CC BY
44
46
Вестник Чувашского университета. 2012. № 3
сделать предположение о том, что при термическом воздействии произошла реакция присоединения атомов Se к цепочке углерода через разрыв п-связи.
Литература
1. Optical Properties of Amorphous Selenium Films [Электронный ресурс]. URL: http://Hbrary.usask. ca/theses/ available/etd-07032006-182757/unrestricted/Revised_Optical_Properties_of_ Amorphous_Selenium_Films.pdf.
КОКШИНА АННА ВЛАДИМИРОВНА. См. с. 43.
БЕЛОВА АВГУСТИНА ВАЛЕРЬЕВНА. См. с. 43.
КРАСНОВА АЛИСА ГЕННАДЬЕВНА. См. с. 43.
КОЧАКОВ ВАЛЕРИЙ ДАНИЛОВИЧ. См. с. 43._____________________________
УДК 546.26. 538.97
А.Г. КРАСНОВА, А.В. КОКШИНА, А.В. БЕЛОВА, В.Д. КОЧАКОВ
ИССЛЕДОВАНИЕ ВЗАИМОДЕЙСТВИЯ PbSe С УГЛЕРОДОМ В СОСТОЯНИИ Sp1
Ключевые слова: пленки, углерод в состоянии Sp1, бинарная система, позистор.
Получен бинарный полупроводниковый пленочный материал PbSe с положительным температурным коэффициентом. Обнаружено влияние углерода в состоянии Sp1 на положение критической температуры ТКС.
A.G. KRASNOVA, A.V. KOKSHINA,
A.V. BELOVA, V.D. KOCHAKOV INTERACTION RESEARCH PbSe WITH CARBON IN CONDITION Sp1
Key words: films, carbon in a condition Sp1, binary system, pozister.
Binary semi-conductor film material PbSe with positive in temperature factor is received. Carbon influence in condition Sp1 on position of critical temperature PNF is revealed.
В настоящее время все крупнейшие мировые производители микроэлектроники занимаются исследованием твёрдофазного синтеза в тонких плёнках. При этом отмечаются пониженные температуры синтеза бинарных систем из двухслойных пленочных систем.
В настоящей статье приводятся экспериментальные данные по синтезу бинарной полупроводниковой системы PbSe. В экспериментах использовались PbSe двухслойные плёночные образцы, полученные вакуумным осаждением на стеклянные подложки с последующим отжигом в атмосфере азота при 250°С в течение 45 мин. Полученные образцы исследовались на микроскопе Femtoscan в атомно-силовом режиме. Топология поверхности представлена на рис. 1. Средний размер кристаллитов 0,2 мкм.
Поверхностное сопротивление синтезированных пленок измерялось на установке RMS-EL-Z четырехзондовым методом. Оно составило 2,1-3,3 кОм/квадрат. Поскольку пленки в диапазоне 250-1100 нм не прозрачны, было решено определить
Рис. 1. Микрокристаллическая структура пленки ширину запрещенной зоны по зависимо-селенида свинца сти сопротивления от температуры. Одна-
ко эксперимент показал зависимость сопротивления от температуры, присущую позис-тору. Данная зависимость показана на рис. 2.
Рис. 2. Зависимость сопротивления бинарной системы РЬБе (а) и зависимость [1] от температуры (б).
На рис. 2, б Т^ обозначает критическую температуру
Сравнение с данными из Интернета [1] свидетельствует о том, что, начиная с 70°С, пленка РЬ8е, полученная по вышеописанному методу, имеет положительный температурный коэффициент сопротивления (ТКС), т.е. является материалом для позистора.
Далее на поверхность пленки РЬ8е в вакууме ионно-плазменным методом синтезировали пленку линейно-цепочечного углерода. При снятии температурной зависимости полученного образца обнаружилось смещение критической температуры ТКС. Эффект смещения ТКС показан на рис. 3.
300 310 320 330 340 350 360 Г,К
■ РЬ+Бе (т-о в азоте 250°С) + ЛЦУ
■ РЬ+Бе т-о в азоте 250°С
Рис. 3. Смещение критической температуры у пленки РЬБе под влиянием ЛЦУ
Таким образом, обнаружен эффект воздействия углерода в состоянии Зр1 на ТКС бинарного полупроводника РЬ8е.
Литература
1. Нагреватели в системах приточной вентиляции на базе Р.Т.С. термисторов [Электронный ресурс]. иКЬ: http://gtp41.blog.ru/?page=2.
КРАСНОВА АЛИСА ГЕННАДЬЕВНА. См. с. 43. КОКШИНА АННА ВЛАДИМИРОВНА. См. с. 43. БЕЛОВА АВГУСТИНА ВАЛЕРЬЕВНА. См. с. 43. КОЧАКОВ ВАЛЕРИЙ ДАНИЛОВИЧ. См. с. 43.
