2009 г.
Петросянц Константин Орестович - доктор технических наук, профессор, заведующий кафедрой электроники и электротехники Mocкoвcкoгo государственного института электроники и математики (MH3M). Область научных интересов: моделирование полупроводниковых приборов и элементов БИС, САПР элементной базы ЭВА и РЭА. Е-mail: eande@miem.edu.ru
Орехов Евгений Вадимович - старший преподаватель кафедры электроники и электротехники MИЭM. Область научных интересов: моделирование полупроводниковых приборов и элементов БИС.
Самбурский Лев Михайлович - старший преподаватель кафедры электроники и электротехники MH3M. Область научных интересов: моделирование элементной базы радиацион-но-стойких БИС.
Харитонов Игорь Анатольевич - кандидат технических наук, доцент кафедры электроники и электротехники MH3M. Область научных интересов: моделирование и проектирование элементной базы электроники специального назначения, RnM, системы-на-кристалле.
Ятманов Александр Павлович - начальник отдела НИИ измерительных систем (г. Нижний Новгород). Область научных интересов: проектирование и моделирование базовых элементов KMОП КНИ БИС. E-mail: aYatmanov@niiis.nnov.ru
УДК 504.3.054, 504.3.064
Методы и средства контроля чистоты реагентов в безотходных технологиях очистки поверхности полупроводниковых структур
С.Ю.Хаханин НПК «Технологический центр» МИЭТ
В настоящее время в микроэлектронике и других отраслях промышленности прослеживаются устойчивые тенденции по возрастанию требований к уровню ресурсосбережения и экологической безопасности технологических процессов. Одним из способов решения данных задач является применение безотходных или малоотходных технологий, в которых реализован принцип многократного использования рабочих реагентов. При применении указанных технологий вопрос контроля чистоты реагентов становится особенно актуален, так как необходимо осуществлять не только входной аналитический контроль реагентов высокой степени чистоты, но и контролировать качество реагентов после процесса их регенерирования с целью принятия решения о возможности их повторного использования.
Безотходные технологии очистки поверхности полупроводниковых структур - это качественно новые экологически безопасные ресурсосберегающие технологии микро- и наноэлектроники, в которых повышенные требования к анализу обусловлены малыми количествами определяемых загрязняющих примесей (на уровне 0,1-10 ррЬ) [1]. Предложена технология [2], основанная на электрохимически синтезированных растворах серной кислоты состава (aктH2SO4 + Сеокисл).
При аналитическом контроле чистоты реагентов безотходных технологий необходимо провести идентификацию примесного и компонентного состава реагентов и экспресс-контроль количественного содержания примесей и компонентного состава; установить неоднородность распределения компонентного состава по объему раствора реагента (от поверхностных слоев полупроводниковой подложки и по глубине раствора) и характер химических связей реагента раствора и примесей, десорбированных с поверхностных слоев полупроводниковых подложек.
© С.Ю.Хаханин, 2010
Для решения этих задач предложены электроаналитические и титриметрические методы [3, 4], которые обладают высокой чувствительностью и точностью результатов, малым временем проведения анализа и возможностью автоматизации. Также возможно микропроцессорное и программное управление аналитическим процессом. Из всего многообразия электроаналитических методов были выбраны инверсионная вольтамперометрия и ионометрия [5, 6].
На основе данных методов создана система мониторинга параметров процесса рекуперации безотходных технологий [7], включающая в себя методы и средства контроля неорганических и органических загрязнений.
Разработанные и аттестованные методы и средства контроля позволяют:
- осуществлять оперативный экспрессный высокочувствительный контроль реагентов рекуперации;
- гарантировать минимальные загрязнения поверхности полупроводниковых подложек реагентами рекуперации;
- оптимизировать технологический процесс очистки кремниевых пластин и повысить коэффициент безотходности.
Результаты проведенных экспериментов и промышленных испытаний, сравнительные показатели качества очищаемой поверхности кремниевых пластин свидетельствуют о том, что разработанная технология является высокоэффективной и позволяет сократить на 90-95% потребление серной кислоты, значительно снизить (в 10-100 раз) промстоки и затраты на транспортные расходы и дополнительные реактивы, повысить срок службы оборудования и экологическую безопасность производства.
С помощью разработанных методов и средств контроля чистоты реагентов доказана практическая осуществимость процессов очистки поверхности кремниевых пластин растворами состава (акт H2SO4 + СЕокисл).
Литература
1. Золотое Ю.А. Исследования в области аналитической химии веществ высокой чистоты. - В кн.: Успехи аналитической химии. - М.: Наука, 1996. - С. 3-28.
2. Ковалев А.А. Особенности технологического процесса очистки полупроводниковых структур на основе электрохимического синтеза и рекуперации растворов // Изв. вузов. Электроника. - 2006. - № 4. - C. 13-17.
3. Отто М. Современные методы аналитической химии: Пер. с нем. - М.: Техносфера, 2003. - Т. 1 - 412 с.
4. Миомандр Ф., Садки С., Одебер П., Меалле-Рено Р. Электрохимия. - М.: Техносфера, 2008. - 360 с.
5. Бонд А.М. Полярографические методы в аналитической химии. - М.: Химия, 1983. - 328 с.
6. DavidK., Gosser Jr. Cyclic voltammetry: simulation and analysis of reaction mechanisms. - N.Y., 1994. - 155 p.
7. Диагностика безотходных технохимических процессов планарного микроэлектронного производства методами вольтамперометрии / Т.И.Хаханина, Ю.Н. Торгашое, СЮ.Хаханин и др. // Оборонный комплекс - научно-техническому прогрессу России. - 2001. - № 2. - С. 73-78.
Поступило 9 февраля 2010 г.
Хаханин Сергей Юрьевич - кандидат технических наук, заместитель начальника лаборатории НПК «Технологический центр» МИЭТ. Область научных интересов: микроэлектромеханические системы, методы и средства контроля, безотходные технологии, очистка поверхности материалов. E-mail: S.Khakhanin@tcen.ru
УДК 004.942:519.876.5
Сравнение методов обнаружения периодичности стохастических сигналов
АунгПхио Вин, В.М.Трояноеский
Московский государственный институт электронной техники (технический университет)
Методы радиоэлектроники и информационных технологий [1, 2] могут быть успешно применены для одной из важнейших проблем астрофизики [3], возникающей при изучении рентгеновского излучения от двойных звезд. Помимо шумов и помех, действующих на приемное устройство, обычно фиксируется лишь часть полезных данных. Совокупность этих условий
© Аунг Пхио Вин, В.М.Трояновский, 2010
