Научная статья на тему 'Источник шумовых сигналов на основе автомодулированного генератора на диоде Ганна'

Источник шумовых сигналов на основе автомодулированного генератора на диоде Ганна Текст научной статьи по специальности «Физика»

CC BY
284
45
i Надоели баннеры? Вы всегда можете отключить рекламу.
i Надоели баннеры? Вы всегда можете отключить рекламу.
iНе можете найти то, что вам нужно? Попробуйте сервис подбора литературы.
i Надоели баннеры? Вы всегда можете отключить рекламу.

Текст научной работы на тему «Источник шумовых сигналов на основе автомодулированного генератора на диоде Ганна»

Секция приборов сверхвысоких частот

-^Ні-л/Гл и

(1 + т)

4С (2С + р2х )(1 + ~)

* V

(3)

//

5"2Я:)(1 + у-) * р|

О» , _ Л|/?у 7 _ /?у(2С + р2|).

(4)

(5)

Здесь /?у энергия излучаемых квантов; СТ-,, - поперечное сечение индуцированного взаимодействия этих квантов и молекул; / - интенсивность излучения; /4- интенсивность насыщения, при которой (/ = /,.)

коэффициент усиления уменьшается практически в два раза.

следует необходимость для таких лазеров создания достаточно большого давления ~П.

Видно, что нелинейная зависимость // = /(/) очень близка к традиционной для лазеров форме, соответствующей случаям /1 = I или

Проведенный анализ позволяет при известных параметрах С,В,оценить выходные параметры, а используя работу |2], и

оптимальную прозрачность выходного зеркала таких лазеров.

1. Эксимерные лазеры; Под ред. Ч. Роуза. М.: Мир, 1981. 245с.

2. Малышев В.А. Учет распределения поля в резонаторе при определении оптимальной прозрачности выходного зеркала лазеров //Квантовая электроника.

Сер. 18.1991. №3. С.352-355.

УДК 621.382

В.И. Кротов, В.В. Роздобудько

ИСТОЧНИК ШУМОВЫХ СИГНАЛОВ НА ОСНОВЕ АВТОМОДУЛИРОВАННОГО ГЕНЕРАТОРА НА ДИОДЕ ГАННА

В сообщении описан и экспериментально исследован источник шумовых колебаний трехсантиметрового диапазона длин волн, выполнен-

“У •

Видно, что Пэ > О лишь при А< 1, когда Вп~ > 4С(------------------------------------1-1), откуда

Рг і

ЛИТЕРАТУРА

Известия ТРТУ

Специальный выпуск

ный на основе автомодулированного генератора на диоде Ганна (ДГ) и обеспечивающего в полосе механической перестройки (8-10) ГГц шумовую полосу (100-150) МГц с интегральной мощностью порядка 100 мВт.

По той причине, что НЧ и СВЧ проводимости ДГ не являются взаимосвязанными, а существенно разнятся по частотным и нелинейным свойствам [1], то создание источника шумовых колебаний стало возможным за счет обеспечения генерации ДГ релаксационных НЧ колебаний определенной амплитуды и формы и одновременной СВЧ генерации,

существование которой обеспечивалось во всем диапазоне „

амплитудного качания" генератора по НЧ.

Помимо экспериментального факта возможности создания достаточно простого источника шумовых колебаний в работе показано, что в генераторах на ДГ процесс стохастизации генерируемых СВЧ колебаний происходит, как правило, при превышении определенного значения скорости их электронной перестройки по частоте. Отмечается, что последнее характерно не только для генераторов на ДГ, но и имеет место в ряде других вакуумных и полупроводниковых СВЧ приборов [2].

ЛИТЕРАТУРА

1. Дубровский В.И., Карассв А.С. Частотная зависимость дифференциальной проводимости диодов Ганна //Электронная техника. Сер.1. 1985. № 8. С. 20-23.

2. Вакс В Л. и др. Использование модуляции в СВЧ-генераторах для получения стохастического выходного сигнала //Радиотехника и электроника. 1994. № В. С. 957-962.

УДК.621.383

Г.Г. Червяков

ВЛИЯНИЕ ЗАКОНА РЕКОМБИНАЦИ И НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА НА ЭФФЕКТИВНОСТЬ ГАРМОНИЧЕСКОГО ПРЕОБРАЗОВАНИЯ МОДУЛИРУЮЩЕЙ АМ-СВЕТА В ПОЛУПРОВОДНИКЕ ПРИ НАЛИЧИИ СВЧ-ПОЛЯ

Проводится анализ преобразовательных свойств объема полупроводника при линейном и квадратичном законах рекомбинации носителей заряда. Учитывается, что световая генерация носителей осуществляется либо из валентной зоны, либо из примесных уровней с высокой концентрацией и при этом реализуется соответствующий закон рекомбинации носителей, так что уравнение кинетики рекомбинации носителей (для случая квадратичного закона) с концентрацией п имеет вид:

(ІН ^

= Ф — Ш1~, где Ф - скорость световой и темновои генерации носи-

с//

телей; а = 58 =5^где а - коэффициент рекомбинации

носителей полупроводника, 6 - поперечное сечение рекомбинации, зависящее от скорости & носителей по закону 5 = 50/Эга , где т показатель степени, который можно определить из экспериментов, причем обычно т > I.

i Надоели баннеры? Вы всегда можете отключить рекламу.