CC BY
70
Вестник ДВО РАН. 2014. № 6
УДК 681.785
А.А. КУЧМИЖАК, С О. ГУРБАТОВ, О Б. ВИТРИК, Ю Н. КУЛЬЧИН
Изготовление
пористых металлических наночастиц и микровыпуклостей с использованием наносекундных лазерных импульсов, сфокусированных волоконным микроаксиконом
Представлен новый оптический элемент — волоконный микроаксикон для фокусировки лазерного излучения в дифракционно-ограниченное пятно с Бесселевым латеральным распределением и прецизионного лазерного на-ноструктурирования поверхности металлических пленок. Продемонстрировано формирование субмикронных пичков, полых микровыпуклостей с небольшим выбросом на вершине, а также полых сферических наночастиц. Определены экспериментальные условия для контролируемого формирования массивов соответствующих типов микроструктур. Внутренняя структура полученных микровыпуклостей и наночастиц экспериментально изучена с использованием методов растровой электронной микроскопии и полировки ускоренными ионами аргона. Показано, что все изготовленные лазерно-индуцированные объекты имеют пористую структуру, что предположительно связано с процессом подповерхностного кипения расплавленного материала.
Ключевые слова: волоконный световод, лазерная обработка поверхностей, волоконный микроаксикон, лазерное структурирование тонких пленок, фокусировка лазерного излучения.
Fabrication of porous metal nanoparticles and microbumps by means of nanosecond laser pulses focused through the fiber microaxicon. A.A. KUCHMIZHAK, S.O. GURBATOV, O.B. VITRIK, Yu.N. KULCHIN (Institute for Automation and Control Processes, FEB RAS, Vladivostok).
We have presented a novel optical element —fiber microaxicon (FMA) for laser radiation focusing into a diffraction-limited spot with Bessel lateral distribution as well as for precision laser nanostructuring of metal film surfaces. We have demonstrated the formation of submicron spikes, hollow microbumps with a small spike atop as well as hollow spherical nanoparticles. Experimental conditions for controllable formation of arrays of the appropriate types of microstructures were defined. The internal structure of the fabricated nanobumps and nanoparticles was experimentally studied using both scanning electron microscopy and accelerated argon ions polishing. It was shown that all fabricated laser-induced objects have porous structure that has been presumably connected with a process of subsurface boiling of the melt.
Key words: fiber waveguide, laser surface processing, fiber microaxicon, laser nanostructuring of thin films, laser beam focusing.
*КУЧМИЖАК Александр Андреевич - кандидат физико-математических наук, младший научный сотрудник, ГУРБАТОВ Станислав Олегович - кандидат физико-математических наук, научный сотрудник, ВИТРИК Олег Борисович - доктор физико-математических наук, главный научный сотрудник, КУЛЬЧИН Юрий Николаевич -академик, директор (Институт автоматики и процессов управления ДВО РАН, Владивосток). *Е-таП: а1ехласр. dvo@mail.ru
Работа выполнена при финансовой поддержке Министерства образования и науки Российской Федерации по постановлению П218, договор .№ 02.G25.31.0116 от 14.08.2014 между Открытым акционерным обществом «Центр
Введение
Лазерное наноструктурирование импульсами короткой и сверхкороткой длительности предоставляет широкие возможности для формирования упорядоченных и единичных микро- и наномасштабных структур различного типа (наноострия [12, 18], нано-вискеры [15], выпуклости [14], сферические наночастицы [7, 8], сквозные наноотверстия [6], нанокороны [13] и т.д.) на поверхности и в объеме материалов. Единичные и расположенные периодическим образом лазерно-индуцированные наноструктуры демонстрируют локальное усиление электромагнитных полей, мощный плазмонный отклик [2, 16], высокую эмиссию электронов [10] и так далее, что делает их весьма перспективными для использования в нанофотонных и плазмонных устройствах, а также сенсорах физических величин [9]. Не ослабевающий в течение нескольких десятилетий исследовательский интерес в данной области во многом связан с универсальностью, высокой эффективностью и относительной дешевизной лазерных методов структурирования в сравнении с методами электронной и ионно-лучевой литографии, возможностью обработки практически любых типов материалов, бесконтактной природой воздействия, а также возможностью получения уникальных, обусловленных только взаимодействием лазерного излучения с веществом, типов наноструктур.
Лазерное создание наноструктур на поверхности материалов осуществляется главным образом с использованием световых импульсов нано-, пико- и фемтосекундной длительности, а также элементной базы классической фокусирующей оптики с высокой числовой апертурой [7, 8, 12, 18]. Минимальный латеральный размер фокального пятна в этом случае ограничивается фундаментальным дифракционным пределом и в идеальном случае составляет ~Х/2 (X - длина волны лазерного излучения), т.е. около 200 нм для видимого света. Несмотря на действие дифракционного предела, фабрикация структур размером до 100 нм методами классической оптики возможна, она реализуется за счет использования нелинейного порогового отклика модифицируемого материала. Однако требования к однородности и профилю распределения энергии в фокальном пятне при таком подходе очень высоки, что зачастую обусловливает необходимость использования дополнительных дифракционных или иных корректирующих элементов.
На практике же достижение такой локализации с использованием оптики дальнего поля является весьма нетривиальной задачей и требует использования качественных дорогостоящих фокусирующих объективов. Вместе с тем в ряде работ [3, 6, 17, 19] показано, что высокой степени пространственной локализации с сохранением высококачественного латерального распределения интенсивности в фокальном пятне, а также прецизионного позиционирования фокального пятна на поверхности модифицируемого материала можно добиться за счет использования одного оптического элемента - безапертурного диэлектрического зонда (БДЗ), который является аналогом стандартного апертурного зонда сканирующей ближнепольной оптической микроскопии (СБОМ) и отличается от него только отсутствием металлического покрытия и наноразмерной апертуры. Такие зонды, несмотря на более низкую, чем в апертурных СБОМ, степень локализации света, демонстрируют существенно более высокие пропускную способность и порог разрушения, благодаря чему нашли широкое применение в прецизионном лазерном структурировании с использованием мощных лазерных импульсов, локальной спектроскопии квантовых объектов, искровой спектроскопии химического состава, отражательной оптической микроскопии ближнего поля [3, 6, 17, 19] и т.д. Для достижения максимальной латеральной локализации лазерного излучения с использованием БДЗ его наконечнику требуется придать форму усеченного конуса с диаметром верхнего основания ~Х/2 [11]. Однако такая оптимизация геометрической формы наконечника зонда не только требует использования дорогостоящего метода ионно-лучевого травления, что существенно усложняет процесс
изготовления зондов, но и делает данный фокусирующий элемент привязанным к определенной длине волны лазерного источника.
Нами ранее показано, что сравнимой с оптимальным БДЗ степени латеральной фокусировки лазерного излучения можно достичь за счет использования волоконно-оптического микроаксикона (ВМА), сформированного на плоском торце волоконного световода (ВС), аксиально симметрично его сердцевине; также разработан модифицированный метод химического травления для изготовления указанного ВМА [4]. В настоящей работе впервые продемонстрировано применение волоконного микроаксикона в качестве универсального, компактного и высокоэффективного оптического элемента для пространственной фильтрации и фокусировки наносекундных лазерных импульсов в минимальное дифракционно-ограниченное пятно с Бесселевым пространственным распределением, а также создания наноструктур различного типа на поверхности оптически толстых металлических пленок под действием сфокусированных ВМА единичных лазерных импульсов. Кроме того, показано формирование субмикронных выпуклостей, сквозных отверстий и пористых сферических наночастиц, а также обсуждены возможные механизмы формирования соответствующих типов субмикронных и наноразмерных структур.
Экспериментальная установка
В качестве источника излучения для прецизионного наноструктурирования пленок металла использовали импульсный многомодовый Nd^AG-лазер (длительность импульса ~7нс, максимальная энергия Emax ~10 мДж, стабильность энергии в импульсе ~10 %), работающий в режиме генерации третьей (X = 355 нм) гармоники (рис. 1а). Пространственная фильтрация выходного лазерного пучка и его фокусировка в дифракционно-ограниченное пятно осуществлялась ВМА (рис. 1b), изготовленным на плоском торце волоконного световода (диаметр оптической сердцевины ~1,7 мкм) аксиально симметрично его оптической сердцевине модифицированным методом химического травления [4]. Входной участок световода (вставка на рис. 1а) обеспечивал преобразование входного лазерного пучка в фундаментальную гауссову моду ВС, которая, в свою очередь, преобразуется в симметричный Бесселев пучок на выходе из аксикона. Геометрические параметры аксикона (рис. 1b) (полный угол схождения на конус 9 ~ 90°, диаметр основания D = 2 мкм) были оптимизированы таким образом, чтобы обеспечить максимальную степень фокусировки лазерного пятна [4]. Сфокусированный ВМА лазерный пучок представлял собой центральное световое пятно, окруженное дополнительными максимумами существенно меньшей интенсивности, которые не участвуют в процессе лазерной модификации. Характерное распределение интенсивности лазерного излучения в фокусе ВМА (рис. 1с), измеренное при помощи стандартного апертурного СБОМ, оперирующего в режиме сбора излучения, указывает на достижение простанственной локализации лазерного излучения в симметричном центральном пятне ~180 нм (~X/2 для X = 355 нм).
При измерении энергии импульсов на выходе ВМА Бесселев пучок фильтровали так, чтобы отсечь его боковые максимумы, не участвующие в процессе наноструктурирова-ния, а затем фокусировали при помощи объектива на высокочувствительный фотоприемник (J-10SI-HE Energy Sensor, Coherent EPM2000). В качестве тестовых образцов использовали пленки Au/Pd (wt. 80/20 %) различной толщины (40, 80, 160 нм), нанесенные без подслоя на сколотую поверхность волоконного световода методом магнетронного распыления (Quorum Technologies, скорость осаждения пленок ~10 нм/мин). Тестовый образец располагался на системе линейных моторизованных нанопозиционеров (Newport XMseries), обеспечивающих 50-нанометровую точность перемещения по трем осям. ВМА располагался отвесно по отношению к поверхности металлической пленки, при этом положение образца в фокусе аксикона (в данном случае ~0,3 X [4]) поддерживалось постоянным при помощи системы обратной связи на основе пьезокерамического камертона.
Рис. 1. Схематическое изображение экспериментальной установки для прецизионного лазерного наноструктурирования (а), электронное изображение используемого волоконного микроаксикона (Ь), распределение интенсивности лазерного излучения в фокусе ВМА, измеренное при помощи стандартного апертурного СБОМ в режиме сбора излучения (с)
Визуальный контроль процесса перемещения аксикона осуществляли с помощью высокоразрешающего оптического микроскопа (Hirox KH7700). Все поверхностные наноструктуры формировали одиночными импульсами при нормальных условиях и затем анализировали при помощи растрового электронного (Hitachi S3400N) и атомно-силового (AFM, NanoDST Pacific Nanotechnology) микроскопов.
Результаты и обсуждение
Ниже показаны основные типы структур, сформированных на поверхности и в объеме пленкиАи^ толщиной d= 40 нм в результате облучения единичным наносекундным импульсом с энергией в импульсе Е, варьирующей в диапазоне 1-4 нДж (рис. 2, см. вклейку). Видимая модификация металлической пленки наблюдается при энергиях в импульсе Е > 1 нДж и представляет собой микровыпуклость размером порядка 400 нм и высотой до 30 нм (см. вставку на рис. 2а). Отметим, что минимальный поперечный размер микровыпуклости приблизительно в 2 раза больше начального размера лазерного пятна
на поверхности металлической пленки (~180 нм), что указывает на латеральный перенос тепла на наносекундных масштабах формирования. Далее при увеличении энергии до значения порядка Е ~ 2 нДж размер микровыпуклости растет, достигая приблизительно 600 нм (рис. 2Ь). При этом ее высота также увеличивается до 60 нм. Наличие более темных областей на СЭМ-снимках (помечены стрелками на рис. 2Ь) и отсутствие таковых на соответствующем АСМ-изображении предположительно свидетельствуют о локальным истончении модифицированной пленки внутри микровыпуклости с образованием в ней наноразмерных полостей. Предположительно это указывает на процесс подповерхностного кипения расплавленного материала, происходящий на границе раздела «пленка-подложка».
Увеличение энергии в импульсе до Е ~ 2,3 нДж приводит к деструкции одной из полостей внутри микровыпуклостей и формированию сквозного (судя по высокому контрасту СЭМ-изображений) отверстия (рис. 2Ь), причем его диаметр может быть очень мал - до ~35 нм [6]. Данный механизм формирования наноразмерного сквозного отверстия, по-видимому, является следствием нарастающего с ростом Е давления паров отдачи и проявляется случайным образом, предположительно связанным с нанокристаллической дефектной поверхностной структурой пленки. То есть такое наноотверстие может быть образовано как в центре микровыпуклости, так и на ее периферии, в том числе на границе раздела расплава и немодифицированной пленки (рис. 2с). Мы предполагаем, что фабрикация отверстий размером до 100 нм, полученных в работе [6], была связана с аналогичным механизмом. Отметим, что данный процесс может приводить к одновременному формированию нескольких наноотверстий в области модификации микровыпуклости.
При дальнейшем увеличении энергии в импульсе до значения Е ~ 3,7 нДж давление паров отдачи разрывает металлическую пленку, приводя к формированию достаточно большого (диаметром DЫe = 600-800 нм) сквозного отверстия, причем расплавленный материал стремится собраться в сферу либо разлетается в разные стороны, образуя замороженные краевые структуры по бокам отверстия (рис. 2d). Примечательно, что попытки оценить и сопоставить объемы сферической наночастицы (рис. 2d) и сквозного отверстия выявляют некоторое несоответствие. Так, средний диаметр наночастицы находится в диапазоне 350-420 нм, ее объем равен V = 0,03 мкм3. Аналогично объем образовавшегося сквозного отверстия со средним диаметром DЫe = 800 нм, сформированного в металлической пленке толщиной 40 нм, УЫе ~ 0,02 мкм3 (рис. 2d), что даже без учета мелких замороженных краевых структур на кромке отверстия приблизительно в 1,5 раза меньше объема наносферы. Это указывает на то, что по меньшей мере одна треть объема наносфе-ры заполнена пустотами. При энергиях, в импульсе превышающих величину Е = 4,1 нДж, практически весь расплавленный материал выбрасывает из отверстия.
Отметим также, что топологически аналогичные структуры формируются и на пленке толщиной d = 80 нм, однако пороговые энергии в импульсе для формирования соответствующих структур оказываются приблизительно в 2 раза больше в сравнении с энергиями, измеренными для 40-нанометровой пленки, что хорошо согласуется с полученными ранее для пленок чистого золота результатами, демонстрирующими влияние толщины модифицируемой пленки d на размеры полученных наноструктур и на пороговые значения энергии в импульсе, требуемые для создания таких структур («размерный эффект») [5].
Процесс формирования микровыпуклостей в результате подповерхностного кипения и давления паров отдачи наблюдался также для пленки толщиной d = 160 нм при облучении единичными наносекундными импульсами с энергиями Е >10 нДж. Отметим, однако, что с ростом Е формирование случайного сквозного наноотверстия не происходит. Вместо этого при Е >15 нДж наблюдается утонение микровыпуклости, о чем свидетельствует заметное потемнение на СЭМ-изображении, и формирование выступа сферической формы на его вершине. По-видимому, это связано одновременно с нарастающим давлением паров отдачи и с аккумуляцией расплавленного материала, вызванными градиентом поверхностного натяжения (эффект Марангони [8, 15, 18]). Отметим, что такие структуры
гу -*4
О —t
3.7 nJ т 4.2 nJ
а — »2 lim b 2 [jm
Ъь.СГ
<3 Ьхэ
л» fr О
S.f nJ
• 2 |jm
Рис. 3. СЭМ-изображения основных типов микроструктур, сформированных в пленке Au/Pd толщиной 160 нм при ее облучении единичным импульсом наносекундной длительности с энергиями в импульсе Е = 3,7 нДж (а), 4,2 нДж (Ь), 5,1 нДж (с), 5,7 нДж (изображение получено при угле наклона 33° относительно нормали к пленке)
напоминают начальную стадию формирования наноструи с выбросом сферической на-ночастицы при воздействии остросфокусированного единичного пико- или фемтосекунд-ного лазерного импульса [12, 15, 18]. Однако при дальнейшем увеличении величины Е выброса струи не происходит, а микровыпуклость разрушается, что приводит к формированию субмикронного отверстия с замороженными структурами по его краям (рис. 3d). Отметим, что, несмотря на высокую однородность и симметричность лазерного пучка на выходе ВМА, форма замороженных краевых структур является слабовоспроизводимой, а диаметр отверстий может сильно варьировать - в пределах Dhok = 400-1200 нм.
Для подтверждения гипотезы о наличии подповерхностного кипения, приводящего к формированию описанных в работе лазерно-индуцированных структур, мы исследовали внутреннюю структуру полученных микровыпуклостей (на примере пленки Au/Pd толщиной d = 160 нм) с использованием метода прецизионного утонения ускоренными ионами аргона (Hitachi IM4000), позволяющего удалять слои металлической пленки со средней скоростью ~0,33 нм/с. Для того чтобы минимизировать возможное плавление металлической пленки под действием греющего пучка ионов аргона, процесс полировки осуществляли за несколько последовательных циклов облучения, каждый из которых не превышал 15 с, между которыми пленка остывала в течение 1 мин. Результат полировки нескольких выбранных микровыпуклостей разного размера, сформированных единичным нано-секундным импульсом на поверхности пленки толщиной 160 нм в течение суммарного
before - О
after Ar* polishing © * ■ Л^!^1 g» /
Рис. 4. СЭМ-изображения микроструктур на поверхности пленки Au/Pd до (верхний ряд) и после (нижний ряд) полировки ускоренными ионами аргона в течение 5 мин со скоростью ~0,33 нм/с, иллюстрирующие пористую внутреннюю структуру микровыпуклостей и сферических наночастиц
времени воздействия пучка ионов ~300 с, представлен на рис. 4. Для сравнения здесь же приведены электронные изображения соответствующих микроструктур до воздействия пучка ионов. Видно, что расплавленный материал пленки сосредоточен главным образом в центре микровыпуклости и имеет сильнопористую структуру, что подтверждает сделанные ранее в данной работе выводы. Отметим также, что альтернативный механизм формирования локальных неоднородностей толщины модифицируемой пленки может быть связан с взрывным вскипанием или образованием кавитационных полостей при резком расширении расплавленного материала пленки под действием лазерного излучения.
Аналогичные эксперименты проведены для пленок с толщиной d = 40 и 80 нм, в которых также наблюдалась схожая пористая внутренняя структура сферических наночастиц. Насколько нам известно, о лазерно-индуцированном формировании сферических наноча-стиц, заполненных внутри пустотами, ранее в литературе не сообщалось. По-видимому, оптические и плазмонные свойства таких наночастиц могут существенно отличаться от свойств частиц из объемного материала, демонстрируя смещение длины волны локального плазмонного резонанса или даже дополнительные резонансы [1] и т.д.
Зависимость геометрических размеров основных типов микростуктур от энергий в импульсе Е для пленок различной толщины, суммирующая экспериментальные результаты данной работы, приведена на рис. 5а (см. вклейку). Очевидно, что толщина пленки d является определяющим параметром для контролируемого формирования требуемого типа микроструктуры. Так, для пленки АиВД толщиной d = 40-80 нм удается с достаточно хорошей повторяемостью (с учетом стабильности используемого лазерного источника ~10 %) формировать микровыпуклости с диаметром DЬump = 400-600 нм, а также пористые сферические наночастицы с диаметром Dspher е = 350-450 нм (рис. 2d), находящиеся в пределах сквозных отверстий. В то же время для пленки толщиной d = 160 нм ВМА можно формировать достаточно воспроизводимые массивы субмикронных пичков (рис. 3 а, Ь), а также полых микровыпуклостей с небольшим выбросом на вершине (рис. 3с) в режиме сканирования поверхности образца (в данной работе частота импульсов составляла 10 Гц, а скорость перемещения ВМА ~10-20 мкм/с).
Отметим, что фабрикация упорядоченных массивов с существенно более высокой эффективностью может быть выполнена с использованием методов импульсной интерференционной фотолитографии [12, 14, 15]. Однако данный метод неприменим в случае, когда требуется создать массив микроструктур сложной формы или провести точную лазерную модификацию поверхности в заданной точке. Представленный в данной работе ВМА предоставляет возможности для решения таких задач. На рис. 5 Ь, с приведены электронные изображения массива микровыпуклостей на поверхности пленки Аи/М толщиной d = 80 нм, сгруппированных в буквы «1АСР», а также единичного сквозного отверстия диаметром лишь 100 нм, сформированного единичным импульсом на вершине другого ВМА, покрытого 80-нанометровой пленкой АиМ.
Выводы
Таким образом, на основе метода прецизионного лазерного наноструктури-рования металлических пленок различной толщины с использованием в качестве фокусирующего элемента волоконного микроаксикона продемонстрировано формирование субмикронных пичков, полых микровыпуклостей с небольшим выбросом на вершине, а также, впервые, сферических наночастиц, треть объема которых заполнена пустотами. Определены экспериментальные условия для контролируемого формирования массивов соответствующих типов микроструктур. С использованием методов растровой электронной микроскопии и полировки ускоренными ионами аргона показано, что все изготовленные лазерно-индуцированные объекты имеют пористую структуру. Предположительно это связано с процессом подповерхностного кипения расплавленного материала.
ЛИТЕРАТУРА
1. Cortie M., Ford M. A plasmon-induced current loop in gold semi-shells // Nanotechnology. 2007. Vol. 18, N 23. P. 235-704.
2. Gubko M.A., Husinsky W., Ionin A.A., Kudryashov S.I., Makarov S.V., Nathala C.R., Treshin I.V. Enhancement of ultrafast electron photoemission from metallic nanoantennas excited by a femtosecond laser pulse // Laser Physics Letters. 2014. Vol. 11, N 6. P. 065301.
3. Intonti F., Emiliani V., Lienau C., Elsaesser T., Nötzel R., Ploog K.H. Low emperature near-field luminescence studies of localized and delocalized excitons in quantum wires // J. Microscopy. 2001. Vol. 202, N 1. P. 193-201.
4. Kuchmizhak A., Gurbatov S., Nepomniaschii A., Vitrik O., Kulchin Yu. High-quality fiber microaxicons fabricated by a modified chemical etching method for laser focusing and generation of Bessel-like beams // Appl. Opt. 2014. Vol. 53, N 5. P. 937-943.
5. Kulchin Yu.N., Vitrik O.B., Kuchmizhak A.A., Savchuk A.G., Nepomnyashchii A.A., Danilov P.A., Samokh-in A.A. Formation of nanobumps and nanoholes in thin metal films by strongly focused nanosecond laser pulses // J. Exp. Theor. Phys. 2014. Vol. 119, N 1. P. 15-23.
6. Kulchin Yu.N., Vitrik O.B., Kuchmizhak A.A., Nepomnyashchii A.V., Savchuk A.G., Ionin A.A., Makarov S.V. Through nanohole formation in thin metallic film by single nanosecond laser pulses using optical dielectric apertureless probe // Opt. Lett. 2013. Vol. 38, N 9. P. 1452-1454.
7. Kuznetsov A.I., Kiyan R., Chichkov B.N. Laser fabrication of 2D and 3D metal nanoparticle structures and arrays // Opt. Express. 2010. Vol. 18, N 20. P. 21198-21203.
8. Kuznetsov A.I., Koch J., Chichkov B.N. Laser-induced backward transfer of gold nanodroplets // Opt. Express. 2009. Vol. 17, N 21. P. 18820-18825.
9. Kuznetsov A.I., Evlyukhin A.B., Reinhardt C., Seidel A., Kiyan R., Cheng W., Chichkov B.N. Laser-induced transfer of metallic nanodroplets for plasmonics and metamaterial applications // JOSA B. 2009. Vol. 26, N 12. P. B130-B138.
10. Moening J.P., Georgiev D.G. Field-emission properties of sharp high-aspect-ratio gold cones formed via single pulse laser irradiation // Appl. Phys. A. 2010. Vol. 100, N 4. P. 1013-1017.
11. Müller R., Lienau C. Three-dimensional analysis of light propagation through uncoated near-field fibre probes // J. Microscopy. 2001. Vol. 202, N 2. P. 339-346.
12. Nakata Y., Miyanaga N., Okada T. Effect of pulse width and fluence of femtosecond laser on the size of nano-bump array // Appl. Surf. Sci. 2007. Vol. 253, N 15. P. 6555-6557.
13. Nakata Y., Tsuchida K., Miyanaga N., Furusho H. Liquidly process in femtosecond laser processing // Appl. Surf. Sci. 2009. Vol. 255, N 24. P. 9761-9763.
14. Nakata Y., Okada T., Maeda M. Nano-sized hollow bump array generated by single femtosecond laser pulse // Jpn. J. Appl. Phys. 2003. Vol. 42, N 12A. P. L1452.
15. Nakata Y., Miyanaga N., Momoo K., Hiromoto T. Solid-liquid-solid process for forming free-standing gold nanowhisker superlattice by interfering femtosecond laser irradiation // Appl. Surf. Sci. 2013. Vol. 274. P. 27-32.
16. Reininghaus M., Wortmann D., Cao Z., Hoffmann J.M., Taubner T. Fabrication and spectral tuning of standing gold infrared antennas using single fs-laser pulses // Opt. Express. 2013. Vol. 21, N 26. P. 32176-32183.
17. Saiki T., Matsuda K. Near-field optical fiber probe optimized for illumination-collection hybrid mode operation // Appl. Phys. Let. 1999. Vol. 74, N 19. P. 2773-2775.
18. Unger C., Koch J., Overmeyer L., Chichkov B.N. Time-resolved studies of femtosecond-laser induced melt dynamics // Opt. Express. 2012. Vol. 20, N 22. P. 24864-24872.
19. Wysocki G., Heitz J., Bauerle D. Near-field optical nanopatterning of crystalline silicon // Appl. Phys. Let. 2004. Vol. 84, N 12. P. 2025-2027.
