CC BY
61
Оригинальная статья / Original article
УДК 621.311.25; 621.311.001.57
DOI: http://dx.doi.org/10.21285/1814-3520-2020-3-627-638
Исследование влияния изменения температуры солнечных панелей на выходные характеристики солнечной электростанции в условиях частичной затененности
© А.В. Киевец, Ю.Д. Бай, А.А. Суворов, А.Б. Аскаров, А.А. Ким
Национальный исследовательский Томский политехнический университет, г. Томск, Россия
Резюме: Цель - установить степень влияния изменения температуры отдельных групп, оборудованных в составе солнечной электростанции солнечных панелей, находящихся в условиях частичной затененности, на вольт -амперную и ватт-вольтовую характеристики всей солнечной электростанции и определить математическую модель, наиболее адекватно воспроизводящую данный процесс. В исследовании использовались 3 различные математические модели (однодиодная явная, однодиодная, двухдиодная) солнечных панелей, реализованные в программном комплексе MATLAB Simulink. При моделировании принято, что изменение температуры отдельных групп солнечных панелей под воздействием тени от облаков различной плотности происходит в диапазоне от +35°С до +60°С. Произведена верификация полученных данных реализованных математических моделей на основе солнечных панелей компании Kyocera KC200GT с данными, представленными в технической документации производителя, которая показала способность этих моделей адекватно воспроизводить вольт-амперную и ватт-вольтовую характеристики. Показано, что наибольшую погрешность в полученных данных (до 18,31%) имеет однодиодная явная математическая модель, а погрешность однодиодной модели составила 3,42%. Установлено, что наиболее адекватно воспроизводит вольт-амперные характеристики солнечных электростанций в условиях частичной затененности двухдиодная математическая модель. Доказано, что при моделировании мощных солнечных электростанций, эксплуатируемых в условиях частичной затененности, с целью получения выходных характеристик необходимо учитывать не только изменение уровня освещенности отдельных групп солнечных панелей, но и соответствующее изменение их температуры. Кроме того, для получения удовлетворительных результатов математического моделирования солнечной электростанции в изучаемых условиях рекомендуется использовать эквивалентную двухдиодную математическую модель солнечной панели.
Ключевые слова: моделирование, электроэнергетические системы, солнечная электростанция, частичная затененность, двухдиодная математическая модель, однодиодная модель
Благодарности: Исследование выполнено при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований в рамках научного проекта № 19-38-90147.
Информация о статье: Дата поступления 03 сентября 2019 г.; дата принятия к печати 09 января 2020 г.; дата онлайн-размещения 30 июня 2020 г.
Для цитирования: Киевец А.В., Бай Ю.Д., Суворов А.А., Аскаров А.Б., Ким А.А. Исследование влияния изменения температуры солнечных панелей на выходные характеристики солнечной электростанции в условиях частичной затененности. Вестник Иркутского государственного технического университета. 2020. Т. 24. № 3. С. 627-638. http://doi.org/10.21285/1814-3520-2020-3-627-638
Study of the variation effect of solar panel temperature on the output characteristics of a solar power station under conditions of partial shadowing
Anton V. Kievets, Yuly D. Bay, Aleksey A. Suvorov, Alisher B. Askarov, Andrey A. Kim
National Research Tomsk Polytechnic University, Tomsk, Russia
Abstract: The aim of the study consists in establishing the temperature variation effect appearing in individual banks of solar panels under conditions of partial shadowing on the current- and watt-voltage characteristics of the entire solar power plant, as well as in determining the mathematical model most adequate for reproducing this process. During the study, three different mathematical models (single-diode explicit, single-diode and two-diode) of solar panels were used as implemented in the MATLAB Simulink software package. In the modelling process, temperature variation for individual
ВЕСТНИК ИРКУТСКОГО ГОСУДАРСТВЕННОГО ТЕХНИЧЕСКОГО УНИВЕРСИТЕТА 2020;24(3):627-638
groups of solar panels is assumed to occur in the range from +35°C to+60°C under the conditions of shadowing from clouds of various density. In the present study, verification of the obtained data for implemented mathematical models based on Kyocera KC200GT solar panels with the same presented in the manufacturer's technical documentation was performed to prove the ability of these models to adequately reproduce the current- and watt-voltage characteristics. The most significant error in the obtained data (up to 18.31%) was a characteristic of a single-diode explicit mathematical model, while that of the single-diode model error was equal to 3.42%. The two-diode mathematical model was established to be the most adequate for reproducing the current-voltage characteristics of solar power plants in the conditions of partial shadowing. In order to obtain accurate output characteristics when modelling powerful solar power plants operated under conditions of partial shadowing, it is necessary to consider not only the change in the illumination rate for individual groups of solar panels, but also the corresponding temperature variation. In addition, for obtaining satisfactory results of mathematical modelling for a solar power plant under the studied conditions, an equivalent two-diode mathematical model of a solar panel is recommended.
Keywords: modelling, electric power systems, solar power station, partial shadowing, two-diode mathematical model, single-diode model
Acknowledgements: The research has been carried out with the financial support of the Russian Foundation for Basic Research in the framework of the scientific project no.19-38-90147.
Information about the article: Received September 03, 2019; accepted for publication January 09, 2020; available online June 30, 2020.
For citation: Kievets AV, Bay YD, Suvorov AA, Askarov AB, Kim AA. Study of the variation effect of solar panel temperature on the output characteristics of a solar power station under conditions of partial shadowing. Vestnik Irkutskogo gosudarstvennogo tehnicheskogo universiteta = Proceedings of Irkutsk State Technical University. 2020;24(3):627-638. (In Russ.) https://doi.org/10.21285/1814-3520-2020-3-627-638
1. ВВЕДЕНИЕ
Потребление электроэнергии в мире стремительно увеличивается, и за последние 15 лет прирост составил примерно 35-40%, на этом фоне появилась потребность в новой генерации, реализуемой в настоящее время за счет внедрения возобновляемых источников энергии (ВИЭ) [1], с постепенным увеличением их суммарной мощности, а в некоторых случаях и полной заменой традиционных источников энергии. Одним из распространенных видов ВИЭ являются солнечные электростанции (СЭС), установленная мощность которых в мире увеличилась примерно в десять раз с 2010 по 2017 г. [1].
Широкомасштабное внедрение в существующие электроэнергетические системы (ЭЭС) СЭС и ВИЭ в целом приводит к проблемам обеспечения надежной и безопасной работы ЭЭС с большой долей ВИЭ [2]. В частности, широкое распространение СЭС приводит к замене крупных генерирующих устройств на локальные источники энергии, вследствие чего ограничивается количество генерации реактивной мощности, и во время переходного процесса могут возникать значительные изменения напряжения. Отклонение напряжения и по-
628
тери реактивной мощности увеличиваются по мере увеличения доли солнечной генерации до 30% от общего количества генерации. При дальнейшем увеличении наблюдается соответствующее уменьшение отклонения напряжения на шинах ЭЭС вплоть до номинальных значений при равной 50% доле. Также при близких к генерирующему оборудованию трехфазных коротких замыканиях (КЗ) наблюдается увеличение колебаний взаимных углов генераторов и скорости вращения их роторов [2] во время переходного процесса, по сравнению с традиционными ЭЭС.
Таким образом, учитывая существенное влияние СЭС на ЭЭС в целом, а также единство и непрерывность процесса производства, транспортировки и потребления электроэнергии, тесную взаимосвязь задействованного в этом процессе оборудования, возникает неизбежная необходимость моделирования больших ЭЭС [2], в том числе включающих объекты СЭС и ВИЭ в целом.
Для адекватного моделирования ЭЭС с ВИЭ, помимо полной и достоверной модели ЭЭС, необходимо использовать достаточно подробную математическую модель СЭС. Несмотря на развитость ма-
ISSN 1814-3520
ВЕСТНИК ИРКУТСКОГО ГОСУДАРСТВЕННОГО ТЕХНИЧЕСКОГО УНИВЕРСИТЕТА 2020;24(3):627-638 PROCEEDINGS OF IRKUTSK STATE TECHNICAL UNIVERSITY 2020;24(3):627-638
Энергетика
wma Power Engineering
тематических моделей СЭС, в большинстве исследований используются простейшие модели в силу их простоты и удобства, что в целом допустимо с точки зрения исследования режимов работы солнечных панелей (СП) и определения зависимостей выходных параметров от изменения температуры и освещенности. Однако при моделировании СЭС больших мощностей применение подобных моделей является причиной получения результатов, отличающихся от натурных данных. Помимо этого, использование полных и достоверных математических моделей СЭС может приводить к результатам, не соответствующим реальным в силу неизбежно присутствующего в действительности изменения температуры и освещенности по площади СЭС под влиянием облаков, для учета которых необходимо воспроизводить эффект частичного затенения. Суть данного эффекта заключается в блокировке потока энергии затененным элементом по всей цепи. Таким образом, даже незначительное затенение одной солнечной панели СП (или группы СП) приводит к серьезному снижению генерации электроэнергии всей СЭС [2]. Кроме того, группы СП, на которые падает тень, кроме уменьшения получаемого количества солнечной инсоляции изменяют свою температуру, и скорость изменения зависит не только от параметров самой солнечной батареи, но и от величины затененности. Проблема описания данного эффекта, выбор математической модели, позволяющей наиболее адекватно воспроизвести работу СЭС в условиях частичной затененности при полной и достоверной модели всей ЭЭС, остается в настоящее время раскрытой не полностью, и для ее решения предназначены исследования, результаты которых приведены в статье.
При выборе математической модели СЭС необходимо обратить внимание на ее способность адекватно реагировать на изменение потока солнечной инсоляции. Следует учитывать, что анализ СЭС со сравнительно большим числом цепочек, соединенных сложным образом, которые часто затеняются пятнами с быстроизме-
няющейся формой, может быть крайне затруднен. В этих случаях в ряде работ вводят некоторый коэффициент затенения, определяемый как отношение выходных параметров частично затененной СП произвольных формы и размера к гипотетическим выходным параметрам такой же неза-тененной батареи, однако должной точности данный способ обеспечить не может.
Также необходимо рассмотреть вопрос влияния локального изменения температуры отдельных групп СП в составе СЭС под действием частичной затененности на изменение выходных характеристик СЭС в целом.
2. ОПИСАНИЕ РЕАЛИЗУЕМЫХ МАТЕМАТИЧЕСКИХ МОДЕЛЕЙ
На данный момент известно большое количество математических моделей СП, однако в рамках данной статьи будут рассмотрены наиболее достоверные и распространенные.
Описание вольт-амперной характеристики (ВАХ) солнечного элемента (СЭ) основано на уравнениях, описывающих физические процессы в нем. При решении различных задач моделирования выходных характеристик СП применяют модели ВАХ различной сложности [3-15]. В рамках проводимого исследования модель солнечной панели должна отвечать следующим требованиям:
- достаточно точно описывать ВАХ СП в рассматриваемом диапазоне температур и солнечной инсоляции;
- адекватно воспроизводить характеристики СП из разнообразных полупроводниковых материалов;
- воспроизводить ВАХ и ватт-вольтовую характеристику (ВВХ) СП под влиянием частичной затененности и изменения температуры затененных участков.
Данным требованиям отвечают 3 типа математических моделей.
1. Эквивалентная однодиодная модель (рис. 1) [3].
Составными элементами схемы являются источник тока, диод, шунтирующее
ВЕСТНИК ИРКУТСКОГО ГОСУДАРСТВЕННОГО ТЕХНИЧЕСКОГО УНИВЕРСИТЕТА 2020;24(3):627-638
Rш и последовательное Rп сопротивления (рис. 1). Источник тока моделирует процесс возникновения в элементе фототока Ф под действием солнечной инсоляции. Диод включен в прямом направлении, параллельно источнику тока. Шунтирующие сопротивления фотоэлемента Rш обусловлены наличием обратного сопротивления р-п-перехода и различных проводящих пленок. Последовательное сопротивление Rп составляют сопротивление контактов (главным образом переходное сопротивление полупроводника) и сопротивление самого полупроводникового материала, из которого изготовлен фотоэлемент. На этом сопротивлении будет теряться часть электродвижущей силы (ЭДС) [3].
4 - Uk3 + От _ Тсту)]^
(2)
Рис. 1. Схема замещения солнечного элемента
для эквивалентной однодиодной модели Fig. 1. Solar cell equivalent circuit for an equivalent single-diode model
Математическое уравнение, описывающее физические процессы в СЭ, выглядит следующим образом:
1с = h
Z0 { exp
q(üc+/cR„)
AkT
Л и с+kRn
3 «m ' ( )
где Ф - фототок, А; 0 - обратный ток насыщения диода, А; С - рабочий ток (ток нагрузки), А; UС - рабочее напряжение (напряжение нагрузки), В; q - заряд электрона (1,602 10 Кл); k - постоянная Боль-цмана (1,3810-23 Дж/К); A - постоянная диода, фактор идеализации; T - температура СП, К; Rш - шунтирующее сопротивление СП, Ом; Rп - последовательное сопротивление СП, Ом.
Уравнение тока, генерируемого СЭ, без учета потерь:
где КЗ - ток КЗ фотоэлектрического преобразователя при стандартных тестовых условиях (СТУ), A; ^ - температурный коэффициент тока короткого замыкания СЭ; ^ - текущая температура СЭ, К; ^ТУ -температура СП при СТУ, К; А - величина
и о
солнечной инсоляции, кВт/м2.
Уравнение обратного тока шунтирующего диода, обусловленного неидеальностью р^-перехода:
/о = /от к^)3ехр[ 9ЯС( 1 / Гсту - 1 / Тт)/Ы ], (3)
'СТУ
где От - обратный ток насыщения диода при СТУ, А; EG - ширина запрещенной энергетической зоны полупроводника (определяется типом материала СЭ), для кремния EG = 1,^.
В режиме холостого хода (ХХ) выходной ток СП равен нулю, и если пренебречь токами утечки, то обратный ток насыщения диода при температуре СТУ может быть найден из следующего уравнения:
/отк = /кз/[ехр(с? гсту) - 1], (4)
где ^х - напряжение ХХ СЭ, В.
Рассмотренная модель широко используется при анализе СП, однако реальные характеристики не всегда аппроксимируются уравнением (1) достаточно точно, в связи с чем были разработаны и другие модели СП. В частности, из рассмотрения физических процессов, протекающих в СЭ, известно, что диодная характеристика p-n-перехода описывается не одной, а двумя экспонентами, поэтому в ряде задач используется более сложная модель СЭ [11]. Определенным приближением является также представление о том, что шунтирующий ток через Rш подчиняется закону Ома. В реальных СЭ, особенно при высокой интенсивности освещения, проявляется распределенный характер Rп и зависимость его от С. Модель пренебрегает током насыщения, определяемым рекомбинацией в области объемного заряда p-n-перехода.
630
ISSN 1814-3520
2. Явная однодиодная модель (рис. 2) [17].
Рис. 2. Схема замещения солнечного элемента для явной однодиодной модели Fig. 2. Solar cell equivalent circuit for an explicit single diode model
Отличие данной модели от эквивалентной состоит в отсутствии шунтирующего диода, и в некотором уточнении параметров Rn и А.
Ru =
g v 'кз/_
(5)
где МПОС - количество последовательно соединенных СП, шт.; ¡М - ток в точке максимальной мощности, А; иМ - напряжение в точке максимальной мощности (ТММ), В;
А =
g (2 t/M- /fa)
N„„rkT
'кз-'м
+in(i-%)]
(6)
Данная модель учитывает зависимость значения внутреннего сопротивления и фактора идеальности А от температуры СП, поэтому ее предпочтительнее использовать для моделирования СП, нахо-
дящейся в условиях сильных колебаний температуры.
3. Эквивалентная двухдиодная модель (рис. 3) [3]:
|"<г(£/с+/сКп)'
/с
'о 2 (ехр
= 'ф - 'о i (ехр
( )
АгкТ
А2кТ
Uç+kRn
ß|TT
, (7)
где ¡01 - ток, протекающий через неидеальный р^-переход, А; ¡02 - обратный ток насыщения, определяемый рекомбинацией в области объемного заряда р-^перехода, А; А1 - фактор идеальности ВАХ диода при ¡01; А2 - фактор идеальности ВАХ диода при ¡02.
^01 =
А) 2 -
( ( ))
е хр[( I/xx-+ Ку (ГТ- 7с т у ) П(А ! +Л 2 )/ 3 }УГ] - i '
(8)
где Ку - температурный коэффициент напряжения ХХ СЭ; Ут - термо-ЭДС соответствующего диода, В.
Данная модель является наиболее точной из реализованных, но и самой требовательной к используемому для расчетов оборудованию. Представленные двухдиодная и однодиодная модели показывают аналогичные результаты в рамках стандартных условий, однако при снижении уровня освещенности более точные результаты вблизи иХХ обеспечивает использование эквивалентной двухдиодной модели [18].
Рис. 3. Схема замещения солнечного элемента для двухдиодной модели Fig. 3. Solar cell equivalent circuit for a two-diode model
ВЕСТНИК ИРКУТСКОГО ГОСУДАРСТВЕННОГО ТЕХНИЧЕСКОГО УНИВЕРСИТЕТА 2020;24(3):627-638
3. ВЕРИФИКАЦИЯ РЕАЛИЗОВАННЫХ МОДЕЛЕЙ
С целью исследования влияния частичного затенения на выходные характеристики СЭС были реализованы описанные выше математические модели СП (рис. 4, 5), состоящие из 4 (PV1, 2, 3, 4) солнечных панелей Kyocera KC200GT [19] в программном комплексе MATLAB Simulink.
С целью верификации всей модели СЭС и выбора математической модели, наиболее точно воспроизводящей ВАХ и
ВВХ СП, было выполнено сравнение одно-диодной эквивалентной, однодиодной явной и двухдиодной эквивалентной моделей с натурными данными солнечной панели Kyocera KC200GT (рис. 6).
Реализованные математические модели с разной степенью адекватности воспроизводят ВАХ СП. ВАХ двухдиодной математической модели практически совпадает с ВАХ СП не только в точках ХХ и КЗ, но и в ТММ. В дальнейших исследованиях будем полагать, что двухдиодная модель является эталонной.
Рис. 4. Схема математической модели солнечной электростанции в MATLAB Simulink Fig. 4. Diagram of the SPP mathematical model in MATLAB Simulink
Рис. 5. Пример реализации математической модели солнечной панели PV1, 2, 3, 4 (эквивалентная двухдиодная модель) Fig. 5. An implementation example of the mathematical model of the solar panel PV1, 2, 3, 4
(equivalent two-diode model)
ВЕСТНИК ИРКУТСКОГО ГОСУДАРСТВЕННОГО ТЕХНИЧЕСКОГО УНИВЕРСИТЕТА 2020;24(3):627-638
Тон, A
• » m » алел орты»*» характеристика. 6 паспортная характеристика, 6 экоип однодиодная, 6 * 1000 » 1000 • 400
- жени, однодиодная, 6 ■ 400 явная однодиоднап. G ■ 1000
- явная однодиодная. 6 " 400 даухдиодная, G • 1000 двухдиодная, G • 400
% «1 ч
\
ft ♦»
Тон. А
Ч Г*? \ / Vft
\ s \ у \ \ » V«
»' \\\
- паспортная характеристика, паспортная характеристика, if пив. однодиодная, t - гЬ \ t.25 * (•SO Г \ M î »\ f * * j i__f
-- жвив однодиодная. t * 50 явная однодиодная. t • 25 явная однодиодная. t - 50
\\
---- двухдиодная, t • 50 Ü
ю
15
20
25 Напряжение. В О
ю
15
20
25 Напряжение. В
b
a
Рис. 6. Верификация моделей: a - G переменная; b - T переменная Fig. 6. Model validation: а -G variable; b - T variable
4. РЕЗУЛЬТАТЫ ИССЛЕДОВАНИЯ
Было принято, что при температуре окружающей среды +35°С СП, находящиеся под прямыми лучами солнца, разогреются до температуры +60°С, а затененные СП, в зависимости от плотности облаков и от времени их нахождения над отдельными участками СЭС, будут постепенно остывать (табл. 1). Расчет времени остывания СП базируется на законе Ньютона-Рихмана [20].
Согласно исследованиям, одноди-одная явная математическая модель наименее адекватно воспроизводит зону около ТММ и точку ХХ, как и эквивалентная одно-диодная модель, которая в свою очередь точнее рассчитывает ТММ, приближаясь к двухдиодной (рис. 7). Наиболее адекватно воспроизводят ВАХ СЭС в усло-
виях частичной затененности двухдиодная математическая модель и с небольшим отличием эквивалентная однодиодная, данное отличие обусловлено наличием тока, протекающим через неидеальный р-п-переход.
Неучет изменения температуры в условиях частичной затененности приводит к погрешности вплоть до 18,31% при использовании однодиодной явной модели (табл. 2 и 3). Отличия эквивалентной одно-диодной и двухдиодной моделей не столь значительны, однако при увеличении степени затененности СЭС увеличивается и погрешность расчета выходной мощности при использовании эквивалентной одноди-одной модели вследствие неучета тока, протекающего в р-п-переходе, обусловленного неидеальностью диода.
Таблица 1
Входные параметры для моделируемой солнечной электростанции
Table 1
Input parameters for a simula ed solar power plant
Параметр Солнечная о инсоляция, Вт/м2 Температура модулей Температура окружающей среды, °С Время остывания, мин
1OOO 60 0
Значение BOO 55 35 7
600 50 16
4OO 45 2B
ВЕСТНИК ИРКУТСКОГО ГОСУДАРСТВЕННОГО ТЕХНИЧЕСКОГО УНИВЕРСИТЕТА 2020;24(3):627-638
b
Рис. 7. Сравнение вольт-амперной характеристики математических моделей при частичной затененности: a - без изменения температуры затененных модулей; b - с изменением температуры затененных модулей Fig. 7. Comparison of the V-I characteristic of mathematical models under partial shading: a - the temperature of shaded modules does not change; b - the temperature of shaded modules changes
Таблица 2
Выходные мощности
Table 2
__Output power _
Точка максимальной мощности, № T = постоянная T = переменная
Мощность P, Вт
Однодиод-ная явная модель Однодиод-ная модель Двухдиод-ная модель Однодиод-ная явная модель Однодиод-ная модель Двухдиод-ная модель
1 273 319 323 284 319 323
2 523 580 579 558 598 587
3 641 692 683 683 719 701
4 584 635 621 619 665 643
ВЕСТНИК ИРКУТСКОГО ГОСУДАРСТВЕННОГО ТЕХНИЧЕСКОГО УНИВЕРСИТЕТА 2020;24(3):627-638
Таблица 3
Сравнение выходных мощностей реализованных математических
моделей солнечных панелей
Table 3
Comparison of output power of implemented solar panel mathematical models_
Точка максимальной мощности, № AP, % APt, %
Однодиодная явная модель Однодиодная модель Двухдиодная модель Однодиодная явная модель Однодиодная модель
1 4,03 0 0 18,31 1,25
2 6,69 1,38 1,38 12,24 1,87
3 6,55 2,75 2,65 9,36 2,56
4 5,99 3,62 3,54 10,1 3,42
5. ЗАКЛЮЧЕНИЕ
В подавляющем числе работ по моделированию выходных характеристик СП [3-15] используются все типы моделей, представленных ранее. Их выбор зависит от поставленной задачи и необходимой точности результата. При решении вопросов изучения частичного затенения на единичной СП успешно применяются как одно-диодные, так и двухдиодные математические модели. Однако при моделировании мощных СЭС с целью получения выходных характеристик необходимо учитывать не
только изменение уровня освещенности отдельных участков под действием тени от облаков, но и соответствующее изменение их температуры, причем чем больше площадь СЭС, тем хаотичнее распределяется затененность, к тому же структура облаков не является однородной, что приводит к плавному изменению светового потока и температуры СП. Учитывая вышеизложенное, влияние изменения температуры на выходные характеристики СЭС тем больше, чем больше площадь СЭС, что приводит к необходимости учета изменения температуры.
Библиографический список
1. Renewables 2019 Global Status Report // Ren21. Renewables now [Электронный ресурс]. URL: https://www.ren21.net/gsr-
2019/chapters/chapter_03/chapter_03/ (25.02.2020).
2. Eftekharnejad S., Vittal V., Heydt G.T., Keel B., Loehr J. Impact of Increased Penetration of Photovoltaic Generation on Power Systems // IEEE Transactions on Power Systems. 2013. Vol. 28. Issue 2. Р. 893-901. https://doi.org/10.1109/TPWRS.2012.2216294
3. Masmoudi F., Ben Salem F., Derbel N. Single and double diode models for conventional mono-crystalline solar cell with extraction of internal parameters // Signals & Devices: 13th International Multi-Conference on Systems. 2016. [Электронный ресурс]. URL: https://ieeexplore.ieee.org/document/7473725 (27.02.2020).
https://doi.org/10.1109/SSD.2016.7473725
4. Abd Alrahim Shannan N.M., Yahaya N.Z., Singh B.
Single-diode model and two-diode model of PV modules: A comparison // Control System, Computing and Engineering: International Conference. 2013. [Электронный ресурс]. URL: https://ieeexplore.ieee.org/document/6719960 (27.02.2020).
https://doi.org/10.1109/ICCSCE.2013.6719960
5. Ishaque K., Salam Z., Taheri H. Accurate MATLAB Simulink PV System Simulator Based on a Two-Diode Model // Journal of Power Electronics. 2011. Vol. 11. Issue 2. P. 179-187. https://doi.org/10.6113/JPE.2011.11.2.179
6. Jumaat S.A., Liang O.W., Abdullah M.N., Radzi N.H., Hamdan R., Salimin S. Modeling of 185W of mono-crystalline solar panel using MATLAB/Simulink // International Journal of Power Electronics and Drive Systems. 2019. Vol. 10. No. 3. Р. 2005-2012. https://doi.org/10.11591/ijpeds.v10.i3.2005-2012
ВЕСТНИК ИРКУТСКОГО ГОСУДАРСТВЕННОГО ТЕХНИЧЕСКОГО УНИВЕРСИТЕТА 2020;24(3):627-638
7. Yonezawa R., Noda T., Fukushima K., Nakajima T., Sekiba Y., Utsunomiya K., et al. Development of detailed and averaged models of large-scale PV power generation systems for electromagnetic transient simulations under grid faults // Innovative Smart Grid Technologies (Melbourne, 28 November - 1 December 2016). Melbourne: IEEE, 2016. P. 98-104. https://doi.org/10.1109/ISGT-Asia.2016.7796368
8. Babu T.S., Ram P., Sangeetha K., Laudani A., Raja-sekar N. Parameter extraction of two diode solar PV model using Fireworks algorithm // Solar Energy. 2016. Vol. 140. P. 265-276. https://doi.org/10.1016/j.solener.2016.10.044
9. Soheyli S., Hossein Shafiei Mayam M., Mehrjooc M. Modeling a novel CCHP system including solar and wind renewable energy resources and sizing by a CC-MOPSO algorithm // Applied Energy. 2016. Vol. 184. P. 375-395.
https://doi.org/10.1016/j. apenergy.2016.09.110
10. Hooda N., Azad A.P., Panda P.K., Saurav K., Arya V., Petra M.I. PV power predictors for condition monitoring // Smart Grid Communications: International Conference (Sydney, 6 November 2016). Sydney: IEEE, 2016. P. 212-217.
https://doi.org/10.1109/SmartGridComm.2016.7778763
11. Hamdi R.T.A. Solar cell system simulation using Matlab-Simulink // Kurdistan Journal of Applied Research. 2017. Vol. 2. Issue 1. P. 1-7. https://doi.org/10.24017/science.2017.1.5
12. Ba B., Kane M. Determination of polysilicon solar cell parameters using electrical short-circuit current Decay method // Solid-State Electronics. 1998. Vol. 42. No. 4. P. 541-545.
13. Nema S., Nema R.K., Agnihotri G. MATLAB/Simulink based study of photovoltaic cells / modules / array and their experimental verification // International journal of Energy and Environment. 2010. Vol. 1. No. 3. P. 487-500.
14. Tsai Huan-Liang, Tu Ci-Siang, Su Yi-Jie. Develop-
ment of generalized photovoltaic model using MATLAB/SIMULINK // Proceedings of the World Congress on Engineering and Computer Science WCECS 2008 (San Francisco, 22-24 October 2008). San Francisco, 2008.
15. Hamdi R.T.A. Obtaining and analyzing the characteristics curves of a solar cell // International Journal of Computation and Applied Sciences. 2017. Vol. 2. No. 2. P. 94-98.
https://doi.org/10.24842/1611/0032
16. Ishaque K., Salam Z., Taheri H. Simple, fast and accurate two-diode model for photovoltaic modules // Solar Energy Materials and Solar Cells. 2011. Vol. 95. Issue 2. Р. 586-594. https://doi.org/10.1016/j.solmat.2010.09.023
17. Khazzar R., Zereg M., Khezzar A. Comparative Study of Mathematical Methods for Parameters Calculation of Current-Voltage Characteristic of Photovoltaic Module // International Conference on Electrical and Electronics Engineering. 2009. [Электронный ресурс]. URL:
https://www.researchgate.net/publication/224091422_C ompara-
tive_study_of_mathematical_methods_for_parameters_ calculation_of_current-
voltage_characteristic_of_photovoltaic_module (25.02.2020).
18. Salam Z., Ishaque K., Taheri H. An improved two-diode photovoltaic (PV) model for PV system // Power Electronic Drives and Energy Systems for Industrial Growth: International Conference (New Delhi, 20-23 December 2010). New Delhi: IEEE, 2010. http://dx.doi.org/10.1109/pedes.2010.5712374
19. Kyocera KC200GT Solar Panel // SOLAR ELECTRIC SUPPLY, INC [Электронный ресурс]. URL: https://www.solarelectricsupply.com/kyocera-kc200gt-solar-panel-565 (25.02.2020).
20. Кондратьев Г.М. Регулярный тепловой режим. М.: Гостехиздат, 1954. 408 с.
References
1. Renewables 2019 Global Status Report. Ren21. Renewables Now. Available from: https://www.ren21 .net/gsr-
2019/chapters/chapter_03/chapter_03/ [Accessed 25th February 2020].
2. Eftekharnejad S, Vittal V, Heydt GT, Keel B, Loehr J. Impact of Increased Penetration of Photovoltaic Generation on Power Systems. IEEE Transactions on Power Systems. 2013;28(2):893-901. https://doi.org/10.1109/TPWRS.2012.2216294
3. Masmoudi F, Ben Salem F, Derbel N. Single and Double Diode Models for Conventional Mono-Crystalline Solar Cell with Extraction of Internal Parameters. In: Signals & Devices: 13th International MultiConference on Systems. 2016. Available from: https://ieeexplore.ieee.org/document/7473725 [Accessed 27th February 2020]. https://doi.org/10.1109/SSD.2016.7473725
4. Abd Alrahim Shannan NM, Yahaya NZ, Singh B. Single-Diode Model and Two-Diode Model of PV Modules: A Comparison. In: Control System, Computing and Engineering: International Conference. 2013. Available from: https://ieeexplore.ieee.org/document/6719960 [Accessed 27th February 2020]. https://doi.org/10.1109/ICCSCE.2013.6719960
5. Ishaque K, Salam Z, Taheri H. Accurate MATLAB Simulink PV System Simulator Based on a Two-Diode Model. Journal of Power Electronics. 2011;11 (2): 179187. https://doi.org/10.6113/JPE.2011.11.2.179
6. Jumaat SA, Liang OW, Abdullah MN, Radzi NH, Hamdan R, Salimin S. Modeling of 185W of Mono-Crystalline Solar Panel using MATLAB/Simulink. International Journal of Power Electronics and Drive Systems. 2019;10(3):2005-2012. https://doi.org/10.11591/ijpeds.v10.i3.2005-2012
ВЕСТНИК ИРКУТСКОГО ГОСУДАРСТВЕННОГО ТЕХНИЧЕСКОГО УНИВЕРСИТЕТА 2020;24(3):627-638
Энергетика
ТШЯ Power Engineering
7. Yonezawa R, Noda T, Fukushima K, Nakajima T, Sekiba Y, Utsunomiya K, et al. Development of Detailed and Averaged Models of Large-Scale PV Power Generation Systems for Electromagnetic Transient Simulations under Grid Faults. In: Innovative Smart Grid Technologies. 28 November - 1 December 2016, Melbourne. Melbourne: IEEE; 2016, р. 98-104. https://doi.org/10.1109/ISGT-Asia.2016.7796368
8. Babu TS, Ram P, Sangeetha K, Laudani A, Raja-sekar N. Parameter Extraction of Two Diode Solar PV Model using Fireworks Algorithm. Solar Energy. 2016;140:265-276.
https://doi.org/10.1016/j.solener.2016.10.044
9. Soheyli S, Hossein Shafiei Mayam M, Mehrjooc M. Modeling a Novel CCHP System including Solar and Wind Renewable Energy Resources and Sizing by A CC-MOPSO Algorithm. Applied Energy. 2016;184:375-395. https://doi.org/10.1016/j.apenergy.2016.09.110
10. Hooda N, Azad AP, Panda PK, Saurav K, Arya V, Petra MI. PV Power Predictors for Condition Monitoring. In: Smart Grid Communications: International Conference. 6 November 2016, Sydney. Sydney: IEEE; 2016, р. 212-217.
https://doi.org/10.1109/SmartGridComm.2016.7778763
11. Hamdi RTA. Solar Cell System Simulation using Matlab-Simulink. Kurdistan Journal of Applied Research. 2017;2(1):1-7. https://doi.org/10.24017/science.2017.1.5
12. Ba B, Kane M. Determination of Polysilicon Solar Cell Parameters using Electrical Short-Circuit Current Decay Method. Solid-State Electronics. 1998;42(4):541-545.
13. Nema S, Nema RK, Agnihotri G. MATLAB/Simulink based Study of Photovoltaic Cells / Modules / Array and Their Experimental Verification. International Journal of Energy and Environment. 2010;1(3):487-500.
14. Tsai Huan-Liang, Tu Ci-Siang, Su Yi-Jie. Development of Generalized Photovoltaic Model using
Критерии авторства
Киевец А.В., Бай Ю.Д., Суворов А.А., Аскаров А.Б., Ким А.А. заявляют о равном участии в получении и оформлении научных результатов и в равной мере несут ответственность за плагиат.
Конфликт интересов
Авторы заявляют об отсутствии конфликта интересов.
Все авторы прочитали и одобрили окончательный вариант рукописи.
СВЕДЕНИЯ ОБ АВТОРАХ
Киевец Антон Владимирович,
аспирант,
Национальный исследовательский Томский политехнический университет, 634050, г. Томск, пр. Ленина, 30, Россия; Н e-mail: avk60@tpu.ru
MATLAB/SIMULINK. In: Proceedings of the World Congress on Engineering and Computer Science WCECS 2008. 22-24 October 2008, San Francisco. San Francisco; 2008.
15. Hamdi RTA. Obtaining and Analyzing the Characteristics Curves of a Solar Cell. International Journal of Computation and Applied Sciences. 2017;2(2):94-98. https://doi.org/10.24842/1611/0032
16. Ishaque K, Salam Z, Taheri H. Simple, Fast and Accurate Two-Diode Model for Photovoltaic Modules. Solar Energy Materials and Solar Cells. 2011 ;95(2):586-594.
https://doi.org/10.1016Zj.solmat.2010.09.023
17. Khazzar R, Zereg M, Khezzar A. Comparative Study of Mathematical Methods for Parameters Calculation of Current-Voltage Characteristic of Photovoltaic Module. In: Electrical and Electronics Engineering: International Conference. 2009. Available from: https://www.researchgate.net/publication/224091422_C ompara-
tive_study_of_mathematical_methods_for_parameters_ calculation_of_current-
voltage_characteristic_of_photovoltaic_module [Accessed 25th February 2020].
18. Salam Z, Ishaque K, Taheri H. An Improved Two-Diode Photovoltaic (PV) Model for PV System. In: Power Electronic Drives and Energy Systems for Industrial Growth: International Conference. 20-23 December 2010, New Delhi. New Delhi: IEEE; 2010. http://dx.doi.org/10.1109/pedes.2010.5712374
19. Kyocera KC200GT Solar Panel // SOLAR ELECTRIC SUPPLY, INC. Available from: https://www.solarelectricsupply.com/kyocera-kc200gt-solar-panel-565 [Accessed 25th February 2020].
20. Kondratiev GM. Regular Thermal Conditions. Moscow: Gosudarstvenoe izdatelstvo tehniko-teoreticheskoi literatury; 1954, 408 p. (In Russ.)
Authorship criteria
Kievets A.V., Bay Y.D., Suvorov A.A, Askarov A.B., Kim A.A. declare equal participation in obtaining and formalization of scientific results and bear equal responsibility for plagiarism.
Conflict of interests
The authors declare that there is no conflict of interests regarding the publication of this article.
The final manuscript has been read and approved by all the co-authors.
INFORMATION ABOUT THE AUTHORS
Anton V. Kievets,
Postgraduate Student,
National Research Tomsk Polytechnic University, 30, Lenin pr., Tomsk 634050, Russia; H e-mail: avk60@tpu.ru
ВЕСТНИК ИРКУТСКОГО ГОСУДАРСТВЕННОГО ТЕХНИЧЕСКОГО УНИВЕРСИТЕТА 2020;24(3):627-638
Бай Юлий Дмитриевич,
ассистент отделения электроэнергетики и электротехники, Инженерная школа энергетики, Национальный исследовательский Томский политехнический университет, 634050, г. Томск, пр. Ленина, 30, Россия; e-mail: tbf@list.ru
Суворов Алексей Александрович,
кандидат технических наук, ассистент отделения электроэнергетики и электротехники, Инженерная школа энергетики, Национальный исследовательский Томский политехнический университет, 634050, г. Томск, пр. Ленина, 30, Россия; e-mail: suvorovaa@tpu.ru
Аскаров Алишер Бахрамжонович,
аспирант,
Национальный исследовательский Томский политехнический университет, 634050, г. Томск, пр. Ленина, 30, Россия; e-mail: aba7@tpu.ru
Ким Андрей Анатольевич,
ассистент отделения электроэнергетики и электротехники, Инженерная школа энергетики, Национальный исследовательский Томский политехнический университет, 634050, г. Томск, пр. Ленина, 30, Россия; e-mail: mrkim@tpu.ru
Yuly D. Bay,
Assistant Professor of the Department of Power and Electrical Engineering, School of Energy and Power Engineering, National Research Tomsk Polytechnic University, 30, Lenin pr., Tomsk 634050, Russia; e-mail: tbf@list.ru
Aleksey A. Suvorov,
Cand. Sci. (Eng.),
Assistant Professor of the Department of Power and Electrical Engineering, School of Energy and Power Engineering, National Research Tomsk Polytechnic University, 30, Lenin pr., Tomsk 634050, Russia; e-mail: suvorovaa@tpu.ru
Alisher B. Askarov,
Postgraduate Student,
National Research Tomsk Polytechnic University, 30, Lenin pr., Tomsk 634050, Russia; e-mail: aba7@tpu.ru
Andrey A. Kim,
Assistant Professor of the Department of Power and Electrical Engineering, School of Energy and Power Engineering, National Research Tomsk Polytechnic University, 30, Lenin pr., Tomsk 634050, Russia; e-mail: mrkim@tpu.ru
ВЕСТНИК ИРКУТСКОГО ГОСУДАРСТВЕННОГО ТЕХНИЧЕСКОГО УНИВЕРСИТЕТА 2020;24(3):627-638
