CC BY
58
удк 621.315.592 И. А. Сысоев [Sysoev I. A], В. А. Лапин [Lapin V. A.] Ф. Ф. Малявин [Maljavin F. F.]
исследование влияния условий
молекулярно-лучевой эпитаксии на морфологию и спектральные характеристики гетероструктур ge/si и gesi/si
Study the effects of conditions of molecular beam epitaxy on the morphology and spectral characteristics of heterostructures Ge / Si and GeSi / Si
В статье представлены новые методики снижения среднеквадратичной шероховатости структур GeSi. Методом атомно-силовой микроскопии изучены образцы пленок GeSi, полученные на установке МЛЭ. Замечено, что шероховатость пленки и размеры растущих островков снижаются с увеличением времени отжига пластины кремния при постоянной температуре 850 °С. Исследована морфология структур с LT-Ge/Si, в которых температура подложки изменяется ступенчато с различным количеством шагов. Выявлено, что шероховатость пленки и размеры растущих островков снижаются с увеличением числа шагов изменения температуры N от 300 °С до 600 °С. Показано, что шероховатость пленки и размеры растущих островков зависят от характера изменения состава сплава GexSi1-x по толщине при постоянной интегральной доле Ge x = 0.5. Лучшие результаты морфологии были достигнуты при постепенном изменении концентрации Ge в растущей пленке в диапазоне времени процесса 10-90 мин. Установлена взаимосвязь спектра КРС образцов с характером изменения состава сплава. Показано, что для бесконтактного неразрушающего контроля эпитаксиальных структур на основе GexSi1-x перспективно использование метода спектроскопии комбинированного рассеяния.
Ключевые слова: молекулярно-лучевая эпитаксия, атомно-силовая микроскопия, комбинационное рассеяние света, гетероструктуры GexSi1-x/Si, эпитаксиальный рост, сверхструктурные домены, "hut-кластеры", "dome-кластеры", эпитаксиальные структуры.
The paper presents new methods to reduce the rms roughness structures GeSi. By atomic force microscopy studied film samples GeSi, obtained at the MBE. It is noticed that the roughness of the film and the size of growing islands decrease with increasing annealing time silicon wafer at a constant temperature of 850 °C. The morphology structures LT-Ge / Si, in which the substrate temperature is changed in steps with different number of steps. Revealed that the roughness of the film and the size of growing islands decrease with increasing the number of steps changes in temperature from 300 °C N to 600 ° C. It is shown that the roughness of the film and the size of the growing islands depend on the nature of changes in the composition of the alloy GexSi1-x thickness at a constant fraction of the integrated Ge x = 0.5. Best results were obtained when the morphology of the gradual change in the concentration of Ge in the film growing process in the time range of 10-90 min. The interrelation of the Raman spectrum of the samples with the character changes in the composition of the alloy. It is shown that for non-contact NDT epitaxial structures based on GexSi1-x promising to use Raman spectroscopy method.
Keywords: molecular beam epitaxy, atomic force microscopy, Raman scattering, heterostructures GexSi1-x / Si, epitaxial growth, the superstructure domains, "hut-clusters", "dome-clusters", epitaxial structures.
Одним из самых перспективных современных методов получения гетероструктур со сверхтонкими гетеропереходами и высокочистыми полупроводниковыми слоями является молекулярно-лучевая эпитаксия (МЛЭ). Тем не менее, согласование различных полупроводниковых материалов при выращивании функциональных слоев на стандартных подложках, таких как кремний, остается актуальной проблемой микроэлектронной индустрии. При этом пути решения этой проблемы лежат в применении специальных методик в процессе эпитаксиального роста, таких как создание буферных слоев, использование высокотемпературного отжига и варьирования условий и параметров роста.
Получение бездислокационных эпитаксиальных пленок германия на кремнии привлекательно как с научной, так и с прикладной точек зрения. Например, выращивание структур на основе GaAs на искусственной подложке германия значительно удешевит подобные структуры и приборы на их основе.
Получение и свойства гетероструктур GexSi1-x/Si широко исследованы в работах [1-3]. Существует необходимость в контроле приборных структур на основе таких материалов неразрушающим бесконтактным методом. Таким условиям удовлетворяет метод Рамановской спектроскопии.
Критическими параметрами эпитаксиальных пленок сплавов GexSi1 х при их применении в гетеропереходных устройствах являются напряженность, плотность дефектов, подвижность носителей, ширина запрещенной зоны. Существует зависимость этих параметров от состава сплава GexSi1 толщины слоя и степени релаксации [4]. Эти величины можно измерить количественно с помощью Рамановской спектроскопии, быстрым и неразрушающим бесконтактным методом, который не требует предварительной подготовки образца и обеспечивает высокую глубину и пространственное разрешение.
Снижения шероховатости пленки Ge/Si(111) при помощи сверхструктур.
Вследствие наличия оборванных связей на поверхности и их взаимодействия, атомы стремятся занять более выгодные с энергетической точки зрения положения. При этом на поверхности образуется периодическая двумерная структура. Механизм реконструкции поверхности существенно зависит от температурных условий. Так, поверхность Si
(111) перестраивается в метастабильную структуру (2^1), которая при отжиге 830 °С трансформируется в структуру (7 х 7) [5].
Проведенные исследования механизмов зарождения островков на поверхности Si (111) - 7x7 показали, что этот процесс происходит преимущественно на границах сверхструктурных доменов [6, 7]. На начальной стадии роста при комнатной температуре происходит встраивание атомов Ge в ступени поверхности подложки с зарождением двумерных островков преимущественно на границах сверхструктурных доменов. Рост Ge происходит послойно вплоть до толщины пленки три монослоя. Последующий низкотемпературный рост ведет к образованию аморфной пленки [8]. В том случае, если температура подложки больше 350 °С, после третьего монослоя происходит формирование трехмерных островков [9].
Перед выращиванием гетерослоя Ge/Si была проведена следующая операция: каждый из образцов выдерживался при температуре 850 °С (выше точки сверхструктурного перехода Si (111) - 7x7 при 830 °С) в течение различного времени (образец 1 - 5 мин; образец 2 - 10 мин; образец 3 - 15 мин и т. д.). Данная операция проводилась с целью формирования на поверхности пластины сверхструктур различного размера. Далее на протяжении 10 минут температура образца опускалась до 650 °С. После этого сразу начиналось напыление германия в течение 1 часа при потоке, соответствующем скорости роста 300 нм/час.
На рис. 1 приведены АСМ-изображения поверхностей пленки Ge/Si (111). На всех изображениях присутствуют 3D островки германия, что является характерным для гетероосаждения данных материалов, вследствии рассогласования постоянных кристаллической решетки ~ 4 %. Однако наблюдается тенденция к уменьшению латеральных размеров островков и их высоты при возрастании порядкового номера образца.
Результаты анализа данных АСМ-изображений сведены в табл. 1. В ней отображены следующие величины: время отжига подложки todx средняя высота h, средняя длина l, средняя ширина d, шероховатость о, геометрический параметр у.
Геометрический параметр у - величина, характеризующая соотношение между высотой 3D островка и его площадью основания:
у = h/(l d), (1)
где h - высота островка, l - длина островка, d - ширина островка.
Обоазец 9
Рис. 1.
АСМ изображения поверхности образцов 1-9 (20 х 20 мкм).
Таблица 1.СТАТИСТИКА 3D ОСТРОВКОВ ДЛЯ ПОЛУЧЕННЫХ ОБРАЗЦОВ
№ образца Время отжига ПОДЛОЖКИ t„3i, мин Средняя высота h, нм Средняя длина l, нм Средняя ширина d, нм Шероховатость а, нм Геометрический параметр Y, 10-3 нм-1
1 5 417,9 1228,7 1170,0 112,6 0,291
2 10 297,7 1153,3 1149,7 79,4 0,225
3 15 278,2 1058,8 1098,5 70,7 0,239
4 20 273,7 1010,1 1040,3 52,2 0,260
5 25 224,3 832,4 784,3 44,4 0,344
6 30 228,0 759,0 708,4 37,0 0,424
7 35 218,2 743,7 673,6 39,1 0,436
8 40 211,9 558,0 569,5 35,2 0,667
9 45 202,2 553,7 518,7 30,3 0,704
При осаждении пленки германия на подложку Si (111) методом молекулярно-лучевой эпитаксии при температуре подложки 650 °С, при неизменном потоке германия (скорость роста 300 нм/ч) и времени проведения процесса (1 час), в зависимости от условий предростовой термической подготовки пластины Si (111) наблюдалось изменение топологии поверхности выращенной пленки (размеров 3D островков).
При анализе полученных данных была выявлена зависимость размеров островков и шероховатости пленки от времени предварительного высокотемпературного отжига подложки Si (111).
Из полученных данных можно заключить, что время отжига при температуре 850 °С подложки Si (111) влияет на шероховатость пленки германия, выращенной на этой подложке. Наблюдается, что при увеличении времени отжига подложки шероховатость пленки снижается. Кроме
того, уменьшается средний размер островков Ge во всех трех измерениях, но при этом, латеральные размеры островков уменьшаются значительнее, чем их высота, о чем можно судить по изменению геометрического параметра у. Это говорит о том, что снижение шероховатости данным методом имеет ограничения.
Предполагается, что шероховатость снижается за счет увеличения количества центров зародышеобразования на сверхструктурах Si (111) -7 х 7, которые образуются при повышенной температуре на поверхности Si (111).
Отработанный способ является одним из эффективных способов снижения шероховатости гетероструктуры Ge/Si (111).
Методом атомно-силовой микроскопии были изучены образцы пленок германия на Si (111), полученные на установке МЛЭ. Было замечено, что шероховатость пленки и размеры растущих островков снижаются с увеличением времени отжига пластины кремния при постоянной температуре 850 °С.
Влияние характера изменения температуры образца в процессе роста на морфологию поверхности пленки Ge/Si (100).
Исследования в области SiGe технологии показывают, что использование аморфных, поликристаллических и низкотемпературных буферных слоев позволяют значительно снизить плотность дислокаций в гетероструктуре [10]. В данной работе приводятся исследования морфологии структуры Ge/LT-Ge/Si. При этом изменения температуры подложки в процессе роста для каждого образца носят характер, приведенный на рис. 2.
Рассогласование параметров кристаллических решеток кремния и германия (равное ~4%) приводит к тому, что при гетероэпитаксии псев-доморфный двумерный рост пленки происходит до некоторой критической толщины слоя германия, соответствующей четырем монослоям (hc ~ 4 MC). Затем накопленные напряжения снимаются путем роста бездислокационных кластеров германия на кремнии по механизму Странско-го - Крастанова. Послойный рост сменяется образованием так называемых «hut-кластеров», имеющих форму четырехгранных пирамид, затем «dome-кластеров». Появление трехмерного поверхностного рельефа может способствовать зарождению дислокаций [11]. Пониженные темпера-
О 20 40 60 80 100 120 140
t, мин
а)
t, мин
Рис. 2. Изменение температуры подложки в процессе роста пленки Ge/Si (100):
а) образец № 1-3;
б) образец № 4-6.
туры подложки в процессе роста препятствуют развитию 3D рельефа, но даже при температуре 350 °С возможно зарождение дислокаций несоответствия на поверхностных неоднородностях.
Использование температур роста 300 °С позволяет получать пленку в псевдоморфном состоянии вплоть до толщин 200 нм [12]. Подобная методика уменьшения плотности пронизывающих дислокаций (ПД) в гето-росистеме Ge/Si называется «On Line» методом (борьба с ПД происходит в процессе эпитаксии). Однако, низкотемпературные слои Ge при повышении температуры роста снова проявляют тенденцию к островкованию
Рис. 3. АСМ изображения поверхности образцов № 1-6 (20x20 мкм).
и повышенному введению дефектов [13, 14] Так, в работе Halbwax et al [15] было показано, что низкотемпературно выращенные пленки нестабильны при толщинах не более 27 нм.
Для каждого из полученных образцов пленок Ge/Si (100) эпитаксия начиналась при температуре подложки 300 °С, таким образом был сформирован низкотемпературный слой (LT-Ge/Si). Эпитаксия происходила в течение 2 часов, при этом температура подложки для каждого образца изменялась так, как показано на рис. 2.
На рис. 3 приведены АСМ-изображения поверхности полученных пленок Ge/Si (100). На всех изображениях присутствуют 3D-островки германия, что является характерным для гетероосаждения данных материалов, вследствии рассогласования постоянных кристаллической решетки ~ 4%. Однако наблюдается тенденция к уменьшению латеральных размеров островков и их высот при возрастании порядкового номера образца.
Результаты анализа данных АСМ-изображений приведены в табл. 2. В ней отображены следующие величины: число шагов изменения темпе-
Таблица №2. СТАТИСТИКА 3D ОСТРОВКОВ ДЛЯ ПОЛУЧЕННЫХ ОБРАЗЦОВ
№ образца Число шагов изменения температуры, N Средняя высота Ь, нм Средняя длина 1, нм Средняя ширина в, нм Шероховатость а, нм
1 1 310,4 1418,5 1370,5 91,3
2 2 315,9 1435,7 1090,3 78,3
3 3 286,5 1414,2 1378,5 65,1
4 4 257,7 1309,8 1015,2 62,4
5 5 203,4 1220,8 962,3 47,6
6 10 194,5 959,1 846,7 47,5
ратуры N средняя высота ^ средняя длина 1, средняя ширина d, шероховатость о.
При осаждении пленки германия на подложку Si (100) методом мо-лекулярно-лучевой эпитаксии при неизменном потоке германия (скорость роста 250 нм/ч) и времени проведения процесса (2 часа), в зависимости от характера изменения температуры подложки в процессе роста наблюдалось изменение топологии поверхности выращенной пленки (размеров 3D-островков).
При анализе полученных данных была выявлена зависимость размеров островков и шероховатости пленки от числа шагов изменения температуры N от 300 °С до 600 °С.
Было замечено, что шероховатость пленки и размеры растущих островков снижаются с увеличением числа шагов изменения температуры N от 300 °С до 600 °С. В образцах с меньшим N температурный переход между ЕГ^е и классически выращенным слоем Ge получается резким, что вызывает более раннее островкование и повышенное введение дефектов.
Рис. 4. График зависимостей изменения доли германия х в сплаве GexSi1-x от времени t процесса.
Понижение шероховатости слоя и размеров островков указывает на снижение действия поверхностных источников дислокаций несоответствия, а также на уменьшение латеральной подвижности адатомов в низкотемпературных слоях. Отработанный способ является одним из эффективных способов снижения шероховатости гетероструктуры Ge/Si (100).
Зависимость топологии поверхности и спектров рамановского рассеяния пленок GexSi1x/Si от изменения состава по толщине слоя. Напыление слоя GexSi1_x происходило при суммарном потоке Ge и Si, соответствующем эффективной скорости роста v = 6 нм/мин. При этом эффективные скорости роста каждого компонента сплава рассчитывались таким образом: vGe = vx для германия и vs. = v(1 - х) для кремния. Таким образом, эффективная толщина гетерослоя составила 600 нм для каждого из образцов. Температура подложки в процессе роста T = 570 °С. Кривые зависимостей изменения доли германия х в сплаве GexSi1-x от времени, прошедшего с начала процесса напыления пленки, приведены на рисунке 4. При этом во всех полученных образцах интегральная доля германия х по всей толщине пленки остается постоянной (хипт = 0.5) Образец 1 отличается тем, что по всей толщине пленки доля германия в сплаве GexSi1-x
Рис. 5. АСМ-изображение поверхности образца 1 (скан размером 10 х 10 мкм).
остается постоянной, х = 0.5. Во всех остальных образцах х постоянно изменяется в течение роста пленки (а, соответственно, и по толщине слоя) от х = 0 в начале до х = 1 в конце процесса.
На рис. 5, 6 приведены АСМ-изображения поверхности полученных пленок GexSi1-x/Si. На всех изображениях присутствуют 3D островки, что является характерным для гетероосаждения данных материалов. Образец 1 отличается от остальных образцов значительно меньшими размерами 3D островков и большей плотностью их распределения. Результаты анализа данных АСМ-изображений приведены в табл. 3. В ней отображены следующие величины: средняя высота к, средняя длина 1, средняя ширина й, шероховатость а. Из таблицы видно, что наименьший рельеф поверхности ^ = 120.5 нм, а = 26.9 нм) имеет образец 1. Это связано с отсутствием поверхностного слоя пленки с долей германия х, стремящейся к 1. За счет накопленных в пленках образцов 2-7 значительных напряжений, связанный с различием параметров решеток подложки и поверхностного слоя ^е), происходит рост 3D островков и образуется развитый рельеф поверхности. Образец 2, с графиком зависимости х() наиболее близким к графику образца 1, т. е. на протяжении большей части
Образец 2
Образец 3
Образец 4
Образец 5
Образец 6
Образец 7
Рис. 6. АСМ-изображения поверхности образцов 2-7 (сканы размером 10 х 10 мкм).
времени проведения процесса x « 0,5, имеет наименьшие значения высоты h = 249,6 нм и шероховатости о = 55,1 нм. Образец 7 имеет наибольшие среди всех остальных параметры: h = 354,8 нм, о = 71,6 нм. Это связано с тем, что распределение x по времени t близко к 0 в первой половине процесса и стремится к 1 во второй. Предельный случай - это эпитакси-альный слой германия с эффективной толщиной 300 нм на эпислое Si/ Si (100) толщиной 300 нм. Остальные образцы имеют промежуточные, возрастающие с порядковым номером образца, значения приведенных параметров. Исключение составляет образец 5, где x изменяется по закону x = 0,01-t. Можно заключить, что при таком характере изменения состава сплава тормозится выделение кристаллитов Ge в виде отдельной фазы.
На рис. 7 приведены спектры КРС для полученных образцов. Пик на частотах 295-300 см-1 соответствует связи Ge-Ge. Он присутствует на спектрах всех образцов, указывая на наличие кристаллитов германия в объеме пленки. Пик, соответствующий связи Si-Si отчетливо не выражен, проявляется для образцов 1 и 2 и лежит в диапазоне 455-480 см-1. Также на всех спектрах присутствует пик в диапазоне частот 385-410 см-1. Это говорит о наличии связи Si-Ge, при этом на спектрах образцов 4-7 пик
Таблица 3. СТАТИСТИКА 3D ОСТРОВКОВ ДЛЯ ПОЛУЧЕННЫХ ОБРАЗЦОВ
Номер Средняя Средняя Средняя Шероховатость
образца высота Ь, нм длина 1, нм ширина й, нм а, нм
1 120,5 520 470 26,9
2 249,6 1520 1200 55,1
3 280,5 1700 1300 59,8
4 315,2 1920 1342 65,3
5 303,5 1600 1500 56,7
6 342,8 2360 1400 65,9
7 354,8 2385 1670 71,6
Рис. 7. Спектры Рамановского рассеяния света (514.5 нм) для образцов 1-7 пленок GexSi1.x/Si.
имеет малую интенсивность, т. к. толщина поверхностного слоя, имеющего высокое значение x, увеличивается. Как следствие, захороненные связи Si-Ge дают меньший отклик.
При увеличении x в сплавах GexSij x пик Ge-Ge на спектре проявляется при большей частоте, т. е. стремится к значению, соответствующему монокристаллическому германию (301 см-1) [16]. Спектры образцов 2-7 имеют пик Ge-Ge на частоте 298-300 см-1, что говорит об увеличении степени релаксации в германиевых кристаллитах. В образце 1 он проявляется при 295 см-1, что указывает на малую степень релаксации, а следовательно, и малый размер кристаллитов.
Полученные данные показывают, что шероховатость пленки и размеры растущих островков зависят от характера изменения состава сплава GexSi1-x по толщине при постоянной интегральной доле Ge x = 0,5. Лучшие результаты были достигнуты на образце 2 вследствие постепенного изменения концентрации Ge в растущей пленке в диапазоне времени процесса 10-90 мин. Шероховатость на данном образце минимальна и островки имеют небольшие размеры, что свидетельствует о снижении количества дислокаций несоответствия в объеме выращенного слоя. Параметры образца 2 по ряду параметров превосходят параметры образца 5, изменение доли Ge в сплаве GexSi1-x с течением времени которого представляет собой монохроматическую возрастающую функцию в виде прямой. Этот факт подтверждает целесообразность использования и проведения экспериментов с применением неравномерных схем изменения концентрации Ge в буферных слоях вплоть до выхода на значение доли Ge x = 1.
Установлена взаимосвязь спектра КРС образцов с характером изменения состава сплава. Показано, что для бесконтактного неразрушаю-щего контроля эпитаксиальных структур на основе GexSi1-x перспективно использование метода спектроскопии комбинированного рассеяния, позволяющего наблюдать гомо- и гетеросвязи, изучать релаксацию, физические характеристики и химический состав гетероструктур. Особенности этого метода позволяют контролировать состав сплава и напряженность поверхностного слоя пленки, что очень важно при выращивании гетерос-труктур типа GeSi/Si.
ЛИТЕРАТУРА 1. Alonso M. I., Winer K. Phys. Rev. B., 39. 10056. 1989.
2. Lockwood D. J., Baribeau J. M. Phys. Rev. B., 45. 8565. 1992.
3. Franz M., Dombrowski K. F., Rucker H. , Dietrich B., Pressel K., Barz A., Kerat U., Dold P., Benz K. W. Phys. Rev. B., 59. 10614. 1999.
4. Rath S., Hsieh M. L., Etchegoin P., Stradling R. A. Semicond. Sci. Technol., 18. — 566. — 2003.
5. Зенгуил Э. Физика поверхности. — М.: Мир. 1990.
6. Voigtlander B. «In vivo» STM studies of the growth Germanium and Silicon on Silicon // Appl. Phys. 1996. № 63. С. 577-581.
7. Voigtlander B. Nucleation and growth of Si/Si (111) observed by scanning tunneling microscopy during epitaxy // Physical Rewiew B. 1996. — № 11. — C. 7709-7712.
8. Shoji K. Heteroepitaxial growth and superstructure of Ge on Si(111)-(7 x 7) and Si(100)-(2 x 1) surfaces // Japanese Journal of Applied Physics. 1983. №. 10. C. 1482-1488.
9. Voigtlander B. High temperature scanning tunneling microscopy during molecular beam epitaxy // Rev. Sci. Instrum. 1996. № 7. С. 2568-2572.
10. Chen H., Guo L. W., Cui Q., Hu Q., Huang Q. and Zhou J. M. // J. Appl. Phys. 79, 1167. 1996.
11. Godet J., Pizzagalli L., Brochard S., Beauchamp P. // Phys. Rev. B, 70, 054 109. — 2004.
12. Bolkhovityanov Yu. B., Deryabin A. S., Gutakovskii A. K., Revenko M. A., Sokolov L. V. // Appl. Phys. Lett., 85, 6140. 2004.
13. Luan H.-C., Lim D. R., Lee K. K., Chen K. M., Sandland J. G., Wada K. Kimerling, L. C. // Appl. Phys. Lett., 75, 2909. 1999.
14. Liu J., Kim H. J., Hul ko O., Xie Y. H., Sahni S., Bandaru P., Yablonovitch E. // J. Appl. Phys., 96, 916. 2004.
15. Halbwax M., Bouchier D., Yam V., D ebarre D., Nguyen L. H., Zheng Y., Rosner P., Benamara M., Strunk H. P., Clers C. // Appl. Phys. Lett, 97, 064907-1. 2005.
16. Chen H., Guo L.W., Cui Q., Hu Q., Huang Q., Zhou J.M. // J. Appl. Phys., 79. 1167. — 1996.
ОБ АВТОРАХ Лапин Вячеслав Анатольевич, младший научный сотрудник Научно-образовательного центра фотовольтаики и нанотехнологий Института электроэнергетики, электроники и нанотехнологий Северо-Кавказского федерального университета. Адрес: г Ставрополь, ул. Кулакова 2, корпус 10, кабинет 201. Телефон 8-918-754-9184. E-mail: [email protected]
Малявин Федор Федорович, младший научный сотрудник Научно-образовательного центра фотовольтаики и нанотехнологий Института электроэнергетики, электроники и нанотехнологий Северо-Кавказского федерального университета. Адрес: г. Ставрополь, ул. Кулакова 2, корпус 10, кабинет 202. Телефон 8-938-300-8109. E-mail: [email protected]
Сысоев Игорь Александрович, доктор тех. наук, директор Научно-образовательного центра фотовольтаики и нанотехнологий Института электроэнергетики, электроники и нанотехнологий Северо-Кавказского федерального университета. Адрес: г. Ставрополь, ул. Кулакова 2, корпус 10, кабинет 214. Телефон (8652)956825. E-mail: [email protected]
Lapin Vyacheslav, Junior Researcher of Education Center of photovoltaic and nanotechnology Institute of electric power engineering, electronics and nanotechnology SKFU. Phone 8-918-754-9184. E-mail: [email protected]
Maljavin Fyodor, Junior Researcher of Education Center of photovoltaic and nanotechnology institute of electric power engineering, electronics and nanotechnology SKFU. Phone: 8-938-300-8109. E-mail: [email protected]
Sysoev Igor, doctor of technical sciences, Director of Education Center of photovoltaic and nanotechnology Institute of electric power engineering, Electronics and Nanotechnology SKFU. Phone: (8652) 956825. E-mail: [email protected]
