CC BY
150
УДК 621.382
DOI 10.25513/1812-3996.2018.23(4).78-86
К ВОПРОСУ ОБ ОПРЕДЕЛЕНИИ УДЕЛЬНОГО КОНТАКТНОГО СОПРОТИВЛЕНИЯ
TLM-МЕТОДОМ с прямоугольными контактами к полупроводникам
Р. Б. Бурлаков
Омский государственный университет им. Ф. М. Достоевского, г. Омск, Россия
Информация о статье Аннотация. Рассмотрен математический анализ для определения удельного контакт-
Дата поступления ного сопротивления TLM-методом с прямоугольными контактами к полупроводникам.
11.10.2018
Дата принятия в печать 17.10.2018
Дата онлайн-размещения 14.12.2018
Ключевые слова
Удельное контактное сопротивление, TLM-метод
ON DETERMINATION OF CONTACT RESISTIVITY BY TLM METHOD WITH RECTANGULAR CONTACTS TO SEMICONDUCTORS
R.B. Burlakov
Dostoevsky Omsk State University, Omsk, Russia
Article info Abstract. Mathematical analysis for determination of contact resistivity by TLM-method
Received with rectangular contacts to semiconductors are с onsidered.
11.10.2018
Accepted 17.10.2018
Available online 14.12.2018
Keywords
Contact resistivity, TLM-method
1.Введение
Неотъемлемой частью любого полупроводникового прибора является омический контакт - неин-жектирующий и невыпрямляющий контакт металл-полупроводник. Одним из основных требований, предъявляемых к качественным омическим контактам, является низкое удельное контактное сопротивление рк [Ом-см2], что особенно важно при создании мощных полупроводниковых приборов [1]. В работе [1] (список литературы - 340 ссылок) приведен обширный обзор литературных данных по свойствам омических контактов металл-полупроводник и механизмам протекания тока в них, а также по результатам сравнения экспериментальных данных
для омических контактов к полупроводникам типа Д"ВУ| (гпБв, гпй), Д|ИВУ (Са1Ч, Д!1Ч, !п1Ч, СэДб, Сэр, 1пР), Д|У (БЮ, алмаз) и твердым растворам этих полупроводников с теоретическими зависимостями сопротивления омического контакта от температуры и концентрации носителей тока в полупроводнике.
Уменьшение сопротивления контакта связано непосредственно с проблемой его измерения, так как сопротивление омического контакта часто составляет малую часть общего сопротивления структуры. Для ее решения существует ряд известных методов и модификаций измерения удельного контактного сопротивления, описанных, например, в обзорных работах [2; 3]. Обычно для определения
величины рк зондовыми методами проводятся измерения полного сопротивления R между пла-нарно расположенными контактами, которое зависит как от сопротивления контакта R, так и от сопротивления полупроводника, а также от типа подключения токовых и потенциальных зондов к контактам тестового образца.
Один из самых распространенных методов измерения контактного сопротивления, учитывающий токи растекания под контактом по объему полупроводника, - метод линии передачи (Transmission Line Method - TLM) [4-27]. Преимуществом этого метода является возможность измерения удельного контактного сопротивления на тонких слоях полупроводника: тонких полупроводниковых пленках и диффузионных слоях, вследствие чего он имеет широкое распространение. Существуют линейная (Linear Transmission Line Method - LTLM) [4-16] и радиальная (Circular Transmission Line Method - CTLM) [1723] модификации этого метода, которые позволяют использовать контактные площадки разной геометрии: LTLM - линейная геометрия, CTLM - радиальная геометрия, а также Refined TLM модификация этого метода [24-27].
Один из первых вариантов TLM с линейной геометрией контактов к полупроводнику был предложен в работе [4]. В этом варианте TLM измерение р выполнялось на контакте алюминия с тонким диффузионным слоем кремния. При этом через контакт Al-Si пропускали ток и с помощью зонда измеряли распределение потенциала (относительно контакта) на поверхности тонкого слоя кремния вне контакта. Построив график зависимости потенциала от координаты зонда, экстраполировали график до точки его пересечения с осью координат зонда. Расстояние от этой точки пересечения до края контакта определяло величину ¿гэ, названную в работе [4] длиной переноса (transfer length). В этой работе удельное контактное сопротивление вычисляли по формуле: ¡2, =рк/рп , где рп - поверхностное сопротивление слоя полупроводника, определяемое как отношение удельного сопротивления р [Ом-см] полупроводника к толщине h его слоя (рп=р/Ь) и измеряемое четырехзондовым методом.
Следует отметить, что формула ¡2, =р*/рп была записана в работе [4] без вывода. Более детальная схема этого варианта TLM, а также ссылка на работу [4] были представлены в работе [5]. Схема ва-
рианта ^М, использованная в работе [5], была применена также в работе [7], где выполнен теоретический анализ влияния длины узких потенциальных контактов на длину переноса ¿гэ, определяемую экспериментально. Однако этот анализ был выполнен в работе [7] без учета влияния длины широкого токового контакта на величину ¿гэ.
В настоящей работе выполнен анализ влияния длины как широкого токового контакта, так и узких потенциальных контактов тестового образца на ожидаемую в эксперименте длину переноса ¿гэ для варианта ^М с прямоугольными контактами.
2. Соотношения для токового и потенциального контактов
В данной работе при выполнении теоретического анализа использованы такие же, как в работах [5; 7], структура тестового образца и электрическая схема для измерения удельного контактного сопротивления ^М-методом с различной длиной токового W и потенциального А прямоугольных контактов к полупроводнику, которые отделены друг от друга одинаковыми интервалами с длиной В и имеют ширину Z (рис. 1). Источник тока подключен к крайним широким токовым контактам и обеспечивает протекание известного тока /0 вдоль тестового образца. Один из двух зондов (соединенных с высо-коимпедансным вольтметром) подключен к одному из широких токовых контактов, а другой зонд может быть подключен к каждому из серии узких потенциальных контактов, что позволяет измерить график зависимости напряжения узкого потенциального контакта от координаты этого контакта (относительно края широкого токового контакта, к которому подключен вольтметр).
I-
M
W
Hit И
V- высокоимпедансный вольтметр М - амперметр
Рис. 1. Структура образца и схема для измерения удельного контактного сопротивления ИМ-методом с прямоугольными омическими контактами к полупроводнику
Z
V
x= 0
R2 I I R2 I I R:
Rx Rx Rx
1 ^ / Rl Rl х х+Дх
Токовый контакт I'УУУУУУУУУУУУУУУУУУУУУУУУУУУУУУУУУУЛ
Слой полупроводника
R1 = рп •Дх / Z R2 = рК / Z •Дх
Рис. 2. Эквивалентная цепь широкого токового омического контакта
V=0 x=0
^ Rl Rl 1 Rl / Rl Rl х х+Дх
Потенциальный контакт
Слой полупроводника
Rl = рп 'Дх / Z R2 = рк / Z -Дх
Рис. 3. Эквивалентная цепь узкого потенциального омического контакта
Используя эквивалентные цепи широкого токового и узкого потенциального контактов, показанные на рис. 2 и 3, можно записать дифференциальные соотношения для этих контактов, связывающие между собой напряжение и ток с параметрами рк и Рп [7]:
I (х ( х + Ах )-V ( х ) = AV ( х ),
или
(IV ( х )
или
- = /(х, dx y>Z
V (х) / R = /(х + Ах)-/(х) = А/ (х),
d/(X)=v (х. dx У Ч
(1)
(2)
Уравнения (1) и (2) используем далее для записи уравнений, решения которых являются распределениями тока I(х) и напряжения V(х) для случаев токового и потенциальных контактов.
уравнение
2.1. Соотношения для токового контакта
Дифференцирование уравнения (2) по х дает с121 ( х )_ 2 СV ( х )
dx2
Рк
dx
- = 0,
(3)
Подставив в это соотношение уравнение (1), получим:
С21 (х) |(х) _ ьх2 -где использовано обозначение:
-т = фк/Рп . (4)
Величину ¿г, определяемую формулой (4), будем считать далее истинной длиной переноса.
Общее решение уравнения (3) имеет вид: I(х) = Сехр(х/-г) + Оехр(-хДг) . (5)
Используя граничные условия: I(х) = 0 при х = 0 и I (х) = ^ при х = W, находим константы интегрирования О и С, а затем распределение тока
I (х):
I(х)= /оsinh(x/g .
(6)
Соотношения для V(х), падения напряжения на токовом контакте ^ и сопротивления Як этого контакта получим из уравнений (2) и (6):
( ) 2 Сх 2 ЬТ )
= /орА cosh(хАт ) Z sinh(W/L ),
V (х ^ = V = ^ cosh(WLT ) =
V (x)U Z sinh(W/L-)
= /орА. coth(WL), = coth(W^).
(7)
Rk =
V (x)
/ (x)
(8) (9)
Из формулы (9) следует, что если (ш—) > 5, то со^(ш/-г 1, и поэтому в этом случае контактное сопротивление Я определяется соотношениями:
.р п-г = р^=УрТрП 2 2- 2 '
Если же (ш— )<< 1, то со^(ш/-.)~ 1/(ш/-), и в этом случае контактное сопротивление Я определяется формулой я == = .
к 2Ш
Rk
(10)
x= -A/2
2.2. Соотношения для узкого потенциального контакта
После дифференцирования уравнения (1) по х, ^ ( * )_РП д/ ( х )
имеем уравнение
дх* г дх это соотношение уравнение (2), получим
Подставив в
d2V (x) V(x) . ,
—-(Г1 V (x ) = 0,
dx2
(11)
где использовано обозначение = ^\/рп . Общее решение уравнения (11) имеет вид:
V(х) = вехр(х/^)+Нехр(-х/^) . (12) Используя граничные условия V(х) = 0 при х = о и /(х) = /0 при х = А/2, находим константы интегрирования Н и в, а затем выражение для V(х) :
V(x) = ЬРпЪ sinh(xllt ) ( ) Z cosh(А/2^) .
(13)
Следовательно, падение напряжения V вдоль полной длины потенциального контакта (от х = -А/2 до х = А/2 ) определяется формулой
- = ^оРА tanh(A2LT).
Z
(14)
3. ИМ-метод с различной длиной токового и потенциального контактов
Изложенный выше анализ широкого токового и узкого потенциального контактов можно использовать для получения соотношений между ожидаемыми в эксперименте значениями длины переноса ¿гэ и поверхностного сопротивления рПэкс полупроводника и теоретическими (истинными) значениями ^ и рп этих величин путем расчета графика зависимости напряжения от координаты для рассматриваемой тестовой структуры.
Напряжение М-ного узкого металлического контакта V и координату Х„ этого контакта можно записать в виде
VN = 1орп [Lt coth(W/Lr) + nB
+
^ А ^
+2( n - 1)L- tanh — + L tanh
V 2 Lr /
А
V 2Lr /
(15)
Xw = nB+(n -1)A+A/2 .
Используя эти соотношения, можно найти разность напряжений AV и соответствующих координат Ах для любых двух контактов из п узких контактов, а затем тангенс угла наклона графика зависимости напряжения от координаты (рис. 4):
А-=/оРп Ax Z
B + 2L. tanh
2LT
f(B + A). (16)
Ьхэ В+А/2
Рис. 4. График зависимости напряжения V узкого металлического контакта от координаты Хм этого контакта
Из рис. 4 видно, что для тангенса угла наклона а можно записать равенства:
V _ AV = Ах '
tga =
L3 + B + А/2
'оРл
tga=-
[ L coth(W/L-) + B + L- tanh( А/ 2LT)]
'оРл
^ + B + A 2 [b + 2LT tanh(A2L)]
= B + A '
[ L- coth (W/L-) + B + L tanh (А/2Lr)]
Lra + B + А/2 [ B + 2Lr tanh( А 2L )]
(17)
б + А
Из выражений (16) и (17) получим соотношения между ожидаемыми в эксперименте значениями длины переноса ¿гэ и поверхностного сопротивления рПэкс полупроводника и теоретическими (истинными) значениями ¿г и рп этих величин:
А
_ Z AV _
РПэкс =~. 7 = РП
L Ax
'о
ВА
В + 2L tanh
2LT
+ Lt
W
(А + B)cothl ^ I-В tanh
В + 2L- tanh
2Lt,
Z
Расчет зависимости ожидаемого в эксперименте значения длины переноса -гэ от теоретического (истинного) значения -г выполним с помощью формулы, которую получим из формулы (19) В Л .. ( Ш Л В . . (
Ln.
A
B+i
2 A A
1 + — I cothl
A ) \ Lj
B
--tanh
A
B „LT — + 2JL tanh AA
A
2LT
. (20)
Задав численные значения отношений В/А и Ш/А (например, В/А = 5 и Ш/А = 1, Ш/А = 2 , Ш/А = 5) в качестве параметров, рассчитываем зависимости ^Э/А от ^/А (графики которых представлены на рис. 5) по формуле
0,5 B + Ll
A A
'13 = _
A
1 + -
tanh
W/A
TjA
B ,1 0,5
--tanhl
A I Lt/A
в „L- ,1 0,5 — + 2JL tanhl A A 1 ^ A
(21)
Рпэ, Рп
(22)
Расчет зависимости ожидаемого в эксперименте значения поверхностного сопротивления рПэкс от теоретического (истинного) значения рп выполним с помощью формулы, которую получим из формулы (18)
В ¿т , ( 0,5 Л! /( В
- + 2-^taпhl —/1—4 _ А А ^ Ьг/А ^Д А
Задав численные значения отношения В/А (например, В/А =2, В/А = 5, В/А = 10 ) в качестве параметра, рассчитываем зависимости рпэи./рп от А (графики которых представлены на рис. 6) по формуле (22).
Из графиков, приведенных на рис. 5 и 6, следует, что расхождение между ожидаемыми в эксперименте значениями длины переноса -гэ и поверхностного сопротивления рПэкс полупроводника и теоретическими (истинными) значениями - и р этих величин имеет сложный характер и может быть значительным при изменении параметров Ш/А и В А тестового образца и отношения А. При этом из рис. 5 и 6 видно, что в частных случаях это расхождение принимает минимальные значения при выполнении соотношений: Ш/А > 5, В/А > 5 и -г/А = 1 ^3 .
4,5 4 3,5 3 2,5 2 1,5 1
0,5 0
J 1
л 1
/
1 Г V
у [> 3
-4
0,5
1,5
2,5 LT / A
Рис. 5. Зависимости Lтэ / A от Lт / A при значениях параметров: B / A = 5 и 1 - W / A = 1; 2 - W / A = 2; 3 - W / A = 5; 4 - Lтэ / A = Lт / A
1,05 £ 1 1/ 0,95 & 0,9 0,85 0,8 0,75 0,7 0,65
3
.>0 s***9
'X/
// 2
/
А,
1
0 0,5 1 1,5 2 2,5 3 3,5 _1Т / А
Рис. 6. Зависимости рпжс/рп от Lт/ A
при значениях параметров:
1 - B / A = 2; 2 - B / A = 5; 3 - B / A = 10
Поэтому определение удельного контактного сопротивления р целесообразно выполнять следующим образом. После измерения зависимости V(хп) определяем экспериментально величину —э и путем решения уравнения (21) (относительно /А) при известных параметрах Ш/А и В А тестового образца находим корень -./А уравнения (21). Подставляя значение параметра В А и найденное значение ^/А в соотношение (22), вычисляем отношение рПжс/рП . Величину рПэкс расчитываем по формуле: р =2, где ДV/Дх находим из графика экс /0 Дх
измеренной зависимости VN (хп). Используя найденные значения отношений: ^/А и рпэ((с/рп ,
5
0
2
находим значения длины переноса 1.т и поверхностного сопротивления рп и вычисляем удельное контактное сопротивление рк по формуле
р* =4 рп .
4. ИМ-метод с переменным интервалом между одинаковыми контактами
В этом варианте реализации TLM-метода любые два соседних контакта в тестовом образце имеют одинаковую длину А и являются как токовыми, так и потенциальными контактами с различной длиной интервалов б (' = 1, 2,3 ... п) между ними (рис. 7).
, M
Юн
V
M - амперметр V- высокоимпедансный вольтметр
W 1« »1
Ibi2 гБ,3 ' A
-н н-
Б34
Б4.
Рис. 7. Структура образца и схема для измерения удельного контактного сопротивления И^-методом с переменным интервалом между одинаковыми контактами к полупроводнику
При пропускании тока /о через два соседних контакта, разделенных расстоянием б, полное сопротивление Яг между контактами состоит из двух компонентов
Ят = 2ЯК +рПб ,
г « г
где второе слагаемое описывает сопротивление участка слоя полупроводника с поверхностным сопротивлением рп, а ^ - сопротивление контакта, определяемое соотношением
^ =рП ^ сс^( АК).
Измерив (в частном случае использования тестового образца с 5 контактами, рис. 7) полное сопротивление Яг между контактами 1 и 2 (Я12), 2 и 3 ( Я23), 3 и 4 (Я34 ), а также 4 и 5 (Я45), строим график зависимости полного сопротивления Яг от длины интервала б между соседними контактами (рис. 8). Экстраполируя график полученной зависимости к
В = 0, получаем 2ЯК, при этом точка пересечения этого графика с осью координат дает величину .
О
B45 X
Рис. 8. График зависимости полного сопротивления RT от длины интервала В между соседними контактами
В рассматриваемом частном случае использования тестового образца с 5 контактами (рис. 7) формулы для полных сопротивлений имеют вид:
R12 = 2Rk +РП62/Z, R23 = 2RK + РпВ23/Z,
R34 = 2RK + РпВ3^Z , R45 = 2RK + РПВ45 /Z •
Используя эти соотношения и рис. 8, можно записать ряд равенств для тангенса угла наклона а графика зависимости полного сопротивления R от длины интервала В между соседними контактами:
R _R R _R R _R Р
tga = R23 R12 = R34 R23 = R45 R34 = РП (23)
B23 _ B12
B34 _ B23 B45 _ B34 Z
tga = -
_ Z
[ 2LT coth( А/LT ) + B12 ]
= Рл Z
2 T + B12 2 LT3 + B12
2Lr coth( А/Lj ) + B12 =i
2LT3 + B12 .
Из равенств (23) получим формулы для расчета
(24)
Рп :
Рп =
Z (R23 _ R12)_ Z (R34 _ R23 )_ z (R45 _ R34)
В23 _ В12
В34 _ В23
В45 _ В34
(25)
Из выражения (24) получим соотношения между ожидаемыми в эксперименте значениями длины переноса и теоретическими (истинными) значениями ^ этой величины:
Т = ^сс^Аг), А = {1,/А)!tаnh^^ .
(26)
I
i
2
4
5
Z
Р
П
R
12
Из графика, расчитанного по формуле (26) и приведенного на рис. 9, следует, что расхождение между ожидаемыми в эксперименте значениями длины переноса ¿гэ и теоретическими (истинными) значениями ^ этой величины может быть значительным при изменении отношения ^/А. При этом из рис. 9 видно, что это расхождение принимает минимальные значения при выполнении соотношения 1^1 А = 0 0,5. Поэтому определение удельного контактного сопротивления рк целесообразно выполнять следующим образом. После измерения зависимости полного сопротивления Яг от длины интервала б между соседними контактами определяем экспериментально величину и путем решения уравнения (26) (относительно ^/А) находим корень Ц./А этого уравнения. Величину рп расчитываем по формулам (25). Используя найденное значение ^/А, находим значение длины переноса ^ и вычисляем удельное контактное сопротивление рк по формуле
р* = 4 рп .
5
' vra A = LT / A
0 0,5 1 1,5 2 2,5
1Т / А
Рис. 9. Зависимость 1тэ / А от 1Т/ А для метода ИМ с переменным интервалом между одинаковыми контактами
5. Заключение
Таким образом, в настоящей работе получены соотношения между ожидаемыми в эксперименте значениями длины переноса и поверхностного сопротивления рПэкс полупроводника и теоретическими (истинными) значениями ¿г и рп этих величин, которые могут быть использованы при определении удельного контактного сопротивления рк в двух вариантах ^М-метода с прямоугольными контактами к полупроводникам. Показано, что в вариантах ^М-метода с одинаковыми интервалами между прямоугольными контактами, имеющими различную длину токового и потенциального контактов, имеет место значительное расхождение между значениями ¿гэ и рПэ„с, ожидаемыми в эксперименте, и истинными значениями ^ и рп при изменении параметров IV/А, б А и отношения ^/А тестового образца. При этом в частных случаях ^М-метода с различной длиной токового и потенциального контактов это расхождение принимает минимальные значения при выполнении соотношений IV/А>5, б А > 5 и А = 1 ^ 3 . Метод ^М с переменным интервалом между одинаковыми контактами имеет более простые соотношения между значениями ¿гэ, ожидаемыми в эксперименте, и истинными значениями ¿г, при этом расхождение между ¿гэ и ¿г принимает минимальные значения при выполнении соотношения ^/А = 0 ^0,5 . В связи с этим определение удельного контактного сопротивления рк целесообразно выполнять путем измерения величин и рПэ«с и последующего расчета истинных значений ^ и рп на основе решения соответствующих уравнений, представленных в данной работе.
СПИСОК ЛИТЕРА ТУРЫ
1. Бланк Т. В., Гольдберг Ю. А. Механизмы протекания тока в омических контактах металл-полупроводник. Обзор // Физика и техника полупроводников. 2007. Т. 41, № 11. C. 1281-1308.
2. Cohen S. S. Contact resistance and methods for its determination // Thin Solid Films. 1983. Vol. 104. P. 361379.
3. КудрикЯ. Я. Удельное сопротивление омических контактов в структурах металл-полупроводник // Пе-терб. журн. электроники. 2010. № 1. С. 25-40.
4. Shockley W. Research and Investigation of Inverse Epitaxial UHF Power Transistor // Final Technical Report No. AL-TDR-64-207, September 1964, Air Force Atomic Laboratory, Air Force Systems Command, Wright-Patterson Air Force Base, Ohio.
5. Yu A. Y. C. Electron tunneling and contact resistance of metal-silicon contact barriers // Solid-State Electronics. 1970. Vol. 13. P. 239-247.
6. Berger H. H. Models for contacts to planar devices // Solid State Electronics. 1972. Vol. 15, no. 2. P. 145158.
7. Mak L. K., Rogers C. M., Northrop D. C. Specific contact resistance measurements on semiconductors // J. Phys. E: Sci. Instrum. 1989. Vol. 22. P. 317-321.
8. Jang H. W., Kim K. H., Kim J. K., Hwang S.-W., Yang J. J., Lee K. J., Son S.-J., Lee J.-L. Low-resistance and thermally stable ohmic contact on p -type GaN using Pd/Ni metallization // Applied Physics Letters. 2001. Vol. 79. P. 1822-1824.
9. Jang H. W., Urbanek W., Yoo M. C., Lee J.-L. Low-resistant and high-transparent Ru/Ni ohmic contact on p-type GaN // Applied Physics Letters. 2002. Vol. 80. P. 2937-2939.
10. Lu Ch., Chen H., Lv X., Xie X., Mohammad S. N. Temperature and doping-dependent resistivity of Ti/Au/Pd/Au multilayer ohmic contact to n-GaN // Journal of Applied Physics. 2002. Vol. 91. P. 9218-9224.
11. Ip K., Heo Y.W., Baik K.H., Norton D.P., Pearton S.J., Ren F. Specific contact resistance of Ti/Al/Pt/Au ohmic contacts to phosphorus-doped ZnO thin films // Journal of Vacuum Science & Technology B. 2004. Vol. 22. P. 171174.
12. Jang H. W., Lee J.-L. Low-resistance and high-reflectance Ni . Ag . Ru . Ni . Au ohmic contact on p-type GaN // Applied Physics Letters. 2004. Vol. 85. P. 4421-4423.
13. Bae J. W., Hossain T., Adesida I., Bogart K. H., Koleske D., Allerman A. A., Jang J. H. Low resistance ohmic contact to p -type GaN using Pd/Ir/Au multilayer scheme // Journal of Vacuum Science & Technology B. 2005. Vol. 23. P. 1072-1075.
14. Rahimi N., Aragon A. A., Romero O. S., Shima D. M., Rotter T. J., Mukherjee S. D., Balakrishnan G., Lester L. F. Electrical and microstructure analysis of nickel-based low-resistance ohmic contacts to n-GaSb // APL Materials. 2013. Vol. 1. P. 062105.
15. Muller M., Lottspeich F. Evaluation of determination methods of the Si/Al contact resistance of screen-printed passivated emitter and rear solar cells // Journal of Applied Physics. 2014. Vol. 115. 084505.
16. Shrestha N., Reeves G. K., Leech P. W., Pan Y., Holland A. S. Analytical test structure model for determining lateral effects of tri-layer ohmic contact beyond the contact edge // FACTA UNIVERSITATIS. Series: Electronics and Energetics. 2017. Vol. 30. P. 257-265.
17. Reeves G. K. Specific contact resistance using a circular transmission line model // Solid-State Electronics. 1980. Vol. 23, no. 5. P. 487-490.
18. Андреев А. Н., Растегаева М. Г., Растегаев В. П., Решанов С. А. К вопросу об учете растекания тока в полупроводнике при определении переходного сопротивления омических контактов // Физика и техника полупроводников. 1998. Т. 32, № 7. С. 832-838.
19. Kim H.-K., Han S.-H., Seong T.-Y., Choi W.-K. Low-resistance Ti/Au ohmic contacts to Al-doped ZnO layers // Appl. Phys. Lett. 2000. Vol. 77. P. 1647-1649.
20. Manik P. P., Mishra R. K., Kishore V. P., Ray P., Nainani A., Huang Y.-Ch., Abraham M. C., Ganguly U., Lodha S. Fermi-level unpinning and low resistivity in contacts to n-type Ge with a thin ZnO interfacial layer // Applied Physics Letters. 2012. Vol. 101. P. 182105.
21. Collins A. M., Pan Y., Holland A. S. Using a two-contact circular test structure to determine the specific contact resistivity of contacts to bulk semiconductors // FACTA UNIVERSITATIS. Series: Electronics and Energetics. 2015. Vol. 28. P. 457-464.
22. Holland A. S., Pan Y., Alnassar M. S. N., Luong S. Circular test structure for determining the specific contact resistance of ohmic ontacts // FACTA UNIVERSITATIS. Series: Electronics and Energetics. 2017. Vol. 30. P. 313-326.
23. Aldosari H. M., Cooley K. A., Yu Sh.-Y., SimchiH., Mohney S. E. Very low-resistance Mo-based Ohmic contacts to GeTe // Journal of Applied Physics. 2017. Vol. 122. P. 175302.
24. Dormaier R., Mohney S. E. Factors controlling the resistance of Ohmic contacts to n-InGaAs // Journal of Vacuum Science & Technology B. 2012. Vol. 30. P. 031209.
25. Yearsley J. D., Lin J. C., Hwang E., Datta S., Mohney S. E. Ultra low-resistance palladium silicide Ohmic contacts to lightly doped n-InGaAs // Journal of Applied Physics. 2012. Vol. 112. P. 054510.
26. Lin J. C., Yu S. Y., Mohney S. E. Characterization of low-resistance ohmic contacts to n- and p-type InGaAs // Journal of Applied Physics. 2013. Vol. 114. P. 044504.
27. Abraham M., Yu Sh.-Y., Choi W. H., Lee R. T. P., Mohney S. E. Very low resistance alloyed Ni-based ohmic contacts to InP-capped and uncapped n+-In0.53 Ga0.47As // Journal of Applied Physics. 2014. Vol. 116. P. 164506.
ИНФОРМАЦИЯ ОБ АВТОРЕ
Бурлаков Рудиарий Борисович - кандидат физико-математических наук, доцент, доцент кафедры прикладной и медицинской физики, Омский государственный университет им. Ф. М. Достоевского, 644077, Россия, г. Омск, пр. Мира, 55а; e-mail: [email protected].
INFORMATION ABOUT THE AUTHOR
Burlakov Rudiariy Borisovich - Candidate of Physical and Mathamatical Sciences, Docent, Docent of the Chair of Applied and Medical Physics, Dostoevsky Omsk State University, 55a, pr. Mira, Omsk, 644077, Russia; e-mail: [email protected].
ДЛЯ ЦИТИРОВАНИЯ
Бурлаков Р. Б. К вопросу об определении удельного контактного сопротивления ^М-методом с прямоугольными контактами к полупроводникам // Вестн. Ом. ун-та. 2018. Т. 23, № 4. С. 78-86. Э01: 10.25513/1812-3996.2018.23(4).78-86.
FOR QTATIONS
BurlakovR.B. On determination of contact resistivity by TLM-method with rectangular contacts to semiconductors. Vestnik Omskogo universiteta = Herald of Omsk University, 2018, vol. 23, no. 4, pp. 78-86. DOI: 10.25513/1812-3996.2018.23(4).78-86. (in Russ.).
