История развития и обзор современной продукции компании Hamamatsu. Особенности и параметры ПЗС- и InGaAs-датчиков изображения Текст научной статьи по специальности «Прочие технологии»

История развития и обзор современной продукции компании Натата1ьи.

Особенности и параметры ПЗС-и InGaAs-датчиков изображения

Юрий ПЕТРОПАВЛОВСКИЙ

Статья представляет собой обзор продукции японской компании Hamamatsu Photonics K. K., в частности ПЗС- и InGaAs-сенсоров из категории оптоэлектронных приборов.

Введение

Компания Hamamatsu Photonics K.K. основана в 1953 году, ее штаб-квартира находится в г. Хамамацу, в префектуре Сидзуока (рис. 1). Основателем фирмы был Хейхачиро Хориучи (Heihachiro Horiuchi) — ученик профессора Кениро Такаянаги (Kenjiro Takayanagi, 1899-1990 гг., рис. 2). Такаянаги мало знают на Западе, однако он создал первый в мире полностью электронный телевизор. 25 декабря 1926 года Такаянаги успешно продемонстрировал телевизор на электронно-лучевой трубке в средней промышленной школе г. Хамамацу (в настоящее время инженерный факультет университета Сидзуока), в которой он тогда преподавал. На рис. 3 показан первый телевизор Такаянаги в музее вещания компании NHK в Токио. Кениро Такаянаги называют отцом японского телевидения: он сыграл ключевую роль в развитии телевидения в компании NHK, затем в JVC, вице-президентом которой он стал впоследствии [1].

Изначально компания называлась Hamamatsu TV Co., Ltd и производила фотоэлек-

Рис. 2. Профессор Кениро Такаянаги

Рис. 3. Первый электронный телевизор Такаянаги

тронные трубки, а также занималась разработкой гамма-сцинтилляторов по заданию Агентства наук и технологий по мирному использованию атомной энергии. Уже через два года после основания компания получила государственное финансирование для проведения значимого проекта в области атомной энергетики. В 1957 году началось производство трубок для приборов ночного видения, а в 1961-1963 гг. — производство инфракрасных видеокамер и серебряно-висмутовых фотоумножителей. В 1969 году в США создана Hamamatsu Corporation USA, действующая (до настоящего времени) как аффилированная компания. Она участвовала в освоении космического пространства (зонд для отслеживания кометы Галлея). В 1970-е годы началось сотрудничество с западногерманской фирмой Heiaman и концерном Philips, в эти годы созданы трубка для наблюдения фемтосекундных процессов, видиконы для компьютеров, GaAsP и Si PIN фотодиоды, ультрафиолетовая видеокамера ("Kyokkou"). В 1980-2000 гг. объем исследований и производства резко нарастает, и фирма получает широкое международное признание.

По состоянию на январь 2011 г. в компании работали 2834 сотрудника. Объем продаж составил 79 235 млн йен. Фирма располагает шестью заводами и тремя научно-исследовательскими лабораториями, а также пятью дочерними компаниями и организациями. Президент и главный исполнительный директор Hamamatsu Photonics K.K. — Акира Хирума (Akira Hiruma) [1, 2].

В 2011 году Hamamatsu Photonics выпускает продукцию следующих категорий:

• оптоэлектронные полупроводниковые приборы (15 видов продукции);

• светочувствительные электронные трубки (9 видов);

• светодиоды, лазерные диоды, источники света (14 видов);

• видеокамеры и измерители параметров изображения (10 видов);

• оборудование для медицины (8 видов);

• полупроводниковые анализаторы: микроскопы, плазменные мониторы и др. (8 видов);

• оптические измерительные системы (12 видов);

• рентгеновское оборудование (12 видов);

• другие продукты и сервисы (3 вида).

В состав каждого вида продукции, в свою очередь, входят несколько подвидов продукции. Например, к категории оптоэлектрон-ных приборов относятся:

• кремниевые фотодиоды (11 линеек приборов);

• лавинные диоды (3 линейки);

• мультипиксельные счетчики фотонов (2 линейки);

• датчики изображения (7 линеек);

• фотомикросхемы (10 линеек);

• датчики видимого света и освещенности (5 линеек);

• датчики цвета и модули для ЖК-мониторов (2 линейки);

• детекторы положения (4 линейки);

• детекторы инфракрасного излучения (8 линеек);

• светодиоды (6 линеек);

• плоскопанельные сенсоры рентгеновского излучения (3 линейки);

• мини-спектрометры (6 линеек);

• приборы для оптокоммуникаций (4 линейки);

• приборы для автомобилей (8 линеек);

• модули для различных приложений (9 линеек).

В других категориях продукции в состав каждого вида также входят несколько линеек, поэтому даже краткое описание столь широкой номенклатуры изделий, выпускаемой фирмой, займет несколько журнальных статей. В предлагаемой статье рассмотрены особенности и приведены параметры ПЗС-и InGaAs-сенсоров из категории оптоэлектрон-ных приборов Hamamatsu Photonics. О других категориях продукции Hamamatsu Photonics мы расскажем в последующих публикациях.

Датчики изображения

Датчики изображения Hamamatsu нашли широкое применение в различных областях науки и промышленности. Компания выпускает датчики изображения следующих типов:

• ПЗС-сенсоры. Приборы имеют очень низкий уровень шума, что позволяет получать сигналы с высоким отношением сигнал/шум.

• МОП-сенсоры. Приборы характеризуются высокой чувствительностью в ультрафиолетовой области и высокой линейностью, что необходимо для спектрофотометрии. МОП-сенсоры широко используются в промышленных приложениях невысокой стоимости, отличаются низким энергопотреблением и малыми размерами.

• InGaAs-сенсоры. Приборы используются для научных измерений, в промышленности, в системах со спектральным уплотнением DWDM (Dense Wavelength Division Multiplexing), работающих в ближней инфракрасной области (до 2,6 мкм).

• ПЗС-сенсоры типа Back-thinned TDI (Time Delay Integration). Приборы, освещаемые с обратной стороны подложки с временной задержкой и уплотнением. Эти сенсоры обеспечивают четкие и яркие изображения даже при низкой освещенности и высокоскоростной съемке.

• Рентгеновские датчики изображения. Приборы построены на основе ПЗС-сен-соров или массивов фотодиодов.

• Фотодиодные массивы с усилителями.

• Схемы и узлы для датчиков изображения. По рекомендациям фирмы ее датчики изображения и камеры на их основе могут быть использованы в следующих приложениях (краткое изложение):

• Науки о жизни — наблюдение флуоресценции, люминесценции в клетках организмов, внешнего вида генов, белковых взаимодействий, скрининг лекарств и патологий.

• Анализ отказов полупроводниковых приборов и микросхем, инспекция печатных плат, измерение квантового выхода органических светодиодных материалов.

• Высокоточное бесконтактное измерение толщины образцов от 20 нм до 50 мкм.

• Измерения оптических характеристик светодиодов, лазеров и других источников света (распределение яркости, астигматизм).

• Автомобильные приложения — датчики, используемые в системах, контролирующих расстояние между транспортными средствами.

• Высокоскоростные камеры для наблюдения плазменных процессов.

• Медицина — мониторинг кислорода в мозге, сканирование патологий с созданием слайдов.

• Многоканальный мониторинг плазменных выбросов при травлении и напылении при производстве полупроводников.

• Оптическая связь — измерение параметров лазерного луча, инспекция оптического волокна, фильтров и муфт.

• Спектроскопия — наблюдение и измерения параметров высокоскоростных оптических явлений (комбинационное рассеяние света, электрические разряды и др.).

• Рентген — панели для рентгенографии, неразрушающий контроль, осмотр трещин и др.

• Наблюдение за процессами сварки, обработки и склеивания материалов.

ПЗО-сенсоры

В номенклатуру ПЗС-сенсоров, предлагаемых компанией в 2011 году, входят 20 типов сенсоров с фронтальным освещением и 46 типов сенсоров, освещаемых с обратной стороны подложки [3]. Классификационные параметры ПЗС-сенсоров приведены в таблице (за исключением некоторых позиций).

Рассмотрим особенности и основные параметры некоторых серий ПЗС-сенсоров Hama-matsu, работающих при температуре 25 °C.

Серия S9736. Приборы выполнены на однотипном сенсоре с полнокадровым переносом заряда в различных конструктивных исполнениях. Их внешний вид показан на рис. 4.

Сенсоры разработаны для научных приложений при работе в условиях низкой освещенности. Приборы отличаются низким уровнем шума и малым темновым током в режиме МРР (Multi pinned phase), при этом режиме можно обнаружить объекты с очень низкой освещенностью и большим временем интегрирования. Исполнение S9736-02 за счет термоэлектрического охлаждения может снизить температуру сенсора до -70 °C при

Таблица. Параметры ПЗС-сенсоров компании Hamamatsu

Тип прибора Число активных пикселей Размер пикселя, мкм Размер активной зоны,мм Охлаждение Корпус

ПЗС с фронтальным освещением

S9736-01 512x512 24x24 12.288x12.288 Нет DIP24

S9736-02 512x512 24x24 12.288x12.288 4 ТЭ-элемента DIP28 металл

S9736-03 512x512 24x24 12.288x12.288 Нет Плоский

S9737-01 1024x1024 12x12 12.288x12.288 Нет DIP24

S9737-02 1024x1024 12x12 12.288x12.288 4 ТЭ-элемента DIP28 металл

S9737-03 1024x1024 12x12 12.288x12.288 Нет Плоский

S9970-0906 532x64 24x24 12.288x1.44 Нет DIP24

S9970-1006 1044x64 24x24 24.576x1.44 Нет DIP24

S9970-1007 1044x128 24x24 24.576x2.976 Нет DIP24

S9970-1008 1044x256 24x24 24.576x6.048 Нет DIP24

S9971-0906 532x64 24x24 12.288x1.44 1 ТЭ-элемент DIP24

S9971-1006 1044x64 24x24 24.576x1.44 1 ТЭ-элемент DIP24

S9971-1007 1044x128 24x24 24.576x2.976 1 ТЭ-элемент DIP24

S9971-1008 1044x256 24x24 24.576x6.048 1 ТЭ-элемент DIP24

S9972-1007 1044x128 24x24 24.576x2.976 Нет DIP24 керамика

S9972-1008 1044x256 24x24 24.576x6.048 Нет DIP24 керамика

S9972-1007 1044x128 24x24 24.576x2.976 1 ТЭ-элемент DIP24 керамика

S9972-1008 1044x256 24x24 24.576x6.048 1 ТЭ-элемент DIP24 керамика

S9978 512x512 24x24 12.288x12.288 Нет DIP24 керамика

S9979 1536x128 48x48 73.728x6.144 Нет DIP28 керамика

ПЗС Back-thinned FFT

S7030-0906 512x58 24x24 12.288x1.392 Нет DIP24 керамика

S7030-0907 512x122 24x24 12.288x2.928 Нет DIP24 керамика

S7030-1006 1024x58 24x24 24.576x1.392 Нет DIP24 керамика

S7030-1007 1024x122 24x24 24.576x2.928 Нет DIP24 керамика

S7031-0906S 512x58 24x24 12.288x1.392 1 ТЭ-элемент DIP24 керамика

S7031-0907S 512x122 24x24 12.288x2.928 1 ТЭ-элемент DIP24 керамика

S7031-1006S 1024x58 24x24 24.576x1.392 1 ТЭ-элемент DIP24 керамика

S7031-1007S 1024x122 24x24 24.576x2.928 1 ТЭ-элемент DIP24 керамика

S7033-0907 512x122 24x24 12.288x2.928 Нет DIP24 керамика

S7033-1007 1024x122 24x24 24.576x2.928 Нет DIP24 керамика

S7034-0907S 512x122 24x24 12.288x2.928 1 ТЭ-элемент DIP24 керамика

S7034-1007S 1024x122 24x24 24.576x2.928 1 ТЭ-элемент DIP24 керамика

S7170-0909 512x512 24x24 12.288x12.288 Нет DIP24 керамика

S7170-0900-01 512x512 24x24 12.288x12.288 1 ТЭ-элемент DIP24 керамика

S7986-01 658x490 14x14 9.212x6.86 Нет DIP24 керамика

S7987-01 658x490 14x14 9.212x6.86 1 ТЭ-элемент DIP24 керамика

S9037-0902 512x4 24x24 12.288x0.096 Нет DIP24 керамика

S9037-1002 1024x4 24x24 24.576x0.096 Нет DIP24 керамика

S9038-0902S 512x4 24x24 12.288x0.096 1 ТЭ-элемент DIP24 керамика

S9038-1002S 1024x4 24x24 24.576x0.096 1 ТЭ-элемент DIP24 керамика

S10140-1007 1024x122 12x12 12.288x1.464 Нет DIP24 керамика

S10140-1008 1024x250 12x12 12.288x3 Нет DIP24 керамика

S10140-1009 1024x506 12x12 12.288x6.072 Нет DIP24 керамика

S10140-1107 2048x122 12x12 24.576x1.464 Нет DIP24 керамика

S10140-1109 2048x250 12x12 24.576x3 Нет DIP24 керамика

S10141-1007S 1024x122 12x12 12.288x1.464 1 ТЭ-элемент DIP24 керамика

S10141-1008S 1024x250 12x12 12.288x3 1 ТЭ-элемент DIP24 керамика

S10141-1009S 1024x506 12x12 12.288x6.072 1 ТЭ-элемент DIP24 керамика

S10141-1107S 2048x122 12x12 24.576x1.464 1 ТЭ элемент DIP24 керамика

S10141-1108S 2048x250 12x12 24.576x3 1 ТЭ-элемент DIP24 керамика

S10141-1109S 2048x506 12x12 24.576x6.072 1ТЭ-элемент DIP24 керамика

S10747-0909 512x512 24x24 12.288x12.288 Нет DIP24 керамика

S11071-1004 1024x16 14x14 14.336x0.224 Нет DIP24 керамика

S11071-1006 1024x64 14x14 14.336x0.896 Нет DIP24 керамика

S11071-1104 2048x16 14x14 28.672x0.224 Нет DIP24 керамика

S11071-1106 2048x16 14x14 28.672x0896 Нет DIP24 керамика

S1115-2048 NEW 2048x1 14x500 28.672x0.5 Нет DIP24 керамика

S1116-2048 NEW 2048x1 14x1000 28.672x1 Нет DIP24 керамика

S11500-1007 1024x122 24x24 24.576x2.928 Нет DIP24 керамика

S11510-1006 1024x64 14x14 14.336x0.896 Нет DIP24 керамика

S11510-1106 2048x64 14x14 28.672x0.896 Нет DIP24 керамика

40

» -& ■&

I Ю

V \

\

/ \ V

/ \

400 500 600 700 800 900 1000 1100 1200 Длина волны, нм

Примечание. Здесь и далее ТЭ-элемент — термоэлектрический элемент.

комнатной температуре. Основные области применения сенсоров: астрономия, научные измерения, флуоресцентные спектрометры, раман-спектрометры, оптические и спектрофотометрические анализаторы, приборы для работы в условиях низкой освещенности. Основные типовые параметры сенсоров S9736:

• Чувствительность — 3,5 мкВ/е-.

• Темновой ток (е-/пиксель/с). При снижении температуры чувствительность сенсоров существенно возрастает, например при -70 °С она составляет 0,001 мкВ/е-.

Рис. 5. Спектральная характеристика сенсоров S9736, S9737

• Спектральный диапазон — 400-1100 нм. Соответствующая спектральная характеристика приведена на рис. 5.

Следует отметить, что разные производители датчиков изображения используют различные единицы измерений отдельных параметров выпускаемых приборов. В статье использованы единицы измерения, используемые компанией Hamamatsu в технической документации. Их определения приведены в информационных материалах фирмы [4].

Серия S9737. Эти приборы также выполнены на однотипном сенсоре с полнокадровым переносом заряда, в таких же конструктивных исполнениях, как и приборы серии S9736 (рис. 4). Они предназначены для использования в тех же областях применения.

Отличающиеся параметры сенсоров S9737:

• чувствительность ПЗС — 4,5 мкВ/е-;

• темновой ток — 100 е-/пиксель;

• динамический диапазон — 15 000.

Серии S7030, S7031, S7033 и S7034. Приборы этих серий выполнены на сенсорах с полнокадровым переносом заряда, освещаемых с обратной стороны подложки. Внешний вид приборов показан на рис. 6. ПЗС-сенсоры типа Back-thinned FFT более эффективны, чем сопоставимые сенсоры с фронтальным освещением, их квантовая эффективность достигает 90% на пике спектральной чувствительности. Приборы этих серий отличаются высокой чувствительностью в ультрафиолетовой области спектра. Спектральная характеристика сенсоров и сопоставимая характеристика сенсоров с фронтальным освещением приведены на рис. 7.

Основные области применения приборов этих серий: флуоресцентные спектрометры, масс-спектрометры с индуктивно-связанной плазмой, промышленная инспекция продукции, инспекция полупроводниковых приборов, анализаторы ДНК, раман-спектрометры, приборы для обнаружения слабых источников света.

Рис. 6. Внешний вид приборов серий S7030—S7034

Основные параметры сенсоров серий S7030, S7031 (в скобках — отличающиеся параметры серий S7033, S7034):

• чувствительность — 2,2 (0,6) мкВ/е-;

• темновой ток — 100 е-/пиксель/с;

• шум считывания — 8 (30) е- rms;

• динамический диапазон:

- 125 000 (113 300) — сканирование строк;

- 40 000 (10 700) — сканирование всей площади сенсора.

Темновой ток сенсоров практически линейно зависит от температуры. Соответствующая характеристика приведена на рис. 8. Для обеспечения малых значений темнового тока предпочтительнее использовать приборы серии S7031.

Серии S9037, S9038. Приборы этих серий выполнены на сенсорах Back-thinned FFT и предназначены для высокоскоростной съемки. Их внешний вид показан на рис. 9. Основные области применения приборов этих серий: мониторы эксимерных лазеров (широко применяются в глазной хирургии и полупроводниковой промышленности) и высокоскоростные видеокамеры с линейным сканированием. Квантовая эффективность сенсоров достигает 90% и более.

Основные параметры приборов серий S9037 и S9038:

• скорость потока данных — 10 МГц;

• чувствительность — 1,2 мкВ/е-;

Рис. 9. Внешний вид приборов серий S9037 и S9038

• темновой ток — 100 е-/пиксель/с;

• шум считывания — 100 е- rms;

• динамический диапазон — 6000;

• спектральный диапазон — 200-1100 нм. Серии S10140, S10141. Приборы высокого

разрешения этих серий выполнены на сенсорах Back-thinned FFT, отличаются низким шумом считывания и высокой квантовой эффективностью. Внешний вид приборов приведен на рис. 6. Области применения приборов такие же, как и сенсоров серий S7030, S7031, S7033, S7034.

Основные параметры приборов серий S10140 и S10141:

• чувствительность — 5 мкВ/е-;

• темновой ток — 100 е-/пиксель/с;

• шум считывания — 4 е- rms;

• динамический диапазон:

- 37 500 — сканирование строк,

- 18 500 — сканирование всей площади сенсора;

• спектральный диапазон — 200-1100 нм;

• разность реакций пикселей PRNU (Photo response non-uniformity) — ±3%. S10747-0909 (рис. 10) — сенсор с высокой

чувствительностью в ближней инфракрасной области спектра. Этот прибор применяют в телескопах для наблюдения за космосом. Основные параметры S10747-0909:

• чувствительность — 1,7 мкВ/е-;

• шум считывания — 30 е- rms;

Рис. 10. Внешний вид прибора S10747-0909

• динамический диапазон:

- 26 667 — сканирование строк;

- 6666 — сканирование всей площади сенсора;

• PRNU — ±3%;

• спектральный диапазон — 300-1100 нм. Спектральная характеристика прибора

и сопоставимая характеристика сенсоров Back-thinned приведены на рис. 11.

Одна из последних разработок фирмы — линейные ПЗС-сенсоры типа Back-thinned с электронными затворами S11155-2048 и S11156-2048 (рис. 12). В приборах использована структура с резистивным затвором (Resistive gate structure), обеспечивающая высокоскоростное преобразование и малое запаздывание изображения. Особенности устройства и функционирования ПЗС-сен-соров с резистивными затворами приведены в технической документации фирмы [5]. Области применения сенсоров — спектрометры различных типов и линейные сканеры изображений.

Основные параметры приборов S11155-2048иS11156-2048:

• чувствительность — 8 мкВ/е-;

• темновой ток — 50/4 те^пиксель/с (с выключенным и включенным режимом MPP соответственно);

• шум считывания — 30 е- rms;

• динамический диапазон — 6670;

Рис. 7. Спектральная характеристика сенсоров S7030—S7034 Рис. 8. Зависимость темнового тока сенсоров S7030—S7034 от температуры

200

400

600 800 1000 Длина волны, нм

1200

80

-& ■&

Л 1 Л/ \

1 \

\

\

\

\

\

200 400 600 800 1000 1200 Длина волны, нм

Рис. 11. Спектральная характеристика сенсора S10747-0909

Рис. 13. Спектральная характеристика сенсоров SШ55/SШ56

Рис. 12. Внешний вид сенсоров SШ55 и SШ56

• спектральный диапазон — 200-1100 нм, соответствующая характеристика приведена на рис. 13;

• запаздывание изображения — 0,1%. Компания выпускает также плату драйвера

С11165 (рис. 14) для использования рассматриваемых линейных сенсоров в спектрометрах.

1п0аА5-сенсоры

Сенсоры на основе InGaAs, выпускаемые фирмой, используются для научных исследований и в промышленности в качестве оптических анализаторов спектра и в системах со спектральным уплотнением в ближней инфракрасной области спектра. В каталоге Hamamatsu 2011 года предлагается 18 типов InGaAs-сенсоров. Рассмотрим особенности некоторых из них.

Серии G9201-G9204 — в состав серий входят 6 типов линейных сенсоров (рис. 15):

G9201-256S — 256-пиксельный прибор с одним термоэлектрическим элементом охлаждения;

G9202-512S — 512-пиксельный прибор с одним ТЭ-элементом охлаждения; G9203-256D — 256-пиксельный прибор без элементов охлаждения; G9203-256S — 256-пиксельный прибор с одним ТЭ-элементом охлаждения;

• G9204-512D — 512-пиксельный прибор без элементов охлаждения;

• G9204-512S — 512-пиксельный прибор с одним ТЭ-элементом охлаждения.

Все перечисленные сенсоры работают в диапазоне длин волн 0,9-1,67 мкм (при температуре -10 °С), 0,9-1,7 мкм (при температуре +25 °С), соответствующие спектральные характеристики приборов приведены на рис. 16. Основные особенности InGaAs-сенсоров:

• широкий динамический диапазон;

• низкий уровень шума и малый темновой ток;

• 2 коммутируемых режима преобразования;

• встроенная схема антинасыщения;

• встроенная схема компенсации смещения. G10768-1024D/DB — неохлаждаемые линейные сенсоры с числом пикселей 1024. Размеры пикселей: 25x100 мкм (исполнение D) и 25x25 мкм (исполнение DB). Внешний вид сенсоров показан на рис. 17. Основные области применения приборов: обнаружение и классификация дефектов объектов, оптическая когерентная томография, спектроскопия в ближней инфракрас-

т

3

§ 0,5 н т о

о ©

Т = 25 Т = -1( °с -Ч-

I

/

/

\ V

1 1,5

Длина волны, мкм

Рис. 16. Спектральная характеристика сенсоров G9201—G9204

Рис. 17. Внешний вид приборов G10768-1024D/DB

ной области. Соответствующая спектральная характеристика приведена на рис. 18.

Основные особенности приборов G10768-1024D/DB:

• высокая скорость считывания строк (39 000 линий/с);

• высокая скорость потока данных (5 МГц, максимум 6,67 МГц);

• 4 коммутируемых режима преобразования;

• встроенный тактовый генератор;

• низкий темновой ток (±1 пА);

• работа при комнатной температуре.

Заключение

Компания Hamamatsu Photonics выпускает широкую номенклатуру ПЗС-датчиков изображения со средним и высоким разрешением: от 512x58 пикселей (S7030-0906) до 2048x250 пикселей (S10140-1109). Наибольшей чувствительностью — 1,2-1,7 мкВ/е-

Длина волны, мкм

Рис. 18. Спектральные характеристики сенсоров G10768-1024D/DB

и квантовой эффективностью — до 90% обладают ПЗС-сенсоры, освещаемые с обратной стороны подложки (серии S9037, S9038, S10140 и S10141). ПЗС-сенсоры компании могут быть использованы в различных приборах для научных исследований и промышленности, в высокоскоростных видеокамерах, медицинском оборудовании и других приложениях.

InGaAs-сенсоры Hamamatsu можно применять для приборов, работающих в красной и ближней инфракрасной области спектра (0,9-1,7 мкм). Они предназначены для использования в дефектоскопии, оптических когерентных томографах, спектрометрах,

оборудовании для научных исследований

и других приложениях. ■

Литература

1. http://jp.hamamatsu.com/en/hamamatsu/history/ index.html

2. http://jp.hamamatsu.com/en/hamamatsu/ corporate/index.html

3. http://jp.hamamatsu.com/products/sensor-ssd/ pdШ/pd102/mdex_en.html

4. http://sales.hamamatsu.com/assets/applications/ SSD/Characteristics_and_use_of_FFT-CCD.pdf

5. http://jp.hamamatsu.com/resources/products/ssd/ pdf/tech/resistive_gate_ccd_e.pdf