Научная статья на тему 'Мессбауэровские спектры'

Мессбауэровские спектры Текст научной статьи по специальности «Нанотехнологии»

CC BY
53
16
i Надоели баннеры? Вы всегда можете отключить рекламу.
Область наук

Аннотация научной статьи по нанотехнологиям, автор научной работы — Соколович В. В., Баюков О. А.

Проведено изучение влияния вакансий на мессбауэровские спектры сульфидов 3d-металлов. Мессбауэровские измерения проводились при комнатной температуре. В качестве объектов исследования использовались синтезированные и природные образцы сульфида железа. Проведен совместный анализ полученных мессбауэровских спектров со спектрами, наблюдаемыми ранее для

i Надоели баннеры? Вы всегда можете отключить рекламу.
iНе можете найти то, что вам нужно? Попробуйте сервис подбора литературы.
i Надоели баннеры? Вы всегда можете отключить рекламу.

MOSSBAUER SPECTRA

The investigation of the vacancies influence on the Mossbauer spectra of the 3d-metalls sulphides was done. The Mossbauer measurements have been made at room temperature. As objects of research the synthesized and natural samples of the ferrous sulphides were used. The joint analysis of the obtained and received earlier for compound Mossbauer spectra is carried out.

Текст научной работы на тему «Мессбауэровские спектры»

Наноматериалы и нанотехнологии в аэрокосмической отрасли

ствия. В случае сульфидов возникает необходимость в использовании многоэлектронных представлений, учитывающих существование зонных и атомных состояний. В связи с этим сульфиды представляют интерес как с практической, так и с теоретической точки зрения.

Особый интерес среди сульфидов вызывают моносульфиды 3 ^металлов, кристаллизующиеся в структуре типа №аб. Гексагональная №А$-структура в данных моносульфидах наблюдается при высоких температурах, при низких температурах реализуются структуры более низкой симметрии. Наряду со структурными переходами в моносульфидах наблюдаются переходы «металл-диэлектрик», магнитные переходы [1].

№АБ-структура и указанные выше фазовые переходы характерны для ^^-соединений. Анализ тем-

ператур структурных и магнитных переходов показывает, что с уменьшением числа ^электронов в металлах, наблюдается понижение температур этих переходов.

Причем немаловажно, что уменьшение температур происходит практически линейно. Также обращает на себя внимание различие в характере магнитных структур, реализуемых в ТО, УБ, СгБ и БеБ, СоБ, N18. В данном случае прослеживается зависимость типа реализуемой магнитной структуры от числа ^элект-ронов.

Библиографическая ссылка

1. Лосева Г. В., Овчинников С. Г., Петраковский Г. А. Переход металл-диэлектрик в сульфидах З^металлов. Новосибирск : Наука, 1983.

V. V. Sokolovich

Siberian State Aerospace University name named after academician M. F. Reshetnev, Russia, Krasnoyarsk THE PHASE TRANSITIONS IN 3D-METALLS MONOSULFIDES

The analysis of the physical properties of the3d-metals monosulfides has been carried out. Thus, the basic attention was given to the changes appear due to the variable number of the 3d-electrons. As a result, the series of the regularities typical for the monosulfides which are determined of the population of the 3d-states were revealed.

© COKOJIOBHH B. B., 2010

УДК 537.312.6

В. В. Соколович, О. А. Баюков

Сибирский государственный аэрокосмический университет имени академика М. Ф. Решетнева, Россия, Красноярск

МЕССБАУЭРОВСКИЕ СПЕКТРЫ Ре^хБ

Проведено изучение влияния вакансий на мессбауэровские спектры сульфидов 3d-металлов. Мессбауэров-ские измерения проводились при комнатной температуре. В качестве объектов исследования использовались синтезированные и природные образцы сульфида железа. Проведен совместный анализ полученных мессбау-эровских спектров со спектрами, наблюдаемыми ранее для FexCr1_

Большинство моносульфидов 3d-металлов кристаллизуется в структуре типа NiAs, либо в ее модификациях. Данные сульфиды обладают широким спектром физических свойств и у них наблюдаются всевозможные фазовые превращения. Важно отметить, что все соединения, кристаллизующиеся в структуре типа NiAs и ее аналогах, за исключением АиБп, содержат в своем составе переходные элементы. Соответственно, понятно, что разнообразие наблюдаемых стабильных фаз, формирующихся на основе гексагональной никель-арсенидной структуры, разнообразие наблюдаемых физических свойств есть результат способности d-электронов образовывать различные химические связи. Очевидно, что это последнее определяется числом электронов в d-состояниях и распределением электронов по этим состояниям. Интересные возможности для изучения влияния степени заполнения d-состояний на физические свойства предостав-

ляют твердые растворы замещения - соединения, в которых один элемент замещается элементом с другим числом d-электронов.

При этом особый интерес в данном случае представляет информация, получаемая методами мессбау-эровской спектроскопии. Исследование твердых растворов Бе^Сг1-1Б было предпринято в работе [1]. Используемая в работе технология получения образцов не исключала возникновения в них катионных вакансий. В связи с этим в данной работе предпринято изучение влияния вакансий на мессбауэровские спектры Бе1-^Б. В качестве объектов исследования использовались синтезированные и природные образцы. Проведено обсуждение наблюдаемых спектров.

Библиографическая ссылка

1. Соколович В. В., Баюков О. А. // ФТТ. 2007. 49. 10. 1831.

Решетневские чтения

V. V. Sokolovich, O. A. Bayukov Siberian State Aerospace University name after academician M. F. Reshetnev, Russia, Krasnoyarsk

MOSSBAUER Fej_xS SPECTRA

The investigation of the vacancies influence on the Mossbauer spectra of the 3d-metalls sulphides was done. The Mossbauer measurements have been made at room temperature. As objects of research the synthesized and natural samples of the ferrous sulphides were used. The joint analysis of the obtained and received earlier for FexCr1- xS compound Mossbauer spectra is carried out.

© Cokojiobhh B. B., EaroKOB O. A., 2010

УДК 538.971

Р. Е. Тихомиров, А. С. Паршин, Г. А. Александрова Сибирский государственный аэрокосмический университет имени академика М. Ф. Решетнева, Россия, Красноярск

В. А. Харламов, А. А. Чернятина, Р. А. Ермолаев ОАО «Информационные спутниковые системы» имени академика М. Ф. Решетнева», Россия, Железногорск

Ю. Л. Михлин

Институт химии и химической технологии Сибирского отделения Российской академии наук, Россия, Красноярск

ИССЛЕДОВАНИЕ ДЕФЕКТОВ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ТЕРМОРЕГУЛИРУЮЩЕГО ПОКРЫТИЯ, ВОЗНИКАЮЩИХ В ПРОЦЕССЕ ХРАНЕНИЯ, МЕТОДОМ РЕНТГЕНОВСКОЙ ФОТОЭЛЕКТРОННОЙ СПЕКТРОСКОПИИ*

Исследовано полупроводниковое терморегулирующее покрытие с возникшим дефектом в виде пятен на поверхности изделия. Исследование проводилось методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии.

Одним из основных факторов, определяющих надежность и долговечность работы космического аппарата, является стабильность его теплового режима, так как современная оптико-радиоэлектронная аппаратура космического аппарата работает в определенном температурном режиме. В систему терморегулирования аппаратов входят различные терморегули-рующие покрытия [1], которые устанавливают баланс между выделением тепла внутри космического аппарата, энергией, поглощаемой из космоса, и энергией, переизлучаемой в космическое пространство.

Разработка и производство терморегулирующего покрытия с заданными характеристиками представляет собой сложную технологическую задачу [2]. Поэтому важным моментом в технологическом процессе является своевременное отслеживание возникающих дефектов и изучение механизмов их формирования с целью исключения их возникновения в дальнейшем.

Исследуемое покрытие представляет собой многослойную структуру на основе гибкой органической подложки. Структура состоит из слоев германия и оксидного полупроводника. На лицевой стороне покрытия наблюдаются визуально различимые дефекты в виде светлых пятен, образовавшихся в процессе хранения.

С помощью рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии был исследован химический состав покрытия. Исследование осуществлялось в центре коллективного пользования Красноярского научного центра СО РАН на рентгеновском фотоэлектронном спектрометре SPECS. Измерения проводились в темной области пленки с лицевой стороны.

Определены элементный состав изучаемой структуры и распределение концентраций этих элементов по толщине образца. Показано, что найденные элементы в целом соответствуют профильной структуре пленки. Полученное относительно высокое содержание кислорода во внешних слоях может быть обусловлено окислительными процессами и гидроадсорбцией. По результатам исследования будут скорректированы структура покрытия и технологические режимы его изготовления, с целью повышения его стойкости к факторам хранения.

Библиографические ссылки

1. Хасс Г. Физика тонких пленок / под ред. Г. Хасса и Р. Э. Туна. Т. 2. М. : Мир, 1967.

2. Холлэнд Л. Нанесение тонких пленок в вакууме : пер с англ. М.-Л. : Госэнергоиздат, 1963.

*Работа выполнена при финансовой поддержке ФЦП «Научные и научно-педагогические кадры инновационной России» на 2009-2013 гг. (номер контракта П590).

i Надоели баннеры? Вы всегда можете отключить рекламу.