УДК 541.135: 538.915
Юшков Р.Д.
студент 2 курса группы 21ПДм1 Пензенский государственный университет (г. Пенза, Россия)
ИССЛЕДОВАНИЕ ТЕРМОПОЛЕВОЙ И ПОЛЕВОЙ ЭМИССИЙ В РАМКАХ ДИФФУЗИОННОЙ ТЕОРИИ ДЛЯ БАРЬЕРА ШОТТКИ НА ОСНОВЕ ХАЛЬКОГЕНИДА СВИНЦА
Аннотация: в работе было исследовано влияние термополевой и полевой эмиссии в рамках диффузионной теории с учётом коэффициента нелинейности.
Ключевые слова: потенциальный, термополевой, полевой, эмиссия, барьеров.
При исследование термополевой и полевой эмиссий в рамках диффузионной теории для барьера Шоттки на основе халькогенида свинца установлено, что при анализе механизма токопрохождения через потенциальный барьер надо учитывать влияние термополевого тока.
Оценкой вклада термополевой и полевой эмиссий на механизм токопрохождения через потенциальный барьер выступает отношением ^ .
Полевая эмиссия наблюдается при условии [1]
кТ <-
1п
()+(
(1)
Если температура, выше рассчитанной, то будет наблюдается термополевая эмиссия, записывается в виде [2]
т >
2дЕ(
00
£1п( -
4ФВ )
Е
(2)
На рисунке 1 представлены области температур и концентраций акцепторной примеси для барьеров Шоттки на основе РЪБ , в которых токопрохождение через потенциальный барьер связано с полевой или термополевой эмиссией [2]. Из рисунка видно, что для диапазона рабочих температур и концентраций акцепторов, используемых для получения барьеров Шоттки, механизм токопрохождения преимущественно обусловлен термополевой эмиссией.
кТ;эВ 0.08
0.06
■0.04
0.02
0
2
<10*
4хЮ
.24
6x10-
8хЮ24
1- Термополевая эмиссия; 2 - Полевая эмиссия Рис. 1. Области температур и концентрации примеси для барьеров Шоттки на основе РЪ8 , связано с полевой или термополевой эмиссией
В заключении было исследовано влияние термоплолевой и полевой эмиссии в рамках диффузионной теории. В результате расчетных данных установлено что, влияние термополевой эмиссий больше, чем полевой эмиссии при концентрации акцепторов 8*1024 м-3.
СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ:
1. Родерик Э.Х. Контакт металл-полупроводник.// Радио и Связь. - М. - 1982. - С. 330 - 334.
2. Цветков Д. А. «Идеальные диоды» от компании ST Microelectronics // Новости электроники. - 2009. -№14. - С. 34 - 36.
Yushkov R.D.
Penza State University (Penza, Russia)
INVESTIGATION OF THERMAL AND FIELD EMISSIONS IN FRAMEWORK OF DIFFUSION THEORY FOR THE SCHOTTKY BARRIER BASED ON LEAD CHALCOGENIDE
Abstract: in this paper, the influence of thermal and field emission was investigated within the framework of diffusion theory, taking into account the nonlinearity coefficient.
Keywords: potential, thermal field, field, emission, barriers.