Научная статья на тему 'Использование зеркальной симметрии для совершенствования модальной фильтрации'

Использование зеркальной симметрии для совершенствования модальной фильтрации Текст научной статьи по специальности «Электротехника, электронная техника, информационные технологии»

CC BY
169
48
i Надоели баннеры? Вы всегда можете отключить рекламу.
Ключевые слова
СВЯЗАННАЯ ЛИНИЯ / МОДАЛЬНЫЙ ФИЛЬТР / УСТРОЙСТВА ЗАЩИТЫ / COUPLED LINE / MODAL FILTER / PROTECTIVE DEVICES

Аннотация научной статьи по электротехнике, электронной технике, информационным технологиям, автор научной работы — Заболоцкий Александр Михайлович

Предложен новый подход к совершенствованию модальной фильтрации за счет зеркального добавления к существующей структуре дополнительных слоев диэлектрика и проводников. Рассмотрена четырехпроводная зеркально-симметричная структура, в которой амплитуды импульсов разложения одинаковы и в 8 раз меньше амплитуды источника эдс. Кроме того, длина одиночного отрезка четырехпроводной структуры короче, чем общая длина двухкаскадной двухпроводной структуры, в 1,2 раза при одинаковых амплитудах на выходе.

i Надоели баннеры? Вы всегда можете отключить рекламу.

Похожие темы научных работ по электротехнике, электронной технике, информационным технологиям , автор научной работы — Заболоцкий Александр Михайлович

iНе можете найти то, что вам нужно? Попробуйте сервис подбора литературы.
i Надоели баннеры? Вы всегда можете отключить рекламу.

Application of reflective symmetry for modal filtration improvement

The article proposes a new approach to modal filtration improvement, which is symmetrical adjunction of additional dielectric and conductor layers to the given structure. The article describes four-conductor reflection symmetric structure; amplitudes of decomposition pulses of this structure are equal and 8 times lower than EMF source amplitude. Besides, the length of a single segment of four-conductor structure is 1.2 times shorter than the total length of two-stage two-conductor structure, while output amplitudes are equal.

Текст научной работы на тему «Использование зеркальной симметрии для совершенствования модальной фильтрации»

А.М. Заболоцкий. Использование зеркальной симметрии для совершенствования модальной фильтрации 41

УДК 621.391.825

А.М.Заболоцкий

Использование зеркальной симметрии

для совершенствования модальной фильтрации

Предложен новый подход к совершенствованию модальной фильтрации за счет зеркального добавления к существующей структуре дополнительных слоев диэлектрика и проводников. Рассмотрена четырехпроводная зеркально-симметричная структура, в которой амплитуды импульсов разложения одинаковы и в 8 раз меньше амплитуды источника ЭДС. Кроме того, длина одиночного отрезка четырехпроводной структуры короче, чем общая длина двухкаскадной двухпроводной структуры, в 1,2 раза при одинаковых амплитудах на выходе. Ключевые слова: связанная линия, модальный фильтр, устройства защиты.

Для защиты радиоэлектронной аппаратуры от мощного сверхкороткого импульса (СКИ) [1] предложена технология модальной фильтрации [2, 3], основанная на использовании явления модального разложения импульсного сигнала в многопроводных линиях передачи из-за различия задержек мод. При создании модального фильтра как средства защиты аппаратуры от СКИ необходимо выбрать структуры поперечных сечений многопроводных линий передачи с неоднородным диэлектрическим заполнением, обладающие эффектом модального разложения [4]. Практическая реализация модальной фильтрации представляется возможной на разных структурных уровнях аппаратуры, например с помощью кабелей [5-7], в виде отдельных блоков, а также компонентов [8], в том числе печатных [9]. Общие подходы к созданию печатного модального фильтра в виде связанной линии передачи представлены в [10-12]. Однако на данный момент не исследовались многопроводные зеркально-симметричные структуры для реализации модальной фильтрации. Цель работы - восполнить этот пробел.

При выполнении исследования за основу взята структура печатного модального фильтра [11], в которой печатные проводники расположены на двух сторонах подложки из стеклотекстолита (рис. 1, а, далее структура 1). Данная структура обеспечивает разность погонных задержек мод 1 нс/м при следующих параметрах: расстояние между проводниками 5 = 0,4 мм, ширина проводников w = 0,3 мм, толщина проводников t = 105 мкм, толщина диэлектрика h = 0,5 мм, относительная диэлектрическая проницаемость бг = 5 [11]. Зеркально-симметричная структура относительно плоскости а, которая проходит через проводник 3, представлена на рис. 1, б (далее структура 2). Она отличается от структуры 1 (рис. 1, а) тем, что напротив проводников 1 и 2 добавлены проводники 1* и 2*, увеличена толщина диэлектрика h1 = 2h + t и проводник 3 расположен в диэлектрике.

а

3

а

w

w

d

5

t

2

1

Б

h

w

W t 5 . W . d

h1 1 w 2

1* 3 2* Бг

W A w

б

Рис. 1. Поперечные сечения структур 1 (а) и 2 (б)

Вычисление параметров и форм сигнала выполнялось в программном продукте TALGAT [13] при допущении, что в рассматриваемых структурах распространяются только квази-T-волны. Потери в проводниках и диэлектриках не учитывались.

В общем случае структура 2 рассматривается как четырехпроводная линия передачи с неоднородным диэлектрическим заполнением в поперечном сечении. Следовательно, в данной структуре распространяются четыре моды с соответствующими им характеристиками. Для выполнения анализа вычислены матрицы погонных коэффициентов электростатической и электромагнитной индукций при 5 = 0,4 мм, w = 0,3 мм, t = 105 мкм, h\ = 1,105 мм, er = 5:

С =

75 -11,4 -18,6 -2,4

-11,4 75 -2,4 -18,6

-18,6 -2,4 75 -11,4

-2,4 -18,6 -11,4 75

пФ/м,

580,3

247,5

206,2

168,2

247,5

580,3

168,2

206,2

206,2

168,2

580,3

247,5

168,2

206,2

247,5

580,3

нГн/м.

(1)

Доклады ТУСУРа, № 2 (36), июнь 2015

42

ЭЛЕКТРОНИКА, ИЗМЕРИТЕЛЬНАЯ ТЕХНИКА, РАДИОТЕХНИКА И СВЯЗЬ

Затем из (1) вычислены вектор погонных задержек мод, матрицы характеристического импеданса и собственных векторов произведения матриц L и C:

т =

7,2

5.1 5,5

6.2

нс/м;

Z =

92

29

28,5

19

29

92

19

28,5

28,5

19

92

29

19

28,5

29

92

, Ом;

Sv =

0,5

0,5

0,5

0,5

0,5

-0,5

0,5

-0,5

-0,5

0,5

0,5

-0,5

0,5

0,5

-0,5

-0,5

(2)

Из вектора т видно, что погонные задержки мод различны. Однако из Sv видно, что значения напряжений мод в проводниках равны по модулю. Кроме того, выявлено, что изменения параметров структуры 2 изменяют значения погонных задержек, но не влияют на элементы Sv. Учет этого может быть полезен при оптимизации.

Для оценки возможности модального разложения необходимо вычислить минимальную разность погонных задержек мод и амплитуды импульсов разложения в конце активного проводника [8]. Матрица амплитуд импульсов разложения в конце активного проводника, вычисленная при условиях, что источник ЭДС амплитудой 1 В подключался между проводниками 1 (активный) и 3 (опорный) и согласования каждой моды отрезка линии передачи:

"0,125 0,125 -0,125 0,125 "

iНе можете найти то, что вам нужно? Попробуйте сервис подбора литературы.

= 0,125 -0,125 0,125 0,125 В (3)

V = 0,125 0,125 0,125 -0,125 , В. (3)

0,125 -0,125 -0,125 -0,125

Из вектора т следует, что минимальное значение разности погонных задержек мод равно 0,4 нс/м. Следовательно, полное разложение импульсного сигнала длительностью t£ в отрезке линии передачи длиной l возможно при условии t£/l < 0,4 нс/м. Кроме того, согласно (3) амплитуды импульсов разложения одинаковы и в 8 раз меньше амплитуды источника ЭДС. Можно предположить, что эти амплитуды не изменяются значительно при нагрузках на концах проводников, равных диатональному значению Zc. Для подтверждения вычислены формы сигнала в начале и конце активного проводника (проводник 1, рис. 1, б).

При вычислении форм сигнала в структуре 2 использовалась схема из рис. 2. Она содержит восемь резисторов с сопротивлением 92 Ом и источник сигналов, который подключался между проводниками 1 (активный, верхний на схеме) и 3 (опорный, представленный обозначением схемной земли). Вычисленные формы сигналов в начале (V1) и конце (V6) проводника 1 при l = t£/0,4 нс/м = = 0,3 нс/0,4 нс/м = 0,75 м представлены на рис. 2, где источник импульсных сигналов представлен идеальным источником ЭДС (длительности фронта, спада и плоской вершины выбраны равными по 0,1 нс, так что t£ = 0,3 нс, а амплитуда - 1 В).

Из рис. 2 видно, что в конце проводника 1 четыре импульса с амплитудами: 0,123; 0,117; 0,123 и 0,114 В. Они несколько отличаются от 0,125 В из (3) из-за рассогласования каждой моды. В итоге результаты моделирования подтверждают возможность разложения импульсного сигнала на четыре импульса с одинаковыми амплитудами в 8 раз меньше, чем ЭДС.

Показательно сравнить результаты для структур 1 [8, 12] и 2. Для структуры 1 разложение сигнала возможно при условии t£/l < 1 нс/м и для уменьшения амплитуды разложенных импульсов в 8 раз относительно ЭДС необходимо использовать двухкаскадное соединение отрезков (рис. 3). При этом длина структуры 2 будет в 1,2 раза больше длины структуры 1. Например, при t£ = 0,3 нс общая длина для структуры 1 будет равна Д + l2 = 0,3 + 0,6 = 0,9 м (длины двух отрезков линий передачи), а длина для структуры 2 равна l = 0,75 м (длина одного отрезка линии передачи). Для сравнения также вычислены частотные отклики при гармоническом воздействии ЭДС амплитудой 1 В (рис. 4). Видно, что полоса пропускания структуры 2 примерно в 1,5 раза меньше, чем у структуры 1 (рис. 4, а).

Таким образом, исследована зеркально-симметричная структура для реализации модальной фильтрации. Получено, что минимальная разность погонных задержек мод в ней в 2,5 раза меньше, чем в исходной структуре. Однако амплитуды импульсов разложения в одном отрезке линии передачи одинаковы и в 8 раз меньше источника ЭДС. Кроме того, длина одиночного отрезка четырехпроводной структуры в 1,2 раза меньше, чем общая длина двухкаскадной двухпроводной структуры при одинаковых амплитудах на выходе.

В итоге предложен новый подход совершенствования структуры модального фильтра за счет зеркального добавления к существующей структуре дополнительных слоев диэлектрика и проводников. Используя подобный подход, в дальнейшем могут быть исследованы другие структуры.

Доклады ТУСУРа, № 2 (36), июнь 2015

А.М. Заболоцкий. Использование зеркальной симметрии для совершенствования модальной фильтрации 43

Рис. 2. Схема и формы сигнала в начале и конце проводника 1 для структуры 2

Рис. 3. Формы сигнала в конце активного проводника для структур 1 [8, 12] (-) и 2 (-)

Рис. 4. Модуль (а) и фаза (б) частотного отклика для структуры 1 (-) и 2 (-)

Совершенствование выполнено за счет гранта Российского научного фонда (проект №14-1901232) в ТУСУРе, алгоритмы и программное обеспечение разработаны при поддержке гранта РФФИ 14-29-09254.

Доклады ТУСУРа, № 2 (36), июнь 2015

44

ЭЛЕКТРОНИКА, ИЗМЕРИТЕЛЬНАЯ ТЕХНИКА, РАДИОТЕХНИКА И СВЯЗЬ

Литература

1. Исследование функционирования локальной вычислительной сети в условиях воздействия сверхкоротких электромагнитных импульсов / К.Ю. Сахаров, А.А. Соколов, О.В. Михеев, В.А. Туркин, А.Н. Корнев, С.Н. Долбня, А.В. Певнев // Технологии ЭМС. - 2006. - №3 (18). - С. 36-45.

2. Газизов Т.Р. Исследование модальных искажений импульсного сигнала в многопроводных линиях с неоднородным диэлектрическим заполнением / Т.Р Газизов, А.М. Заболоцкий, О.М. Кузне -цова-Таджибаева // Электромагнитные волны и электронные системы. - 2004. - Т. 11, № 11. - С. 18-22.

3. Заболоцкий А.М. Теоретические основы модальной фильтрации / А.М. Заболоцкий, Т.Р Газизов // Техника радиосвязи. - 2014. - №3. - С. 79-83.

4. Газизов Т.Р. Модальное разложение импульса в отрезках связанных линий как новый принцип защиты от коротких импульсов / Т.Р Газизов, А.М. Заболоцкий // Технологии ЭМС. - 2006. -№4 (19). - С. 40-44.

5. Заболоцкий А.М. Модальная фильтрация в отрезках кабелей силового питания / А.М. Заболоцкий, И.Е. Самотин //15-е Туполевские чтения: матер. междунар. молодёжной науч. конф., Казань, 9-10 ноября 2007 г. - Казань, 2008. - С. 189-191.

6. Заболоцкий А.М. Защита от короткого импульса в линиях передачи с различными граничными условиями / А.М. Заболоцкий, И.Е. Самотин //16-е Туполевские чтения: матер. междунар. молодёжной науч. конф., Казань, 28-29 мая 2008 г. - Казань, 2008. - С. 243-245.

7. Gazizov TR. Experimental results on ultra wide band pulse propagation in three-conductor power cables of flat and circular cross sections / TR. Gazizov, А.М. Zabolotsky, I.E. Samotin // Proceedings of International Siberian conference on control and communications (SIBCON-2009). - Russia, Tomsk. -March 27-28, 2009. - P 264-269.

8. Заболоцкий А.М. Временной отклик многопроводных линий передачи / А.М. Заболоцкий, Т.Р. Газизов. - Томск: Том. гос. ун-т, 2007. - 152 с.

9. Gazizov TR. New approach to EMC protection / TR. Gazizov, А.М. Zabolotsky // Proceedings of the 18-th International Zurich Symposium on EMC. - Germany, Munich. September 24-28 2007. -P. 273-276.

10. Самотин И.Е. Условие выравнивания амплитуд импульсов на выходе модального фильтра // Технологии ЭМС. - М., 2010. - № 4(35). - С. 31-34.

11. Самотин И.Е. Подходы к созданию модального фильтра для защиты от сверхкороткого импульса // Электронные и электромеханические системы и устройства: тез. докл. науч. техн. конф. молодых специалистов «НПЦ «Полюс», Томск, 22-23 апреля 2010 г. - Томск, 2010. - С. 263-266.

12. Gazizov TR. Design of printed modal filters for computer network protection / TR. Gazizov, I.E. Samotin, А.М. Zabolotsky, A.O. Melkozerov // Proceedings of 30-th International Conference on lightning protection. - Cagliary, Italy. September 13-17, 2010. - P 1246-1-1246-3.

13. Свидетельство о государственной регистрации программы для ЭВМ №2015614365. TALGAT 2013 / Т.Р Газизов, А.О. Мелкозеров, Т.Т. Газизов и др. - Заяв. №2015611288, дата поступления 3 марта 2015 г., зарегистрировано в Реестре программ для ЭВМ 16 апреля 2015 г.

Заболоцкий Александр Михайлович

Ст. науч. сотрудник каф. телевидения и управления ТУСУРа

Тел.: 8 (382-2) 90-01-45

Эл. почта: [email protected]

Zabolotsky A.M.

Application of reflective symmetry for modal filtration improvement

The article proposes a new approach to modal filtration improvement, which is symmetrical adjunction of additional dielectric and conductor layers to the given structure. The article describes four-conductor reflection symmetric structure; amplitudes of decomposition pulses of this structure are equal and 8 times lower than EMF source amplitude. Besides, the length of a single segment of four-conductor structure is 1.2 times shorter than the total length of two-stage two-conductor structure, while output amplitudes are equal.

Keywords: coupled line, modal filter, protective devices.

Доклады ТУСУРа, № 2 (36), июнь 2015

i Надоели баннеры? Вы всегда можете отключить рекламу.