48Samarkand branch of Tashkent State Agrarian University Theoretical and practical foundations of introduci^g^mmt^griculture in Uzbekistan
O'zbekistonda aqlli qishloq xo'jaligini joriy etishningnazariyva amaliy asoslari
jy
MAYDONIY TRANZISTORNI ULASHNING IKKIQUTBLILIK REJIMIDA BAZA SOHASINING MODULYATSIYASI JARAYONINI BOSHQARISH
Bekzod Maxramovich Kamanov
Toshkent axborot texnologiyalari universiteti, Nurafshon filiali katta
o'qituvchi
Olmos Gafurovich Kodirov
Toshkent davlat agrar universiteti, Samarqand filiali assistenti
ANNOTATSIYA
Hozirgi kunda yarim o'tkazgich tuzilmalardan turlicha yangi qo'llanishlar uchun ajoyib imkoniyatlar yuzaga kelmoqda. Tranzistor tipidagi kuchaytirish qurilmalarini bunday jabhadan qarab chiqish ularning harorat, yorug'lik nurlanishi, bosimlarni qayd qilishi mumkinligini ko'rsatdi. Ushbu Maydoniy tranzistorni ulashning ikkiqutblilik rejimida baza sohasining modulyatsiyasi jarayonini boshqarish masalalari bo'yicha ma'lum ishlar ko'rib chiqiladi.
Kalit so'zlar: Stabilizatsiya, ikkiqutbli, zatvor-istok, kanal-qarshilik, qarshilik, maydoniy tranzistor, p-n- o'tish, maksimal tok.
АННОТАЦИЯ
В настоящее время полупроводниковые структуры имеют большие возможности для различных новых применений. Рассмотрение усилительных устройств транзисторного типа с такой точки зрения показало, что они могут регистрировать температуру, световое излучение и давление. Рассмотрены некоторые работы по управлению процессом модуляции базового поля в биполярном режиме подключения этого полевого транзистора.
Ключевые слова: Стабилизация, биполяр, сопротивление затвора, сопротивление канала, сопротивление, полевой транзистор, p-n-переход, максимальный ток.
KIRISH
Eksperimental namunalar stok harakteristikalarining tadqiqotlari ko'rsatdiki kanal qarshiligining o'zgarishi baza sohasi materialiga bog'liq holda turlicha sodir bo'ladi, kremniyli maydoniy tranzistorda kanalning omik qarshiligi zatvor
shuni
May 12-13
41
Samarkand branch of Tashkent State Agrarian University Theoretical and practical foundations of introducing smart agriculture in Uzbekistan
O'zbekistonda aqlli qishloq xo'jaligini joriy etishning nazariy va amaliy asoslari
kuchlanishiga bog'liq holda boshlang'ich qismda sezilarsiz o'zgaradi, galliy arsenidili maydoniy tranzistorda esa anchagina o'zgaradi. Ya'ni, galliy-arsenidili maydoniy tranzistorda kichik kuchlanishlarda kanal qalinligining kuchli modulyatsiyasi sodir bo'ladi.
Asosiy qism. Maksimal tokning maydoniy tranzistorda tok cheklagichi ishchi nuqtasiga bog'lanishini ko'rib chiqish misolida, baza sohasi modulyatsiyasi jarayonini boshqarishning taklif qilinayotgan usuli bilan olingan, uzatish harakteristikalari tadqiq qilindi . Tadqiq qilinayotgan maydoniy tranzistor kanal qalinligi bo'yicha tashuvchilar konsentratsiyasi-ning o'tish chegarasi yo'nalishida o'quvchi harakterdagi gradiyentga ega bo'ladi. Stokning maksimal toki 6.31 mA ga, otsechka ajratish kuchlanishi 2.4 V ga teng. Ikkiqutbli ko'rinishidagi tok cheklagichi istok chiqishining zatvor chiqishiga to'g'ridan-to'g'ri emas, zatvor-istok qarshiligining avtomatik siljish rejimini ta'minlaydigan qarshilik orqali ulanadi. Bunda istokka ulangan kanal-qarshilik zanjiri orqali o'tadigan tok bilan aniqlanadigan kuchlanishni hosil qiladi, ya'ni stok toki to'yinishi rejimida berilgan kuchlanish uchun chizilgan egri chiziq va mos ravishda bu kuchlanishni hosil qiladigan qarshilik egri chiziqlari mos keladi. Bunday tok stabilizatori stabilizatsiyalanadigan tok, to'yinish kuchlanishi, harakteristikaning stabilizatsiya uchastkasidagi egilishi va teshilish kuchlanishi bilan harakterlanadi. Agar maydoniy tranzistorda stok toki zatvorning kuchlanishi kattaligi bilan boshqarilsa, qarab chiqilayotgan ikkiqutblilikda kanal orqali o'tadigan tok qarshilik kattaligini tanlash bilan boshqariladi. Qarshilik kattaligining o'zgarishi stok tokining kamayishiga olib keladi. Stabilizatsiya tokining maksimal kattaligi maydoniy tranzistorning nolinchi siljishdagi maksimal tokiga teng. Darhaqiqat, o'lchash natijalariga ko'ra qarshilikning nolinchi qiymatlaridagi stabilizatsiya toki, maydoniy tranzistorning maksimal tokiga tengligi ko'rinadi (1-jadval).
1-jadval
Stabilizatsiya tokining zatvor-istok qarshiligining berilgan qiymatlariga bog'lanishi
RH, Om 0 100 200 400 700 1000 1500 2000 3000 4000
ICT, mA 6.31 4,4 3,45 2,45 1,7 1,27 0,966 0,8 0,53 0,44
Qarshilik kattaligi ortishi bilan stabilizatsiya toki kamayadi. Omga teng qarshilikda 0.8 V qoplovchi kuchlanish hosil qiladigan 3.45 mA ga teng bo'lgan tokni olamiz, yoki 400 Om qarshilik uchun 1.0 V qoplovchi kuchlanishga mos keladigan tokni olamiz.
May 12-13
Masalan, 200
42
Samarkand branch of Tashkent State Agrarian University Theoretical and practical foundations of introducing smart agriculture in Uzbekistan
O'zbekistonda aqlli qishloq xojaligini joriy etishning nazariy va amaliy asoslari
Bu yerda kuzatilayotgan, tokning qarshilik kattaligiga bog'lanishini, boshqaruvchi qarshilik maydoniy tranzistor kanali bilan birgalikda go'yo kuchlanishning kanalni qoplaydigan bo'lgichini hosil qilishi bilan tushuntirish mumkin.
Natijada kuchlanishda uning kattaligiga mutanosib bo'lgan kuchlanish tushadi, stok toki qarshilik kattaligi orqali boshqariladigan bo'lib qoladi. Stabilizatsiya toki va istok-zatvor qarshiligi o'rtasidagi o'zaro bog'lanish tok manbalari va cheklagichlarini ishlab chiqishda qiziqish uyg'otadi.
Shunday qilib, maydoniy tranzistorning stok harakteristikalarini tadqiq qilish asosida stabilizatsiya toki va istokni zatvor bilan ulaydigan qarshilik o'rtasidagi o'zaro bog'lanish aniqlandi.
Maydoniy tranzistorning ishlash prinsipi zatvorning p-n- o'tishi kambag'allashgan qatlamining elektr maydoni bilan modulyatsiyalash effektiga asoslangan. Ma'lumki, p-n- o'tish hosil bo'lishida elektronlar (kavaklar) chegaraviy barerdan qarama-qarshi sohalarga o'tadilar va kavaklar bilan rekombinatsiyalanadilar, bu qo'zg'almas hajmiy zaryadlarning hosil bo'lishini ta'minlaydi. n- tipdagi kontakt oldi sohasida musbat ionlar, p- sohada manfiy ionlar qoladi. Va ichki elektron maydon - diffuzion potensial UD shakllanadi. p-n-o'tishning qoplash rejimida uning elektr maydoni ichki elektr maydoni bilan mos keladi. Qo'yilgan kuchlanishga bog'liq holda, elektron va kavaklarning chegara oldi qatlamidan kontaktlar yo'nalishida uzoqlashishi hisobiga, potensial barer orta boshlaydi va ma'lum kuchlanishlarda hajmiy zaryad sohasi butun kanalni egallab oladi - otsechka ajralish sodir bo'ladi.
Odatda maydoniy tranzistorlar umumiy istokli sxemada tadqiq qilinadi va kanalning modulyatsiya jarayonlarini stok-istok kuchlanishiga nisbatan, zatvor-istok kuchlanishi qayd qilingan qiymatlarini orttirish yo'li bilan tahlil qilinadi. Kanaldagi asosiy tashuvchilarning taqsimoti bir jinsli deb qabul qilinadi. Bizning tadqiq qilinayotgan epitaksial o'stirilgan kanal asosidagi maydoniy tranzistor 25 mkm uzunlikdagi kanalga ega, ya'ni kanal uzun hisoblanadi. Galliy arsenididan qilingan maydoniy tranzistorning tadqiqi asosida aniqlanishicha ulanishning klassik rejimida-ya'ni umumiy istokli sxema bo'yicha tranzistorlar stok kuchlanishiga bog'liq ortib boradigan tokli stok (chiqish) harakteristikasiga ega bo'ladi, bu esa stok qismi hajmiy zaryadining kambag'allashgan qatlamning stok kontakti yo'nalishida kengayishi bilan bog'liqdir.
Ammo uni, istok va zatvor o'rtasiga qarshilikni ulash yo'li bilan, ikkiqutbliga o'zgartirishda stok toki to'yinuvchi harakterni
May 12-13
43
Samarkand branch of Tashkent State Agrarian University Theoretical and practical foundations of introducing smart agriculture in Uzbekistan
O'zbekistonda aqlli qishloq xojaligini joriy etishning nazariy va amaliy asoslari
oladi bu esa hajmiy zaryad sohasining bir vaqtning o'zida, ikki - ko'ndalang va bo'ylama yo'nalishda kengayishi bilan bog'liqdir. Agar klassik rejimda zatvor-istok o'tishi hajmiy zaryad sohasining kengligi zatvor-istok o'tishiga qo'yilgan kuchlanish hisobiga qayd qilinganicha qoladigan bo'lsa, istok va zatvor o'rtasiga qarshilik ulangan holatida, qarshilikning qiymatidan qatiy nazar, har bir gal uchun istokda noldan boshlanadigan kuchlanishga ega bo'lamiz. Bunda qo'yilayotgan kuchlanishga nisbatan kanal qarshiligi va tashqi rezistordan iborat kuchlanish bo'lgichi hosil bo'ladi. Qarshilikka tushayotgan kuchlanish zatvor-istok o'tishiga qo'yilgandek bo'ladi va uning kattaligi qanchalik katta bo'lsa, kuchlanish shunchalik katta bo'ladi. Mos ravishda qarshilikdan, kanaldan o'tayotgan tokka teng U3u=IcuRu tok o'tadi. Omik uchastkada qarshilikdagi kuchlanish ortib boradi va to'yinish uchastkasiga yetishish bilan qarshilikdagi kuchlanish o'zgarmaydigan qiymatni qabul qiladi. Kremni asosidagi maydoniy tranzistor tadqiqotlari ko'rsatiishcha, bu qonuniyatlar ularda ham takrorlanadi. Jumladan, umumiy istokli sxemadagi va istokda qarshilikli sxemadagi harakteristikalar mos tushadi. Ya'ni to'yinish mexanizmi va kanal modulyatsiyasi jarayonlari materialdan (Si, Ga As) qat'iy nazar, haqqoniy bo'ladi.
Maydoniy tranzistorning model kabi tuzilishi asosiy tashuvchilarning kanal qalinligi bo'yicha taqsimoti harakteri va uning chiqish harakteristikalari bilan o'zaro bog'liqligi haqidagi ma'lumotlarni olishga imkon beradi. Stabilizatsiyaning optimal rejimini ikkiqutbli kabi aniqlash nuqtai nazaridan, dinamik qarshilikning zatvor kuchlanishiga bog'liqligining tadqiqotlari bir jinsli Si tranzistorlarda dinamik qarshilikning yuqori qiymatlari kichik qoplovchi kuchlanishlarda, galliy arsenidili maydoniy tranzistorlarda esa katta qoplovchi kuchlanishlarda olinishini ko'rsatadi. Kremniyli maydoniy tranzistorlarda yuqori dinamik qarshilikli nuqtaga tortilish hajmiy zaryad sohasining stok yo'nalishida kengayishi bilan bog'liqdir. To'yinish kuchlanishi va teshilisholdi kuchlanishi intervalidagi uchastkada maydoniy tranzistordan tok stabilizatori sifatida foydalanish mumkin. Bu uchastkada toklarning minimum va maksimumlari farqi AIcm dan iborat bo'ladi.
Katta stok tokiga (6 mA) ega maydoniy tranzistorlarda, undan istok va zatvor o'rtasida qarshilik bo'lgan ikkiqutbli sifatida tadqiq qilinganida, maydoniy tranzistor asosida boshqariladigan stabilizatsiya tokili tok stabilizatorlarini yaratishga imkon beradigan, kanal boshlang'ich omik qarshiligining ko'payish effekti aniqlanadi.
Xulosa
Stabilizatsiya tokining maydoniy qarshiligiga bog'lanishining tadqiqoti
tranzistor istoki tok cheklagichi-
May 12-13
44
Samarkand branch of Tashkent State Agrarian University Theoretical and practical foundations of introducing smart agriculture in Uzbekistan
O'zbekistonda aqlli qishloq xojaligini joriy etishning nazariy va amaliy asoslari
г
ikkiqutblilik rejimida o'tkazildi. Tokning qoplovchi kuchlanishga kvadratik bog'lanishi taxminida eksperimental egri chiziqlar hisoblangan egri chiziqlar bilan yaxshigina mos keladi. Stabilizatsiya toki va istok-zatvor qarshiligi o'rtasidagi aniqlangan o'zaro bog'liqlik maanbalar va tok cheklagichlarini ishlab chiqishda qiziqish uyg'otadi.
REFERENCES
1. Патент РУз №IAP 05322 от 14.12.2016. Усилитель напряжения с динамической нагрузкой / Каримов А.В., Ёдгорова Д.М., Абдулхаев О.А., Каманов Б.М.
2. М. Ахмедов, Каманов Б.М. Ярим утказгичлар физикаси номли укув кулланма. Узбекистан Республикаси Олий ва урта махсус таълим вазирлигининг 2021 йил 25 декабрдаги № 538 сонли буйругига асосан 60720600-Материалшунослик ва янги материаллар технологияси (ярим утказгичлар ва лазер технологияси) талабалари учун тавсия этилган. "ТЩХММИ"МТУ нашриети 2022 йил.
3. Oblomurodov, E., & Xamroyev, Y. (2023). HOZIRGI ZAMONAVIY IQTISODIYOTDA RAQAMLI TEXNOLOGIYALARIDAN FOYDALANISH ORQALI BOSHQARUV JARAYONINI RAQAMLASHTIRISH. Theoretical aspects in the formation of pedagogical sciences, 2(4), 172-175.
4. Maxramovich, K. B., & Gafurovich, K. O. (2022). IKKIQUTBLILIK REJIMIDA TRANZISTOR TUZILMALARNING XOSSALARINI TADQIQ QILISHNING HOZIRGI ZAMON HOLATI. International Journal of Contemporary Scientific and Technical Research, 323-327.
5. Каманов, Б. М., & Кодиров, О. Г. (2022). ТРАНЗИСТОР ТУЗИЛМАЛАРНИНГ ПАРАМЕТРЛАРИНИ ЯХШИЛАШНИНГ КОНСТРУКТИВ ВА СХЕМОТЕХНИКАВИЙ УСУЛЛАРИ. Academic research in educational sciences, (Conference), 521-524.
6. Каманов, Б., & Кодиров, О. (2023). Р^-УТИШЛИ МАЙДОНИЙ ТРАНЗИСТОРЛАР ТИПИДАГИ ТАД^Щ ^ИЛИНАЁТГАН НАМУНАЛАРНИНГ КОНФИГУРАЦИЯСИНИ ТАНЛАШНИНГ АСОСЛАНИШИ. Theoretical aspects in the formation of pedagogical sciences, 2(4), 176-179.
May 12-13
