CC BY
7
4. Цыгичко В.Н. Черешкин Д.С. Сценарный метод прогнозирования негативных последствий стратегических решений в организационных системах// Труды IV международной научной конференции. Пенза, 20.09.2018.-МЦНС «Наука и просвещение»ю 2018.
УДК.621.315.592.
5. Цыгичко В.Н. Управление рисками нарушений безопасности КВО при неполной информации. Проблема анализа рисков, том 12, 2005,№4. АО Финансовый издательский дом «Деловой экспресс», с.18-28
ИССЛЕДОВАНИЕ ВЛИЯНИЕ НЕОДНОРОДНОСТЕЙ НА СВОЙСТВА АФН -ЭЛЕМЕНТОВ
Юсупов Турдиали Азизович
Старщий преподователь, Ферганский политехнический институт Юсупова Феруза Турдиалиевна
Старщий преподователь, Ферганский политехнический институт
STUDY OF THE INFLUENCE OF INHOMOGENEITIES ON THE PROPERTIES OF AFN-
ELEMENTS
Yusupov Turdiali Azizovich
Senior Lecturer, Ferghana Polytechnic Institute Yusupova Feruza Turdialievna
Senior Lecturer, Ferghana Polytechnic Institute
АННОТАЦИЯ
В работе проведено исследование влияние неоднородностей кластерного типа на свойства АФН-элементов с двойным луче преломлением. Изучено магнитного-оптические, электрооптические эффекты в этих пленках.
ANNOTATION
In this work, we study the effect of cluster-type inhomogeneities on the properties of AFS elements with double refraction. The magnetic-optical, electro-optical effects in these films were studied.
Ключевые слова: АФН-элемент, нестехнометричност, неоднородност, монокристалл, p-n- переход, аномальность.
Key words: AFS element, non-stekhnometrichnost, heterogeneity, single crystal, p-n junction, anomaly.
В настоящее время уже доказано, что из любого полупроводникового материала можно изготавливать АФН-элемент. Однако, для каждого полупроводника надо найти свою технологию изготовления АФН-элементов. [1-2].
В отличие от обычных фотоприемников АФН-элементы представляет собой приемники оптического излучения (ПОИ) генераторного типа, т. е. пленки АФН-элемента непос- редственно генерирует фотонапряжение, оно является электрическим генератором со световым питанием. [3-4]
Для обеспечения удовлетворительной точности влияния нестехнометричности, неоднородности АФН-элементов на их фотоэлектрических, магнитного - оптические, электрооптических и других свойств необходимо специальные, методы, получения АФН-элементов. Дело в том что неоднородности часто бывает виновными в анизатропи фотоэлектрических эффектов и в их аномальности особенно в силных электрических и магнитных полях и могут полностью исказить результате измерений. Это
заставляет по новому взглянуть на которые аномальные результате по АФН-эффекту. [5] Детальное исследование, влияния
неоднородностей на свойства АФН-элементов мало изучены. Приходится констатировать, что проблем а создания и управления неоднородностей на АФН-элементах в общем случае нерешена. Технология получения АФН-элементов с двойным лучепреломлением рассматривается впервые. Для этого нами разработано технологическая измерительная система обеспечивающий неоднородность по структуре по составу. Неоднородность по структуре и составу достигается с легированием изовалентными примесями во время получения АФН-элементов. Вес технологический цикл
испарения происходит при переменной температуре подложки, уголь напыления. Увеличением (изменение) температуры подложки и угол напыления образца в технологическом цикле испарения в вакууме осуществляется непрерывно по линейному закону с помощью автоматического регулятора. [6]
Специально разработанная схема задает образцу необходимо температуру и угол напыления, задает последовательность операции подачи изовалентных легирующих примесей. В результате в едином технологическом цикле достигается неоднородность по составу по структуре на поверхности и в объёме АФН-элемента.
Знание степени неоднородностей материалов весьма существенно не только в изготовление АФН-элементов а также при изготовлении различных полупроводниковых приборов, но и при исследовании самых материалов. Ярким примерном неоднородностей материала является поликристаллическая структура. Естественно ожидать, что свойства самых кристаллов могут значительно отличаться от свойств межкристаллитной прослойки.
Поликристаллическая структура наиболее характерна для тонких пленках любого типа, даже монокристаллическими, с когерентной
ориентацией микроблоков. Если кристаллитам микроблоков можно приписать свойства, подобные объёмным свойствам данного полупроводника, то в отношении межкристаллитных прослоек может быть самой различной.
Образование межкристаллитных прослоек может быть обусловлено следующим:
а) «шлагом» вынесенным кристаллитам при их рекристаллизации и представляющим отдельных примесей;
б) посторонними соединениями, образованными из компонентов основного материала отдельных примесей;
в)полифазностью состава пленок, свойственной сложным полупроводниковым соединениям, при этим на границе раздела фаз могут возникать р-п- переходы;
г) выпадением одного из компонентов состава, например, металлического в соединении А111 Ву;
д) различаем структуры фаз, например аморфной и кристаллической;
е) окислом поверхностного слоя кристаллита;
ж) обедненным слоем, вызванным захватом носителей поверхностными уровнями кристаллитов;
з) неполным соприкосновением кристаллитов по всей их толщине.
Очевидно прослойку могут быть образованы совокупностью перечисленных факторов. Нередка прослойки могут полностью определять полупроводниковые свойства
поликристаллического материала. Сложность интерпретации результатов измерений на поликристаллических материалах усугубляется тем, что часто нет полной ясности относительно природы межкристаллитных прослоек и их параметров в конкретном материале [7-8].
Известно, что АФН-эффект основном наблюдается в поликристаллических пленках. Наблюдаемых аномалии в здесь относят, главным образом, к влиянию межкристаллитных прослоек. В настоящее время преобладают две тенденции в
объяснении природы действия прослоек: одна основываются на теории сложных электроцепей, другая - на барьерной теории [1,2]. Одним из первых авторов, рассмотревших
фотоэлектрическую эквивалентную схему АФН-пленок при анализе ФМЭ- эффекта, был Мастов [3]. В упрощенной модели кристаллиты разделены высокоомными прослойками. В свою счередь высокоомные области могут быть не только межкристаллитные прослойки, но, скорее всего сами микрокристаллики [4].
Поскольку прослойку имеют некоторый наклон по отношению к плоскости подложки, то протекающий через пленку ток вынужден пересекать границу прослоек. В результате носители заряда испытывают рассеяние не только на межкристаллитных барьерах, но и на барьерах прослоек модификаций. Таким образом, не только поликристаллическая неоднородная структура, но дефектность самых кристаллитов являются факторами аномальности в АФН-элементах. Как упоминалось в выше, очень чувствительным к неоднородностям в АФН-элементем являются АФН, АФМН и другие магнитооптические, электрооптические эффекты. Поэтому возникают сомнения в корректность результатов работы [5], в которой они по величине АФН-эффекта в пленках СёТв судили однородном микрокристаллическом пленке.
В многие теориях по физике полупроводников толщина слоя является важным параметром, и по этой причине пленки часто является хорошим средством экспериментальной проверки таких теорий. Однако, чтобы получить однозначные результаты, нужно сохранить неизменными различные структурные свойства пленок, и часто это является очень трудной задачей. В этом отношении рассмотренный метод удобен тем, что он дает возможность изучать несколько эффектов одновременно.
Экспериментальная проверка согласно вариационному методу проведенная в связи появлением теоретических работ [5,6] показала, что если толщина слоя велика по сравнению с длиной свободного пробега поверхностная рекомбинация оказывают небольшое влияния на параметры АФН пленок. В том случае для АФН Дамберским механизмом можно использовать для анализа выражение
В - интенсивность света,
Ь - длина диффузии,
скорость поверхностной рекомбинации
на освещенной поверхности
Из данного выражения видно, что аномальность в АФН -элементах зависит от оптической неоднородностью, т.к. для возникновения рассеивания света необходимо, беспорядочное распределенные в среде центры
рассеивания (частицы) отстояли друг от друга на расстояниях по крайней мере порядка длины волны (сами частицы могут быть меньше длины волны света). Если же расстояния между центрами рассеивания значительно меньше длины волны, то рассеивания (двойное лучепреломления) не наблюдается и среда представляется оптически однородной. Для наблюдение аномальность в АФН-элементах необходимо оптическая анизатропность. Неоднородности, создающиеся в [5,6] отдельными микрокристалликами, по размеру значительно меньше длины световой волны, по этому светом не «ощущается», АФН-эффект невозникают. Анимальность возникает лишь с появлением неоднородностей превосходящих по размеру длину волн света.
Литература
1. Квантовая электроника под. ред С.А.Ахманова и др. Издательство «Советская энциклопедия». Москва, 1976 г. стр.35
2. Йулдашев Х.Т., Иброхимов Ж.М., Рустамов У.С., Эргашев К.М. Фотоэлектрические усилительные процессы в газоразрядной ячейке, включающей полупроводниковый фотоприемник и плазменные контакты // Евразийский Союз Ученых (ЕСУ) № 5 (62) / 2019, ст,52
3.Йулдашев Х.Т., Хайдаров З., Касымов Ш.С. Исследование тонкой газоразрядной ячейки с полупроводниковым электродом // "Узбекский физический журнал 2017, №3, ст 152-157.
4.С. Ирматов, Р.Найманбоев, Ярим утказгичли фотоприёмниклар. Монография - "Фаргона нашриёти" 2011 йил, 89- бет.
5.Йулдашев Х.Т., Хайдаров З., Касымов Ш.С., Усилительные процессы в газоразрядной ячейке состоящей из полупроводника с плазменными контактами // Журнал физики и инженерии поверхности, 2016, том 1, № 3, ст. 268-273.
6.Г. А. Набиев, НТЖ, ФерПИ, 1999, №1, стр 98-100
ОБУЧЕНИЕ РАБОТЕ С СЕРВИСАМИ ИСОД В МОСКОВСКОМ УНИВЕРСИТЕТЕ МВД
РОССИИ ИМЕНИ В.Я. КИКОТЯ
Нестеров Игорь Александрович
доцент кафедры информатики и математики кандидат технических наук, доцент. Смирнов Виталий Михайлович старший преподаватель кафедры информатики и математики, кандидат технических наук
Малолетко Наталья Евгеньевна доцент кафедры информатики и математики кандидат экономических наук
TRAINING SERVICES ISOD AT MOSCOW UNIVERSITY THE INTERIOR MINISTRY OF RUSSIA
NAMED AFTER V. J. KIKOT
АННОТАЦИЯ
Статья посвящена вопросам обучения сервисам Единой системы информационно-аналитического обеспечения деятельности МВД России (ИСОД МВД России) в Московском университете МВД России имени В.Я. Кикотя, даются методологические рекомендации.
ABSTRACT
The article is devoted to learning the services of the Unified system of information-analytical maintenance of activity of the Ministry of internal Affairs (MVD ISOD Russia) at the Moscow University of the MIA of Russia named after V. J. Kikot, methodological recommendations.
Ключевые слова: ИСОД, сервис, обучение, информатика.
Keywords: ISOD, service, education, computer science.
В 2014 году завершен комплекс работ по созданию Единой системы информационно-аналитического обеспечения деятельности МВД России (ИСОД МВД России). Начиная с 2015 года, МВД России реализует масштабный проект по развитию ИСОД МВД России. Реализация ИСОД в перспективе призвана максимально
оптимизировать служебную деятельность практически каждого сотрудника ОВД, избавить его от рутинных операций, промежуточных этапов «ручного» сбора, обобщения и анализа необходимой информации, существенно сократить время передачи и доведения актуальной информации до компетентного субъекта принятия
управленческого решения, на несколько порядков снизить материально-технические затраты.
На сегодняшний день основные работы по внедрению сервисов обеспечения повседневной деятельности и большинства сервисов обеспечения оперативно-служебной деятельности закончены.
Внедрение новых информационных систем включает в себя и обучение персонала заказчика. Это означает, что обучение работе в ИСОД должны пройти практически все сотрудники МВД. В конечном счете, общий успех будет зависеть и от того, насколько эффективно сотрудники МВД смогут применять его в практической работе. Следовательно, необходимо организовывать и проводить обучения будущих сотрудников МВД
работе с информационной системой ИСОД в стенах ведомственных ВУЗОв МВД РФ.
В состав ИСОД входят два типа сервисов: прикладные сервисы обеспечения повседневной деятельности, которые доступны для использования всеми сотрудниками МВД России с момента получения учетной записи в сервисе управления доступом, а также прикладные сервисы обеспечения оперативно-служебной деятельности.
Обучение работы в прикладных сервисах обеспечения повседневной деятельности включают:
3.подготовку обучаемых до уровня, требуемого соответствующими документами (руководствами) по сервисам.
4.обучению работе в соответствующем сервисе.
Для полноценной работы в сервисах и для выполнения всех должностных обязанностей, согласно требований инструкций по сервисам, необходимо иметь навыки работы с Microsoft Office на уровне пользователя. В рамках работы с сервисами будет необходимо уметь пользоваться программами Microsoft Word и Microsoft Excel, Mozilla Firefox, Google Chrome, Opera, Adobe Acrobat;
После обучения использованию
соответствующих программных продуктов следует обучение соответствующим сервисам со сдачей тестов.
Обучение этим сервисам может быть выполнено в рамках дисциплины «Информатика и информационные технологии в профессиональной деятельности» на 1 курсе, так как специальных знаний для освоения работы в сервисах не требуется.
Обучение работы в прикладных сервисах обеспечения оперативно-служебной деятельности выполняется по сервисам необходимым для служебной деятельности в рамках конкретной специальности и включают:
4.подготовку обучаемых до уровня, требуемого соответствующими документами (руководствами) по сервисам.
5.подготовку обучаемых до уровня, требуемого соответствующими документами (руководствами) знания предметной области, в части основных направлений деятельности подразделений по специальности, а также их взаимодействия с соответствующими органами государственной власти Российской Федерации.
б.обучению работе в соответствующем сервисе.
Обучение работе в прикладных сервисах обеспечения оперативно-служебной деятельности может осуществляться в два этапа. На первом этапе формируются общий уровень компьютерной грамотности в рамках дисциплины «Информатика и информационные технологии в профессиональной деятельности» - то есть выполняются пункт №1 требований, который является общим для всех сервисов. На втором этапе после получения знаний в процессе всего курса
обучения в университете и обучение работе в прикладных сервисах обеспечения оперативно-служебной деятельности по специальностям на выпускном курсе. На втором этапе подготовку целесообразно осуществлять силами кафедр ИиМ и соответствующих специализированных кафедр.
Методологически обучение рекомендуется подразделить на три вида:
•Теоретическая подготовка пользователей. Пользователям системы необходимо изучить, каким образом построен процесс взаимодействия с ИСОД, какие функции в общем процессе выполняет каждый конкретный пользователь, какие сервисы изучает. На данном этапе для обучения эффективно использовать обучающие презентации (дэмо-ролики) и регламенты применения (инструкции).
Методические материалы для этого этапа имеются и, на взгляд авторов, он не вызовет затруднений.
•Практическая подготовка пользователей. На этом этапе пользователям системы рекомендуется попробовать внести в систему тестовые данные в соответствии с шагами, описанными в обучающих презентациях и инструкциях. Использование «облачного интерфейса», сложность построения и большое количество сервисов делают труднореализуемой локализацию тестовых сервисов. Однако ряд тестовых облачных сервисов (сервис электронной почты, сервис электронного документооборота) уже имеются в университете, с другими выдуться переговоры.
•Работа с реальными данными. Пользователи вносят в систему реальные данные. Такая работа возможна при получении пользователями учетных записей в системе ИСОД.
Результатом обученные являются сотрудники МВД, т.е. пользователи, которые работают с сервисами ИСОД без постоянного наблюдения. Вмешательство и помощь со стороны происходит только по запросу пользователей.
Подготовку обучающихся в ВУЗ МВД предлагаем осуществлять по следующей схеме:
•Подготовка до уровня, требуемого соответствующими документами (руководствами) по сервисам. Проводится в рамках дисциплин таких как, «Информатика и информационные технологии в профессиональной деятельности» кафедрой Информатики и математики на первом курсе.
Обучение работе в сервисах обеспечения повседневной деятельности проводится кафедрой Информатики и математики, так как обучение этим сервисам не требует специальной подготовки. Обучение может выполняться как на первом курсе, так и на старших курсах.
•Обучение работе в сервисах обеспечения оперативно-служебной деятельности. Проводятся на старших курсах, специализированными кафедрами.
Основной целью обучения сервисам следует считать -приобретение обучающимися
теоретических знаний, необходимых для
эффективной профессиональной деятельности на занимаемых должностях, и формирование практических навыков и умений использованию сервисов ИСОД в органах внутренних дел Российской Федерации.
Основными задачами обучения сервисам в классе ИСОД в ВУЗах МВД:
•изучение особенностей функционирования сервисов ИСОД;
•формирование у сотрудников представлений о развитии ИСОД;
•углубление изучение сервисов обеспечения повседневной деятельности;
•приобретение практических навыков работы в сервисах обеспечения оперативно-служебной деятельности ИСОД по специализации.
Обучению сервисам ИСОД следует придавать практическую направленность. При проведении занятий используются активные формы и методы обучения (игровые ситуации, дискуссии, практические с анализом конкретных решений).
При назначении выпускника на должность в МВД России определяется конкретный перечень сервисов, доступ к которым он должен иметь. Возможна дополнительная подготовка выпускника на эти сервисы.
Необходимо отметить что в состав ЕЦЭ ИСОД МВД России входит Центр обучения, на базе которого проводится обучение сотрудников МВД России работе с сервисами ИСОД. С учетом широкой географии дислокации подразделений МВД России, основной упор в Центре обучения ИСОД ставится на дистанционные механизмы образования. Также распространена практика тестирования сотрудников на качество усвоения материалов по использованию информационных технологий в повседневной деятельности. Для некоторых сервисов тестирование является обязательным условием получения доступа к работе с сервисом.
Методологически каждый этап обучения рекомендуется подразделить на три подэтапа:
УДК 531.554+004.85 ГРНТИ 30.15.15, 27.47.23
Теоретическая подготовка пользователей.
Пользователям системы необходимо изучить, каким образом построен процесс взаимодействия с ИСОД, какие функции в общем процессе выполняет каждый конкретный пользователь, какие сервисы изучает. На данном этапе для обучения эффективно использовать обучающие презентации (дэмо-ролики) и регламенты применения (инструкции).
Практическая подготовка пользователей. На этом этапе пользователям системы рекомендуется попробовать внести в систему тестовые данные в соответствии с шагами, описанными в обучающих презентациях и инструкциях. При реализации этого этапа возможны ряд трудностей. Использование «облачного интерфейса», сложность построения и большое количество сервисов делают труднореализуемой локализацию тестовых сервисов. Однако ряд тестовых облачных сервисов (СЭД, СЭП) уже имеются в университете, с другими выдуться переговоры.
Работа с реальными данными. Пользователи вносят в систему реальные данные. Такая работа возможна при получении пользователями учетных записей в системе ИСОД.
Библиографический список:
1. От хранения данных к управлению информацией. - Санкт-Петербург. Питер, 2006. -544 с.
2. Бурцева Е.В., Рак И.П., Селезнев А.В., Терехов А.В., Чернышов В.Н. Информационные системы: учебное пособие. - Тамбов: Изд-во ТГТУ, 2009. - 128 с.
Bibliographic list:
3.Ot khraneniya dannykh k upravleniyu informatsiey. - Sankt-Peterburg. Piter, 2006. - 544 s.
4.Burtseva E.V., Rak I.P., Seleznev A.V., Terekhov A.V., Chernyshov V.N. Informatsionnye sistemy: uchebnoe posobie. - Tambov: Izd-vo TGTU, 2009. - 128 s.
РАЗРАБОТКА АППРОКСИМИРУЮЩИХ МАТЕМАТИЧЕСКИХ МОДЕЛЕЙ ДЛЯ РЕШЕНИЯ _ОБРАТНОЙ ЗАДАЧИ ВНЕШНЕЙ БАЛЛИСТИКИ_
Королев1 С.А., Тененев2 В.А.
'канд. физ.-матем. наук, доцент кафедры «Математическое обеспечение информационных систем»,
2д-р физ.-матем. наук, профессор кафедры «Высшая математика»
Ижевский государственный технический университет имени М. Т. Калашникова, г. Ижевск АННОТАЦИЯ
Работа посвящена разработке аппроксимирующих математических моделей и быстрых алгоритмов решения обратной задачи внешней баллистики по определению параметров наведения орудия в случае подвижной цели. На основе физико-математических моделей решения прямой задачи внешней баллистики, учитывающих различные факторы, влияющие на полет снаряда, строится база данных вычислительных экспериментов. Для построения моделей низшей размерности используются различные
