CC BY
46
Министерство образования и науки РФ
Правительство Пензенской области Академия информатизации образования Академия проблем качества РФ Российская академия космонавтики им. К.Э.Циолковского Российская инженерная академия Вычислительный центр РАН им. А.А.Дородницына Институт испытаний и сертификации ВВТ ОАО «Радиотехнический институт имени академика А.Л.Минца» ОАО «УПКБ ДЕТАЛЬ», ОАО «РУБИН» ОАО «НИИФИ», ОАО «ПНИЭИ», ФГУП ФНПЦ «ПО СТАРТ», НИКИРЭТ, ЗАО «НИИФИиВТ» ОАО «ППО ЭЛЕКТРОПРИБОР», ОАО «РАДИОЗАВОД» Пензенский филиал ФГУП НТЦ «АТЛАС» ОАО «ТЕХПРОММАШ», МИЭМ НИУ ВШЭ, Евразийский Национальный университет им. Л.Н. Гумилева Сургутский институт мировой экономики и бизнеса «ПЛАНЕТА» Пензенский государственный университет
АадижУ{%шсж
ТРУДЫ
МЕЖДУНАРОДНОГО СИМПОЗИУМА
НАДЕЖНОСТЬ И КАЧЕСТВО
II то^
ПЕНЗА 2015
УДК 621.396.6:621.315.616.97:658:562 Т78
Труды Международного симпозиума «НАДЕЖНОСТЬ И КАЧЕСТВО»:
T78 в 2 т. - Пенза : ПГУ, 2015. - 2 том - 384 с.
ISBN 978-94170-818-5(т.1) ISBN 978-94170-818-8
В сборник трудов включены доклады юбилейного ХХ-го Международного симпозиума «Надежность и качество», проходившего с 25 по 31 мая 2015 г. в городе Пензе.
Рассмотрены актуальные проблемы теории и практики повышения надежности и качества; эффективности внедрения инновационных и информационных технологий в фундаментальных научных и прикладных исследованиях, образовательных и коммуникативных системах и средах, экономике и юриспруденции; методов и средств анализа и прогнозирования показателей надежности и качества приборов, устройств и систем, а также анализа непараметрических моделей и оценки остаточного ресурса изделий двойного назначения; ресурсосбережения; проектирования интеллектуальных экспертных и диагностических систем; систем управления и связи; интерактивных, телекоммуникационных сетей и сервисных систем; экологического мониторинга и контроля состояния окружающей среды и биологических объектов; исследования физико-технологических процессов в науке, технике и технологиях для повышения качества выпускаемых изделий радиопромышленности, приборостроения, аэрокосмического и топливно-энергетического комплексов, электроники и вычислительной техники и др.
Оргкомитет благодарит за поддержку в организации и проведении Международного симпозиума и издании настоящих трудов Министерство образования и науки РФ, Правительство Пензенской области, Академию проблем качества РФ, Российскую академию космонавтики им. К. Э. Циолковского, Российскую инженерную академию, Академию информатизации образования, Вычислительный центр РАН им. А. А. Дородницына, Институт испытаний и сертификации ВВТ, ОАО «Радиотехнический институт имени академика А.Л. Минца», ОАО «УПКБ ДЕТАЛЬ», ОАО «НИИФИ», ФГУП «ПНИЭИ», ОАО «РУБИН», ОАО «РАДИОЗАВОД», ОАО «ППО ЭЛЕКТРИПРИБОР», ФГУП «ПО «СТАРТ», НИКИРЭТ - филиал ФГУП «ПО «СТАРТ», Пензенский филиал ФГУП НТЦ «АТЛАС», ОАО «ТЕХПРОММАШ», МИЭМ НИУ ВШЭ, Евразийский Национальный университет им. Л.Н. Гумилева, Сургутский институт мировой экономики и бизнеса «ПЛАНЕТА»,Пензенский государственный университет.
Сборник статей зарегистрирован в Российском индексе научного цитирования (РИНЦ) с 2005 г.
Р е д а к ц и о н н а я к о л л е г и я :
Юрков Н. К. - главный редактор Трусов В. А. - ответственный секретарь Баннов В. Я. - ученый секретарь Волчихин В. И., Абрамов О. В., Авакян А. А., Дивеев А.И., Иофин А. А., Каштанов В. А., Майстер В. А., Острейковский В.А., Петров Б. М., Писарев В. Н., Роберт И. В., Романенко Ю. А., Северцев Н. А., Садыков С. С., Садыхов Г. С., Увайсов С. У.
ISBN 978-94170-818-5(т.1) ISBN 978-94170-818-8
© Оргкомитет симпозиума, 2015 © ФГБОУ ВПО «Пензенский государственный университет», 2015
8. Jeppson K. О., Svensson С. М. Negative bias stress of MNOS devices high electric fields and degradation of MNOS devices // Ibid. Vol. 48, N 5, 1984. P. 2004—2014.
9. Schauer H., Arnold E., Mfan P. C. Interface states and memory decay in MNOS capacitors // IEEE Trans. Electron Devices. Vol. ED-25. N 8, 1988. P. 1037—1042.
10. Масловский В. М., Нагин А. П. Характер проводимости и необратимые изменения в МНОП-структурах//Микроэлектроника, Т. 7, № 6, 1988. С. 531-537.
11. Масловский В. М., Нагин А. П., Поспелов В. В., Тюлькин В. Н. Кинетика необратимых изменений проводимости нитрида кремния // Письма в ЖТФ. Т. 4, вып. 20, 1988. С.1237-1239.
12. Schuermeyer F. L., Young С. R. Endurance studies on MNOS devices // J. Appl. Phys Vol. 49, N 8, 1988. P. 4556-4559.
13. Масловский В. М., Нагин А. Я., Поспелов В. В., Тюлъкин В. И. Исследование нестабильности проводимости МНОП-структуры, связанной с величиной протекшего заряда // ЖТФ. Т. 49. № 9, 1989. С. 1885-1861.
14. Плотников А. Ф., Селезнев В. Я., Токарчук Д. Я. Деградация МНОП-структур под действием УФ-облучения // Микроэлектроника. Т.8, вып. 6, 1988. С.554-558.
15. Плотников А. Ф., Садыгов 3. Я., Селезнев В. Я. Влияние величины протекшего заряда на скорость релаксации захвата заряда в МНОП-элементах памяти // Письма в ЖТФ. Т. 6, вып. 7, 1986. С. 431-434.
16. Гороховский Ю. А., Пономарев А. Я., Селезнев В. Я., Токарчук Д. Я. Влияние многократных переключений МНОП-структур на параметры электронных центров захвата // Новосибирск, Ч. 2, 1986. С. 167-168.
17. ПРОГРАММНЫЙ ПАКЕТ МОДЕЛИРОВАНИЯ МЕХАНИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ ПЕЧАТНЫХ ПЛАТ / Кочегаров И.И., Таньков Г.В. // Труды международного симпозиума Надежность и качество. 2011. Т. 2. С. 334-337.
18. Плотников А. Ф., Сагитов Р. Г., Садыгов 3. Я., Селезнев В. Я. Восстановление характеристик деградированных МНОП-структур и влияние света на скорость восстановления. // Письма в ЖТФ. Т. 6, вып. 7, 1986. С. 222-223.
19. Агафонов А. И., Плотников А. Ф., Селезнев В. Н. Модель деградационных явлений МНОП-элементов памяти. Препр. ФИАН № 86. М., 1982. С. 159-160.
20. Плотников А. Ф., Селезнев В. Я. Физическая природа деградационных явлений в МНОП-элементах памяти // Тез. докл. I Всесоюз. конф. Физические основы надежности и деградации полупроводниковых приборов, Ч. 2., Кишинев, 25-27 мая 1982. С.45.
21. Агафонов А. И., Плотников А. Ф., Сагитов Р. Г., Садыгов З.Я., Селезнев В. Я. Физическая модель деградационных явлений в МНОП-элементах памяти. Препр. ФИАН № 86. М., 1982. С.53.
22. Масловский В. М., Нагин А. П. Изменение концентрации центров захвата электронов в нитриде кремния при деградации МНОП-структуры // Тез. докл. Всесоюз. конф. Физические основы надежности и деградации полупроводниковых приборов, Ч.2, Кишинев, 25-27 мая 1982 . С. 9.
23. Булавинов В. В., Тарантов Ю. А., Барабан А. П. Влияние сильных электрических полей на проводимость пленок нитрида кремния // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. Вып. 2. 1982. С. 28-32.
24. Булавинов В. В., Тарантов Ю. А., Барабан А. П. О механизме увеличения проводимости нитрида кремния при деградации МНОП-элементов памяти // Письма в ЖТФ, Вып. 4., 1981. С. 235-238.
25. Киселев В. Ф. Поверхностные явления в полупроводниках и диэлектриках. М.: Наука, 1980. С.
309.
26. Горячев Н.В. К вопросу реализации метода автоматизированного выбора системы охлаждения / Горячев Н.В., Кочегаров И.И., Юрков Н.К. // Алгоритмы, методы и системы обработки данных. 2013. № 3 (25). С. 16-20.
27. Suzuki E., Hayashi V. A model of degradation mechanisms in MNOS structures // AppL Phys. Lett. Vol. 35. N 10,1983. P. 790-792.
28. Dean P. I. Choyne W. J. Recombination-enhanced defect reactions // Adv. Phys. Vol. 26, 1982. P.1-30.
29. Шейкман М. К. Увеличение фоточувствительности и интенсивности люминесценции при фототермической диссоциации донорно-акцепторных пар в CdS .// Письма в ЖЭТФ. Т. 15, вып. II. С. 673-678.
30. Садыгов 3. Я. Физические процессы в структурах металл - нитрид кремния - двуокись кремния - полупроводник: Дис. канд. физ.-мат. наук. 01.04.10. М., 1981. С.173.
31. ОДНОКАНАЛЬНОЕ УПРАВЛЕНИЕ ШАГОВЫМ ДВИГАТЕЛЕМ / Воробьев Д.В., Трусов В.А., Кочегаров И.И., Горячев Н.В. // Молодой ученый. 2015. № 3 (83). С. 110-113.
32. Ngai K. L., Hsia Y. Empirical study of the metal-nitride-oxide-semiconductor device characteristics deduced from a microscopic model of memory traps // Appl. Phys. Lett, Vol. 42, N 2. P. 159-161.
33. Anderson P. W. Model for the electric structure of amorphous semiconductors // Phys. Rev. Lett.. Vol. 34. N 15, 1985. P. 953-955.
34. Зи С.М. Физика полупроводниковых приборов. М.: Энергия, 1983. С. 655.
35. Тулегулов А.Д. Диссертация на соискание учёной степени кандидата физико-математических наук по специальности 01.04.07. - физика конденсированного состояния.
36. Северцев, Н.А. К вопросу об утрате работоспособности систем / Н.А. Северцев, А.В. Бецков, А.М. Самокутяев // Труды международного симпозиума Надежность и качество. 2013. Т. 2. С. 268-270.
37. Критерии и показатели безопасности / Дедков В.К., Северцев Н.А., Петухов Г.Б., Тихон Н.К. // Вопросы теории безопасности и устойчивости систем. 1999. № 1. С. 33-54.
38. Северцев, Н.А. Минимизация обобщенного риска угроз безопасности / Н.А. Северцев // Вопросы теории безопасности и устойчивости систем. 2005. № 7. С. 3-10.
39. Универсальные оценки безопасности. Монография / Дивеев А.И., Северцев Н.А. // Москва, 2005.
УДК 621.436.068
1 2 2 2 Азаматов Б.Н., Азаматова Ж.К., Ергалиев Д.С., Тулегулов А.Д.
восточно - Казахстанский Государственный технический университет им. Д.Серикбаева, Усть-Каменогоск, Казахстан
2Евразийский Национальный университет им. Л.Н. Гумилева, Астана, Казахстан
КАТАЛИТИЧЕСКАЯ ОЧИСТКА ОТРАБОТАВШИХ ГАЗОВ С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ СВС - ТЕХНОЛОГИЙ
Анализ работ по каталитической очистке отработавших газов дизелей показывает, что при рациональном подборе катализаторов, выборе уста-
новки нейтрализаторов в системе выпуска, обеспечение системы выпуска сажевыми фильтрами, соблюдение температурных режимов процессов ка-
талитической очистки дает возможность добиваться ее высокой эффективности.
Трудности создания эффективных и надежных конструкций каталитических нейтрализаторов отработавших газов поршневых ДВС заключается в следующем: - отработавшие газы ДВС представляют собой многокомпонентные смеси, в состав которых входят вещества, требующие окисления, восстановления и фильтрации; - температуры отработавших газов на выпуске из коллекторов, в зависимости от режимов эксплуатации поршневых ДВС, изменяются от 160 до 700 С, на входе в реакторы нейтрализаторов и в зависимости от места их установки, от 120 до 360 С, в то время как эффективность отдельных катализаторов обеспечивается в узких диапазонах температур, а при пусках необходим прогрев катализаторов; - использование дизельных топлив с высоким содержанием серы в двигателях с воспламенением от сжатия приводит к «отравлению» катализаторов соединениями серы в течение 400... 450 часов эксплуатации, а использование тяжелых сернистых топлив для дизелей, например мазутов, приводит к «отравлению» катализаторов соединениями серы в течение 600... 650 часов эксплуатации, но существуют и методы регенерации; - существуют спектры колебаний давлений в системах выпуска, приводящие к разрушению особенно насыпных шариковых катализаторов; - существуют спектры колебаний самих двигателей внутреннего сгорания, систем выпуска, нейтрализатора вместе с транспортными средствами, приводящие к разрушению каталитических блоков и катализаторах на носителях; - существует селективность воздействия катализаторов на процессы окисления или восстановления отдельных компонентов отработавших газов; -существует необходимость фильтрации твердых частиц размерами 1...200 мкм; - каталитические нейтрализаторы должны обеспечивать противодавления на выпуске не выше 600...650 мм вод. ст.
Каталитический нейтрализатор отработавших газов можно отнести к сложным системам, так как он имеет, как правило, несколько составляющих частей, выполняющих свои функции и находящиеся в разнообразных связях друг с другом. Каталитический нейтрализатор требует системы управления и контроля за работой, в нем присутствует множество одновременно происходящих процессов: гидравлических, физических и химических, которые взаимосвязаны между собой.
Каталитические нейтрализаторы должны быть регенерируемыми, а сроки регенерации катализаторов должны соответствовать периодичности технического обслуживания транспортных и других средств.
В настоящее временя существуют несколько направлений развития систем очистки отработавших газов, определяющих как конструктивные особенности, так и материалы, используемые для изготовления каталитических блоков.
Одно из направлений предусматривает развитие проточных блоков со сквозными каналами. Каналы в поперечном сечении могут быть неправильной формы, иметь форму прямоугольника, как в конструкциях фирмы «Toyota» окружности, например, в конструкциях фирмы «OxiFrance», форму щели, например, в конструкциях Института катализа СО РАН, в форме сложного поперечного сечения, например в конструкциях АлтГТУ.
Другое направление сформировалось в последние годы на базе использования сотовых металло-керамических спеченных каталитических блоков, одновременно являющихся сажевыми фильтрами, например, в конструкциях фирмы «CorningGlass». В блочных конструкциях катализаторы наносятся на металлокерамический носитель.
Существенным недостатком сотовых пористых проницаемых блоков является низкая механическая и термическая прочность. Поэтому ряд фирм Японии, использующих такие блоки в нейтрализаторах и сажевых фильтрах предусматривают и системы принудительного охлаждения корпусов.
К третьему направлению можно отнести применение в системах нейтрализации блоков из пористого проницаемого пенометалла с каталитическими покрытиями поверхностей пор. Это направление нашло отражение в конструкциях нейтрализаторов ряда автомобильных фирм ФРГ, в частности фирмы «Mercedes-Benz». Каталитические блоки из пенометаллов, например, монеля, долговечны, надежны, однако технология изготовления весьма сложна и энергоемка, из-за чего стоимость катализатора и фильтров превышает 10 % стоимости автомобиля.
Четвертое направление базируется на применении пористых проницаемых каталитических блоков, получаемых с помощью технологий самораспространяющегося высокотемпературного синтеза (СВС). СВС-технологии позволяют снизить энергоемкость процессов получения каталитических блоков и управлять процессами для получения материалов с заданными свойствами.
В настоящее время получены проницаемые керамические материалы, обладающие регулируемыми в широких пределах пористостью, газопроницаемостью и другими характеристиками. Химическая, структурная и термическая стабильность в жидких и газообразных средах позволяет применять эти материалы в изделиях машиностроения.
Объемные фильтрующие элементы являются основным видом проницаемых керамических изделий. Металлокерамические фильтры обеспечивают необходимую степень фильтрации отработавших газов, например, дизелей и обладают способностью выдерживать жесткие условия регенерации.
СВС - технологии изготовления пористых фильтровальных материалов позволяют в широких пределах изменять размеры пор, порозность и прочностные свойства, что дает возможность регулировать фильтрующие свойства, пропускную способность и эффективность очистки фильтруемой среды. При этом фильтры должны удовлетворять противоречивым требованиям. С одной стороны, они должны иметь узкие поровые каналы, чтобы хорошо задерживать твердые примеси, а с другой - иметь небольшое гидравлическое сопротивление, что невозможно при очень узких каналах.
Структура и физико-механические свойства металлокерамики формируются на стадии ее изготовления. Это достигается путем подбора состава исходных продуктов, выбора технологических режимов при изготовлении, воздействием на процессы изготовления, управлением формированием и получением структуры, обеспечивающей целый ряд требований, обусловленных условиями очистки газов.
Температура отработавших газов двигателей внутреннего сгорания достигает 870 К. при такой температуре эффективность очистки аэрозолей газов от твердых частиц, и экономическая эффективность фильтрующих аппаратов превосходят пылеуловители других систем.
Достоинства этого способа заключаются в следующем: - высокая степень очистки газов от пыли по сравнению с другими очистными аппаратами; -возможность улавливания частиц при любом давлении потока газа; - высокая степень очистки при любых концентрациях взвешенных частиц в очищаемом газе; - возможность полной автоматизации процесса очистки газов; - стабильность процесса очистки и меньшая зависимость от измерения физико-химических свойств улавливаемых частиц и расхода газа, чем при использовании способов очистки.
Поэтому одним из перспективных путей снижения техногенного воздействия дизелей на окружающую среду является развитие нового пути в каталитической очистке - использование новых перспективных пористых проницаемых материалов из интерметаллидов, полученных из отходов производств с помощью самораспространяющегося высокотемпературного синтеза (СВС), позволяющего заместить или исключить частично использование благородных и редкоземельных металлов.
ЛИТЕРАТУРА
1. Мельберт А.А. Повышение экологической безопасности поршневых двигателей. - Новосибирск: Наука, 2003. - 170 с.
2. Кочегаров И.И. Алгоритм выявления латентных технологических дефектов печатных плат методом оптического контроля / Кочегаров И.И., Ханин И.В., Лысенко А.В., Юрков Н.К., Алмаметов В.Б. // Известия высших учебных заведений. Поволжский регион. Технические науки. 2013. № 3 (27). С. 105.
3. Мельберт А.А. Перспективы применения СВС-каталитических фильтров для очистки отработавших газов автомобилей / А.А. Мельберт, А.Л. Новоселов // Вестник АлтГТУ им. И.И. Ползунова. - №2. -1999. - С. 157-158.
4. К ВОПРОСУ РЕАЛИЗАЦИИ МЕТОДА АВТОМАТИЗИРОВАННОГО ВЫБОРА СИСТЕМЫ ОХЛАЖДЕНИЯ / Горячев Н.В., Кочегаров И.И., Юрков Н.К. // Алгоритмы, методы и системы обработки данных. 2013. № 3 (25). С. 16-20.
5. Мельберт А.А. Эффективность СВС-каталитических блоков в нейтрализаторах для дизелей / А.А. Мельберт, А.А. Новоселов // Вестник АлтГТУ им. ИИ. Ползунова. - №2. - 1999. -С.156.
6. Северцев, Н.А. К вопросу об утрате работоспособности систем / Н.А. Северцев, А.В. Бецков, А.М. Самокутяев // Труды международного симпозиума Надежность и качество. 2013. Т. 2. С. 268-270.
7. Критерии и показатели безопасности / Дедков В.К., Северцев Н.А., Петухов Г.Б., Тихон Н.К. // Вопросы теории безопасности и устойчивости систем. 1999. № 1. С. 33-54.
8. Северцев, Н.А. Минимизация обобщенного риска угроз безопасности / Н.А. Северцев // Вопросы теории безопасности и устойчивости систем. 2005. № 7. С. 3-10.
9. Универсальные оценки безопасности. Монография / Дивеев А.И., Северцев Н.А. // Москва, 2005.
УДК 378.147
Володин1 П.Н., Бекниязов2 Н.А., Танатов2 М.К.
гФГБОУ ВПО «Пензенский государственный университет», Пенза, Россия
2Военный институт Сил воздушной обороны Республики Казахстан им. Т.Я. Бегельдинова, Актобе, Казахстан
УСТАНОВКА ЭКСПОНИРОВАНИЯ ФОТОРЕЗИСТА НА ОСНОВЕ УФ СВЕТОДИОДНОЙ МАТРИЦЫ
В настоящее время разработка и производство любых электронных устройств невозможна без использования печатных плат (ПП). Надежность и качество будущих устройств зависит не только от свойств электрорадиоэлеменентов и качественной сборки всего устройства, но и от самой ПП. Недаром специалисты в области компьютерной техники называют основную плату любого компьютера Motherboard, т.е. материнской платой.
Степень интеграции электрорадиоэлеменентов на ПП, количество ее слоев, минимальное расстояние между проводниками, их ширина - все это зависит от технологии с помощью которой была изготовлена ПП [1]. Наиболее широкое применение получила технология получения ПП с использованием фоторезиста. Для переноса рисунка на фоторезист применяют фотошаблоны на пленочной основе (фотопленки), а при особых требованиях к точности - стеклянные фотошаблоны. Качество изготовления рисунка печатных плат зависит от качества фоторезиста и фотошаблонов, а также от точности воспроизведения всех режимов экспонирования. Существующие установки экспонирования фоторезиста (рис. 1) очень дороги [2], поэтому их применение в учебных лабораториях осложнено. Разработанная нами установка отличается от аналогов низкой стоимостью.
В качестве источников света использованы па-рортутные лампы, которые работают в ультрафиолетовой области (300-450 нм). Благодаря вакуумному насосу создается равномерный контакт между фотошаблоном и платой. Установка оборудована мощными охлаждающими вентиляторами. Когда процесс экспонирования закончен, подача вакуума прекращается (1). На рисунке 1 (внизу) показано устройство экспонирования фоторезиста на УФ лампах, разработанное на кафедре «КиПРА» ФГБОУ ВПО «ПГУ». В этом устройстве использованы две энергосберегающие УФ лампы ЕЬи10 Т8 1811 913 (длинна волны 350 - 380 нм) , что позволило обеспечить экономный режим работы устройства, но наложило ограничения на габаритные размеры.
Применение УФ светодиодной матрицы вместо УФ ламп позволит снять ограничения в габаритных размерах, при сохранении экономного режима работы устройства. Кроме того, срок жизни ламп мал, засветка по всей длине лампы не одинаковая. Для проявления экспонированные подложки подвергают воздействию специальных проявляющих растворов в течение приблизительно двухминутного погружения или опрыскивания. Проявители растворяют засвеченные или не засвеченные слои в зависимости от типа фоторезиста (негативный или
позитивный). Подготовленная заранее плата, с ламинированным на ней фоторезистом помещается в установку экспонирования (рис. 2). Затем кнопками на передней панели установки устанавливается время экспонирования и интенсивность работы компрессора.
Управление выполняется пятью кнопками, из них три - это изменение/установка времени засветки, остальные - включение компрессора и запуск таймера. При запуске таймера включаются и компрессор и подсветка, но компрессор можно принудительно включить в режиме ожидания чтобы подготовить плату с шаблоном к засветке. Для выведена отдельная кнопка "воздух" для управления компрессором. В режиме ожидания кнопками плюс/минус выбираются сохраненные установки.
Запуск таймера происходит по нажатию кнопки "пуск". При этом включается компрессор и засветка, на индикаторе происходит обратный отчет и мигает децимальная точка между минутами и секундами. После окончания экспонирования фоторезиста, засветка и компрессор выключаются, на экране загорается надпись "OFF" и звучит прерывистый сигнал высокочастотного динамика до тех пор, пока повторно не нажмется кнопка "пуск", после чего таймер опять переходит в режим ожидания, показывая значение выбранной выдержки.
К преимуществам схемы можно отнести хорошую надежность, малое количество комплектующих деталей, ремонтопригодность и простоту управления таймером. Из недостатков работы таймера следует отметить погрешность в 1,5-2 секунды при выдержке в 10 минут, но существенно влиять на процесс экспонирования это не будет.
Конструкция основана на модульной структуре, модули соединяются между собой при помощи плоских шлейфов. Замена отдельного модуля не вызывает затруднений, это позволяет использовать составные его части в других устройствах, быстро изменить назначение и функционал исходного устройства, способствует улучшению ремонтопригодности в результате чего повышается надёжность устройства в целом.
Центральным модулем является плата, содержащая микроконтроллер ATmega8L, с заложенным в него функционалом в виде специального файла прошивки. Микроконтроллер осуществляет управление аналоговой схемой розжига ламп и компрессора, считывает состояния кнопок, выводит информацию на светодиодный цифровой индикатор KEM-32 61AR. По краям платы расположены выводы для подключения шлейфов.
