Секция технологии микроэлектронной и наноэлектронной аппаратуры
УДК 621.385
O.A. Агеев, В.В. Поляков, В.А. Смирнов, A.A. Коломийцев
ИССЛЕДОВАНИЕ ВЛИЯНИЯ РЕЖИМОВ ФОТОННОЙ СТИМУЛЯЦИИ НА ПРОЦЕССЫ НАНОЛИТОГРАФИИ МЕТОДОМ ЛОКАЛЬНОГО АНОДНОГО ОКИСЛЕНИЯ
Нанолитография с помощью локального анодного окисления (ЛАО) является наиболее перспективным методом при формировании элементной базы металлической наноэлектроники [1]. Последние исследования нанолитографии методом ЛАО связаны с повышением однородности геометрических параметров оксидных наноструктур [2]. Применение фотонной стимуляции оказывает дополнительное управляющее воздействие на процесс окисления, а также на характеристики формирую. -( ) ( ) параметры формируемых окисных наноструктур. ЛАО проводилось с использованием атомно-силового микроскопа Solver P47 PRO (ЗАО “НТ-МДТ”, г. Зеленоград) на сверхтонкой пленке титана, напыленной импульсно-пламенным методом на кремниевую подложку. Относительная влажность воздуха контролировалась с помощью цифрового измерителя влажности Oregon Scientific ETHG913R и составляла 65±1%. При подаче на зонд потенциала -8 В и скорости сканирования 1 мкм/с
25 , -
- , .
(CREE, USA) и ПК светодиод (АЛ-103А) с длиной волны 395 и 900 нм, соответственно. После получения матриц оксидных наноточек была проведена статистическая обработка полученных ACM изображений с помощью программного пакета ImageAnalysis 2.0 (ЗАО “НТ-МДТ”, г. Зеленоград). Анализ показал, что наноточки, полученные при УФ- и ИК-стимуляции, имели меньшие значения геометрических параметров (площади основания, максимальной высоты и соотношения размеров ), ,
ЛАО без стимуляции. Показана перспективность применения выявленных эффектов и закономерностей для формирования проводящих каналов шириной несколь-.
БИБЛИОГРАФИЧЕСКИЙ СПИСОК
1. Неволин В.К. Зондовые нанотехнологии в электронике. - Москва: Техносфера, 2005. -152 с.
2. Агеев (ХА., Коломийцев A.C., Поляков В.В., Светличный А.М., Смирнов В.А. Исследование процесса локального анодного окисления пленки титана при стимуляции ультрафиолетовым излучением // Материалы Международной научной конференции «Тонкие пленки и наноструктуры», - Москва, 2005 г.