CC BY
281
СОГОЯН1 Армен Вагоевич, к.т.н.; АРТАМОНОВ2 Алексей Сергеевич, к.т.н;
БОГДАНОВ3 Юрий Иванович, д. ф.-м.н.; НИКИФОРОВ4 Александр Юрьевич, д.т.н
МЕТОД ИСПЫТАНИЙ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ НА СТОЙКОСТЬ К ДОЗОВОМУ ВОЗДЕЙСТВИЮ НА ОСНОВЕ СОВМЕСТНОГО ПРИМЕНЕНИЯ ГАММА- И РЕНТГЕНОВСКИХ ИСТОЧНИКОВ
Предлагается, метод совместных испытаний электронной компонентной базы, на стойкость к дозовому воздействию на основе рационального сочетания, гамма- и рентгеновских испытательных установок. Определена область применимости данного метода, приведен, пошаговый алгоритм, процедуры, совместных испытаний, дан пример использования, данного метода.
Ключевые слова: поглощенная, доза, радиационная, стойкость, калибровка.
The total dose hardness assurance test method, for electronic devices based, on the rational use of gamma and X-ray facilities is developed. The area of applicability of the method, is specified, the step-by-step algorithm of the testing procedure is presented. Keywords: Total dose, radiation hardness, calibration
Испытания электронной компонентной базы (ЭКБ) — интегральных схем (ИС), полупроводниковых приборов, изделий твердотельной СВЧ-электроники и электронных модулей на стойкость к воздействию радиационных факторов по требованию нормативных документов могут проводиться с использованием моделирующих и/или имитирующих установок.
Моделирующие установки (МУ) — источники дестабилизирующих воздействий, имеющие единую физическую природу и близкие характеристики с воздействующими в реальных условиях специальными факторами. Испытания ЭКБ с использованием МУ (ускорителей, реакторов, изотопных и других источников) основаны на обеспечении эквивалентного воспроизведения характеристик реальных радиационных факторов и эффектов их воздействия при испытательных воздействиях МУ.
С момента постановки задачи радиационных испытаний ЭКБ и примерно до середины 80-х гг. прошлого века основным источником стационарных дозовых воздействий являлись МУ на основе изотопных источников Со60. Изотопные МУ представляют собой уникальные сложные технические устройства с массивной биологической защитой персонала, обычно сооружавшиеся по индивидуальным проектам. Высокая энергия гамма-квантов (около 1 МэВ) определяет их высокую проникающую способность и слабую зависимость поглощенной дозы в активных областях ЭКБ от конструктивно-технологических особенностей объектов.
Источниками испытательных гамма-воздействий, кроме изотопных источников, могут являться ускорители электронов (в режиме генерации гамма-излучения), а также ядерные реакторы.
Развитие элементной базы, а также рост быстродействия и функциональной сложности ЭКБ выявил существенный недостаток МУ — значительное расстояние (2.. .15 м) от объ-
екта испытаний до измерительной аппаратуры. Эта особенность МУ, связанная с наличием мощной биологической защиты, существенно ограничивала объем контролируемых параметров ЭКБ в процессе воздействия, снижала достоверность испытаний, так как значительная часть информативных параметров ЭКБ (в т.ч. прецизионных, быстродействия) принципиально не удавалось определить в условиях дистанционных измерений. Невысокие доступность и пропускная способность гамма-установок и отсутствие возможности оперативной проверки всех необходимых режимов и условий работы ЭКБ непосредственно в условиях облучения обусловило недостаточную технико-экономическую эффективность испытаний.
В целях преодоления указанного недостатка изотопных МУ в нашей стране и за рубежом в конце 80-х — начале 90-х гг. прошлого века начали развиваться имитационные методы испытаний на базе относительно низкоэнергетичных (10.100 кэВ) и компактных рентгеновских источников. Так, рентгеновские имитаторы (например, фирмы Агасог, США) установлены во многих ведущих зарубежных лабораториях и организациях, занимающихся испытаниями ЭКБ на радиационную стойкость. В нашей стране ведущая роль в создании и применении рентгеновских имитаторов принадлежит ОАО «ЭНПО «СПЭЛС».
Имитирующие установки (имитаторы) — источники дестабилизирующих воздействий различной физической природы, обеспечивающие проявление и адекватное моделирование в изделиях доминирующих эффектов, вызываемых воздействием радиационных факторов в реальных условиях. Испытания с использованием имитаторов основаны на обеспечении эквивалентного воспроизведения при имитирующих воздействиях характера изменения параметров, отказов и сбоев ЭКБ по сравнению со специальными факторами в реальных условиях по критерию адекватности моделирования доминирующих эффектов.
' — доцент НИЯУ «МИФИ»;2 — доцент НИЯУ «МИФИ»;3 — Зав. лабораторией Физико-технологического института РАН; 4 — профессор НИЯУ «МИФИ», генеральный директор ЭНПО «СПЭЛС».
Процесс внедрения рентгеновских имитационных установок в практику испытаний ЭКБ на стойкость к дозовому воздействию сопровождался теоретическими и экспериментальными исследованиями по обоснованию эквивалентности эффектов дозовых воздействий различных видов излучений [1 — 17], в результате которых как в нашей стране, так и за рубежом, рентгеновские имитационные установки были включены в действующие стандарты испытаний ЭКБ [18 — 21].
Особенности применения рентгеновских установок
Основной проблемой применения имитационных установок на базе рентгеновских источников является низкая энергия и соответственно проникающая способность рентгеновского излучения, значимая зависимость поглощенной дозы в активных областях от конструктивно-технологических особенностей объектов и связанная с этим необходимость квалифицированного определения количественных характеристик эквивалентного дозового воздействия (дозиметрического сопровождения) с учетом технологического разнообразия современных ЭКБ, конструкций корпусов и т.п.
В настоящее время значительное число объектов испытаний представляют собой ЭКБ иностранного производства (ИП), применяющиеся в космической аппаратуре (КА). Предприятия — разработчики КА стараются максимально уменьшить (до 3.5) число образцов ЭКБ каждого типа в выборке, передаваемой на испытание. При этом большинство типов ЭКБ имеют пластиковые корпуса. Сложность дозиметрического сопровождения испытаний данных объектов вызвана невозможностью в большинстве случаев получить у предприятия
— изготовителя ЭКБ данные о конструктивных особенностях, технологии, химическом составе корпуса и т.п. Расчетные методы, которые можно было применять для ЭКБ отечественных производителей при наличии информации о конструкции и химическом составе корпуса и технологических особенностях активных элементов, практически не работают в случае ЭКБ ИП.
Таким образом, в работе предлагается метод совместных испытаний ЭКБ на стойкость к дозовому воздействию на гамма- и рентгеновских установках, позволяющий сочетать достоинства МУ и имитаторов.
Область применения метода совместных испытаний
Метод испытаний ЭКБ на радиационную стойкость по до-зовым эффектам с совместным использованием гамма- и рентгеновских установок разработан в целях уточнения и развития метода дозиметрического сопровождения рентгеновских имитационных испытаний, изложенного в [11], и распространяется на кремниевые ЭКБ в корпусном или бескорпусном исполнениях в КМОП (на монокремниевых, эпатаксиальных, кремний-на-сапфире и кремний-на-изоля-торе структурах), биполярных, и БиКМОП (включая SiGe) элементно-технологических базисах.
К испытаниям допускаются ЭКБ, удовлетворяющие следующим условиям:
♦ количество образцов в выборке не менее 3;
♦ выборка образцов для испытаний произведена из одной производственной партии, и достоверно установлена идентичность образцов в выборке.
Метод калибровки
Основным методом дозиметрического сопровождения рентгеновских имитационных испытаний является метод «калибровки», в соответствии с которым из всей совокупности радиационно чувствительных параметров изделия выбирается один — qk, который называется «калибровочным» и наиболее полно характеризует радиационный отклик изделия в целом. При этом считается, что эквивалентная поглощенная доза рентгеновского излучения соответствует поглощенной дозе у-излучения (D}J), если обе они вызывают тождественное изменение значения калибровочного параметра при одинаковых условиях проведения испытаний (режим, температура, временной интервал от момента начала облучения до проведения измерений): Dэ(qk) = Dy(дk). Функция Dr(qk) называется калибровочной зависимостью и определяется по результатам испытаний изделия на гамма-установке. Данная зависимость является градуировочной для дозиметра рентгеновского излучения, в качестве которого используется само испытуемое изделие.
В качестве калибровочного параметра дк выбирают такой электрический параметр изделия, изменение которого при воздействии ионизирующего излучения определяется дозовыми (поверхностными ионизационными) эффектами. К дополнительным требованиям при выборе калибровочного параметра относятся простота измерений при проведении испытаний на МУ, наименьшая подверженность воздействию электромагнитных помех и наводок, наибольшие чувствительность к Бг и протяженность линейного или хотя бы «плавного» монотонного участка зависимости дк = дк(Оу).
Алгоритм проведения совместных испытаний
Испытания ЭКБ на дозовую стойкость с использованием гамма- и рентгеновской установок проводятся по следующему алгоритму.
Л Прогнозирование уровня радиационной стойкости ЭКБ и выбор наиболее критичного режима функционирования. Прогнозирование осуществляется приведенными ниже (в порядке убывания значимости) способами:
♦ по собственным результатам ранее проведенных испытаний ЭКБ данного типа (типономинала) и данного предприятия-изготовителя;
♦ по результатам ранее проведенных испытаний ЭКБ данного типа (типономинала) и данного предприятия-изготовителя другими испытательными центрами;
♦ по результатам ранее проведенных испытаний конструктивных аналогов ЭКБ данного предприятия-изготовителя;
♦ по результатам ранее проведенных испытаний функциональных аналогов данных функциональных групп ЭКБ различных предприятий-изготовителей;
♦ по конструкционным данным ЭКБ.
Результатом прогнозирования является предварительный выбор калибровочного параметра из заданных в программе-методике испытаний контролируемых параметров, выбор критического (наиболее радиационно чувствительного) электрического режима и режима функционирования.
В случае отсутствия технически обоснованного заключения о параметрах критического электрического режима рекомендуемым является электрический режим, соответствующий максимально допустимому в соответствии с ТУ напряжению питания.
.2 Анализ конструкции ЭКБ и расчетная оценка коэффициента ослабления корпусом (защитным покрытием) до-зового воздействия от рентгеновского излучения. Оценка коэффициента ослабления производится расчетным путем на основе данных о типе, толщине и химическом составе корпуса (защитного покрытия) ЭКБ.
Облучение одного образца ЭКБ на рентгеновском имитаторе с контролем заданных в программе-методике испытаний параметров-критериев в выбранном режиме функционирования в нормальных климатических условиях. Для предварительно выбранного калибровочного параметра и параметров-критериев требуется определение зависимости д = д(DX).
Мощность поглощенной дозы рентгеновского излучения на поверхности кристалла с учетом расчетной оценки коэффициента ослабления должна находиться в диапазоне мощностей доз МУ, которая будет использоваться для калибровки. Облучение проводится до отказа по большинству параметров-критериев или до уровня воздействия, при котором радиационно-индуцированное изменение начального значения предварительно выбранного калибровочного параметра и параметров-критериев, превышает погрешность измерения более чем в 100 раз. При выборе режимов облучения необходимо стремиться к выполнению условия tобл > 10* ^зм, где ^обл — полное время облучения, tизм — суммарное время измерений параметров в процессе облучения.
В случае малой радиационной чувствительности калибровочного параметра и других параметров-критериев (изменение начального значения менее стократной погрешности измерения) определение уровня стойкости проводится по результатам испытаний сокращенной выборки (но не менее 2 шт.) на МУ с учетом требований РД 319.03.31-99.
.4 Облучение одного образца ЭКБ на МУ с контролем заданных параметров-критериев в выбранном режиме функционирования в нормальных климатических условиях. Для предварительно выбранного калибровочного параметра и параметров-критериев требуется определение зависимости д = д(Оу).
Мощность поглощенной дозы гамма-излучения должна находиться в диапазоне 0,5.2,0 от мощности поглощенной дозы рентгеновского излучения на поверхности кристалла с учетом расчетной оценки коэффициента ослабления. Облучение проводится до уровня Dy0, при котором происходит отказ хотя бы по одному параметру-критерию, либо радиационно-индуцированное изменение начального значения калибровочного параметра и параметров-критериев, превышает погрешность измерения более чем в 100 раз. Определение мощности поглощенной дозы производится стандартными дозиметрическими средствами МУ. При выборе режимов
облучения необходимо стремиться к выполнению условия ^бл > 10 х tизм, где tобл — полное время облучения, tизм — суммарное время измерений параметров в процессе облучения.
Сравнительный анализ результатов испытаний на рентгеновском имитаторе и гамма-установке, принятие решения о допустимости проведения испытаний на рентгеновском имитаторе и определение калибровочного коэффициента.
Условия применимости метода совместных испытаний
Метод совместных испытаний может применяться в случае, если существует калибровочное преобразование вида
(1)
тах
ц
где к — коэффициент, относительно которого имеет место приближенное подобие зависимостей дк(Ох) и дк(Бу) :
<Ы<Р, ( *) - % (Д,) < лУоТ04+«5Т, (2)
ЧкуФг)
где 5 — относительная инструментальная погрешность измерения величины д (указанная в паспорте средства измерения); дк^(Оу) — зависимость приращения критериального параметра от уровня поглощенной дозы Оу, полученная на МУ (п.4); дкх(Ох) — зависимость приращения критериального параметра от уровня воздействия Ох, полученная на рентгеновском имитаторе (п.3). Определение коэффициента к зависимости (1) может производиться методом наименьших квадратов.
Проверка выполнения условия (2) должна проводиться не менее, чем в двух точках, по дозе Оу. При выполнении условия (2) принимается решение о применимости метода калибровочной дозиметрии.
Проводятся испытания группы образцов № 1 объемом пу на МУ и группы №2 объемом пХ на рентгеновском имитаторе, пх > Пу. Испытания обеих групп проводятся в одинаковом электрическом режиме и в одинаковых климатических условиях.
Методика определения коэффициента к зависит от характера изменения функций ду(Оу), где г- номер образца в группе 1: г = 1...Пу.
В качестве калибровочного целесообразно выбирать параметр, относительное приращение которого является наибольшим. При наличии нескольких параметров-критериев с близкими (до 20%) относительными значениями приращений — нижеследующие пункты выполняются для каждого параметра.
В случае если в интервале доз 0.Бу0 зависимость ду(Оу) имеет максимум в окрестности точки Бу1 тах, она нормируется на значение дуг, измеренное в точке Бу11 , ближайшей к БУ1 тах. Если в интервале доз 0... Бу0 зависимость ду(Оу) имеет несколько максимумов, следует выбирать главный максимум. При отсутствии максимума нормировка зависимости не производится.
Выбирается калибровочный уровень значения параметра д0. Калибровочный уровень целесообразно выбирать близким к значению, соответствующему границе допуска на параметр, установленной для объекта испытаний.
Дляу-го образца группы № 1,]=1...пу, по экспериментальной зависимости qyJ(Dy) определяется значение дозы D7J из ус-
ловия
4rj(Drj)-4o
Чо
<5.
(3)
При необходимости для определения величины DyJ из неравенства (3) может применяться линейная интерполяция зависимости qyJ(Dy). Аналогично определяются значения DXІ, I = 1...их для группы № 2.
Вычисляется точечная оценка к — коэффициента калибровки:
Д.
к = -
Dx
"X i=1
(4а)
(4б)
(4в)
При наличии нескольких параметров-критериев с близкими относительными значениями приращений в качестве калибровочного выбирается параметр, для которого значение величины
1 Dx ) 1 2(
1 i=l , 1 i=1
D,- Dr)
« . (4г)
DX
D..
■ 2
является наименьшим.
Вычисляется нижняя граница к доверительного интервала коэффициента калибровки:
к ~4 0^2 + ° - 6162
к L = -
Qi =
Q2 =
ti-
+ ПГ-2
(5)
1 1
— +-
-Dx)2
DX
' 1-pnx+nr-2
(«X + nY- 2
nX
V
£(,,-d)2
/
Dx
(6)
Оценку соответствия изделий заданным требованиям проводят согласно требованиям ГОСТ РВ 20.57.415 и [22].
Пример применения метода совместных испытаний
В качестве примера применения метода совместных испытаний рассмотрим испытания типовой микросхемы — HEF4013BT. ИС HEF4013BT (фирма-изготовитель NXP Semiconductors) представляет собой сдвоенный D-триггер, выполненный по КМОП-технологии.
Определим коэффициент калибровки для ИС HEF4013BT. В процессе облучения контролировалось функционирование, и измерялись зависимости параметров — критериев годности (Uoh, Ioh, Iol, Icch, Iccl) от уровня воздействия (рис. 1).
Далее необходимо провести анализ применимости метода. С этой целью проводится облучение микросхемы на гамма-установке (образец 13) и источнике рентгеновского излучения (образец 6). На рис. 2 показаны результаты совмещения зависимостей приращения тока потребления в режиме SET для указанных образцов. Поиск коэффициента калибровочного преобразования вида (1) проводился методом наименьших квадратов. При значении к = 0,0328 соотношение (2) выполняется уже при условии 5 = 0 не менее чем при трех значениях уровня воздействия. Таким образом, можно сделать вывод о том, что метод совместных испытаний применим к данному объекту.
Далее проводится облучение двух групп микросхем. Первая группа (2 образца, включая № 13) облучается на гамма-установке, вторая группа (5 образцов, включая № 6) — на рентгеновской установке.
В качестве калибровочного параметра выбирается ток потребления в состоянии SET (ICCH). Поскольку зависимость приращения параметра от уровня воздействия является монотонной, ее нормировка не производится.
Выбирается калибровочный уровень значения параметра q0 = 3 мА. Для j-го образца группы 1, j = 1...ny, по экспериментальной зависимости qyj(Dy) определяется значение дозы Dyj из условия (рис. 3):
qrj(Dy,)-д0 <§.
Яо '
В результате Dy = {51,6; 44,6}. Аналогично определяются значения DXi , I = 1...nX, для группы 2: DX={1734, 1733, 1521, 1488,
где ^ 1 _а,* — квантиль распределения Стьюдента с N степенями свободы, отвечающий уровню значимости а/2. Уровень доверия (доверительная вероятность) Р = 1 — а определяется нормативно-технической документацией. Если его значение не установлено, оно принимается равным 0,95 [22]. В качестве коэффициента калибровки принимается значение К = кь. Отношение к/кь > 1 играет роль нормы испытаний [22], которая оказывается зависящей от количества образцов в выборке. При этом относительная погрешность дозиметрии А будет определяться относительными погрешностями дозиметрии гамма-излучения (Ау) и рентгеновского излучения (Ах):
1569}.
Вычисляется точечная оценка к — коэффициента калибровки:
DX = 1609;
Dr = 48,1;
к = В= = 0,0299.
DX ’
Вычисляется нижняя граница кь доверительного интервала коэффициента калибровки при Р = 0,95: К = кь = 0,025. Относительная погрешность измерения длительности облучения на источнике рентгеновского излучения Ах при автоматическом управлении источником составляет менее 1%, поэтому погрешность дозиметрии испытаний определяется относительной погрешностью дозиметрии гамма-излучения Ау, которая согласно паспорту системы дозиметрического сопровождения составляет 15%.
В случае обоснованной применимости рентгеновских испытаний оценка информативных параметров ЭКБ, недоступных для условий измерения гамма-установки, прово-
16.01.2012 13:26:51
n
2
Y
2
2
а
pa
Время облучения, с
б
Время облучения, с
в
Время облучения, с
Время облучения, с
Рис. 1. Экспериментальные зависимости некоторых параметров HEF4013BT от уровня воздействия:
а) Иан,- б)
1он< !аи в) 1ссн!г) ^ссь
Г
0,006
D, тыс.ед
500 1000 D’ 1500 D"
Время облучения, с
2000
Рис. 2. Совмещение зависимостей приращения тока потребления в режиме SET, полученных при облучении HEF4013BTна гамма-установке (образец 13) и источнике рентгеновского излучения (образец 6) при k = 0,0328
Рис. 3. Определение уровней воздействия Б, соответствующих заданным критериям д0
дится на рентгеновском источнике, в противном случае весь комплекс работ проводится на гамма-установке.
Выводы и заключение
Метод испытаний ЭКБ на радиационную стойкость по дозо-вым эффектам с совместным использованием гамма- и рентгеновских установок уточняет и развивает метод дозиметрического сопровождения рентгеновских имитационных испытаний, изложенный в нормативных документах. Применение описанного метода позволяет повысить достоверность дозиметрического сопровождения рентгеновских имитационных испытаний и в полной мере сочетать в одном цикле испытаний возможности и достоинства как моделирующих установок, обеспечивающих достоверность испытаний по адекватности испытательных воздействий, так и рентгеновских имитаторов, позволяющих определить все информативные параметры ЭКБ (в том числе прецизионные и быстродействия), проверить все необходимые режимы и условия работы ЭКБ непосредственно в условиях облучения. Достоинством предлагаемого метода совместных испытаний ЭКБ является возможность работы с малыми выборками объектов, а также наличие четких критериев применимости
Литература
1. Fleetwood, D.M., Winokur, P.S., Schwank, J.R. Using laboratory X-ray and cobalt-60 irradiations to predict CMOS device response in strategic and. space environments. / IEEE Transaction on Nuclear Science, 1988. — Vol 35. — PP. 1497
— 1505.
2. Palkuti L.J, LePage J.J. X-Ray Wafer Probe for Total Dose Testing. /IEEE Transaction, on Nuclear Science, 1982. — Vol 29. — PP. 1832 — 1837.
3. Fleetwood D.M., Beegle R.W., Sexton F.W., Winokur P.S., Miller S.L., Treece R.K., Schwank J.R., Jones R.V., McWhorter P.J. Using a 10-keVX-Ray Source for Hardness Assurance. / IEEE Transaction on Nuclear Science, 1986. — Vol 33. — PP. 1330 — 1336.
4. Dozier C.M., Brown D.B., Throckmorton J.L., Ma D.I. Defect Production in SiO2 by X-Ray and Co-60 Radiations. / IEEE Transaction on Nuclear Science, 1985. — Vol 35. — PP. 4363
— 4368.
5. Oldham. T.R., McGarrity J.M. Comparison, of Co-60 Response and. 10 keV X-ray Response in MOS Capacitors. // IEEE Trans, 1983. — Vol. NS-30. — N 6. — P. 4377.
6. Имитационное экспериментальное моделирование для оценки и прогнозирования радиационной стойкости ИЭТ. / Е.Р. Аствацатурьян, А.Ю. Никифоров, А.И. Чумаков и др. / Вестник РАДТЕХ, 1991. — № 2. — С. 44 — 47.
7. Система имитационной оценки и прогнозирования показателей радиационной стойкости интегральных схем./ М.И. Критенко, А.Ю.Никифоров, В.А. Телец и др. Радиационные процессы в электронике, 1994. — С. 145 — 146.
8. Основные положения концепции создания и внедрения имитационных методов оценки и прогнозирования ради-
ационной стойкости ППП и ИС./ А.Ю.Никифоров, П.К. Скоробогатов, В.А.Телец, А.И.Чумаков и др./ Вопросы атомной науки и техники. Сер. Физика радиационных воздействий на РЭА, 1994. - Вып. 3 - 4.
9. IC space radiation effects experimental simulation, and. estimation, methods./ Chumakov A.I., Nikiforov A.Y., Telets V.A., Sogoyan A.V./ Radiation Measurements, 1999. - V. 30.
10. IC's Radiation Effects Modeling and. Estimation./ Chumakov A.I., Nikiforov A.Y., Pershenkov V.S., Skorobogatov P.K. / Microelectronics Reliability, 2000. - V. 40. - № 12.
11. Методы, прогнозирования эффектов полной дозы, в элементах современной микроэлектроники./ Беляков В.В., Першенков В.С., Зебрев Г.И., Согоян А.В., Чумаков А.И., Никифоров А.Ю., Скоробогатов П.К. /Микроэлектроника, 2003. - Т. 32. - № 1. - С. 31 - 46.
12. Nikiforov A.Y., Chumakov A.I. Simulation, of space radiation effects in microelectronic parts./ Effects of space weather on technology infrastructure, 2004 - Kluwer Academic Publishers, Netherlands.
13. Никифоров А.Ю., Согоян А.В. Моделирование дозовых эффектов в паразитных МОП-структурах КМОП БИС при воздействии высокоинтенсивного импульсного ионизирующего излучения./Микроэлектроника, 2004. - Т. 33. - № 2. - С. 108 - 121.
14. Поверхностные радиационные эффекты, в интегральных схемах./Согоян А.В., Никифоров А.Ю., Чумаков А.И. и др./ Модель космоса: Научно-информационное издание: в 2 т.. - Т. 2: Воздействие космической, среды, на материалы
и. оборудование космических аппаратов. - М.: КДУ, 2007.
15. Методы, испытаний на стойкость к воздействию радиационных факторов космического пространства и импульсную электрическую прочность./ Никифоров А.Ю., Чумаков А.И., Скоробогатов П.К., Телец В.А., Улимов В.Н. и др./ Модель космоса: Научно-информационное издание: в 2 т. - Т. 2: Воздействие космической среды, на материалы. и оборудование космических аппаратов. - М.: КДУ, 2007.
16. Методика оперативного неразрушающего контроля дозовой стойкости КМОП БИС на КНС структурах./ Давыдов Г.Г., Согоян А.В., Никифоров А.Ю., Киргизова А.В., Петров А.Г., Седаков А.Ю., Яшанин И.Б./ Микроэлектроника, 2008. - Т. 37. - № 1. - С. 67 - 77.
17. Согоян А.В. Оценка стойкости КМОП СБИС к фактору поглощенной дозы, при воздействии импульсного излучения./ Микроэлектроника, 2011. - Т. 40. - № 3. - С. 200
- 208.
18. ASTM F1467 - 11 Standard Guide for Use of an X-Ray Tester (*10 keV Photons) in Ionizing Radiation Effects Testing of Semiconductor Devices and. Microcircuits.
19. ASTM E666 - 09 Standard Practice for Calculating Absorbed. Dose From. Gamma or X Radiation.
20. Микросхемы, интегральные и. полупроводниковые приборы.. Методы, контроля радиационной, стойкости на этапах разработки, производства и. поставки. Общие методики. имитационных испытаний./ РД В 319.03.22-97.
21. Микросхемы, интегральные. Методы, испытаний. Испытания на стойкость к воздействию специальных факторов и импульсную электрическую прочность. /ОСТ 11 073.013 (ч. 10).
22. Изделия электронной техники, квантовой электроники и электротехнические военного назначения. Рациональный состав и последовательность испытаний на соответствие заданным требованиям по РС./ РД В 319.03.31-99.
