Научная статья на тему 'Исследование оптронов открытого канала для контроля качественных параметров металлических поверхностей'

Исследование оптронов открытого канала для контроля качественных параметров металлических поверхностей Текст научной статьи по специальности «Электротехника, электронная техника, информационные технологии»

CC BY
214
98
i Надоели баннеры? Вы всегда можете отключить рекламу.

Аннотация научной статьи по электротехнике, электронной технике, информационным технологиям, автор научной работы — Ларина Т. В.

В статье приведены методика, и результаты экспериментального исследования характеристик полупроводникового оптрона открытого канала волоконно-оптических систем для контроля качественных параметров металлических поверхностей.

i Надоели баннеры? Вы всегда можете отключить рекламу.

Похожие темы научных работ по электротехнике, электронной технике, информационным технологиям , автор научной работы — Ларина Т. В.

iНе можете найти то, что вам нужно? Попробуйте сервис подбора литературы.
i Надоели баннеры? Вы всегда можете отключить рекламу.

Investigation of open-channel optrons for the control of metal surfaces qualitative parameters

The paper deals with the techniques and the results of the experimental research as concerns characteristics of open-channel semiconductor optron in fiber-optical systems for the control of metal surfaces qualitative parameters.

Текст научной работы на тему «Исследование оптронов открытого канала для контроля качественных параметров металлических поверхностей»

УДК 620:191.33.681.7.624.012 Т.В. Ларина СГГА, Новосибирск

ИССЛЕДОВАНИЕ ОПТРОНОВ ОТКРЫТОГО КАНАЛА ДЛЯ КОНТРОЛЯ КАЧЕСТВЕННЫХ ПАРАМЕТРОВ МЕТАЛЛИЧЕСКИХ ПОВЕРХНОСТЕЙ

В статье приведены методика, и результаты экспериментального исследования характеристик полупроводникового оптрона открытого канала волоконно-оптических систем для контроля качественных параметров металлических поверхностей.

T. V. Larina SSGA, Novosibirsk

INVESTIGATION OF OPEN-CHANNEL OPTRONS FOR THE CONTROL OF METAL SURFACES QUALITATIVE PARAMETERS

The paper deals with the techniques and the results of the experimental research as concerns characteristics of open-channel semiconductor optron in fiber-optical systems for the control of metal surfaces qualitative parameters.

Основными первичными элементами оптронов являются полупроводниковые излучатели: светоизлучающие диоды (СИД), суперлюминисцентные диоды (СЛД) и ЛД; приемники оптического излучения (ПОИ): фоторезисторы (ФР), фотодиоды (ФД), фототранзисторы (ФТ) и АФН-приёмники (АФ).

Основные требования, предъявляемые к излучателям: высокая мощность излучения, соответствие спектральной характеристики с характеристиками оптических волокон (ОВ), надёжность, малые габариты, доступная цена. СИД в этом плане просты, долговечны, недороги, но имеют низкую эффективность излучения в ОВ, ограниченную полосу пропускания и дальность передачи. Мощность оптического излучения 0,5... 5 мВт.

Принцип работы СЛД аналогичен полосковым ЛД и отличается тем, что одно из зеркал убрано и ослаблена обратная связь. Спектр излучения их хуже, а энергетическая яркость выше, чем у СИД. Мощность оптического излучения (100.500 мкВт) намного ниже, чем у СИД, поэтому в наших исследованиях они не используются.

Основными достоинствами ЛД являются компактность, прочность и высокая эффективность. По сравнению с СИД они обладают большей мощностью оптического излучения (1.10 мВт), большей предельной частотой модуляции, меньшей шириной спектра и лучшей направленностью излучения.

Недостатками ЛД являются меньшая долговечность (3-104...2-105 часов) и высокая цена.

Ширина спектра излучения у ЛД 0,2...5 нм, у СЛД - 5...8 нм и СИД -30...35 нм [1].

Средняя угловая расходимость излучения у ЛД 3...5° (в плоскости, параллельной р-п-переходу) и 30...60° (в плоскости, перпендикулярной р-п-переходу); у СИД - 100... 120°; у ЛД - 25...30° (в плоскости, параллельной р-п-переходу) и 30...60° (в плоскости, перпендикулярной р-п-переходу).

Основные требования, предъявляемые к полупроводниковым ПОИ: высокая чувствительность, согласованность спектральных характеристик с диапазоном длин волн излучения, высокое быстродействие, линейность сигнала и большой динамический диапазон преобразования оптического излучения в электрический сигнал.

Этим требованиям в настоящее время удовлетворяют полупроводниковые ФР, ФД, ФТ и АФ.

Из всего разнообразия ПОИ в [2] рассмотрены ФР, ФД, и ФТ - приборы, наиболее доступные и применяемые в оптоэлектронном приборостроении. Внимание уделено их параметрам и особенностям применения в оптопарах, принцип действия которых основан на совместном применении излучателей и ПОИ.

Далее изложена методика и приведены результаты экспериментального исследования характеристик полупроводникового оптрона открытого канала для волоконно-оптических систем. Исследованы четыре типа оптрона открытого канала: «излучатель - ФД», «излучатель - ФТ», «излучатель - ФР» и «излучатель - АФ». В качестве ОВ использован полимерный световод круглого сечения в защитной оболочке с диаметром сердцевины dс = 0,4 мм, диаметром отражающей оболочки с10 = 0,6 мм и длиной 1 м.

Исследовано соединение «излучатель - разъём - оптоволокно - разъём -ПОИ». Для снятия его характеристик собраны экспериментальные стенды (рис. 1, 3). Из блока питания БП через переменный резистор Rl подаётся ток на излучатель СИД или ЛД (напряжение 2 В). Излучение СИД или ЛД через разъём Р подаётся через ОВ на светочувствительную поверхность ПОИ. Миллиамперметр мА1 контролирует ток излучателя, а миллиамперметр мА2 контролирует ток ПОИ через регулирующий резистор R2, оторый питается от БП2. В схеме с АФ-приёмником в качестве измерительного прибора использован электростатический вольтметр.

Была снята характеристика оптронной пары, где в качестве излучателей использовались СИД АЛ108А и ЛД-ИЛПН-301-1. В качестве ПОИ служил фотодиод ФД290 (рис. 1).

Ва

Рис. 1. Оптронная пара ИЗЛ-ФД

Для ЛД ИЛПН-301-1 характеристика идёт круче, так как этот ЛД обладает большей мощностью излучения по сравнению с СИД АЛ-107А. Очевидно, для ВОС имеет смысл брать источник излучения с более крутой характеристикой.

Эксперимент проводился при комнатной температуре = 21° С). Результаты эксперимента представлены на рис. 2 в виде графической зависимости тока ПОИ от тока источника излучения. Из результатов эксперимента видно, что характеристика достаточно близка к линейной.

1 - уГ -

О —|-|-|---1-1—

О 10 20 30 40 50 <>0 70 50 90 юо Т«ктцуч<тгсля.мЛ --,:ид -ЛД

Рис. 2. Характеристика оптронной пары ИЗЛ-ФД

Были сняты характеристики оптронной пары, где в качестве ПОИ использовался фототранзистор ФТ-3Г. Схема экспериментального стенда представлена на рис. 3. Результаты эксперимента представлены на рис. 4 в виде графиков. ЛД ИЛПН 301-1 обладает большим коэффициентом выхода излучения по сравнению с СИД АЛ-107А, а предельные значения тока, проходящего через излучатели, одинаковы.

Рис. 3. Оптронная пара через ОВ ИЗЛ-ФТ

Крутизна характеристики оптрона открытого канала определяется напряжением питания ФТ, которое ограничивается предельным допустимым значением (15 В).

На основании проведенных исследований выбрана оптронная пара (рис. 1), которую удобно применять и она хорошо согласуется с излучателем. В настоящее время серийно выпускаются синие излучатели АЛ307. На основании данного оптрона открытого типа разработан анализатор для контроля характеристик металлических поверхностей.

ю

9

Рис. 4. Характеристика оптронной пары ИЗЛ-ФТ

На рис. 5 представлена структурная схема устройства анализатора цвета поверхности твердых материалов, а на рис. 6 один из вариантов выполнения датчика. Анализатор цвета состоит из датчика и электронного блока. Датчик выполнен в виде полусферы 1, в которую установлены три пары У-образных подводящих 2-4 и отводящих 5-7 оптоволокон.

1

Рис. 5. Структурная схема устройства анализатора

А-А

Рис. 6. Один из вариантов выполнения датчика

Электронный блок включает в себя задающий генератор 9, коммутатор 10, три триггера 11-13, три выхода которых соединены с тремя измерительными светодиодами 14, 16, 18, вторые три выхода - с компенсационными светодиодами 15, 17, 19, три приемника оптического излучения 20-22, выход каждого приемника оптического излучения подсоединен к входу соответствующего блока сравнения 23-25, выход каждого из которых соединен с соответствующим измерительным прибором 26-28. Далее электронный блок включает в себя блок обработки фотоэлектрического сигнала 29, запоминающее устройство 30 и измерительную систему, например, ЭВМ.

Устройство работает следующим образом. Задающий генератор 9 вырабатывает импульсы, которые подаются на вход коммутатора 10. Разделительные импульсы подаются на вход трех идентичных триггеров 11 -

13, три выхода которых соединены с тремя измерительными светодиодами

14, 16, 18, вторые три выхода - с компенсационными светодиодами 15, 17, 19 импульсы от триггеров поступают на соответствующие светодиоды. Каждый оптрон отвечает за контроль конкретного того или иного параметра.

Контролируемая поверхность 8, которая заключена в полусферу 1, по подводящим оптическим волокнам 2-4 облучается двумя световыми потоками (измерительным и компенсационным).

Оптоэлектронные пары заключены в кольцевой кожух из мягкой резины для необходимой ориентации датчика и светоизоляции оптического канала и расположены они под углом, например 45°, относительно друг друга и симметрично относительно нормали к контролируемой поверхности в точке отражения.

Оптическое излучение отражается от контролируемой поверхности и отводящими оптическими волокнами 5 - 7 подается на приемники оптического излучения 20-22, работающие на длинах волн ^=680 нм Х2=560 нм Х3 =450 нм и преобразующие оптические сигналы в электрические.

Благодаря прохождению света через подводящее и отводящее оптоволокно подается и принимается узкий пучок излучения, который дает возможность контроля параметров. Далее сигнал попадает на свой блок сравнения 23, 24, 25, берется отношение двух сигналов (измерительных и компенсационных) и далее измерительной системой 26, 27, 28 определяют оттенки трех цветов. Процесс измерения на данном этапе можно закончить. Или три сигнала могут поступать на блок обработки фотоэлектрического сигнала 29, где сопоставляются с любым из ряда образцовых, хранящихся в запоминающем устройстве 30. Далее оба сигнала или их отношение подаются на измерительную систему или в ЭВМ 31.

Благодаря прохождению света через подводящие 2-4 и отводящие 5-7 оптоволокна подается и принимается узкий пучок излучения, который дает возможность контроля параметров.

При необходимости сигнал с выхода блока обработки фотоэлектрического сигнала можно подать в систему автоматического контроля.

БИБЛИОГРАФИЧЕСКИЙ СПИСОК

1. Берикашвили, В.Ш. Волоконно-оптические системы контроля атмосферы угольных шахт // В.Ш. Берикашвили, М.В. Хиврин // Радиотехника. -2001. - № 5.- С.21-27.

2. Ямамото Хисааки. Оптоволоконные датчики и их применение / Отомэсён. Automation.- 1987.- Vol. 32, № 5.-C. 31-35.

© Т.В. Ларина, 2011

i Надоели баннеры? Вы всегда можете отключить рекламу.