CC BY
31
Секция технологии микроэлектронной и наноэлектронной аппаратуры
УДК 621.382.132
В.М. Мамиконова, О.А. Агеев ИНТЕГРАЛЬНЫЙ МАГНИТОРЕЗИСТОР НА ОСНОВЕ SIC
Снижение уровня загрязнения окружающей среды электромагнитным излучением является важной задачей при разработке современных систем, содержащих сложные радиоэлектронные системы управления и контроля. Это требует разработки чувствительных датчиков магнитного поля, которые должны обладать высокой стабильностью параметров, поскольку часто размещаются в непосредственной близости от исполнительных механизмов и двигателей. Кроме того, применение таких датчиков позволит снизить шумность и повысить надежность систем, за счет точного контроля перемещения деталей и механизмов.
Ранее, в работах [1, 2] было предложено конструктивно-технологическое решение и исследовались параметры изготовленного на основе Si гальваномагнито-рекомбинационного преобразователя (ГМРП) в интегральном исполнении. В данной работе рассмотрены возможные конструкции ГМРП с использованием SiC различных политипов, а также структур SiC/Si. Рассчитаны оптимальные размеры и топология ГМРП. Согласно предварительным оценкам магнитная чувствительность различных конструкций ГМРП составляет от 2 до 93,56 mV/mT.
Анализ полученных результатов позволяет заключить, что датчик магнитного поля на основе ГМР-эффекта обладает рядом преимуществ по сравнению с широко используемыми ДХ, а именно: линейностью характеристики в широком диапазоне
,
.
интегральной технологии достигается путем формирования на одном кристалле схемы усиления и преобразования сигнала.
БИБЛИОГРАФИЧЕСКИЙ СПИСОК
1. АС. №1263153 от 8.06.86. Магниторезистивный преобразователь / Касимов Ф.Д., Мамиконова В.М.
2. Касимов Ф.Д., Абдуллаев АТ., Мамиконова В.М. // Электронная техника. Сер.3. Микроэлектроника. 1988. Вып.3. С. 71-72.
УДК 621.382.132
А.М. Светличный, П.В. Серба, А.Н. Кочеров, В.В. Поляков
МОДЕЛИРОВАНИЕ ПРОЦЕССА ОКИСЛЕНИЯ SIC ПОД ДЕЙСТВИЕМ
СВЕТОВЫХ ПОТОКОВ
Карбид кремния (SiC) в настоящее время получает все большее распространение в микроэлектронике, благодаря сочетанию таких свойств, как широкая запрещенная зона, химическая и механическая стабильность. Также SiC используется для построения микросистем экстремальной электроники, так как устройства на его основе могут работать при высокой температуре, а также обладают радиационной стойкостью.
Изотермический процесс окисления карбида кремния в диффузионной печи занимает длительное время. Поэтому представляет интерес использовать ускорен-
